Dispositivos de Potencia

66.25 Dispositivos Semiconductores - FIUBA

Dr. Ing. Ariel Lutenberg
Organizacin de la clase
1. Introduccin a la electrnica de potencia
2. Diodos de potencia
3. Modelo trmico y clculo de disipadores
4. Tiristores
5. Transistores de potencia
6. Conclusiones
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Objetivos de la clase:
Entender las aplicaciones de la electrnica de potencia.
Conocer diferentes dispositivos de potencia y sus usos.
Definicin de electrnica de potencia:
Es la aplicacin de dispositivos electrnicos al control y
conversin de energa elctrica.
Ejemplos: Control de motores, calefaccin, sistemas de
iluminacin, fuentes de alimentacin, etc.
Dispositivos semiconductores de potencia:
Se pueden clasificar en cinco tipos:
1. Diodos de potencia
2. Tiristores
3. TBJ de potencia (Transistores bipolares de juntura)
4. MOSFET de potencia
5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)
1. Diodos de potencia
Sus terminales son nodo y ctodo.
Conduce slo cuando Va > Vk (equivale a un cable).
Si Vk > Va el diodo no conduce (equivale a un circuito abierto).
1.Introduccin a la electrnica de potencia
2. Tiristores
Sus terminales son: nodo, ctodo y compuerta (gate).
Slo conduce cuando Va > Vk, y se inyecta una corriente por
el Gate (entonces A-K equivale a un cable).
La nica forma de apagarlo es forzando Va < Vk .
3. TBJ (Transistor bipolar de juntura)
Sus terminales son emisor, base y colector.
Slo conduce cuando VBE > 0.7V
Si adems IB es suficientemente grande, entonces C-E
equivale a un cable.
1.Introduccin a la electrnica de potencia
4. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Sus terminales son gate, source y drain.
Es un dispositivo de conmutacin rpida
(ms rpido que TBJ).
Slo conduce si VD > VS y VG > VS (n-MOSFET),
entonces D-S equivale a un cable.
5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Sus terminales son gate, emisor y colector.
Combina las mejores caractersticas del TBJ y del MOSFET.
Slo conduce si VC > VE y VG > VE (nIGBT), entonces C-E
equivale a un cable.
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Caractersticas tpicas de los dispositivos
Dispositivos con terminal de encendido
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Bajo 0,2 m 0,2 us 5000 A 5000 V Diodo
Medio 0,2 m 200 us 5000 A 5000 V Tiristor
Costo
relativo
Resistencia
serie
Tiempo
encendido
Corriente
mxima
Tensin de
ruptura
Tipo
Alto 0,4 m 0,5 us 50 A 500 V MOSFET
Muy alto 2,5 m 2 us 400 A 1200 V IGBT
Alto 15 m 2 us 250 A 600 V TBJ
Ejemplo de uso de los dispositivos:
Lo intento apagar
Dispositivos con
control de apagado
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Ejemplo de uso de los dispositivos:
Lo intento apagar
La corriente
de base es
significativa
La corriente
de gate es
despreciable
Debe permanecer encendido
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Clasificacin de los circuitos electrnicos de potencia:
Los dispositivos permiten convertir potencia elctrica:
1. Rectificadores con diodos AC-DC (salida fija)
2. Conversores AC-DC (rectificadores controlados)
3. Conversores AC-AC (ac voltage controllers)
4. Conversores DC-DC (dc choppers)
5. Conversores DC-AC (inverters)
1.Introduccin a la electrnica de potencia
1. Rectificadores con diodos Ejemplo N1:
1.Introduccin a la electrnica de potencia
1. Rectificadores con diodos Ejemplo N2:
Funcionamiento:
t
1
t
2
1.Introduccin a la electrnica de potencia
2. Conversores AC-DC - Ejemplo:
ngulo de disparo
Pulso de encendido
VDC
Cambiando el
ngulo de
disparo se
modifica VDC
1.Introduccin a la electrnica de potencia
3. Conversores AC-AC - Ejemplo:
Cambiando el
ngulo de
disparo se
modifica VAC
ngulo de disparo
VDC = 0
VAC (eficaz)
1.Introduccin a la electrnica de potencia
4. Conversores DC-DC - Ejemplo:
Cambiando el
duty cycle (t1)
se modifica
VDC
Tiempo de disparo
VDC
Diodo de
proteccin
1.Introduccin a la electrnica de potencia
5. Conversores DC-AC - Ejemplo:
Cambiando el
disparo se
modifica VAC
Semi-periodo de disparo
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Efectos indeseados:
stos circuitos operan encendiendo y apagndose constantemente,
lo que introduce ruido en:
La tensin de salida
La fuente de alimentacin
Esto genera problemas:
Inyecta ruido en la carga
Inyecta ruido en la fuente de alimentacin
Produce interferencia en circuitos cercanos
Para reducir estos problemas se puede:
Usar filtros de entrada y de salida
Elegir el circuito ms conveniente
Usar blindaje electromagntico
1.Introduccin a la electrnica de potencia
2.Diodos de potencia
Esquema del diodo:
Curvas caractersticas:
2.Diodos de potencia
Ecuacin del diodo:
Donde:
- I
D
= corriente que circula por el diodo [A]
- V
D
= tensin Va-Vd [V]
- I
S
= corriente de saturacin inversa (10
-6
a 10
-15
A)
- n = coeficiente de emisin (1 a 2)
- V
T
= voltaje trmico:
q = carga del electrn (1.6022 * 10
-19
C)
T = temperatura [K]
k = constante de Boltzmann (1.38 * 10
-3
J/K)
En directa (V
D
>> V
T
) :
En inversa (V
D
< 0) :
En ruptura (V
D
< V
BR
)
2.Diodos de potencia
Tiempo de recuperacin inversa
- Al apagar el diodo sigue circulando corriente por un corto tiempo t
b
:
- En algunos circuitos esta corriente I
RR
puede ser crtica.
- Se puede clasificar a los diodos segn su recovery time en tres tipos:
Standard o general-purpose
Diodos Fast-recovery
Diodos Schottky
2.Diodos de potencia
Diodos de propsito general:
- Tiempo de recuperacin ~ 10 s
- 1A-6000A / 400V-3600V / V
F
= 1.2V
- Usados en aplicaciones de baja frecuencia (rectificadores de red)
Diodos Fast-recovery:

