Tema 4

TEMA 4
DIODOS Y APLICACIONES
(Gua de Clases)
Asignatura: Dispositivos Electrnicos I

Dpto. Tecnologa Electrnica
CONTENIDO
UNIN P-N EN CIRCUITO ABIERTO

UNIN P-N POLARIZADA
En sentido inverso
En sentido directo
CARACTERSTICAS TENSIN-CORRIENTE
RESISTENCIA ESTTICA Y DINMICA DE UN DIODO
MODELOS DEL DIODO
Diodo ideal
Diodo real
CAPACIDAD DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL O TRANSICIN
Diodos de capacidad variable (Varicaps)
CAPACIDAD DE DIFUSIN
TIEMPOS DE CONMUTACIN DEL DIODO
DIODOS DE AVALANCHA O ZENERS
DIODOS DE REFERENCIA DE TENSIN
FOTODIODOS SEMICONDUCTORES
DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)
CIRCUITO BSICO. CONCEPTO DE RECTA DE CARGA
CIRCUITOS RECORTADORES
CIRCUITOS FIJADORES O LIMITADORES
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
Rectificador en puente
DOBLADOR DE TENSIN
FILTRADO CON CONDENSADORES
Filtrado. Explicacin cualitativa
Aproximaciones al filtrado
Ejemplo de clculo
Detector de picos o demoduladora de AM
pg. 1
Diodos y aplicaciones. Gua de clases
UNIN P-N EN CIRCUITO ABIERTO

Zona de transicin
o de carga espacial
Ion aceptor
Hueco
Tipo p
ANOTACIONES
Ion donador
Unin
- - + +
- - + +
- - + +
+ +
Electrn
+ +
+ +
Tipo n
pg. 2
UNIN P-N POLARIZADA
a) En sentido inverso
Aumenta la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo + VI. Se produce una corriente inversa debido a los
portadores minoritarios y a los pares electrn-hueco creados en la zona de carga espacial. Esta corriente se
denomina corriente inversa de saturacin (Io).
VI
_
I0
- - - + + +
- - - + + +
- - - + + +
Tipo p
ANOTACIONES
Tipo n
+
+
+
pg. 3
b) En sentido directo
Disminuye la zona de carga espacial. V pasa a ser Vo - VD. Si VD Vo entonces se produce una corriente
debida a los huecos que son empujados por el terminal positivo de VD hacia la zona N, y a los electrones
que son empujados por el terminal negativo de VD hacia la zona P.
VD
+
Tipo p
ANOTACIONES
- +
- +
- +
+ + +
+ + +
+ + +
Tipo n
pg. 4
En cortocircuito el potencial de contacto se compensa con los potenciales en los contactos hmicos de los
terminales => I=0.
+
V0_
_ V +
0
V 0
+
V0 - V0 - V0 = 0
I=0
Grandes tensiones directas -> necesidad de limitar la corriente
Smbolo del diodo:
NODO
CTODO
ANOTACIONES
pg. 5
CARACTERSTICA TENSIN-CORRIENTE
Ecuacin caracterstica del diodo: I = I 0 (e
V
VT
1)
se deduce de la ley de la unin
I0 : corriente inversa de saturacin (constante a T constante)

: constante. Su valor es aproximadamente 1 para el Germanio. En el caso del Silicio su valor es 2 para
corrientes pequeas y 1 para corrientes moderadas o grandes.
VT : Tensin equivalente de la temperatura VT = T/11.600
a temperatura ambiente (T=300 K) VT = 0026 V
I (mA)
Tensin de ruptura
V => Tensin umbral

