5.

EL TRANSISTOR TRABAJANDO EN CONMUTACION

EL TRANSISTOR
En lneas generales, el transistor
ciadas:

puede trabajar de dos formas diferen-

1." En la zona lineal de una recta de carga.

2.a En conmutacin, es decir, bloqueado y saturado.
Cuando el transistor trabaja en la zona lineal. el principio de su funcionamiento es el "control de corriente, que consiste en que pequeas variaciones
de la corriente de entrada lB originan variaciones ms importantes en la
corriente de salida le. En esta zona, la relacin entre le e lB es el parmetro hfE,
tal como se expresa de forma grfica en la figura Ap-3.
El funcionamiento
lidades de trabajo:

del transistor en conmutacin, slo le permite dos posibi-

1} Bloqueado, es decir, sin circulacin de corriente, al no estar polarizada la

base del transistor lo suficiente. En la figura Ap-4 la base tiene O V, o sea, la
miSma tensin que el emisor y se recordar que para empezar a conducir un
transistor de silicio, NPN, precisa que la base sea positiva respecto al emisor en
unos 0,7 V. Cuando el transistor est bloqueado su tensin de salida es la
mxima.
C(N)

ff0fRABjAr~;:-;>
~N.:f~~A:.~~~~~~

B (p)

E(N)

~;~~~~E~9~;
+5V

le' o

+-+---- v

SAL -

5V

av

2) Saturado, lo que supone Que el transistor es atravesado por la mxima

corriente posible, le SATURACION, con lo que la tensin de alimentacin del circuito
se queda, prcticamente toda, en la resistencia de carga situada en el colector
del transistor, mientras que en el colector la tensin de salida es nula. Esta
situacin es slo terica, puesto Que si no tuviese tensin el colector, el transistor no conducira. En la prctica, cuando el transistor est saturado, la tensin
entre colector y emisor es del orden de 0,3 V. (Ver la figura Ap-5.)
Cuando la VBE directa del transistor origina la saturacin del mismo ya no se
mantiene la relacin entre la le y la lB' que en la zona lineal era hFE; en este caso
es superior y para asegurar la saturacin del transistor la relacin por lo menos
debe llegar al doble que en la zona lineal, o sea, a 2 . hFE

+5V

-.-----i

"f
I

VSAL

-ov

"

En la figura Ap-6 se observa el comportarnientode un transistor trabajando

en saturacin. La seal cuadrada de entrada se obtiene a la salida invertida.
Sobre la figura Ap-6 se pueden deducir las siguientes condiciones de trabajo
del transistor.

SAUDA

~--.-----<:...----.Vs
ENTRADA

VE'---~--t---.--4~

ENTRADA
SATUR_

::JL
CORTE

~,co"'~rUDA
VCESAT

SATUR

Bloqueo
IC=O
Saturacin.-Cuando

Ve y Re permiten se cumpla que

= VeE

Vs

SAT

= 0,25

V;

le

Finalmente en la figura Ap-7 se muestra el esquema de dos transistores con

las polarizacines tpicas ntre sus electrodos: a la izquierda en funcionamiento en la zona lineal y a la derecha trabajando en saturacin, En el primer
caso le
'a . hFE, Y en el segundo caso, le
la ' '/2 . hFE. (El factor 1/2 se toma
para asegurar la saturacin).

'e

l't4
~17L
I

!
I

0'6 V

3V

:;

If

12V

-J

ii -

+
+

017vl
-_, __

Teniendo en cuenta estas caractersticas fundamentales del comportamiento

de los diodos y transistores, a continuacin se exponen seis ejemplos de clculo
y diseo de circuitos con transistores. Los tres primeros se refieren al trabajo
del transistor en conmutacin y los tres finales al trabajo en la zona lineal y
clculo de etapas amplificadoras,

1.er EJERCICIO
DISEO DE UN CIRCUITO SIMPLE DE CONMUTACION
Dadas las caractersticas del transistor se 107, hallar los valores de las
resistencias Rs Y Rc Que forman el circuito de conmutacin de la figura Ap-8;
teniendo en cuenta que en saturacin se desea que circule una le SAT = 60 mA. ..
Los niveles lgicos aplicados a las bases para el bloqueo y la saturacin son de
O y 5 V, respectivamente, y la polarizacin del circuito es de 10 V.

se

107 (NPN)

DATOS:

+10V

PTOTAL = 25mW.
le mx

= 100 mA

hFE

VBE

= 0'7 (lC::::60mAI

le = 60mA

200 !le::: 60 mAl

(SATURACIONI

'SL \ ov
Ve

( +5 V. (SATl

..

.<

VBE

lB

= 07

VSAT

.s::

1. Clculo de Rc.
En la figura Ap-9 se ha dibujado la curva de mxima potencia para conocer
la zona permitida de trabajo del transistor. Tambin se ha trazado la recta de .
carga, puesto Que Quedan determinados dos puntos:
.
'c=O,

VCE= 10V y el le=60mA.