- Tiempo de recuperacin ~ 0.1 a 10 s

- 30A-200A / 400V-1500V / V
F
= 1.2V
- Usados como conversores DC-DC o DC-AC (inversores, UPS)
Diodos Schottky (metal-semiconductor):
- Tiempo de recuperacin ~ 0.005 s
- 1A-120A / 15V-150V / V
F
= 0.7V
- Usados en alta frecuencia (fuentes conmutadas, cargadores de bateras)
Funcin del encapsulado:
- Conexin elctrica
- Disipacin trmica
- Aislamiento elctrico
2.Diodos de potencia
Encapsulado DO-5:
2.Diodos de potencia

2.Diodos de potencia
Corrientes y tensiones mximas
Condiciones mximas en directa:
- I
FAV
: Intensidad media nominal para senoides rectificadas (T=110
o
C)
- I
FRM
: Intensidad mxima de picos de 1ms cada 20ms
- I
FSM
: Intensidad pico mximo de 10ms cada 10min
Condiciones mximas en inversa:
- V
RWM
: Tensin inversa mxima en forma continua
- V
RRM
: Tensin inversa mxima de picos de 1ms cada 20ms
- V
RSM
: Tensin inversa mxima de pico de 10ms cada 10min
- V
R
: Tensin inversa de ruptura
2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (1/3):

