Trabajo de Investigación 1

TRABAJO DE INVESTIGACIN I-19 DE MARZO 2014
TRABAJO DE INVESTIGACIN I. ELECTRNICA DE POTENCIA. (MARZO 2014)

Andrs Felipe Daz Ntolacd.: 261920, Jean Briham Pardo Baquero Cd. 261889, Juan David Olarte Espaol Cd. 261732, Julio Cesar Castellanos Bonilla Cd. 261873 Facultad de ingeniera, Universidad Nacional de Colombia sede Bogot
I. DIODOS DE RECUPERACIN RPIDA. [1] II. DIODOS DE CARBURO DE SILICIO. [2]
Los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor que 5 us. Se utilizan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, en los que la velocidad de recuperacin es a menudo de importancia crtica. Estos diodos cubren especificaciones de voltaje desde 50 V hasta aproximadamente 3 kV. Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 V, los diodos de recuperacin rpida por lo general se fabrican por difusin y el tiempo de recuperacin es controlado por difusin de oro o platino. Para especificaciones de voltaje por debajo de 400 V, los diodos epitaxiales proporcionan velocidades de conmutacin mayores que las de los diodos de difusin. Los diodos epitaxiales tienen la base ms angosta, lo que permite un rpido tiempo de recuperacin, tan bajo como 50 ns. En la figura 1 se muestran diodos de recuperacin rpida de varios tamaos.
Los diodos de potencia de mayor rendimiento son los diodos Schotttky de barrera, no solo tienen el tiempo de recuperacin inversa ms bajo comparado con varios tipos de diodos de recuperacin rpida (epitaxiales), tambin tienen el voltaje de cada inverso ms bajo. Estos dos parmetros son escenciales para la alta eficiencia. La tabla 1 muestra una comparacin del voltaje de ruptura, y el tiempo de recuperacin para los diodos comunes. Mientras los diodos Schottky de barrera tienen la ventaja de bajas prdidas en inverso y pocas prdidas en conmutacin comparados a otras tecnologas de diodos, el "bandgap" del silicio limita su uso a un voltaje mximo de 200 V. Los diodos de silicio que porean por encima de 200 V tienen mayores tiempos de recuperacin y voltaje de ruptura. Tabla 1. Comparacin de tipos de diodos.
Ilustracin 1: Diodos de recuperacin rpida.
El carburo de silicio es un compuesto semiconductor con caractersticas de potencia superiores al silicio, incluyendo un "bandgap" aproximadamente tres veces mayor, un campo de ruptura dielctrico 10 veces mayor y un coeficiente trmico tres veces ms grande, Estas caractersticas lo hacen ideal para aplicaciones de potencia. Los dispositivoas de silicio de carburo tienen un voltaje de ruptura, temperatura de operacin y conductividad trmica ms altos, as como tambin tiempo de recuperacin inversa ms corto. Estas caractersticas del dispositivo
conmutadas con bajas prdidas, alta eficiencia de conversin de potencia, bajos costos de enfriamiento. El carburo de silicio es ciertamente no solo el compuesto semiconductor de consideracin para el los componentes de potencia de la siguiente generacin. Los rectificadores de Arsenuro de Galio han estado disponibles desde 1990 pero han encontrado solo limitaciones en las aplicaciones ms demandantes debido a su alto costo. La figura 2 muestra la reduccin en las prdidas de conmutacin comparado a diodos de recuperacin rpida.
El carburo de silicio ha demostrado estabilidad de temperatura en un amplio rango, como mostrado en la figura 4. Esto simplifica la conexin paralela de multiples dispositivos y previene las prdidas trmicas.
Ilustracin 4: Aumento de temperatura en diodos de carburo de silicio. Ilustracin 2: Prdidas de conmutacin.
III. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR). [3]
Con los diodos de recuperacin rpida, el tiempo de recuperacin inversa aumenta significativamente con la temperatura, como mostrado en la figura 2. En contraste, los diodos de carburo de silicio mantienen un tiempo de recuperacin inversa constante sin importar la temperatura. Esto permite la operacin en altas temperaturas sin incrementar las prdidas de conmutacin.
La aparicin del tiristor. o ms concretamente rectifcador controlado de silicio S.C.R., ha materializado un cambio decisivo tanto en la concepcin como en la realizacin de inversores y conversores de potencia elctrica. Desde el punto de vista de su utilizacin, el S.c.R. vino inicialmente a sustituir al tiratrn en los circuitos empleados en electrnica industrial; en este sentido. puede decirse que, como componente activo de los circuitos electrnicos, el S.C.R. represent un gran adelanto respecto a aqul. Si bien ambos componentes son semejantes en cuanto a su forma de actuar, no lo son en sus caractersticas elctricas, en las que resulta muy superior el S.C.R, ni en sus caractersticas mecnicas, donde el peso, volumen y robustez no admiten competencia. El S.C.R. est constituido por cuatro capas de silicio dopadas alternativamente con impurezas del tipo P y
Ilustracin 3: Aumento del trr con la temperatura.
del tipo N, como se indica en la Figura 5.a, estando su smbolo representado en la Figura 5.b.
positiva), se conseguir que, por efecto de la difusin, aumente tambin el nmero de portadores mayoritarios que constituirn una corriente de elevado valor que cebar el S.C.R., siendo sta limitada exclusivamente por la impedancia exterior al dispositivo. El S.C.R. se encuentra ahora en estado de conduccin y se comporta casi como un cortocircuito (Fig, 6.b) siendo la tensin VAK entre sus extremos muy pequea (:::::1 V para tiristores de media-baja potencia) y denominada VT
Ilustracin 5: Constitucin interna del SCR.