0,2 V (Ge)
0,6 V (Si)
VZ
I0
0,4 (Ge)
0,8 (Si)
V (volt)
(A) -> Ge
(nA) -> Si
Tensin umbral (V): tensin directa mnima para que se inicie la conduccin.
La corriente inversa I0 aumenta con la temperatura aproximadamente un 7% por C para el Si. La corriente
inversa de saturacin se duplica aproximadamente por cada 10 C de aumento de temperatura. Si I0 = I01
cuando T = T1, cuando la temperatura es T I0 viene dado por:
I 0 (T ) = I 01 2 ( T T1 )/10
La Tensin equivalente de la temperatura VT tambin aumenta con la temperatura.
Para mantener constante I con T => dV/dT -25 mv/C.
ANOTACIONES
pg. 6
RESISTENCIA ESTTICA Y DINMICA DE UN DIODO
Resistencia esttica (R) : R = V/I -> parmetro muy variable y poco til
Resistencia dinmica (r): r = dV/dI
I = I 0 (e
V
VT
1)
V
VT
g=
Ie
I +I
I
1 dI
=
= 0
= 0
r dV
VT
VT VT
VT K
=
I
I
K es constante a temperatura constante.
Para modelos de pequea seal se puede suponer r constante
ANOTACIONES
pg. 7
MODELOS DEL DIODO
a) Diodo ideal
Directa
Inversa
A
I
+
V
_
V
K
V = 0
V V -> Rf = 0
V < V -> Rr =
b) Diodo real
I
D1
1/Rf
D2
V
V
1/Rr
Rf
D1 y D2 son ideales
V V -> V = V + I Rf
V < V -> V = V + I Rr
V
_
Modelos intermedios: Rf = 0 Rr = V = 0 combinaciones.
ANOTACIONES
Rr
pg. 8
CAPACIDAD DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL O TRANSICIN
La anchura de la zona de carga espacial y por lo tanto la carga aumenta con la tensin inversa, lo cual
equivale a un efecto de capacidad:
CT =
dQ
dVI
donde CT es la capacidad de transicin
Supongamos unin abrupta con NA >> ND y polarizada inversamente con VI :

q . NA . Wp . A = q . ND . Wn . A => NA . Wp = ND . Wn
VI
Si NA >> ND => Wp << Wn W
p
dE q. N D
q. N D
x+ K
=
E=
dx
E (x=W) = 0 => K =
=> E =
ND
q. N D
W
Densidad de carga
-Wp
Wn
NA >> ND
q. N D x 2
dV q. N D
(
)
x W => V =
=
Wx + K '
dx
2
V(x=0) = 0 => K = 0 => V =
q. N D .W
2
q. N D 2
( x 2Wx)
2
=> W =
2
V
q. N D j
Intensidad de campo
E
W
-Wp
Wn
Potencial
V
Vj
0
2
2
dW
dW
V j 2W
=
=
q. N D
dV j q. N D
dV j q. N D .W
Q = q.ND .W. A => dQ = q.ND.A.dW
CT =
dQ
dW
A
= q. N D . A.
=
dVI
dV j
W
Capacidad de condensador plano con placas de superficie A y distancia entre ellas de W. Resultado tambin
vlido para unin gradual.
ANOTACIONES
Wp << Wn W
W aumenta con la VI aplicada
W2 =
-NA
q. N D
( x W)
x=W -> Vj = V0 + VI =
pg. 9
Diodos de capacidad variable (Varicaps: Variable capacitors):
CT =
A
=
W
cte
.A
=
2
Vj
. Vj
q. N D
=> Si Vj aumenta entonces CT disminuye (rango de pF)
Aplicacin de los varicaps: Filtros variables, sintonizadores LC de radiofrecuencia (VHF, UHF)
CAPACIDAD DE DIFUSIN
En polarizacin directa si VD aumenta implica que aumenta la concentracin de minoritarios en ambos lados,
y entonces aumenta la carga almacenada Q producindose tambin en este caso un efecto capacitivo:
I=
Q
Modelo de control de la carga de un diodo
CD =
dQ . dI
=
=
dV
dV
r
Concentracin
: tiempo de vida medio de los portadores

r: resistencia dinmica de la unin
CD = CDp + CDn =
p n
+
r
r
CD (orden de F) es mucho mayor que CT (puede llegar a nF)
ANOTACIONES
pno
npo
x=0
pg. 10
TIEMPOS DE CONMUTACIN DEL DIODO
CD >> CT => Es mucho ms importante el tiempo de recuperacin al pasar de conduccin directa a inversa
que al revs.
+
+
Vi
_
Vi
VF
VD _
RL
t3 t
t2
t1
-VR
pn - pno
en la unin
trr tiempo de recuperacin