2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 2/3):
2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 3/3):
Al aumentar la corriente I
D
aumenta la potencia disipada y el diodo
comienza a recalentarse:
- Para el silicio debe garantizarse: Tjuntura < Tjmax = 200C
Clculo de disipadores
Analoga trmico - elctrica:
Pot
disipada
R
Term
= T
2
-T
1
I.R = V
Regimenes mximos
Las caractersticas trmicas del diodo se definen segn:
Estos cuatro casos son exactamente equivalentes (demostrarlo).
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Forma tpica (Tj=125C):
Pdja @Ta=25C = 25W
Rjc = 1,4 C/W
Alternativa (Tj=125C):
Pdja @Ta=25C = 25W
Pdjc @Tc=25C = 70W
Frecuentemente (Tj=125C) :
Pdjc @Tc=25C = 70W
derate = 0,25 W/C
Ocasionalmente (Tj=125C) :
Rjc = 1,4 C/W
Rca = 2,6 C/W
T ambiente
Rca
Tj
Rjc
Tc
Juntura
Ta
Ambiente
Carcaza
Pd
Modelo
trmico
equivalente:
Clculo de disipadores
Problema: Dado un diodo con mximos: Pdja @ Tamb = 25 C : 25 W
Pdjc @ Tcase = 25 C : 70 W
y sabiendo que Pd = 4 W y Ta = 50 C, determine si debe usarse disipador.
Solucin: A partir del modelo trmico:
Pdja. (Rjc + Rca) + Ta = Tjmax
Pdjc . Rjc + Tcase = Tjmax
Del enunciado:
Rjc = Tjmax Tc = 125 C 25 C = 1,4 C/W
Pdjc 70 W
Rca = Tjmax Ta - Rjc = 125 C 25 C - 1,4 C/W = 2,6 C/W
Pdja 25 W
Entonces: Tj = 50 C + 4W ( 1,4 + 2,6 C/W) = 66C < 125C
El disipador quedara en paralelo con Rca: Rca//Rd ~ Rd, Rd = Tj Ta - Rjc
Pd
Si no se cumple hay
que usar disipador
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Ejercicio
Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un
circuito de audio y disipa 30W. El circuito se encuentra en montado en el
interior de un gabinete dnde el aire puede alcanzar una temperatura mxima
de 50 C. El fabricante indica las especificaciones de la figura.
a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el
disipador es necesario calcular su resistencia trmica.
b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete
aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor?
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Temperatura de Juntura [C]
Temperatura de carcasa [C]
Temperatura ambiente [C]
Resistencia trmica juntura-carcasa [C/W]
Resistencia trmica carcasa-ambiente [C/W]
Resistencia trmica juntura-ambiente [C/W]
T
j
T
c
T
a
R
jc
R
ca
ja jc ca
R = R R +
Ejercicio - Resolucin
T
j
mx
= 200C
P
mx
= 6W @T
a
= 25C
P
mx
= 117W @T
c
= 25C
R
jc
=
T
j
mx
T
c
P
mx
@T
c
=
200 25
177
C
W
= 1.50
C
W
R
ja
=
T
j
mx
T
a
P
mx
@T
a
=
200 25
6
C
W
= 29.17
C
W
( )
ca ja jc
C C
R = R R = 29.17 1.50 = 27.67
W W

Datos del fabricante extrados de los regmenes mximos absolutos:
Temperatura de juntura mxima:
Disipacin de potencia mxima:
Por lo tanto:
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Puede el dispositivo sin disipador externo disipar 30W a Ta = 50C?
NO!!
P= 30W T
a
= 50C R
ja
= 29.17
C
W
j ja a
T = R P T = 29.17 30 C 50 C=925 C + +
T
j
mx
Verificacin: Si ,
y
Entonces:
Resulta >> 125C Qu hacemos?
Rja = 1/34.2mW/C = 29.2 C/W
Rjc = 1/668mW/C = 1.5 C/W
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
TO-247 TO-218 TO-3
TO-92
TO-5
TO-220
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Mayor disipador menor resistencia
TO-220 TO-3
Incidencia de la posicin y la ventilacin forzada
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Diferentes tipos de aislantes
Mantenimiento de disipadores
Limpieza
Pulido
Lubricado
Ajuste
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Ejercicio (resolucin - continuacin)
Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un
circuito de audio y disipa una potencia media de 30W. El circuito se
encuentra en montado en el interior de un gabinete dnde el aire puede
alcanzar una temperatura mxima de 50 C. El fabricante indica las
especificaciones de la figura.
a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el
disipador es necesario calcular su resistencia trmica.
b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete
aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor?
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Dispositivo con disipador externo:
P= 30W
T
a
= 50C
T
j
= 200C
R
jc
= 1.50
C
W
27.67
ja
C
R =
W
T
c
mx
= T
j
mx
P R
jc
200 30 1.5
155
mx
c
T = C C
= C

