Optoacopladores

Objetivo:
Dar a conocer al participante los diferentes tipos
de optoacopladores que existen en el mercado,
clasificndolos de diferentes formas y describiendo sus
caractersticas y aplicaciones.

Qu es un optoacoplador?
La asociacin de una fuente luminosa y uno o varios
receptores fotosensibles en una misma cpsula constituye, lo
que se conoce con el nombre de Optoacopladores.
Hay muchas variantes de optoacopladores (tambin llamados
dispositivos electropticos, optoaisladores, etc), pudiendo
clasificarse en varias categporas generales.

1.- Los que tienen como fuente una lmpara de incandescencia y

como elemento fotosensible una fotorresistencia, que suelen
encontrase con el nombre de foto restatos.

a) Lmpara de incandescencia y fotorresistencia; b) Tubo de

nen y fotorresistencia; c) diodo electroluminescente y elemento
fotosensible de unin.

2.- La categora mas ampliamente representada es la formada

por un tubo de Nen como fuente excitatriz y una o varios
fotorrestencias.

3.- Los que tienen como fuente un Led y como

elemento de salida un dispostivo fotosensible de
unin (fotodiodo, fototransistor fototiristor).

Una propiedad importante que tienen los Optoacopladores

debido a su construccin es su alto aislamiento galvnico
entre la salida y la entrada.

Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor

formado por un fotoemisor, fotorreceptor y entre ambos hay un
camino por donde se transmite la luz. Todos estos elementos se
encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo
DIP.

Estructura.La figura muestra la perspectiva interna de un

optoacoplador. Una resina aloja al elemento sensitivo a la luz
(fototransistor o fototransistor de salida Darlington) que esta
rodeado por otra resina que permite la transmisin de la luz.

CONSTRUCCIN DE OPTOACOPLADORES.

Construccin mecnica.
La figura muestra la construccin mecnica y la capacitancia
parsita de acople resultante entre la entrada (diodo luminiscente) y
la salida (fototransistor).

Altas resistencias de aislamiento, tpicamente 1011 ohms

entre la entrada y la salida, pueden lograrse de manera que en la
prctica la resistencia de aislamiento est determinada por el
material del circuito impreso y la contaminacin superficial que
ocurre inevitablemente.

Las captancias de acople entre el diodo luminiscente y el

fototransistor son las que mas probablemente limitan el desempeo
en operacin normal.

Diseo

El diseo de un optoacoplador bsico debe

satisfacer cinco requerimientos esenciales:

Buen comportamiento en cuanto a la funcin del

aislamiento,

Alta relacin de transferencia de corriente (CTR),

Degradacin lenta (al ser dispositivo de estado

slido, sin partes mviles),

Baja capacidad de acoplamiento,

Imposibilidad de un funcionamiento incontrolado

debido a influencias de campos externos.

Estos factores dependen esencialmente del diseo , de los

materiales empleados y de los correspondientes chips usados
para el emisor-receptor.
Para explicar las caractersticas de diseo de un optoacoplador
nos basaremos en el tipo denominado PIN de 6 terminales que el
optoacoplador mas usado.
En dichos optoacopladores, el emisor y el receptor estn
colocados uno al lado del otro. A este tipo de distribucin del
emisor y del receptor se le denomina optoacoplador por reflexin.

 Sobre ambos chips se coloca un semielipsoide de cierto

material que mejora la capacidad de reflexin. Todo este
conjunto se cubre con un material plstico que sea
impermeable al rango del infrarrojo y tenga adems una
constante dielctica alta.
El sistema completo se envuelve en un compuesto de
plstico impermeable a la luz para asegurar que ninguna
influencia externa (luz, polvo, etc) altere al acoplador.

 El espacio libre entre el emisor y el receptor es de 0.75 mm y

est, de este modo, mecnicamente estable incluso bajo
sobrecargas trmicas; por ejemplo, se descarta la posibilidad de
un corto circuito causado por la deformacin del material.
Gracias a su gran espacio libre, estos optoacopladores tienen
una capacitancia de acoplamiento baja, de aproximadamente 2 pF.


