SUPERIOR DE FORMACIN DOCENTE CONTINUA

Y TCNICA "FELIX ATILIO CABRERA"

PROFESORADO DE EDUCACIN SECUNDARIA
DE LA MODALIDAD TCNICO PROFESIONAL

Tecnologa de los Materiales

Tema: El Silicio en la Electrnica

PROFESOR:

Ing. Jarzisnki, Mario

ALUMNOS:

ARRIETA, WALTER
ARRIETA , MARIANO
SOSA, BONIFACIO.

AO: 2013
Qu es el silicio?
El silicio forma parte de los elementos denominados
metaloides o semimetales. Este tipo de elementos tienen
propiedades intermedias entre metales y no metales. En cuanto
a su conductividad elctrica, son semiconductores . Se lo
encuentra en forma natural en estado slido (no magntico).
Tiene un aspecto gris oscuro azulado y pertenece al grupo de
los metaloides
Este material compone alrededor del 20% de la corteza
terrestre. Forma parte, en la tabla peridica, de la familia del
carbono pero, a diferencia de ste, no se lo encuentra en la
naturaleza en estado puro sino, generalmente, combinado con
oxgeno en su mayora formando xidos de Si (SiO
2
- dixido
de silicio) y silicatos.
El SiO
2
abunda en distintas formas como el cuarzo, gata,
jaspe, carnelia, palo y pedernal. La arena es en gran parte
dixido de silicio y la mayora de las rocas corrientes, salvo
calizas o dolomitas, contienen silicio.
El silicio cristalino es el material base de la industria micro electrnica y fotovoltaica. Pero antes de ello
hay que realizar un proceso para obtener Si grado metalrgico (gm) para luego mejorar an mas el Si
para llevarlo a una calidad de ultra alta pureza o Si grado electrnico Si (ge)

En Estados Unidos se denomina Silicon Valley (Valle del Silicio) a la regin de California en la que
concentran numerosas empresas del sector de la electrnica y la informtica.
El Si cristalino es el material utilizado en celdas solares y
microelectrnica. Su punto de fusin es 1687 K aprox. 2150 C

Tiene sus tomos ordenados en forma muy particular: cada
tomo intenta unirse con cuatro tomos vecinos.

Como cada tomo de Si tiene cuatro electrones que no estn
fuertemente unidos al ncleo, todo funciona perfectamente si
cada tomo est rodeado de otros cuatro tomos iguales.
En ocasiones el silicio acta como aislante y si se lo excita acta conduciendo electricidad se lo
denomina material semiconductor.
El Si en estado puro puede presentarse en forma cristalina o amorfa.

Se denomina cristalina cuando existe un orden en la disposicin de los tomos que, dependiendo del
alcance de este orden, microcristalino , policristalino , monocristal .

En cuanto al silicio amorfo en su estructura no conserva este orden a largo alcance, debido a esto sus
caractersticas elctricas y pticas, entre otras, son diferentes a las del cristalino.

Este material suele utilizarse en celdas solares pero su rendimiento es menor, aunque su forma de
obtencin es mas econmica.

Proceso de produccin de silicio

El primer paso en la produccin de silicio (Si) es pasar de la arena a lo que se conoce como silicio
grado metalrgico. Lo que se hace es reducir el dixido de silicio (SiO
2
) con carbono en grandes
hornos de arco elctrico a una temperatura superior a 2000 C. El silicio se produce de acuerdo con la
reaccin:
SiO
2
+ 2C Si + 2 CO

El silicio en estado lquido se acumula en el fondo del horno de donde se extrae y se enfra. El silicio
producido por este proceso tiene una pureza de un 98 a 99% .












Para la construccin de dispositivos semiconductores es necesario un silicio de mayor pureza, Silicio
ultra puro, que puede obtenerse por mtodos fsicos o qumicos.

Este silicio es abundantemente
utilizado en la fabricacin de
aceros, aluminio, siliconas y otros
y tambin para la obtencin del
silicio grado electrnico.
Los mtodos fsicos de purificacin del silicio metalrgico se basan en la mayor solubilidad de las
impurezas en el silicio lquido, de forma que este se concentra en las ltimas zonas solidificadas:

1. El primer mtodo consiste en moler el silicio de forma que las impurezas se
acumulen en las superficies de los granos; disolviendo estos, parcialmente, se obtena un polvo ms
puro.

2. La fusin por zonas, el primer mtodo usado a escala industrial, consiste en fundir un
extremo de la barra de silicio y trasladar, lentamente, el foco de calor a lo largo de la misma de
modo que el silicio vaya solidificando con una pureza mayor al arrastrar a la zona fundida gran
parte de las impurezas. El proceso puede repetirse varias veces hasta lograr la pureza deseada y
luego cortar el extremo final en el que se han acumulado las impurezas.

De la produccin global de silicio, solo una pequea fraccin se vuelve a purificar para producir el
llamado silicio grado semiconductor que es el utilizado en la industria electrnica, donde los
requerimientos de pureza del material son mucho mayores.

Los mtodos qumicos, usados actualmente, se aplican a compuestos de silicio que sean ms fciles
de purificar. Se utilizan compuestos como el triclorosilano (SiHCl
3
), el tetracloruro de silicio
(SiCl
4
) y el silano (SiH
4
).

Este proceso, denominado proceso Siemens, requiere mucha energa y no es eficiente, lo cual eleva
considerablemente el costo del material.

Para obtener el silicio grado electrnico (Si ge) el polvo de silicio se introduce en un reactor de
lecho fluido mezclado con acido clorhdrico (CLH) y se calienta la mezcla a una temperatura
aproximada de 300C, los gases son conducidos a unas columnas de destilacin fraccionada donde
se separan los distintos compuestos y se obtiene un gas llamado Triclorosilano que una vez
enfriado pasa a fase liquida, este liquido mezclado con Hidrogeno se introduce en el reactor
Siemens donde se encuentra una varilla de silicio ultrapuro a modo de filamento que mediante el
paso de una corriente elctrica se calienta a una temperatura aproximada de 1200C, el filamento
se va regruesando de silicio hasta alcanzar un grosor determinado, este es el silicio grado
electrnico , tambin llamado polisilicio.
Hasta ahora tenemos un material
muy puro, pero no en forma
cristalina. Para que un dispositivo
electrnico (celdas solares,
circuitos electrnicos, etc.)
funcione eficientemente, es
necesario que el material de
partida sea cristalino y lo ms
libre de defectos posible.

La tcnica ms ampliamente usada para obtener mono cristales de silicio es la conocida como
crecimiento Czochralski.
Lo que se hace es fundir el silicio en un horno apropiado bajo atmosfera inerte e introducir en la
fundicin una semilla, esto es un monocristal de silicio con la orientacin cristalina con que se desea
crecer el lingote. Simultneamente, se rota la semilla respecto del crisol y se tira hacia arriba.

Todo el proceso se hace a velocidades y temperatura controladas.

En la fundicin del Si se pueden introducir impurezas controladas; dependiendo de qu tipo sean,
tendremos un Si de tipo p o de tipo n. Los tomos de silicio se pegan a la semilla copiando la
estructura cristalina de esta. El silicio se comienza a solidificar a medida que sale de la fundicin
obtenindose un lingote cilndrico que puede llegar a las 6 de dimetro y 1 a 2 metros de longitud.