3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Dispositivo con disipador externo:
Despejando:
Verificando:
Qu ocurre si Ta = 75C?
P= 30W
T
a
= 50C
R
jc
= 1.50
C
W
27.67
ja
C
R =
W
155
c
T = C
( )
||
c a ca dis
T T = P R R
||
c a
ca dis
T T 155 50 C C
R R = = =3.5
P 30 W W

1
R
dis
=
1
3.5
C
W

1
R
ca
dis
C
R =4
W

( ) ( )
|| ||
j a ca dis jc
C
T =T P R R R =50 C 30W 4 27.67 +1.5 =199.8 C
W
+ + +
j a total
C
T =T P R =75 C 30W5 = 225 C
W
+ +
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Dispositivo con disipador externo:
Conviene tener un factor de seguridad en la eleccin del disipador.
En general se elige un disipador con R 30% menor a la calculada.
Si el clculo da un disipador de R = 4 C/W, conviene colocar un
disipador de R =0.7 x 4 C/W= 2.8 C/W.
dis
50 cm C
R =
W
A
2
2
50
A= cm 156cm
4

A modo de referencia, si queremos utilizar un disipador de aluminio se necesita
una superficie de aletas aproximadamente de 156 cm
2
de acuerdo a la siguiente
frmula emprica:
Para obtener 2.8 C/W el disipador tendra una superficie de aletas
DOS veces mayor (318 cm
2
).
4.Tiristores
Para qu sirve un tiristor?
El tiristor es un dispositivo unipolar con un terminal de disparo pero sin corte.
ngulo de disparo
Pulso de encendido
VDC
Cambiando el ngulo de
disparo se modifica VDC
4.Tiristores
- El tiristor es uno de los principales dispositivos de potencia.
- Es un sandwich PNPN que puede modelarse como dos transistores:
- Si I
G
= 0, entonces es un circuito abierto.
- Si I
G
= 0 y V
GK
> V
BO
, el tiristor se dispara, se produce una realimentacin
positiva (~reaccin en cadena) y se transforma en un cable (es peligroso).
- Si I
G
> 0 y V
GK
< V
BO
, el tiristor se dispara en forma segura.
4.Tiristores
Curva caracterstica del tiristor:
VBO (tensin de ruptura): mnima tensin de Vak que dispara al tiristor.
I
L
(corriente de latch): es la mnima corriente de encendido del tiristor.
I
H
(corriente de retencin): mnima corriente que lo mantiene encendido.
I
R
(corriente reversa): corriente que circula para Vk > Va.
G
4.Tiristores
Modos de encendido del tiristor
- Trmico: La temperatura elevada puede dispararlo por corriente de fuga.
- Luz: Si la luz incide sobre la juntura puede disparar al tiristor.
- Por tensin: Si V
AK
> V
BO
el tiristor se enciende, pero de modo destructivo.
- dv/dt: Si V
AK
varia rapidamente puede disparar al tiristor (no es deseable).
- I
G
: Con I
G
> 0 y una tensin V
AK
< V
BO
el tiristor se enciende.
- Luego del encendido I
G
debe ser cero para evitar perdidas en la juntura.
- No debe aplicarse I
G
con el tiristor en inversa, porque podra dispararse.
4.Tiristores
Circuitos de proteccin
di/dt: si I
T
crece muy rpido no se distribuye uniformemente y se crean hot-spots
- El inductor Ls ayuda a proteger al sistema
dV/dt: si V
AK
crece muy rpido se genera un peligroso sobrepico en I
T
Al cargarse el capacitor
limita dV/dt
pero al descargarse
nada limita la corriente
4.Tiristores
Circuitos de proteccin
dV/dt: si V
AK
crece muy rpido se genera un peligroso sobrepico en I
T
Este circuito es muy habitual y se conoce como Snubber Circuit
Limita la corriente