Los acopladores con diseos convencionales, por ejemplo,
de donde el emisor y el receptor se adaptan cara a cara
(optoacopladores directos o cara a cata), tienen valores de la
capacidad de acoplamiento mas altos del orden de 1.3-2 veces los
anteriores.

En circuitos digitales debemos tener muy en cuenta la

capacidad de acoplamiento, pues en estos los picos de los
pulsos de la seal se superponen as mismo en la seal de
control.
Es evidente que se desea una capacidad de acoplamiento lo
mas baja posible, que significa un mayor aislamiento entre las
etapas de entrada y salida del optoacoplador. Con una
capacidad de acoplamiento baja, la transmisin de esas
interferencias se suprimen entre la entrada y salida del
acoplador.

Detallando las caractersticas y operaciones bsicas de los

dispositivos optoelectrnicos podemos tener una idea de que se
puede esperar del semiconductor. Los dispositivos optoelectrnicos
bsicos puede ser empaquetados para proporcionar:
Emisores y detectores discretos los cuales emiten y detectan luz.

Mdulos Interruptores / Reflectores que detectan el objeto

modificando la direccin de la luz.
Aisladores / Acopladores, los cuales transmiten seales elctricas
sin conexin elctrica.

Mdulos Interruptor / Reflector.

El uso de mdulos interruptores o reflectores elimina la
mayora de los clculos pticos, y geomtricos y los problemas
de la conversin en los mecnicos posiciona posicionan dndose
cuenta de las aplicaciones. Estos mdulos se especifican
elctricamente, simultneamente a la entrada y salida, es decir,
como un par acoplado, y ha definido las limitaciones en la
entrada mecnica.
Todos los diseos necesitan ser provedos de corriente de
entrada y entrada mecnica (es decir, paso en un infrarrojo - de
un objeto opaco a travs del hueco interruptor) supervisa el
rendimiento elctrico:

Lo anterior coloca a los mdulos de sensor en la misma categora

del plan como los interruptores de lmite de precisin mecnicos,
solo que con el mecanismo activando, bloqueando o reflejando la
luz en lugar de aplicar una fuerza. As se eliminan el uso
mecnico y efectos de la deformacin.

Esto tambin explica la falta de mdulos reflexivos normales,

porque el espacio firme entre el mdulo y los actuadores mecnicos
deben mantenerse para proporcionar el acoplamiento ptico
adecuado, mientras llevando a los requisitos de la montura
mecnicos diferentes para cada sistema mecnico.

CLASIFICACION DE LOS OPTOACOPLADORES

DEFINICIN:

Dispositivo empaquetado con un par emisor_detector y donde este

par se ajusta para que la respuesta de longitud de onda pueda ser lo
mas idntica posible y se tenga la mayor medida de acoplamiento.

Tomando como base las caractersticas principales de cada tipo de

optoacoplador los podemos clasificar de la siguiente manera:

Baja
Potencia
Por su tipo de
salida

ANALGICA

Alta
Potencia
DIGITAL

Smitch Trigger

Foto
Transistor.
Foto
Darlintong.
Foto FET
Foto SCR
Foto Triac

Los optoacopladores con salida analgica de baja potencia son

conocidos como de uso general, debido a que se utilizan
principalmente en etapas de control.
A continuacin se describirn los diferentes tipos de
optoacopladores para dar una base de comparacin entre unos y
otros.
BAJA POTENCIA
FOTO TRANSISTOR
Caractersticas:
Alta velocidad de respuesta (Mhz)
(limitada solamente por las capacidades de la unin)

Bajo nivel de ruido.

Bajo costo.
No maneja etapas de potencia.
(bajos niveles de voltaje y corriente).
Funcionamiento:
IC = HFE (I)
El transmisor lo forma un LED o IRED y el receptor lo forma
un fototransistor.
Al activar la fuente de luz esta incide sobre la unin
fotosensible colector_base.
Se provoca una generacin de portadores (debido al efecto
fotoelctrico) y esta es la corriente de base (con la base en
circuito abierto) I = I entonces se tiene que......

