Ing.

Wilmer Naranjo 1
CIRCUITO INTEGRADOS
DIGITALES
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CARACTERISTICAS BSICAS DE LOS
CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES
Son una coleccin de resistores, diodos y
transistores fabricados sobre una pieza de
material semiconductor (generalmente silicio)
denominado sustrato y que comnmente recibe
el nombre de circuito integrado (CI).
El CI se encuentra dentro de un encapsulado
plstico o de cermica con terminales que
permiten conectarlo con otro dispositivo.
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ENCAPSULADOS DE LOS CI
stos difieren en la cantidad de circuitera que
contiene el sustrato de silicio.
El nmero de conexiones externas que se
hacen con el sustrato.
Las condiciones del medio ambiente.
El mtodo empleado para montar el
encapsulado sobre el sustrato del circuito.
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TIPOS DE ENCAPSULADO
Los tipos de encapsulado ms
comunes son:
Encapsulado de doble lnea (DIP,
siglas de dual-in-line-package)
Encapsulado plano de cermica.
Encapsulado para montaje de
superficie.
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Encapsulado de doble lnea (DIP)
Formado por dos hileras de terminales.
Las terminales estn numeradas en sentido opuesto
al avance de las manecillas del reloj cuando se ven
por arriba, en relacin con una muesca o punto que
se encuentra en uno de los extremos del
encapsulado y que sirve como identificacin.
Se emplean encapsulados con 16, 20, 24, 28, 40 y
64 terminales.
Algunos DIP tienen muescas en ambos extremos.
En stos casos la ubicacin de la terminal nmero 1
est sealada por un pequeo punto.
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DIBUJO DE UN DIP
ENCAPSULADO DIP
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ENCAPSULADO PLANO DE CERMICA
Esta hecho de una base no conductora.
Inmune a los efectos de la humedad.
Aplicaciones de tipo militar.
Condiciones ambientales extremas.
ENCAPSULADO PARA MONTAJE DE
SUPERFICIE
Sus terminales estn dobladas en un ngulo recto.
Ms pequeos que los DIP.
Las terminales son ms pequeas y menos
rgidas.
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CLASIFICACIN DE ACUERDO CON LA
COMPLEJIDAD
Se estima por el nmero de compuertas lgicas
equivalentes sobre el sustrato.
En la actualidad existen 6 niveles estndar de
complejidad.
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CLASIFICACIN DE ACUERDO CON LA
COMPLEJIDAD
Mayor a 10000000
100000 a 1000000
10000 a 100000
1000 a 10000
100 a 1000
10 a 100
# DE
TRANSISTORES
10000 a 100000 Integracin en ultra escala
(ULSI)
Mayor a 1000000 Integracin en giga gran
escala (GLSI)
1000 a 10000 Integracin en muy alta
escala (VLSI)
100 a 1000 Integracin en gran escala
(LSI)
10 a 100 Integracin en mediana
escala (MSI)
1 a 10 Integracin en pequea
escala (SSI)
N DE
COMPUERTAS
COMPLEJIDAD
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Clasificacin de acuerdo con el tipo
principal de componentes electrnicos
utilizados en su circuitera.
Se clasifica en:
Circuitos Integrados Bipolares
Circuitos Integrados Unipolares
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Circuitos Integrados Bipolares
Son aquellos que estn fabricados con transistores bipolares
de unin (NPN y PNP) como su principal componente de
circuito. Ej:
La familia lgica TTL y ECL
Circuitos Integrados Unipolares
Son los que emplean transistores unipolares de efecto de
campo (MOSFET de canal N P) como elemento principal. Ej:
la familia lgica PMOS, NMOS y CMOS.
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PARMETROS DE VOLTAJE
V
IH
(min),Voltaje de entrada de nivel alto: Nivel de voltaje que se
requiere para un 1 lgico en una entrada. Cualquier voltaje
debajo de ste nivel no ser aceptado como ALTO por el circuito
lgico.
V
IL
(max),Voltaje de entrada de nivel bajo: Nivel de voltaje que se
requiere para un 0 lgico en una entrada. Cualquier voltaje sobre
ste nivel no ser aceptado como BAJO por el circuito lgico.
V
OH
(min),Voltaje de salida de nivel alto: Nivel de voltaje en la
salida de un circuito lgico en el estado 1 lgico. Por lo general
se especifica el valor mnimo de V
OH
.
V
OL
(max),Voltaje de salida de nivel bajo: Nivel de voltaje en la
salida de un circuito lgico en el estado 0 lgico. Por lo general
se especifica el valor mximo de V
OL
.
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PARMETROS DE VOLTAJE
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PARMETROS DE CORRIENTE
I
IH
, Corriente de entrada de nivel alto: Corriente que fluye en una
entrada cuando se aplica un voltaje de nivel alto especfico a
dicha entrada.