de descarga del
capacitor
4.Tiristores
Clasificacin de los tiristores:
1. Silicon control rectifier
(SCRs)
2. Fast Switching Thyristors
(SCRs)
3. Gate Turn-off Thyristors
(GTOs)
4. Triode of Alternating Current
(TRIACs)
5. Reverse Conducting Thyristors
(RCTs)
6. Static Induction Thyristors
(SITHs)
7. Light Activated Silicon
Controlled Rectifiers
(LASCRs)
8. FET Controlled Thyristors
(FET-CTHs)
9. MOS Controlled Thyristors
(MCTs)
(9)
(3)
(6)
(1,2)
(4)
(7)
4.Tiristores
3. Gate Turn-Off thyristors (GTO):
- Puede apagarse mediante una seal negativa en el gate.
- Puede no bloquear la tensin inversa (fugas).
- Tiene varias ventajas sobre un SCR:
Requiere menos componentes circuitales.
Alta velocidad de apagado.
- Tiene varias ventajas sobre los transistores:
Mayor capacidad de bloqueo de tensin inversa.
Mejor capacidad de manejo de corrientes pico.
Menor corriente de activacin (que el TBJ)
Una seal de activacin mas corta
+
+
-
+ +
4.Tiristores
4. Triode of Alternating Current (TRIACs):
5. Reverse Conducting Thyristor (RCT)
- Tiene un diodo integrado en inversa
- Se usa en inverters DC-AC y choppers DC-DC.
4.Tiristores
6. Static Inductor Thyristor (SITH):
- Se apaga mediante un voltaje negativo en el gate.
- Tiene alta velocidad de conmutacin y soporta grandes di/dt y dv/dt.
7. Light Activated Silicon Controlled Thyristor (LASCRs)
- Se usa en aplicaciones de alto voltaje y corriente (lneas de HVDC)
- Brinda completa aislacin entre el gate y la salida.
- El LASCRs no se puede apagar desde el Gate.
4.Tiristores
8. FET Controlled Thyristor (FET-CTHs)
- Consiste de un FET en paralelo con un tiristor.
- No se puede apagar desde el Gate.
9. MOS Controlled Thyristor (MCTs):
Combinan caractersticas de SCR y de MOS:
1. Baja cada de tensin nodo-ctodo.
2. Rpido encendido y apagado.
3. Bajo consumo para switcheo
4. Baja capacidad de bloqueo de Vak inverso.
5. Alta impedancia de gate.
Se usa en apliaciones de baja velocidad.
4.Tiristores
Ejercicio
Un SCR se utiliza en el circuito de la figura,
a) Dibujar las formas de onda de tensin en el SCR y en la RL
para diferentes ngulos de disparo del dispositivo. Indicar
cuando la potencia disipada en la carga es mxima.
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
Vemos la situacin para distintos ngulos de disparos:
La potencia disipada en la carga es mxima cuando el disparo se produce en
t
d
= 0. Entonces, el SCR conduce durante un semiciclo completo de la seal,
ya que en el semiciclo negativo el SCR se apaga.
v
s
t
v
SCR
t
v
R
L
t
v
s
t
v
SCR
t
v
RL
t
t
d
= 0
t
d
> 0
4.Tiristores
Ejercicio
Dado el circuito de la figura, graficar la forma de onda en cada uno de
los dispositivos y en la carga RL en las siguientes condiciones:
a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
b. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
c. Los SCR no conducen en ningn momento.
SCR1
Seal disparo
Vef = 220V
f = 50Hz
D2
SCR2
RL
Seal disparo
Vs D1
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
Y qu pasa si los SCR conducen durante ciclo de la seal Vs?
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
s