La regin terminal Pz es el nodo (A) y la otra regin terminal N el ctodo (K). La puerta (G) se sita en la zona p. Las situaciones o estados en los que se puede encontrar el S.c.R. vienen determinados por la. polarizacin a la que est sometido y, como su nombre indica (controlado), mediante una seal exterior se le puede cambiar de uno a otro. Con polarizacin inversa (A negativo respecto a K) las uniones U1 y U3 quedan polarizadas inversamente; la corriente a travs del dispositivo ser debida a portadores minoritarios, siendo muy pequea y pudindose considerar casi nula para cualquier valor de la tensin de polarizacin menor que la mxima inversa aplicable VBOR, a la que se produce la ruptura por avalancha, con posibilidad de destruccin del componente. El S.C.R. se comporta como un circuito abierto (Fig. 6.a) y se dice que est en estado de bloqueo inverso. Con polarizacin directa (VA> VK) solamente la unin Uz queda polarizada inversamente, por 10 que la nica corriente que circula por el dispositivo es la inversa de saturacin correspondiente y, tambin, muy pequea hasta un valor de polarizacin VBO' llamado de avalancha, ruptura o de cebado, en el que la corriente a travs del dispositivo crece de forma abrupta, no siendo recomendable establecer dicha conduccin por este mtodo. Hasta dicho valor VBO, el S.C.R. sigue comportndose como un circuito abierto (Figura 6), pero ahora se encuentra en el llamado estado de bloqueo directo. Si con polarizacin directa se introduce una corriente en la puerta (G) que contribuya a aumentar el tipo de portadores que predominan en esa zona (siendo P1: la corriente ser
Ilustracin 6: Estados del S.C.R.
En la Figura 7, se hace otra representacin equivalente del S.C.R. en la que ste se ha desdoblado en dos partes desplazadas fsicamente, pero que permanecen elctricamente conectadas. Este desdoblamiento se ha hecho con la intencin de que el dispositivo pueda considerarse como dos transistores en oposicin (un PNP y un NPN), siendo las regiones N2 y P, bases y colectores, a la vez y respectivamente, de ambos transistores.
Ilustracin 7: Circuito equivalente del tiristor.
Al polarizar el nodo positivamente respecto al ctodo, se inyectan electrones y huecos en sus extremos; estos portadores se difunden, respectivamente, a travs de las uniones N1-P! y P2N2, realimentndose en el bucle interno de ambos transistores. Mientras dicha polarizacin permanezca dentro de ciertos lmites, la cantidad de portadores se mantiene estable y de valores pequeos. -, Cuando la tensin nodo-ctodo aumenta hasta un valor critico VBO, se generan tal cantidad de
portadores que, por efecto de la realimentacin y los factores de amplificacin de los transistores, el tiristor pasa 'al estado de conduccin, Esta forma de establecer la conduccin (cebado) es desaconsejable en la mayora de los casos, ya que el elemento no ha sido diseado para soportar esa corriente inversa de fugas. Supongamos que se aplica al S.C.R. una tensin entre nodo y ctodo VB! menor que VBo (Figura 8), entonces el tiristor permanecer bloqueado y puede cambiar a conduccin aplicando a la puerta una corriente de disparo IG' Aplicando una tensin VB2 menor que VB! se requerir una corriente IG2 mayor que IG! para cebar al componente.
aproximacin a la caracterstica tensin-corriente (Figura 8). '" En este circuito se presenta un ejemplo de utilizacin donde, mediante la posicin del conmutador (S), se controla la aplicacin de potencia a la carga (R). R limitar la corriente que circule por el circuito nodo-ctodo cuando- el tiristor est en conduccin. R2 limita la corriente de puerta a un valor mximo cuando el potencimetro P est situado al mnimo, y con ste se consigue ajustar dicha corriente.
Ilustracin 9: Circuito prctico para la obtencin de la
caracterstica directa del S.C.R.

Ilustracin 8: Curvas caractersticas del S.C.R.
Una vez cebado, la puerta pierde el control sobre el estado del S.CR. hasta tal punto que es posible desconectarla sin que cambie de estado. El paso al estado de bloqueo se conseguir nicamente cuando la tensin nodoctodo disminuya por debajo de un valor de mantenimiento (VH), tal que la corriente de nodo alcance un nivel inferior a lH (llamada tambin de mantenimiento), el1 el que el S.CR. se bloquea y la puerta vuelve a asumir el control del cebado. Se debe advertir que, aun cebado el tiristor, si la corriente de nodo, determinada por el circuito exterior.es inferior a un valor lL llamado corriente de enganche y desaparece la corriente de puerta; el componente vuelve al estado de bloqueo. Dicho valor lL es ligeramente mayor que lH' Funcionamiento Sobre el circuito de la Figura 9 desarrollaremos nuestro estudio para la obtencin de los puntos caractersticos del funcionamiento del S.CR., una
Suponemos inicialmente el interruptor S abierto, por lo que la corriente de puerta lG = O.Aumentando lentamente VAA, a partir de cero, por el tiristor habr una circulacin despreciable de corriente y la cada de tensin en R ser prcticamente cero, luego VAK = VAA, hasta que alcanzado un valor VAA ::: VAK = VBO el tiristor pasa al estado de conduccin y su tensin nodo-ctodo ha disminuido a un valor VT. En esa situacin, la corriente de nodo lA presenta un valor:
Si en esas circunstancias disminuimos progresivamente VAA, tambin lo har lA, hasta alcanzado un valor lH' a partir del cual el tiristor pasa al estado de bloqueo o descebado extinguindose la corriente de nodo. Aumentando posteriormente V:4A' se observa que estamos en las condiciones iniciales, no alcanzndose el cebado hasta no llegar a un valor de VAA = VBO' Si con VAA = cerramos S y, mediante P, ajustamos I a un valor le, y repetimos el proceso
anterior, observaremos que el S.C.R. se ceba a una tensin VBt < VBo' Una vez alcanzada dicha situacin, la corriente que circule por el circuito de nodo depender del valor de R1 y del actual de VAA' Abriendo S, no varian las condiciones del circuito de nodo, ya que al estar el tiristor en estado de conduccin, dicho circuito es independiente del de puerta. Se observa, igualmente, que en el estado de conduccin, para el mismo valor de VAA que en el caso de lG = 0, se obtiene el mismo valor de VT y que disminuyendo VAA, para conseguir el bloqueo, encontramos que ste ocurre para valores sensiblemente iguales de lH y VH a los obtenidos anteriormente. Reiterando los pasos anteriores para valores de lG, tales que se irn obteniendo tensiones de cebado nodo-ctodo cada vez menores, de tal forma que
bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El Triac puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa. Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es ms positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin directa.