en inversa (ns o s)
Tiempo
almacenamiento
trr = ts + tt
Tiempo
transicin
t
V
IF F
RL
IR
I0
VR
RL
VD
tt
t
-VR
ANOTACIONES
ts
pg. 11
DIODOS DE AVALANCHA O ZENERS
Son diodos con suficiente capacidad de disipacin para trabajar en la zona de conduccin inversa. Se utilizan
como estabilizadores de tensin.
+
I
IZ
R L VZ
V
-VZ
_
IZmin
ANOTACIONES
IL
ID
VD
IZ
Si
IZmax
Si
RL => IZ
RL => IZ
V => IZ
V => IZ
=> VZ constante
=> VZ constante
pg. 12
Hay dos mecanismos para que se produzca la avalancha del diodo: Multiplicacin por avalancha y Ruptura
Zener.
Multiplicacin por avalancha (creacin por choque):

Este mecanismo es el utilizado en diodos poco impurificados y que tienen una tensin Zener Vz mayor a 6
voltios. La zona de carga espacial es ancha. Tienen un coeficiente de temperatura positivo, es decir, con el
aumento de la temperatura aumenta la tensin Zener
Ruptura Zener:
Este mecanismo es el que se produce en diodos muy impurificados y que tienen una tensin Zener Vz menor
a 6 voltios. La zona de carga espacial es estrecha. Tienen un coeficiente de temperatura negativo, es decir,
con el aumento de la temperatura disminuye la tensin Zener.
ANOTACIONES
pg. 13
DIODOS DE REFERENCIA DE TENSIN

a) Tensiones de referencia inferiores a 2 V.
R
+
Vz < 2 v.
RL
b) Pequeo coeficiente de temperatura

R
+
RL
Vz
Zener (multiplicacin por avalancha): coeficiente de temperatura positivo

Diodo (en directa): coeficiente de temperatura negativo
c) Tensiones de referencia altas

R
+
RL
Vz
Menor disipacin que con un nico zener de Vz elevada
Menor coeficiente de temperatura combinando los dos tipos de zener
Menor resistencia que con diodos en directa
ANOTACIONES
pg. 14
FOTODIODOS SEMICONDUCTORES
I = I0 + IS
I
V
ID
RL
+
VA
VD = VA ID RL -> recta de carga

Si ID = 0 => VD = VA
Si VD = 0 => ID = VA/RL
La respuesta espectral es la misma que las clulas fotoconductoras:
% de pares e--h+ creados
ANOTACIONES
pg. 15
DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)
Uniones P-N polarizadas en sentido directo con elevada impurificacin (V 1 v.)
Materiales especiales para producir luz en la recombinacin, como es el AsGa
Se denominan diodos LED (Light Emitting Diode)
Tensiones inversas bajas -> destruccin por sobretensin
Corrientes reducidas (tpicas de 10, 20 mA) -> destruccin por sobrecorriente
A continuacin se pueden ver dos montajes prcticos de este tipo de diodos:
R
V
ANOTACIONES
pg. 16
CIRCUITO BSICO. CONCEPTO DE RECTA DE CARGA
+
i
Vi
RL
Vo
_
recta de carga: v = Vi i RL
Su interseccin con la caracterstica del diodo da el punto de trabajo de ste.
ID
Vi/RL
Q
IQ
VQ
Vi
VD
Si Vi = Vm sen ; = t ; = 2 f
Y utilizando el modelo lineal aproximado del diodo:
A
A
V
1/Rf
Rf
V
1/Rr
ANOTACIONES
K
V > V
Rr
K
V < V
pg. 17
Para Vi V :
V
Para Vi < V :
V
Rr
Rf
I
I
Vi
RL
Vi
RL
Rr >> => I 0 (orden A o nA)
Vi
V
i=
/2
Vm sen V
RL + R f
para = -> Vm sen - V = 0