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
R
L

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
S
R
C
1

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
D
1

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
D
2

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
S
C
R
2

[
V
]
SCR1
Seal disparo
D2
SCR2
RL
Seal disparo
D1
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
s

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
R
L

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
S
R
C
1

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
D
1

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
D
2

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
S
C
R
2

[
V
]
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
b. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
Y qu pasa si los SCR no conducen en ningn momento?
SCR1
Seal disparo
D2
SCR2
RL
Seal disparo
D1
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
s

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
R
L

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
S
R
C
1

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
D
1

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
D
2

[
V
]
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
-200
0
200
Tiempo [s]
V
S
C
R
2

[
V
]
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
c. Los SCR no conducen en ningn momento.
SCR1
Seal disparo
D2
SCR2
RL
Seal disparo
D1
5.Transistores de potencia
Caractersticas
Son transistores que deben soportar grandes corrientes, tensiones y potencias.
El IGBT ofrece una entrada MOS y una corriente de TBJ:
- Se activa por tensin (no por corriente).
- Tiempos de conmutacin bajos.
- Soporta mayor disipacin (como los bipolares).
Parmetros MOS Bipolar
Impedancia de entrada Alta (10
10
) Media (10
4
)
Ganancia en corriente Alta (10
7
) Media (10 a 100)
Resistencia ON (saturacin) Media / alta Baja
Resistencia OFF (corte) Alta Alta
Voltaje CE/DS mx. aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)
Mxima temperatura Alta (200C) Media (150C)
Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)
Costo Alto Medio
5.Transistores de potencia
Caractersticas
-Una limitacin importante de todos los dispositivos es la demora en conmutar.
En el TBJ las capacidades de juntura son grandes es lento.
Nos interesa que el transistor se parezca a un elemento ideal:
Manejo de alta potencia.
Bajo tiempos t
on
t
off
.
Alta densidad de corriente.
Que apagado soporte alta tensin V
CE
o V
DS
.
Que soporte grandes di/dt y dv/dt.
Principios bsicos de funcionamiento
- En un TBJ IC se controla IB.
- En un MOS ID se controla con VGS.
En ambos casos, con una potencia
pequea se controla una mucho mayor.
5.Transistores de potencia
Parmetros del dispositivo:
- I
CAV
/ I
DAV
: Corriente media que puede circular por un terminal.
- I
CM
/ I
DM
: Corriente mxima admisible de Colector o Drain.
- V
CEM
/ V
DSM
: Tensin mxima con base o gate abierto.
- Relacin entrada/salida: h
FE
o para el TBJ (ganancia de corriente: dI
C
/dI
B
)
g
m
para el MOSFET (transconductancia: dV
ID
/d
VGS
).
5.Transistores de potencia
Curvas de transferencia y avalanchas del TBJ:
- Avalancha primaria: Superada la mxima V
CB
con emisor abierto (V
CBO
), o la
mxima V
CE
con base abierta (V
CEO
), la unin C-B polarizada en inversa entra
en un proceso de ruptura similar al de un diodo y conduce corriente.
- Avalancha secundaria: Puede darse una avalancha con tensiones por debajo
de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin
de la intensidad de base). Est avalancha es destructiva. Debe evitarse.
Funcionamiento normal
Funcionamiento extremo
5.Transistores de potencia
Tiempo de conmutacin y disipacin
- Con el transistor en saturacin o en corte las prdidas son despreciables.
- Pero durante la conmutacin se produce un pico de potencia disipada:
- Para minimizar la disipacin hay que reducir el tiempo de conmutacin,
en el encendido y en el apagado.