Esta corriente (I) activa el transistor, llevndolo al estado de

amplificacin (debido a la ganancia del transistor). Esto genera
una corriente de unos cuantos mili amperios para ser usada en
algn circuito de control.
En algunos empaquetados se cuenta con la capacidad de conexin
con la base, lo que nos permite variar la sensibilidad del
fototransistor.

NTE3040
Optoisolator
NPN Transistor Output
Description:
The NTE3040 is a gallium arsenide, infrared emitting diode in a 6Lead DIP type package coupled with a silicon phototransistor.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C C unless otherwise
specified)
Infrared Emitting Diode
Reverse Voltage, VR
Continuous Forward Current, IF

Peak Forward Current (Pulse Width 1s, 300pps), IF

Power Dissipation, PD
Derate Above +25C

3V
60mA

3A
200mW
2.6mW/C

Phototransistor
Collector-Emitter Voltage, VCEO

30V

Emitter-Collector Voltage, VECO

7V

Collector-Base Voltage, VCBO

70V

Continuous Collector Current, IC

100mA

Detector Power Dissipation, PD

200mW

Derate Above +25C

2.6mW/C

Total Device
Isolation Source Voltage (Input-to-Output),
VISO Pea RMS
Operating Temperature Range, Topr

Storage Temperature Range, Tstg

Lead Temperature (During Soldering,
10sec), TL

1500V
1060V
-55 to +100C

-55 to +150C
+260C

Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified)

Parameter

Symb
ol

Test
Conditions

Mi
n

Ty
p

Ma Uni
x
t

Infrared Emitting Diode

Forward Voltage

VF

IF = 10mA

1.1

1.5

Reverse Leakage
Current

IR

VR = 3V

10

mA

Capacitance

CJ

V = 0, f =
1MHz

50

pF

Phototransistor
Collector-Emitter
Dark Current

ICEO

Collector-Emitter
Breakdown Voltage

VCE = 10V,
IF = 0

50

nA

V(BR) IC = 10mA,
IF = 0
CEO

30

Collector-Base
Breakdown Voltage

V(BR) IC = 100A,
IF = 0
CBO

70

Emitter-Collector
Breakdown Voltage

V(BR)E IE = 100A,
IF = 0
CO

pF

pF

Collector-Emitter
Capacitance

CCE

VCE = 5V, f
= 1MHz

Capacitance

CJ

VCE = 10V, f
= 1MHz

Coupled Characteristics
DC Current
Transfer Ratio

IF = 10mA, VCE =
CTR
10V

Collector-Emitter
Saturation Voltage

VCE( IF = 60mA, IC =
1.6mA
sat)

10
0

Isolation
Resistance

RISO V = 500V

10
0

G
Ohm

Isolation
Capacitance

CISO V = 0, f = 1MHz

pF

VCE = 10V, ICE =

2mA, RL = 100

VCE = 10V, ICB =

50A, RL = 100

Switching Times

tr, tf

FOTO DARLINTONG
Caractersticas:
Alta velocidad de respuesta (MHz)
Bajo nivel de ruido.
Bajo costo.
Manejo de mediana potencia.
Funcionamiento:
El transmisor lo forma un LED o un IRED y el receptor es
una arreglo de transistores en Darlintong, donde el primero es
un fototransistor y el segundo un transistor normal.
Al activarse la fuente de luz, esta incide sobre la unin
fotosensible colector_base del transistor.

Debido a la incidencia de luz se genera una fotocorriente

(efecto fotoelctrico) en la unin Colector _base del
fototransistor y esta corriente () es amplificada por la ganancia
(hFE) del fototransistor.
Ahora, esta corriente amplificadad, es la que fluye por la base
del segundo transistor y es amplificada, es la que fluye por la
base del segundo transistor y es amplificada por la ganancia del
mismo.
Si los dos transistores son iguales, entonces 1 y 2 son iguales
lo cual nos da una ganacia de 2. Si se tiene un factor de
ganancia de 120 (tpico), entonces la ganancia del fotodarlintong
es de aproximadamente 14,400 lo cual genera una corriente
grande y que puede llegar al orden de los amperes.