= arcsen (V/Vm) -> ngulo de inicio de c onduccin
ANOTACIONES
pg. 18
CIRCUITOS RECORTADORES
Circuito recortador que transmite la parte de la seal de entrada que es ms negativa que VR + V
Vo
p=
p=
Rf
Vo
Rf + R
Rr
1
Rr + R
Vi
VR+V
VR+V
Vi
+
R
D
Vi
_
t
ANOTACIONES
VR
Vo
_
pg. 19
Circuito recortador que transmite la parte de la seal de entrada que es ms positiva que VR - V
p=
Rf
Rf + R
p=
Vo
Vi
VR-V
Rr
1
Rr + R
Vo
VR-V
Vi
+
R
D
Vi
_
t
ANOTACIONES
VR
Vo
_
pg. 20
Otros circuitos recortadores
R
D
Vi
Vo
VR
+
R
Vi
Vo
VR
Vo
DIODOS
IDEALES
VR
t
R
D
Vi
_
Vo
VR
Vi
_
VR
t
ANOTACIONES
Vo
VR
Vo
DIODOS
IDEALES
+
R
pg. 21
Circuito recortador a 2 niveles (circuito rebanador)
Vo
p=1
Vo
VR2
VR1
VR1
D1 ON
D2 OFF
Vi
VR2
D1 OFF
D2 ON
D1 OFF
D2 OFF
Vi
+
Vi
_
t
ANOTACIONES
R
D1
VR1
+
D2
Vo
VR2 > VR1

_
pg. 22
CIRCUITOS FIJADORES O LIMITADORES

Cambian el nivel de continua de la seal de entrada.
C
+
+
Vm - VR
Vi
_
+
R
D
VR
Vo
_
Suponiendo el diodo D ideal, y cumplindose que RC >> T y Vm > VR
Vi = Vm sen t Vidc = 0
Vi
Vm
VR
Vo es senoidal con valor medio no nulo
Vodc = VR Vm
Vo = Vi Vc = Vi (Vm VR ) =
t
VR - V m
Vo
Vm (sen t 1) + VR
VR - 2Vm
La ventaja de los circuitos fijadores con respecto a los recortadores es que limitan la seal de entrada pero sin
deformarla.
Ejemplo: D ideal, RC>>T/2, valor prctico RC=5T => en T/2 el condensador no se descarga prcticamente.
Vi
C
V
+
+
R
Vi
_
D
Vo
-2V
Primer semiperodo
C
_
D
Vo
Vo
_
Segundo semiperodo
2V
-3V
D
Vo
_
ANOTACIONES
pg. 23
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Rectificador: Circuito que convierte una onda senoidal de entrada en una seal unipolar con componente
media no nula.
Rectificador de media onda
Vi
+
+
Entrada
c.a.
Vi
VD _
Vm
0
RL
2 = t
2 = t
I
Im
Idc
0
ANOTACIONES
pg. 24
Regulacin: Representa la variacin de la tensin continua de salida en funcin de la corriente continua en la

carga.
% reg. =
I dc =
Vdc vacio Vdc c arg a

Vdc c arg a
100
1
Im
Vm
V
V
=
m = I dc R f + I dc RL = I dc R f + Vdc Vdc = m I dc R f
R f + RL
El resultado anterior implica que el equivalente Thevenin del rectificador de media onda es el siguiente:
Rf
+
Idc
Vm/
Vdc
RL
Si RL = RL >> Rf entonces Vdc vacio = Vdc carga => % reg. = 0

Si RL = 0 entonces Vdc carga = 0 => % reg. =
Teorema de Thevenin:
Dos terminales cualesquiera de una red lineal pueden reemplazarse por un generador de fuerza electromotriz
igual a la tensin en circuito abierto entre los terminales, en serie con la impedancia de salida vista desde
estos puntos.
ANOTACIONES
pg. 25
Rectificador de onda completa
Vi
Vm
0
I1
Entrada
c.a.
+
Vi
_
D1
2 = t
2 = t
2 = t
2 = t
I1
Im
RL
I
0
+
Vi
_
I2
Im
I2
D2
0
I
Im
Idc
0
Rectificador en puente
D1
D2
+
Vi _
RL
C.A.
D4
ANOTACIONES
D3
pg. 26
DOBLADOR DE TENSIN
C1
_
+
Vm
+
C2
2Vm
_
ANOTACIONES
pg. 27
FILTRADO CON CONDENSADORES

A partir de una seal rectificada es posible obtener una tensin continua. El mecanismo para obtener la
misma es el filtrado en baja frecuencia de dicha seal rectificada. En este apartado se aborda el anlisis del
filtrado empleando condensadores. De dicho anlisis se obtendr por un lado un conocimiento del
funcionamiento del mismo, y por otro un mtodo de obtencin de las caractersticas de la seal de salida y de
las distintas aproximaciones que son habituales en este tipo de anlisis.
Filtrado. Explicacin cualitativa