I
IL
, Corriente de entrada de nivel bajo: Corriente que fluye en una
entrada cuando se aplica un voltaje de nivel bajo especfico a
dicha entrada.
I
OH
, Corriente de salida de nivel alto: Corriente que fluye desde
una salida en el estado 1 lgico en condiciones de carga
especficas.
I
OL
, Corriente de salida de nivel bajo: Corriente que fluye a partir
de una salida en el estado 0 lgico en condiciones de carga
especficas.
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Inmunidad al ruido
La inmunidad al ruido de un circuito lgico se refiere a la
capacidad de circuito para tolerar voltajes ruidosos en
sus entradas.
A una medida cuantitativa de inmunidad, al ruido se le
denomina margen de ruido.
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MARGEN DE RUIDO
1
lgico
1
lgico
0
lgico
0
lgico
Intervalo
No
permitido
Intervalo
Indeterminado
V
IH
(min)
V
IL
(max)
V
OH
(min)
V
OL
(max)
V
o
l
t
a
j
e
Intervalos de
voltaje de salida
Requerimientos de
voltaje de entrada
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Margen de Ruido de Estado Alto V
NH
V
NH
= V
OH
(min) V
IH
(min)
Margen de Ruido de Estado Bajo V
NL
V
NL
= V
IL
(mx) V
OL
(max)
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Ejemplo:
V
NH
= V
OH
(min) V
IH
(min)
= 2.4V 2.0V
= 0.4V
V
NL
= V
IL
(mx) V
OL
(max)
= 0.8V 0.4V
= 0.4V
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REQUERIMIENTOS DE POTENCIA
Todos los CI requieren de cierta cantidad de
potencia elctrica para poder funcionar. Esta
potencia es suministrada por uno o ms fuentes
voltajes de conectados a las terminales de
polarizacin del CI.
La cantidad de potencia que necesita un circuito
integrado se especifica por lo general en trminos
de la corriente I
cc
, que consume de la fuente de
alimentacin V
cc
, y la potencia real es el producto
de I
cc
x V
cc
.
En trminos generales I
CCH
e I
CCL
sern valores
diferentes.
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La corriente promedio es:
I
CC
(prom) = (I
CCH
+ I
CCL
)/2
sta corriente se puede emplear para calcular el
consumo promedio de potencia:
P
D
(prom) = I
CC
(prom) x V
CC
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RETARDOS EN LA PROPAGACIN
Una seal lgica siempre experimenta un
retardo al recorrer un circuito.
Los dos tiempos de retardo de propagacin se
definen como: T
PLH
y T
PHL
.
T
PLH
: Tiempo de retardo al pasar del estado
lgico 0 al 1 lgico (de BAJO a ALTO)
T
PHL
: Tiempo de retardo al pasar del estado
lgico 1 al 0 lgico (de ALTO a BAJO)
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FACTOR DE CARGA DE SALIDA
(Fan - out)
Se define como el nmero mximo de entradas lgicas
estndar que una salida puede manejar confiablemente.
Para esto es necesario conocer la capacidad de corriente de
la salida, esto es, I
OL
(max) e I
OH
(max) junto con los
requerimientos de corriente de cada entrada, esto es, I
IL
e
I
IH
.
Entonces tenemos:
Factor de carga de salida (BAJO) = I
OL
(max) / I
IL
(max)
Factor de carga de salida (ALTO) = I
OH
(max) / I
IH
(max)
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Ejemplo Fan OUT:
Fan Out = 20mA / 2mA
m = 10
Fan In = 10mA / 1,5mA
n = 6
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Circuitos Integrados RTL
RTL son las iniciales de las palabras inglesas Resistor,
Transistor, Logic. Es decir es una familia cuyas puertas se
construyen con resistencias y transistores (bipolares). El
esquema bsico de una puerta NOR es el siguiente:
Suponiendo que las dos entradas en
nivel alto (H-H), sea de 3v. Tanto Q1
como Q2 estn saturados. Por qu?,
pues porque tienen sus uniones BE
bien polarizadas (la base ms positiva
que el emisor) y se les suministra
suficiente intensidad de base:
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Circuitos Integrados RTL
A B C
Vcc
Compuerta NOR de 3 entradas
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Circuitos Integrados DTL
Las siglas DTL vienen de las iniciales de las palabras inglesas
Diode Transistor Logic. Es decir estamos tratando con una
familia compuesta bsicamente por diodos y transistores (sin
olvidar a las resistencias). Los diodos se encargan de realizar
la parte lgica y el transistor acta como amplificador inversor.
El esquema bsico de una puerta AND con diodos:
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LA FAMILIA LGICA TTL
La familia lgica transistor-transistor (TTL)
El circuito lgico TTL bsico es la compuerta
NAND.
CARACTERSTICAS DE LA SERIE TTL ESTNDAR
En 1964 Texas Instruments Corporation introdujo la
primera lnea de CI estndar TTL.
