El primer dispositivo electrnico presentado se llama diodo.

Las caractersticas se asemejan a las de un interruptor.

El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el
smbolo y las caractersticas que se muestran en las figuras

R=V/I

En forma ideal, un diodo conduce corriente en la direccin definida

por la flecha en el smbolo (POLARIZACIN DIRECTA) y actua
como un circuito abierto para cualquier intento de establecer
corriente en la direccin opuesta (POLARIZACIN INVERSA).

Las caractersticas de un diodo ideal son las de

un interruptor que puede conducir corriente
en una sola direccin.
El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito
abierto en la regin en la que no hay
conduccin.

Materiales semiconductores tipo N y tipo P.

El prefijo semi se aplica a un rango de valores
que se mueve entre dos lmites. El trmino
conductor se aplica a los materiales que tienen
la capacidad de que circule por ellos una gran
cantidad de cargas elctricas "materiales
conductores" en donde su conductividad sigma
es muy alta, , en un conductor perfecto la
conductividad es infinita = . Por ejemplo, el
cobre, Cu, tiene una conductividad =5.96x107
Siemens/m, la plata Ag tiene una conductividad
=6.3X107 Siemens/m, el oro Au tiene una
conductividad =4.5X107 Siemens/m y el
aluminio tiene una conductividad =3.8X107
Siemens/m, todas a 20 grados centgrados.

Un aislante o un dielctrico es un material que

tiene una muy pobre capacidad de conduccin
ya que su conductividad sigma es muy pequea
o cercana a cero, 0. En un dielctrico perfecto
la capacidad de conduccin es nula o no existe
ya que su conductividad, es igual a cero, =0.
Entonces, un semiconductor es un material cuya
conductividad se ubica entre los lmites de la
conductividad de un dielctrico y de un
conductor.

Enlace covalente: En este tipo de enlace los

electrones se comparten, pero no se transfieren. Un
enlace covalente consiste en un par de electrones
(de valencia) compartidos por dos tomos.
El mtodo ms sencillo para liberar los electrones de
valencia ligados consiste en calentar el cristal. Los
tomos efectan oscilaciones cada vez ms intensas
que tienden a romper los enlaces y liberar as los
electrones. Cuanto mayor sea la temperatura de un
semiconductor, ms enlaces se rompen, ms
electrones son liberados y mejor podr conducir el
semiconductor.

En un material tipo N el electrn se denomina portador

mayoritario y el hueco se denomina portador minoritario. Cuando
el quinto electrn (electrn sobrante) de un tomo donador
abandona al tomo padre, el tomo que permanece adquiere una
carga positiva neta: a ste se le conoce como ion donador .
En un material tipo P el hueco se denomina portador mayoritario
y el electrn se denomina portador minoritario. Cuando un hueco
es ocupado por un electrn, el tomo adquiere una carga positiva
neta: a ste se le conoce como ion aceptor .

Material tipo N
tipo P

Material

Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales
tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a
partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si.
Regin de Agotamiento o de Deplexin
En el momento en que dos materiales son unidos
(uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos
que estn en o cerca de la regin de "unin", se
combinan y esto da como resultado una carencia de
portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios)
en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones
negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de
Regin de Agotamiento o de Deplexin por la
ausencia de portadores.

Especificaciones o parmetros
del diodo
Los diodos, como todos los componentes electrnicos, tienen
especificaciones o caractersticas que establece el fabricante.
Algunas de ellas son:
1. El voltaje directo VF (a una corriente u temperatura especfica).
2. Mxima Corriente Directa IF (a una temperatura especfica).
3. Corriente de Saturacin Inversa IR (a voltaje y temperatura
especficos).
4. Voltaje inverso Nominal VPI o VBR (a temperatura especfica).
5. Mximo nivel de disipacin de Potencia PDmx (a temperatura).
6. Capacitancias parsitas.
7. Tiempo de recuperacin en sentido inverso trr.
8. Intervalo de temperatura de operacin.

Comportamiento de CD de un diodo
Anlisis por Recta de Carga. La carga o la resistencia de
carga (RL o R) aplicada a un circuito, tiene un efecto
importante sobre el punto de regin de operacin de un
dispositivo (en este caso el diodo).

Si se aplica la ley de voltajes de Kirchoff:

V - V D - VL = 0
V = VD + IDRL

El rectificador de media onda

La funcin de los circuitos rectificadores es convertir la energa elctrica de
corriente alterna o c.a. en energa elctrica de corriente directa o c. d.
La mayor parte de los circuitos electrnicos necesitan un voltaje de c.d.
para trabajar. Debido a que el voltaje de lnea es alterno, lo primero que
debe hacerse en cualquier equipo electrnico es convertir o rectificar" el
voltaje de alterna (c.a.) en uno de directa (c.d.).
La tarea de la "fuente" o fuente de alimentacin de cualquier equipo o
aparato electrnico es obtener el o los niveles adecuados de c.d. a partir
del voltaje de lnea (127 VRMS).

El transformador es un dispositivo que se utiliza para elevar o reducir

el
voltaje de CA, segn como sea necesario.
V1 = Voltaje en el devanado primario
V2 = Voltaje en el devanado secundario
N1 = # de vueltas en devanado primario
N2 = # de vueltas en el devanado secundario
Si la razn de vueltas es 6:1 y Vin es el voltaje de la lnea:

Formas de onda para el rectificador de media onda

El Vprom o Vcd de esta seal rectificada es,

Si Vm es mucho mayor que VT entonces Vcd 0.318Vm

Voltaje de entrada y voltaje

promedio de salida en el
rectificador de media onda.

Vpp = Valor pico a pico = 2Vp

Vp = Valor pico
Vpromedio = 0

Ejemplo). Dibuja la salida Vo y calcula el nivel

de cd para el siguiente circuito, con
Vi = 20 sen wt volts y con diodo ideal.

Con el diodo conectado de esta manera, ste conduce nicamente en la

parte negativa de Vi.
Vcd = -0.318Vm = -0.318(20)
Vcd = -6.36 volts

Ejemplo). Repita el inciso anterior si el diodo se sustituye por uno real de

silicio.
Solucin.
Vcd = - 0.318(Vm - VT)
Vcd = - 0.318(20 -0.7)
Vcd = - 6.14V

El rectificador de onda completa

Se conocen y se utilizan dos configuraciones para rectificadores de onda
completa. La primera de ellas es el "Puente" rectificador de onda completa:

Rectificador de onda completa utilizando Transformador con Derivacin

Central

Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (Vm-VT)

Para cada diodo: VPI 2Vm