hasta que alcanzado un valor determinado de Ig1, relativamente grande, el tiristor se ceba directamente al alcanzar VAK un valor igual a VT y, para este caso, su comportamiento ser similar al de un 'diodo. De todo lo anterior podemos resumir que: La magnitud de la corriente de puerta controla el valor de la tensin nodo-ctodo la que se ceba el S.C.R. Una vez cebado, la corriente lA que circula por el S.C.R. depende exclusivamente del circuito exterior. El tiristor volver al estado de bloqueo cuando la corriente de nodo descienda por debajo de la de mantenimiento lH' Con pequeas corrientes de puerta, se pueden controlar grandes corrientes de nodo.
IV. TRIAC. [4]
Ilustracin 10: Construccin bsica.
El Triac es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser
La estructura contiene seis capas como se indica en la Figura 10, aunque funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido MT2-MT1 conduce a travs de P1N1P2N2 y en sentido MT1MT2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su estructura lo hace ms delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de algunos amperios hasta unos 200 A eficaces y desde 400 a 1000 V de tensin de pico repetitivo. Los triac son fabricados para funcionar a frecuencias bajas, los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores.
En la Figura 10 se muestra el smbolo esquemtico e identificacin de las terminales de un triac, la nomenclatura nodo 2 (A2) y nodo 1 (A1) pueden ser reemplazados por Terminal Principal 2 (MT2) y Terminal Principal 1 (MT1) respectivamente. El Triac acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en paralelo Fig. 11, este dispositivo es equivalente a dos latchs.
resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos. El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no controla ms la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la compuerta. El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el nodo MT2 es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual a la del III. Mtodos de disparo Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados (MT1 y MT2) y una compuerta G. La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al nodo 1. El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. Veamos cules son los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos posibles de disparo. 1 El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al nodo MT1 y este es el modo ms comn (Intensidad de compuerta entrante).
Ilustracin 11: Smbolo esquemtico del triac.
Ilustracin 12: Curva caracterstica del triac.
La Figura 12 describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la corriente a travs del Triac como una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y MT1. El punto VBD (tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una resistencia alta a una
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la unin P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a la compuerta por la cada de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de compuerta. Esta cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y - .
Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea el potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin. 2 El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente). Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas P2N1P1N4. La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin. 3 El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la tensin del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de compuerta saliente). El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2. El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin. 4 El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que la tensin del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en conduccin la estructura P2N1P1N4. La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin exterior y se produce la entrada en conduccin. El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria para el disparo es mnima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de disparo mayor. El modo III(+) es el de disparo ms difcil y debe evitarse su empleo en lo posible. En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante, asegura el disparo En todos los estados. Formas de onda de los triacs La relacin en el circuito entre la fuente de voltaje, el triac y la carga se representa en la Figura 13. La corriente promedio entregada a la carga puede variarse alterando la cantidad de tiempo por ciclo que el Triac permanece en el estado encendido. Si permanece una parte pequea del tiempo en el estado encendido, el flujo de corriente promedio a travs de muchos ciclos ser pequeo, en cambio si permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo encendido, la corriente promedio ser alta. Un triac no est limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con un arreglo adecuado del disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR.
TRABAJO DE INVESTIGACIN I-19 DE MARZO 2014 Ilustracin 14: Formas de onda del Triac.
V. DIAC. [5]
Diac (Diode Alternative Current): dispositivo bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos electrodos principales, MT1 y MT2, y ninguno de control (Fig.15.a). Su estructura es la representada en la figura 15.b. En la curva caracterstica tensin-corriente (Fig. 15.c) se observa que: V(+ ) < VS el elemento se comporta como un circuito abierto. V(+ ) > VS el elemento se comporta como un cortocircuito. Se utilizan para disparar esencialmente a los triacs.
Ilustracin 13: Circuito de control Triac.
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a excepcin de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la Figura14 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac ( a travs de los terminales principales) para dos condiciones diferentes. En la Figura 14 (a), las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30o de cada semiciclo, durante estos 30o el triac se comporta como un interruptor abierto, durante este tiempo el voltaje completo de lnea se cae a travs de las terminales principales del triac, sin aplicar ningn voltaje a la carga. Por tanto no hay flujo de corriente a travs del triac y la carga. La parte del semiciclo durante la cual existe esta situacin se llama ngulo de retardo de disparo. Despus de transcurrido los 30o, el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el triac est encendido se llama ngulo de conduccin. La Figura 14 (b) muestra las mismas formas de ondas pero con ngulo de retardo de disparo mayor.