A partir de un circuito rectificador de media onda, como el de la figura, es posible obtener a la salida una
seal continua. Esto se logra con la simple adicin a dicho circuito de un condensador que acte como filtro.
La misin del condensador es almacenar energa y entregarla a la carga cuando sea preciso.
D (ideal)
Vi = Vm*sen
C
RL
Vo
En la siguiente figura se puede ver la salida obtenida en el

circuito anterior, si se supone que la carga tenga un valor
Vo
Sin C
Con C
infinito (RL = ). Como se aprecia, la tensin a la salida queda V

m
fijada al valor continuo Vm, debido a que el condensador se
carga a dicho valor y, al no tener camino para su descarga,
queda con esa tensin indefinidamente.
En el caso en que la resistencia de carga tenga un valor finito (RL<), el condensador de filtrado se
descargar durante el intervalo de no conduccin del diodo. En la siguiente figura podemos observar la onda
rectificada (I), y la seal a la salida (II) que muestra cmo se descarga el condensador de forma exponencial.
En funcin del valor del condensador usado, y de la resistencia
Vo
(I)
de carga, la descarga ser ms o menos rpida. El efecto final es
(II)
una tensin de salida variable entre unos mrgenes superpuesta a Vm

una tensin continua. La tensin variable se denomina rizado, y
es un parmetro muy importante a la hoja de comprobar la
calidad de un filtro.
ANOTACIONES
pg. 28
Aproximaciones al rizado
El clculo del rizado producido en un circuito rectificador con filtro es sencillo pero puede resultar laborioso;
por ello generalmente se realizan aproximaciones al mismo, con el objetivo de simplificar los clculos. Si el
condensador se descarga poco, dichas aproximaciones proporcionan unos resultados muy similares a los
obtenidos si se realizasen los clculos completos.
Rizado alto
Si el rizado del circuito es grande, es decir, la parte variable de la tensin de salida es grande comparada con
la parte continua, no es posible realizar aproximaciones de ningn tipo, y se hace necesario emplear el
modelo real. En la figura se aprecia el aspecto de la seal de salida. En ella podemos observar que la tensin
de salida coincide con la del rectificador hasta un punto, a partir del cual la tensin de salida disminuye
exponencialmente. En cuanto las tensiones de salida y del rectificador vuelven a igualarse, la tensin de
salida pasa otra vez a seguir la onda senoidal.
Exp.
Senoidal
Rizado bajo
En los casos de pequeo rizado, se realizan 3 aproximaciones, que nos proporcionan una onda como la de la
figura. En primer lugar se supone que la descarga del condensador es lineal, en segundo lugar que dicha
descarga comienza justo en el punto de tensin mxima de la seal rectificada, y en tercer lugar se supone
que el condensador se descarga hasta el instante en que la tensin rectificada vuelve a alcanzar su mximo
valor.
Lineal
ANOTACIONES
pg. 29
Rizado medio
En el caso de tener un rizado medio, se suele aproximar tal y como aparece en la figura, es decir, se
considera una descarga exponencial, que dicha descarga comienza cuando la seal rectificada pasa por su
punto mximo, y que el condensador se descarga hasta que encuentra de nuevo la seal rectificada.
Exp.
Sen.
Ejemplo de clculo
Supongamos un rectificador de onda completa, en el que se verifica RL*C>>T/2 (por lo que suponemos un
rizado bajo, y tomamos la aproximacin lineal comentada anteriormente). El anlisis sera el siguiente:
Vo
VDC
Vr
t
tdescarga prximo a T/2
En la figura anterior podemos ver las distintas tensiones y tiempos que se emplearn en el anlisis. Hay que
tener en cuenta que, como se supone un rizado bajo, la seal que consideramos de salida es una onda en
diente de sierra como la siguiente:
Vm
Vr
T/2
ANOTACIONES
pg. 30
A partir de esta seal, deducimos que la tensin de continua a la salida viene dada como: Vdc = Vm Vr / 2 ,
donde Vm es la tensin de pico de la seal rectificada. Se observa de dicha tensin de continua es la tensin
de pico menos el valor medio del rizado, el cual en este caso sencillo coincide con Vr/2
El condensador se descarga linealmente durante T/2, luego la carga perdida se puede expresar como: Idc
T
,
2
y nos queda que la tensin de rizado y de continua vienen dadas por las ecuaciones:
Q IcdT
Icd
=
=
C 2C 2 fC
Vr
Idc
Vdc = Vm = Vm
2
4 fC
Vr =
En las frmulas anteriores podemos observar que el rizado aumenta con Idc ( cuando RL), y disminuye con
C y f.
El rizado se puede definir como:
r=
Vrms : Valor eficaz de la componente alterna (root mean square)