- Estos efectos son ms importantes en el TBJ que en el MOS
VS
5.Transistores de potencia
Circuitos de encendido del transistor:
El tiempo de conmutacin puede reducirse usando una seal adecuada:
- Para esto puede emplearse el siguiente circuito:
El sobrepico acelera
la conmutacin
5.Transistores de potencia
Circuitos de encendido del transistor:
Para disminuir el tiempo de apagado una
opcin es el popular circuito anti-saturacin:
Enclavador Baker = Baker Clamp
- El objetivo es evitar que durante la conduccin la juntura B-C est en directa
(V
B
> V
C
) para as lograr minimizar el tiempo de apagado del transistor.
- Cuando la tensin de control aumenta, D
1
conduce una corriente I
B
que
enciende el transistor. Entonces D
2
est en inversa (no conduce).
- Si la tensin de control sigue aumentando, entonces V
C
disminuye hasta que.
D
2
est en directa y conduce. Entonces D
1
pierde corriente, el transistor
conduce menos y V
C
aumenta, por lo que D
2
deja de conducir.
Este circuito usa una realimentacin negativa para impedir que V
C
sea muy
baja y as logra aumentar la velocidad de apagado del transistor.
5.Transistores de potencia
Zona de operacin segura (SOA Safety Operation Area):
- La SOA indica la capacidad de disipacin de energa:
- El transistor puede estar en la zona lmite de la avalancha secundaria durante
cortos intervalos de tiempo sin que se destruya.
- Para corrientes grandes se funden las conexiones metlicas
5.Transistores de potencia
Ejemplos de dispositivos daados:
5.Transistores de potencia
Diseo de transistores de potencia:
Para evitar la aparicin de hot-spots pueden usarse diseos con
finger interleaving, donde se busca disminuir la densidad de corriente.
5.Transistores de potencia
Efecto asociado a cargas inductivas:
- Las cargas inductivas generan las condiciones de trabajo ms desfavorables:
Para carga resistiva el transistor pasa de corte a saturacin por la recta A-C-A
Para carga inductiva el transistor pasa a saturacin recorriendo A-B-C-D-A:
- Hay una profunda incursin en avalancha secundaria, con valor V
CE
>> V
CC
5.Transistores de potencia
Efecto asociado a cargas inductivas:
- Para cargas inductivas tambin hay un aumento en la disipacin de potencia
del transistor:
5.Transistores de potencia
Circuitos de proteccin para cargas inductivas:
- En A) y B) se limita la VCE durante el paso de saturacin a corte,
proporcionando un camino para la circulacin de corriente del inductor.
- En C) al cortarse el transistor la corriente pasa por el diodo y por Cs, el cual
tiende a cargarse a Vcc. En saturacin Cs se descarga a travs de Rs.
Red Snubber
Vz>Vcc
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT):
Es similar al MOSFET, pero con una capa p+ que forma el colector del IGBT:
- El IGBT presenta alta impedancia de entrada como los MOSFET, y bajas
perdidas de conduccin como el TBJ, pero sin ruptura secundaria como el TBJ.
- El IGBT es mas rpido que el TBJ, pero mas lento que el MOSFET
5.Transistores de potencia
Comparacin de distintos tipos de transistores
- Los valores no son exactos dada la gran disparidad del mercado.
- En general el producto tensin-corriente es una constante (limitacin de
potencia): hay MOSFET de muy alta tensin pero con corriente reducida.
-Lo mismo ocurre con las frecuencias de trabajo: existen bipolares de poca
potencia que trabajan a 50kHz, aunque no es lo usual.
5.Transistores de potencia
6.Conclusiones
Prestaciones generales:
6.Conclusiones
Prestaciones generales:
6.Conclusiones
Prestaciones generales:
6.Conclusiones
Aplicaciones:
- http://materias.fi.uba.ar/6625
- http://www.redeya.com
- http://www.eng.uwi.tt/depts/elec/staff/rdefour/courses/index33d.html
- Power Electronics: Converters, Applications and Design, Mohan,
Undeland y Robbins, John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995.
- Eletrnica de Potncia, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de
Campinas, SP - Brasil.
- Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso University,
Valparaso Indiana. Prentice Hall.
Bibliografa