Ilustracin 15: DIAC.
Su aplicacin principal es como dispositivo de disparo del TRIAC como control de fase. El circuito es un control de fase que controla la potencia de CA en la carga variando el ngulo de disparo del DIAC por la resistencia R. Al superar el voltaje en el condensador el voltaje VBR del DIAC ste se dispara, hacindolo seguidamente el TRIAC. Este control es ms efectivo que el usado con el SCR ya que la potencia en la carga es mayor.
Ilustracin 16: Circuito con DIAC.
TRABAJO DE INVESTIGACIN I-19 DE MARZO 2014 VI. GTO. [6] [7]
El SCR tiene una cada en conduccin muy baja, pero necesita que el circuito de potencia anule su corriente andica. Esto ha reducido su empleo a circuitos de alterna (bloqueo natural con una conmutacin por ciclo). Desde los primeros aos del SCR los fabricantes han intentado conseguir que los SCR pudiesesn cortarse desde la puerta. A principios de los aos 80 aparecen los primeros GTOs. El GTO o Gate Turn-Off SCR es un tiristor que puede ser disparado con un pulso positivo a su terminal de puerta y bloqueado si se aplica un impulso negativo a ese mismo terminal. En la siguiente figura se pueden apreciar los smbolos ms utilizados para este tipo de dispositivos.
Ilustracin 18: Diagrama de bloques del circuito de control de un GTO.
VII. MCT. [8]
En un MCT, se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas, con una estructura de compuerta MOS. En forma similar al transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT), se logran las ventajas de los transistores bipolares con las de efecto de campo; el conjunto resulta en una mejora respecto a un tiristor con un par de MOSFET, que lo activan y lo desactivan. Existen varios dispositivos de estas estructuras MCT; solamente analizaremos una de ellas, el MCT de canal p de mayor difusin. En la prxima figura representaremos su estructura interna:
Ilustracin 17: GTO.
El GTO es un semiconductor biestable, que igual que el SCR consta de tres uniones. Respecto a ste presenta la ventaja de funcionar con frecuencias de conmutacin elevadas (por encima de 25 KHz). En lo que se refiere al cebado es posible controlarlo con una seal de puerta de cierta polaridad. Al igual que el SCR, es posible bloquearlo por tensin inversa o descenso de la corriente de mantenimiento, pero a diferencie de ste, tambin se puede bloquear por inversin de polaridad en puerta, por lo que el emisor de rdenes de control ha de poder emitir impulsos positivos y negativos. El GTO se adapta bien a los convertidores que deben funcionar a partir de una tensin de alimentacin elevada (hasta 4500 V), por lo que son adecuados para el mando de motores en traccin elctrica que tengan elementos alimentados en C.C..
Ilustracin 19: Estructura interna del MCT.
El proceso de construccin de este dispositivo, es complejo, por lo que solamente nos remitiremos a su circuito elctrico equivalente, formado por dos
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transistores bipolares, uno npn, el otro pnp y dos transistores de efecto de campo MOS, uno de canal n y otro de canal p, conectados como muestra la siguiente figura:
cuando esta tensin cae por debajo de la tensin umbral, entonces este ultimo transistor, deja de conducir corriente, abriendo la base de Q2 y de esta manera, se anula la realimentacin interna. El MCT pasa al estado desactivado. Para un MCT de canal n, la activacin se hace con un pulso positivo aplicado a la compuerta, respecto al ctodo y la desactivacin, se realiza aplicando un pulso a la compuerta de polaridad negativa, respecto al ctodo. El MCT puede ser operado como dispositivo controlado por compuerta si la corriente controlada, no supera el valor especificado. Para corrientes mayores, el apagado de un MCT, debe realizarse de la misma manera que un SCR normal (por conmutacin de la tensin en sus extremos o conmutacin forzosa). Los anchos de pulso de compuerta no son crticos, con corrientes menores a la especificada. Para corrientes mayores, el ancho del pulso, debe ser mayor. En muchos circuitos convertidores, como por ejemplo los inversores, se aplican pulsos continuos de compuerta, tanto en el apagado como en el encendido, para evitar falsos disparos en el control del MCT. Los MCT tienen las siguientes caractersticas elctricas: 1) Tiene baja cada de tensin en sentido directo durante su estado conductor. 2) Tienen un corto tiempo de activacin, normalmente 0,4seg. y un corto tiempo de apagado de aproximadamente 1,25 seg, por ejemplo para un MCT de 500 V y 300 A. 3) Tiene bajas perdidas por conmutacin. 4) Baja capacidad de bloqueo de la tensin inversa. 5) Alta impedancia de entrada en su compuerta lo que simplifica bastante el circuito generador de pulsos de excitacin de compuerta. 6) Puede conectarse en paralelo para conmutar grandes corrientes, con pocas desviaciones de las especificadas. 7) No puede utilizarse un transformador de pulsos si se necesita un pulso continuo para evitar falsas excitaciones. La estructura del MCT se reparte en toda la superficie del dispositivo, lo que le permite el
Ilustracin 20: MCT.