En la actualidad muchos fabricantes producen CI TTL.
Todos ellos utilizan el mismo sistema de numeracin.
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SERIE 74
Los CI de la serie 74 estndar ofrecen una combinacin de
velocidades y disipacin de potencia adecuada a muchas
aplicaciones.
Serie 74L, TTL de bajo consumo de potencia
Tiene valores mayores de resistencia.
Reduce los requerimientos de potencia, de retardos ms largos en
la propagacin.
Serie 74H, TTL de alta velocidad
La serie 74H es una serie TTL de gran velocidad.
Tiene valores menores de resistencia.
Remplaza el transistor seguidor de emisor Q
1
, por un par
Darlington.
Velocidad de conmutacin mucho mayor
Mayor disipacin de potencia.
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Serie 74S, TTL Schottky
La serie 74S reduce el retardo de tiempo.
Usa transistores Schottky.
Dos veces ms rpida que la 74H, con igual
requerimiento de potencia.
Serie 74LS, TTL Schottky de bajo consumo de potencia
Esta serie es una versin de la 74S.
Con un menor consumo de potencia y velocidad.
Usa transistor Schottky.
Valores ms grande de resistencia que la 74S.
Serie 74AS (AS -T T L), TTL Schottky avanzada
Esta serie tiene bajo consumo de potencia.
Usa transistor Schottky.
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PARMETROS DE FUNCIONAMIENTO
74 74L 74H 74S 74LS 74AS
74ALS
Retardo de propagacin
(ns)
9 33 6 3 9.5 1.7 4
Disipacin de potencia
(mW)
10 1 23 20 2 8 1
Producto velocidad-potencia
(pJ)
90 33 138 60 19 13.6 4.8
Mxima frecuencia de reloj
(MHz)
35 3 50 125 45 200 70
Factor de carga de la salida
(para misma serie)
10 20 10 20 20 40 20
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PARMETROS DE VOLTAJE
74 74L 74H 74S 74LS 74AS 74ALS
V
OH
(min)
2.4 2.4 2.4 2.7 2.7 2.5 2.5
V
OL
(mx)
0.4 0.4 0.4 0.5 0.5 0.5 0.4
V
IH
(min)
2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0
V
IL
(mx)
0.8 0.7 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
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COMPUERTA DE TRES ESTADOS
Las compuertas de tres estados tienen una
entrada de control que puede colocar a la
compuerta en un estado de alta impedancia.
Dicho estado se identifica con Z
ENTRADA SALIDA
CONTROL
ENTRADA SALIDA
CONTROL
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MOS
El Transistor de Efecto de Campo (FET, field
effect transistor) es un transistor unipolar, ya
que su funcionamiento depende del flujo de
slo un tipo de portador.
Existen de dos tipos
JFET (Junction FET se utiliza en circuitos lineales)
MOS (Metal-Oxido-Semiconductor, se utiliza en
circuitos digitales)
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Metal xido semiconductor (Canal P y Canal N)
MOS
Este tipo de transistor MOS es de canal N de enriquecimiento
(existe tambin de canal P), las patilla Surtidor (S), Drenador
(D) y Puerta (G), son equivalentes a las patillas emisor, colector
y base del BJT. La flecha indica el tipo de sustrato. (Flecha
hacia adentro es canal P, flecha hacia afuera es de canal N)
D
G
CANAL P
S
D
G
CANAL N
S
Ing. Wilmer Naranjo 35
MOS
La constitucin fsica se basa en un sustrato
de silicio tipo P en el que se difunden dos
zonas de tipo N correspondiente al drenador y
surtidor.
Sobre la zona de sustrato situada entre el
surtidor y el drenador se hace un
recubrimiento de xido de silicio (aislante).
Haciendo una metalizacin de aluminio sobre
la superficie de xido de silicio se obtiene el
terminal G o puerta.
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POLARIZACION MOS
La polarizacin es como se muestra en la grfica:
Si VGG < VTH (3V) La
resistencia entre D y S (RDS) es
muy elevada. Es decir el
transistor no conduce (corte) el
MOS se comporta como un
circuito abierto.
Si VGG VTH El circuito
empieza a conducir. Al
aumentar VGG disminuye RDS.
Si RDS es muy pequea el
transistor llega a la saturacin,
circuito cerrado
Ing. Wilmer Naranjo 37
Metal xido semiconductor
D
G
S
D
G
S
VCC
A
Y = A
D
G
S
D
G
S
VCC
B
Y = A.B
A
D
G
S
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CMOS
Semiconductor de metal xido complementario
Cuando el circuito CMOS se encuentra en
estado esttico, su disipacin de es muy baja.
Esttico (0.01 mW)
1 Mhz (1mW)
5 Mhz (5mW)
Intervalo de fuente de poder (3 a 18 Vdc)
Buena Inmunidad al ruido
Bajo retardo