Vrms
Vdc
Vdc : Componente continua
Obtenemos el valor eficaz de la componente alterna aplicando la definicin, y nos queda:
Vrms =
2
Vr
1 3 2
Vr Vr
2 d = Vr 4 + 2 2 = 2 3
Ahora substituimos el valor Vrms obtenido en la frmula del rizado:

r=
Vr
Idc
1
=
=
2 3Vdc 4 3 fCVdc 4 3 fCRL
De nuevo se deduce que r disminuye con f, C y RL
ANOTACIONES
pg. 31
Detector de picos o demodulador de AM

El circuito rectificador de media onda con un filtro condensador se puede emplear para detectar los valores
de pico de las ondas de entrada. Sirve para extraer la seal de informacin que se modula en amplitud (por
ejemplo en transmisin radiofnica), denominndose a este proceso demodulacin.
D (ideal)
Vi = Vm*sen
C
RL
Vo
Para esto el periodo de la portadora tiene que ser mucho menor que la constante de carga del condensador y
esta mucho menor que el periodo de la seal moduladora:
T portadora << RC << T moduladora
ANOTACIONES

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TEMA 4

Asignatura: Dispositivos Electrnicos I

UNIN P-N EN CIRCUITO ABIERTO

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

UNIN P-N EN CIRCUITO ABIERTO

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

UNIN P-N POLARIZADA

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

Grandes tensiones directas -> necesidad de limitar la corriente

Smbolo del diodo:

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

Ecuacin caracterstica del diodo: I = I 0 (e

se deduce de la ley de la unin

I0 : corriente inversa de saturacin (constante a T constante)

V => Tensin umbral

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

RESISTENCIA ESTTICA Y DINMICA DE UN DIODO

Resistencia dinmica (r): r = dV/dI

K es constante a temperatura constante.

Para modelos de pequea seal se puede suponer r constante

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

MODELOS DEL DIODO

Modelos intermedios: Rf = 0 Rr = V = 0 combinaciones.

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

CAPACIDAD DE LA ZONA DE CARGA ESPACIAL O TRANSICIN

donde CT es la capacidad de transicin

Supongamos unin abrupta con NA >> ND y polarizada inversamente con VI :

Si NA >> ND => Wp << Wn W

V(x=0) = 0 => K = 0 => V =

Q = q.ND .W. A => dQ = q.ND.A.dW

W aumenta con la VI aplicada

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

Diodos de capacidad variable (Varicaps: Variable capacitors):

=> Si Vj aumenta entonces CT disminuye (rango de pF)

Aplicacin de los varicaps: Filtros variables, sintonizadores LC de radiofrecuencia (VHF, UHF)

: tiempo de vida medio de los portadores

CD (orden de F) es mucho mayor que CT (puede llegar a nF)

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

TIEMPOS DE CONMUTACIN DEL DIODO

trr tiempo de recuperacin

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

DIODOS DE AVALANCHA O ZENERS

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

Multiplicacin por avalancha (creacin por choque):

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

DIODOS DE REFERENCIA DE TENSIN

b) Pequeo coeficiente de temperatura

Zener (multiplicacin por avalancha): coeficiente de temperatura positivo

c) Tensiones de referencia altas

Menor disipacin que con un nico zener de Vz elevada

Menor coeficiente de temperatura combinando los dos tipos de zener

Menor resistencia que con diodos en directa

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

VD = VA ID RL -> recta de carga

La respuesta espectral es la misma que las clulas fotoconductoras:

% de pares e--h+ creados

Diodos y aplicaciones. Gua de clases

DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

Uniones P-N polarizadas en sentido directo con elevada impurificacin (V 1 v.)

Materiales especiales para producir luz en la recombinacin, como es el AsGa

Se denominan diodos LED (Light Emitting Diode)

Tensiones inversas bajas -> destruccin por sobretensin