Debido a que la estructura del MCT es de tipo NPNP, diferente a un SCR normal que es del tipo PNPN, el nodo se utiliza como Terminal de referencia, con respecto al cual se aplican las seales de compuerta para su activacin y desactivacin. El encendido de un MCT de canal p que esta en el estado de bloqueo directo (anodo positivo respecto al ctodo) se puede realizar aplicando un pulso negativo, respecto al nodo. En el circuito elctrico equivalente, vemos que esta accin, hace conducir al MOS de canal p (M1) y de esta manera, a travs de sus terminales drenaje-surtidor, inyectan una corriente en la base del transistor bipolar npn que inicia la realimentacin interna entre los transistores bipolares Q1 y Q2. El MCT pasa al estado activo. El MCT permanece en el estado activo, hasta que se invierta la polaridad de la tensin nodo-ctodo, que gaga disminuir su corriente, o aplicando un pulso de apagado en su compuerta. El proceso de apagado de un MCT, de canal p, es el siguiente: Si aplicamos un pulso positivo en la compuerta, respecto al nodo, este pulso, hace conducir brevemente al MOS de canal n (M2), lo que hace bajar su tensin drenaje-surtidor. Como estos ltimos terminales estn conectados a la juntura base-emisor de Q1,
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encendido y apagado rpido con bajas perdidas por conmutacin. La potencia o energa para su activacin y desactivacin es baja y el retardo debido al almacenamiento de cargas, tambin es muy bajo. Todas estas condiciones, lo aproximan como el dispositivo de retencin, ideal, para ser usado en los convertidores de energa elctrica.
VIII. REL DE ESTADO SLIDO. [9]
- Proteccin frente a transitorios, (En algunos modelos): Los ms frecuentemente utilizados son redes RC, diodos, etc. Ventajas - Conexin con o sin funcin de paso por cero. - Desconexin a I=0. - Gran resistencia a choques y vibraciones. - No ocasionan arcos ni rebotes al no existir partes mviles. - Vida de trabajo ptima. - Frecuencia de conmutacin elevada. - Facilidad de mantenimiento. - Funcionamiento silencioso. - Control a baja tensin, compatible TTL/CMOS. Inconvenientes - Circuito de entrada muy sensible a perturbaciones. - Necesidad de elementos de proteccin externos. - Disipadores de calor. - Redes de proteccin. - Muy sensibles a la temperatura y a las sobretensiones. - Tecnolgica y conceptualmente ms complejos y abstractos. En la evolucin de los componentes convencionales el mayor cambio que se puede esperar es la sustitucin gradual de los rels y los contactores electromagnticos convencionales por los de estado slido (el contactor de estado slido es un desarrollo paralelo al del arrancador esttico ya que su parte de potencia es semejante). Uso correcto Es necesario tomar una serie de precauciones antes de utilizar un rel de estado slido: - No aplicar una tensin o corriente excesiva en los circuitos de entrada y salida del SSR. - Asegurarse que los tornillos de conexin estn correctamente apretados. - Permitir una correcta ventilacin del SSR, en el caso de que el SSR est montado en un panel de control donde la ventilacin no sea suficiente se deber instalar un sistema de ventilacin.
El rel de estado slido (SSR) es un elemento que permite aislar elctricamente el circuito de entrada o mando y el circuito de salida. Las diferentes partes que forman un SSR son: - Circuito de entrada - Aislamiento, est asegurado generalmente por un acoplamiento ptico con semiconductor (Fotoacoplador, fototriac,....).
Ilustracin 21: SSR.
- Detector paso por cero (En algunos modelos): Un rel de estado slido con funcin de paso por cero opera cuando la tensin de la carga (tensin alterna) se acerca o alcanza el punto cero. Los rels con esta funcin tienen una buena inmunidad a los parsitos de entrada y producen unas bajas radiaciones parsitas al conmutar tensiones bajas. Los rels de estado slido con la funcin de deteccin de paso por cero son adecuados para cargas resistivas, capacitivas y cargas inductivas con un factor de potencia entre 0.7 y 1. - Circuito de salida, Salida CA con tiristores antiparalelos o triacs, salida CC con transistor bipolar o MOS FET, salida CA-CC con transistor MOS FET (ya que tiene igual ganancia en directo que en inverso).
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- Cuando se instale el SSR directamente en un panel de control, de manera que el panel es usado de disipador, el panel debe ser de un material con una baja resistencia trmica como aluminio o acero. Proteccin de SSRs Los rels de estado slido son bastante sensibles a las perturbaciones y transitorios elctricos, as como a las sobrecargas en tensin y en corriente. El origen de los fenmenos transitorios puede ser: - Electromagntico radiado. - Elctrico conducido por los hilos de la red de alimentacin. Para prevenir estos fenmenos es primordial dimensionar correctamente el ssr con relacin a su aplicacin, para explotar as el conjunto de las caractersticas del ssr con un margen de seguridad suficiente. Para escoger un rel de estado slido es necesario tener en cuenta los siguientes factores: Especificaciones de tensin y corriente de la entrada. - El tipo de carga a conectar. - La corriente y la tensin de la carga. - La temperatura ambiente de funcionamiento, vibraciones. - Encapsulado. - Tipo de conexin elctrica (Terminales de tornillo, patillas para el soldado directo de los hilos, etc) - Homologaciones. - Otras especificaciones como la rigidez dielctrica, fiabilidad (tiempo medio entre fallos), etc. Diferentes tipos de cargas Cuando se produce una conmutacin de OFF a ON se producen picos en la corriente que pueden destruir los dispositivos semiconductores de potencia de los SSR.
Ilustracin 22: Corriente en un SSR.