Este optoacoplador nos ofrece la ventaja de trabajar con

potencia media a un costo bajo por unidad.
Al igual que el foto transistor, este dispositivo cuanta con una
pata para conectar la base del foto transistor, con lo cual
ampliamos la sensibilidad del receptor.

NTE3045
Optoisolator
Silicon NPN Darlington Phototransistor Output

Description:
The NTE3045 is a gallium arsenide LED optically coupled to a
Silicon Photo Darlington transistor in a 6-Lead DIP type package
designed for applications requiring electrical isolation, high
breakdown voltage, and high current transfer ratios. Characterized
for use as telephone relay drivers but provides excellent
performance in interfacing and coupling systems, phase and
feedback controls, solid state relays, and general purpose switching
circuits.

Features:
High Sensitivity to Low Input Drive Current
High Collector-Emitter Breakdown
Voltage: V(BR)CEO = 80V (Min)
High Input-Output Isolation Guaranteed: VISO =
7500V (Peak)
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C C unless otherwise
specified)
Input LED
Reverse Voltage, VR
Continuous Forward Current, IF
LED Power Dissipation (With Negligible Power in
Output Detector), PD
Derate Above +25C

3V
60mA

120mW
1.41mW/C

Output Detector
Collector-Emitter Voltage, VCEO
Emitter-Collector Voltage, VECO
Detector Power Dissipation (With Negligible
Power in Input LED), PD
Derate Above +25C

80V
5V
150mW
1.76mW/C

Total Device

Isolation Source Voltage (Peak AC Voltage,

60Hz, 1sec Duration, Note 1), VISO
Total Device Power Dissipation, PD
Derate Above +25C

7500V

250mW
2.94mW/
C

Operating Ambient Temperature Range, TA

Storage Temperature Range, Tstg

Lead Temperature (During Soldering, 1/16" from
case, 10sec), TL

-55 to
+100C
-55 to
+150C
+260C

Not Isolation Surge Voltage is an internal device dielectric breakdown

e 1 rating. For this test, Pin1 and Pin2 are common, and Pin4, Pin5,
and Pin6 are common.

Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified)

Parameter

Symb
Test
Ma Uni
Min Typ
ol
Conditions
x
t

Input LED
Reverse Leakage
Current

IR

VR = 3V

0.05

10

Forward Voltage

VF

IF = 10mA

1.15 2.0

Capacitance

CJ

VR = 0, f =
1MHz

18

pF

Photodarlington (TA = +25C, IF = 0 unless otherwise specified)

Collector-Emitter Dark
ICEO VCE = 60V
Current
Collector-Emitter
V(BR)C
IC = 1mA
Breakdown Voltage
EO
Emitter-Collector
V(BR)E
IE = 100A
Breakdown Voltage
CO

80

Coupled (TA = +25C unless otherwise specified)

Output Collector
Current
Isolation Surge
Voltage
Isolation
Resistance
Isolation
Capacitance

IC

IF = 10mA, VCE = 1.5V

50

mA

7500

RISO V = 500V, Note 2

1011

Ohm

CISO V = 0, f = 1MHz, Note 2

0.2

pF

VISO 60Hz Peak AC, 5sec,

Note 2, Note 3

Switching
Turn-On Time

ton

Turn-Off Time

IF = 5mA, VCC = 10V, RL

= 100 Ohms

3.5

toff

95

Rise Time

tr

Fall Time

tf

Note
2.

For this test LED Pin1 and Pin2 are common and
Phototransistor Pin4 and Pin5 are common.

Note
3.

Isolation Surge Voltage, VISO is an internal device

dielectric breakdown rating.