VeE=OV

Se ha calculado la Re sobre la misma figura Ap-9, plicando la ley de Ohm

en el punto de saturacin, habiendo obtenido un valor terico para ella de 166
ohmios. En la prctica se tomar como resistencia de carga una de valor normalizado de 170 ohmios.

2.Q Clculo de la lB en saturacin.

lB>

I
_C_

(SATURACION)

hFE

.4

EN SATURACION

100

ZONA
PROHIBIDA

2
'<.::::-.:::;:.~~.~:-:':---'
-

".

- -

-; -:- rz.: _.,.--

.:

--- - - - _:~._ .. _-':~~

-~. ~~--.""-: .-~-::

...--:~

.CiFI;uito.~Con u:: r?cta .d. carga ~'l.. 'cuLv':::'de -' ~ -

, ,: ':;~.<:' ~"~'~1fJ~ictrp~.~"ot~rjC::~:~;?:ti,~j';-
':~:' :,";0:

En la prctica, para mayor seguridad:

le

lB = 2-hFE,
3.2 Clculo de' RB para permitir

60

= 2--=

la saturaci6n

0,6 mA.

200
con 5 V de entrede

Segn la figura Ap.l O,

Il

e=

+5V-------r--l---~~r

GOmA

= 250mW.

5-07
RB = 0,00~6

7 K (aproximadamente).

Finalmente, en la figura Ap-10 bis se muestra el circuito completo una vez

diseado.
+10V

'C=60mA
SALIDA

lLJ
-o

ENTRADA

(+5V)~.sL

1
2. o EJERCICIO
DISEO DE UN CIRCUITO DE CONMUTACION

LA AlIMENTACION

PARA

DE UN LEO

Disear un circuito basado en el transistor se 107 (NPN) Que, trabajando en

saturacin, al aplicarle a su base 2,7 V conduzca una corriente de 20 mA para
activar un diodo LEO, que en esta situacin absorbe 1,7 V ..La alimentacin del
circuito, que se refleja en la figura Ap-11, es de 6 V Y el coeficiente hFE para-esta le ser de 90.
.:
1.

Clculo de la Re suplementaria

al diodo LEO.

Vc=leRe+VL

+VeE

Ve-VL -VeE
Re = --::_-=---==le
Si el transistor est saturado, VCE .;-.=
Re =

Ve-VL
le

------------------------

-----------

V (aproximadamente)

6-1,7

= --'---= 215 ohmios.

0,020

-------

-----~--

El valor de la resistencia normalizada ms prximo es de 220 ohmios.

2.Q Clculo de la le.
En la prctica, cuando el transistor est saturado:

le
0,020
Ig=2=2
hFE
90

=OA4mA.

1
3.Q Clculo de Re.
Teniendo en cuenta que en un transistor de Si la BE de saturacin es del
orden de los 0.7 V, aplicando la ley de Ohm al circuito de entrada mostrado en
la figura Ap-12:

'B=

O"44mA

YSE = 0"7 V

-..J,../

2,7-0,7
---'---=
0,00044
El circuito, una

4.545 ohmios (normalizada: 4K7).

vez diseado por completo, se ofrece en la figura Ap-13.

Ve = 2'7V

RB

= 4K7

se

107

..

3, er EJERCICIO:
CARACTERISTICAS

DE UN TRANSISTOR

EN SATURACION

+5Ve--~~--_~

~
Si el transistor del circuito de la figura Ap-14 est saturado y en su diseo se
ha usado un coeficiente de seguridad 2. es decir. lB = 2 . Ic/hFE averiguar:
1.0 hFE; 2. Validez de la Re = 470
Resistencia de carga mnima.

n. y

1. Clculo de hFF.
1-

5-03

c-

'

470

5-0.7

10mA;

hFE

la

0.5mA

8.000

le
2-=

10
2-=

lB

0,5

40

2. Es vlida la Re = 470 ohmios?

es 20 mW. Cul es la Rmin que puede colocarse

La Potmax del transistor

como carga?

En la figura Ap-15 se omienza dibujando la curva de mxima potencia para

20 mW y despus la recta de carga para 470 ohmos. que al quedar en la zona
permitida s es vlida.

'cImA)
16
'\
'\

\
14

\
'\

,
'\

12

\
\

"

'1

10

ZONA PROHIBIDA

Pa,r~ calcular I~ Rmin se traza en la figura Ap-15 la recta tangente a la curva

de m~xlma potencia y se analiza. para deducir el valor de la resistencia correspendiente, el punto de saturacin: le = 16 mA Y VeE = O, de donde:
Re min =
-------~_.

5
0,016

= 312

ohrnios.