El valor del pico de corriente en la conmutacin depende del tipo de carga. 1.- Carga resistiva. La relacin entre el pico de corriente en la conmutacin y la corriente nominal es 1. En este caso la corriente y la tensin estn en fase de manera que no hay problemas en el funcionamiento del SSR Una tpica carga resistiva es una calentador que se suele combinar con un controlador de temperatura con salida en tensin.
Ilustracin 23: Carga resistiva.
2.- Lmparas incandescentes. La relacin entre el pico de corriente en la conmutacin y la corriente nominal es de 10 a 15 veces. Se debe seleccionar un SSR cuya resistencia a picos de corriente sea el doble que el valor mximo del pico de corriente en el transitorio. Utilizar un fusible en serie con la lmpara para proteger al rel en el encendido de la lmpara y en el caso de producirse un cortocircuito como consecuencia de la rotura del filamento. Al ser una carga inductiva aparece un desfase entre la tensin y la corriente y se utiliza un filtro RC (Se explica en la seccin de proteccin en la salida) para mejorar el funcionamiento.
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3.-Motor. Cuando un motor arranca la corriente es de 5 a 10 veces mayor que la corriente nominal. Se debe seleccionar un SSR cuya resistencia a picos de corriente sea el doble que el mximo valor de la corriente en el arranque. Al ser una carga inductiva aparece un desfase entre la tensin y la corriente y se utiliza un filtro RC (Se explica en la seccin de proteccin en la salida) para mejorar el funcionamiento. 4.- Transistor. Cuando el SSR conmuta a ON la corriente que pasa por el SSR es de 10 a 20 veces la corriente nominal durante un tiempo de 10 a 500ms Se debe seleccionar un SSR cuya resistencia a picos de corriente sea el doble que el mximo valor del pico de corriente. 5.- Rectificador de media onda. En este caso cuando se utiliza un SSR con funcin de paso por cero el rel no conmutar a ON, hay dos posibles soluciones: 1.- Conectar una resistencia de absorcin, que absorba un 20% de la corriente en la carga aproximadamente.
Ilustracin 25: Corriente en SSR.
En este caso se deber utilizar rels del modelo V ( G3F-203SL-V, G3H-203SL-V) o rels que tengan en su salida transistores MOS FET (G3DZ, G3RZ, G3FM). 7.- Microcargas Si la corriente de fuga es muy grande se puede producir un funcionamiento incorrecto, para evitar esto utilizar una resistencia de absorcin en paralelo con la carga.
Ilustracin 26: Microcarga.
Los valores estndar de la resistencia de absorcin son: - Para una fuente de alimentacin de 100VAC de 5 a 10k Ohmios, 3W - Para una fuente de alimentacin de 200VAC de 5 a 10k Ohmios, 15W 8.- Transformador
Ilustracin 24: SSR sin funcin de paso por cero.
6.- Rectificador de onda completa La corriente en la carga tendr una forma rectangular como la que se muestra a continuacin.
No utilizar una fuente de alimentacin controlada por un transformador como fuente de alimentacin de la carga debido a que un transformador es un caso extremo y particular de las cargas inductivas saturables con magnetizacin residual remanente y se pueden producir fallos en el funcionamiento, ya que la corriente puede llegar a ser de 10 a 100 veces la corriente nominal.
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9.- Cargas capacitivas Se consideran cargas capacitivas las lneas largas de transmisin, filtros y fuentes de alimentacin. La intensidad en la carga inicialmente puede llegar a ser de 20 a 50 veces la intensidad nominal, ya que un condensador inicialmente se comporta como un cortocircuito y la intensidad es limitada por el valor de la resistencia (Aadir una resistencia en serie). Cuando el estado del rel sea OFF tendr aplicada a su salida la tensin de alimentacin ms la tensin de carga del condensador, de manera que se debe seleccionar un SSR con una tensin de salida que sea el doble de la de alimentacin. Se debe seleccionar un SSR (con funcin de paso por cero) cuya resistencia a picos de corriente sea el doble que el mximo valor de la corriente inicial. 11.- Cargas de alta impedancia Cuando se tenga una carga de alta impedancia la corriente de fuga del rel produce una tensin muy elevada entre los extremos de la carga en el estado de desconexin. Para solucionarlo se suelen instalar cargas de alta impedancia en paralelo con la carga (lmparas de baja potencia).
IX. MDULOS INTELIGENTES. [10]
siguientes son algunos fabricantes de dispositivos y de mdulos: - Adavanced Power Technology. - Brown Boweri. - Fuji Electric. - Harris Corp. - Hitachi Ltc.
X. DRIVERS PARA DISPARO DE TIRISTORES: ACOPLE DIRECTO, TRANSISTOR MONOJUNTURA UJT.
Requerimientos de pulsos de corriente de compuerta Se necesita un pulso de corriente de compuerta para encender el tiristor, y una vez disparado, eltiristorcontina su conduccin sin ninguna corriente decompuerta continua debido a la accinregenerativa del dispositivo.
Los circuitos de excitacin de compuerta estn disponibles comercialmente para excitar dispositivos individuales o mdulos. Los mdulos inteligentes, que representan el estado ms avanzado de la electrnica de potencia, integran el mdulo de potencia junto con el circuito perifrico. El circuito perifrico est formado por un aislamiento de entrada/salida de una interfaz con el sistema de la seal y el sistema de alto voltaje, un circuito de excitacin, un circuito de proteccin y de diagnstico (para evitar una corriente excesiva, corto circuito, carga abierta, sobrecalentamiento y voltaje excesivo), control por microcomputadora y una alimentacin de energa de control. Los usuarios slo necesitan conectar fuentes de alimentacin externas (foltantes). Un modelo inteligente tambin se conoce como potencia inteligente. Estos mdulos se utilizan cada vez ms en la electrnica de potencia. Los
Ilustracin 27: Diseo de circuitos excitadores de
compuerta del tiristor. a) Caractersticas de Compuerta-Ctodo I - V para disear circuitos de disparo de compuertas b) Circuito equivalente del amplificador de pulsos de la compuerta. Para calcular la fuerza del impulso de corriente de compuerta con que se debe asegurar el encendidodel dispositivo, se usa la caracterstica de corrientetensin de la compuerta que se muestra en lafigura 1a. Para un determinado tipo de tiristor, el rango de
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variaciones posibles en la caractersticade la compuerta se especifica por curvas de valores mximo y mnimo en las hojas de datos deldispositivo, similares a las curvas de valores mximo y mnimo de la figura 1-a. La corriente decompuerta mnima y el correspondiente voltaje de la compuerta que se necesitan para asegurar queel tiristor se dispare a varias temperaturas de operacin tambin se especifican en las hojas de datosdel dispositivo y se muestran en la figura 1-a como una lnea punteada. Esta curva de la corrientede compuerta mnima a veces se denomina lugar geomtrico de puntos de disparo mnimos. La lnea de carga del amplificador de pulsos de la compuerta debe producir una corriente decompuerta ms grande que la que se especifica en la curva de la corriente de compuerta mnima. Uncircuito equivalente para un amplificador de pulsos de la compuerta se muestra en la figura 1- b,consiste en un voltaje de salida de circuito abierto de Vcc y una resistencia de salida de Rc. Estecircuito produce una corriente de compuerta en el rango de ICl a temperaturas bajas hasta IC2 atemperaturas altas, como se muestra en la construccin de la lnea de carga de la figura 1-a. Mediante la correcta seleccin de los parmetros de la lnea de carga (Vea y Rc) se obtiene unacorriente de compuerta que excede con creces la corriente mnima requerida. La duracin de tiempomnima del pulso de la compuerta, por lo regular unas cuantas decenas de microsegundos, durantela cual debe fluir la corriente de compuerta, se especifica en las hojas de datos del dispositivo. Las hojas de datos tambin especifican las mximas corriente de compuerta y disipacin depotencia decompuerta permisibles. Una hiprbola de ladisipacin mxima de potencia de lacompuerta se muestra en la figura 1-a. Estas cantidades suelen ser muy grandes en relacin con lacorriente de disparo de la compuerta que se necesita, y no presentan ninguna restriccin de diseo. A fin de permitir un di/dt grande durante el encendido de un tiristor, se suministra un pulso grandede corriente de compuerta durante la fase inicial de encendido, con un di/dt grande. Despus de queel tiristor enciende, la corriente de compuerta se reduce y se mantiene encendida por algn tiempocon un valor bajo a fin de evitar el apagado no deseado del dispositivo.[11]
-Acople Directo Se utiliza cuando por lo general el circuito de potencia del tiristor est al mismo nivel del circuito de compuerta, aproximadamente entre 12 y 30V para ambas partes. En caso de que el voltaje de la etapa de potencia sea mayor es necesario realizar un acoplamiento ya sea a travs de un mecanismo ptico o magntico. Tanto la etapa de los pulsos de control como el SCR van conectados a tierra (a diferencia de cuando estn acoplados), en la Figura 2 podemos observar un circuito de disparo de acoplamiento directo.
Ilustracin 28:. Circuito con acople directo
El par de transistores junto a las resistencias se encargan de amplificar lospulsos de corriente provenientes de la unidad de control, con el fin de adecuar su magnitud para entrar en el rango de funcionamiento y poder activar o desactivar el SCR sin afectar la juntura del tiristor y cumpliendo los requisitos de corriente de la hoja de datos del fabricante del SCR. -Transistor Monounin (UJT) Se utiliza comnmente para generar seales de disparo en los SCR. En la figura 3-aaparece un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como Emisor E, base uno B y base dos B . Entre B y B la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases R teniendo valore s en el rango de 4.7 a 9.1 k). Las caractersticas estticas de un UJT se muestran en la figura 3-b. Cuando se aplica el voltaje de alimentacin V en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es 1 = RC. Cuando el voltaje del emisor V , el mismo que el voltaje del capacitor V, llega al voltaje pico,V , se activa el UJT y el capacitor C se descarga
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a travs de RB a una velocidad determinada por la constante de tiempo 2 = RB C. es mucho menor que . Cuando el voltaje del emisor V se reduce al punto del valle V, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite epite el ciclo de carga. Las formas de onda del emisor y de los voltajes de disparo aparecen en la figura 3-c [10].
V intersecte a las caractersticas del dispositivo a la derecha del punto de pico, pero a la izquierda del punto valle. Si la recta de carga no cae a la derecha del el punto de pico, el UGT no se activa. Esta condicin se satisface si V I R V. Esto es, R V V I
En el punto de valle I = I y V V de tal forma que la condicin del lmite inferior de R para asegurar la desactivacin es V I R V. Esto es, R V V I
El rango recomendado de voltaje de alimentacin V es de 10 a 35V. Para los valores fijos de , el voltaje pico V vara con el voltaje entre las dos bases V. V est dado por V V 0.5 V V = V V = 0.5 V Donde V es la cada de voltaje directa di de un diodo. El ancho t del pulso de disparo es t = R C En general, R est limitado a un valor por debajo de 100, aunque en algunas aplicaciones es posible tener valores de 2 a 3 k. Por lo general, una resistencia R se conecta en serie con la base dos, para compensar la reduccin de V debida al aumento de la temperatura y para proteger al UJT de un posible desbocamiento trmico [10]. La resistencia R tiene un valor or de 100 o mayor y se puede determinar en forma aproximada as: R = 10 V V
Ilustracin 29: Circuito de disparo con UJT
La forma de onda del voltaje de disparo V es idntica a la corriente de descara del capacitor C . El voltaje de disparo V debe disearse lo suficientemente grande como para activar al SCR. El perodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin V y est dado por 1 1 T = RC ln f 1 donde el parmetro se conoce como la relaci relacin intrnseca de equilibrio. El valor de est entre 0.51 y 0.82. La resistencia R est limitada a un valor entre 3 k y 3 M. El lmite superior de R est determinado por el requisito de que la recta de carga formada por R y
XI. DRIVERS AISLADOSPARA DISPARO DE TIRISTORES TIR
En los convertidores con tiristor, aparecen diferentes potenciales en las distintas terminales. El circuito de potencia est st sujeto a un alto voltaje, por lo general mayor de 100V, y el circuito de compuerta se mantienen a un bajo voltaje, tpicamente de 12 a 30V. Se requiere de un circuito aislante entre el tiristor individual y su circuito generador de impulso de compuerta. . El aislamiento se puede llevar a cabo
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ya sea mediante transformadores de pulso, o mediante acopladores pticos [12]. -Aislamiento Aislamiento con Transformadores de pulsos Un sencillo arreglo de aislamiento con transformadores de pulso aparece en la figura 4-a. Cuando se aplica un pulso de voltaje adecuado en la base del transistor conmutador Q , el transistor se satura y el voltaje de cd V aparece a travs del primario del transformador, produciendo un voltaje pulsado sobre el secundario del transformador, el cual es aplicado entre la compuerta del tiristor y su ctodo. Cuando se elimina el pulso de la base del transistor Q , el transistor se desactiva apareciendo un voltaje de polaridad opuesta in inducido en el primario del transformador por lo que el diodo de marcha libre D hasta cero. Durante esta reduccin transitoria. Un voltaje inverso correspondiente un capacitor C a travs de la resistencia R, tal y como se muestra en la figura 4-b. El transformador nsformador conduce corriente unidireccional y el ncleo magntico se saturar, limitando por lo tanto el ancho del pulso. Este tipo de aislamiento es adecuado para pulsos tpicamente de 50s a 100s [13].
figura 4-c. c. Cuando se activa el transistor Q , tambin se induce un voltaje en el embobinado auxiliar N en la base del transistor Q, de tal forma que el diodo d D queda con polarizacin inversa y Q se desactiva. Entretanto, el capacitor C se carga a travs de R y vuelve a activar a Q. Este proceso de activacin y desactivacin continuar siempre que exista una seal de entrada V al circuito cuito aislador. En vez de utilizar el embobinado auxiliar como oscilador de bloqueo, se podra generar un tren de pulsos mediante una compuerta lgica AND con un oscilador (o un mecanismo de tiempo), tal y como se muestra en la figura 4-d. d. En la prctica, la compuerta AND no puede excitar directamente al transistor Q y normalmente se conecta una etapa intermedia antes del transistor [13]. -Aislamiento ptico Un acoplador ptico podra ser un fototransistor fo o un foto SRC, tal y como se muestra en la figura 5. Un pequeo pulso a la entrada de un diodo de emisor de luz infrarroja (ILED) D1, activa el foto-SCR foto T y dispara el tiristor de potencia T . Este tipo de aislamiento requiere de una fuente uente de alimentacin de energa por separado V y aumenta el costo y el peso del circuito de disparo [12].
Ilustracin 31: Aislador de foto-SCR foto acoplado
Ilustracin 30:Aislamiento con transformador de
pulsos En muchos convertidores de potencia con cargas inductivas, el perodo de conduccin de un tiristor depende del factor de potencia de la carga; por lo tanto, el inicio icio de la conduccin del tiristor no queda bien definido. En esta situacin, a menudo resulta necesario disparar los tiristores en forma continua. Sin embargo, una conmutacin continua aumenta las prdidas del tiristor. Se puede obtener un tren de pulsos, cosa que resulta preferible, mediante un embobinado auxiliar, tal y como se muestra en la
La salida de los circuitos tos de compuerta de las figuras 3 o 4 normalmente se conecta entre compuerta y ctodo, junto con otros componentes de proteccin de compuerta, tal al y como aparece en la figura 6. La resistencia R de la figura 6-a a aumenta la capacidad dv de dt del tiristor, reduce el tiempo de desactivacin y aumenta las corrientes de mantenimiento y de enganche. El capacitor C de la figura 6-b b elimina los componentes de ruido de alta frecuencia, aumenta la capacidad dvdt y el tiempo de retraso de la compuerta. El diodo D de la figura 6-c protege la compuerta de un voltaje negativo. Sin embargo, para SCR asimtricos, es deseable tener cierta cantidad de voltaje negativo de compuerta,
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para mejorar la capacidad dvdt y tambin para reducir el tiempo de desactivacin. Todas estas caractersticas se pueden combinar, tal y como se muestra en la figura 6-d, en la que el diodo D permite slo pulsos positivos, R amortigua cualquier oscilacin transitoria y limita la corriente de compuerta [14].
-Control sncrono
Permite poner bajo tensin una carga alterna para su paso por cero de tensin una carga alterna a su paso por el cero de tensin. Esta tcnica es empleada para el control on-off la figura 7. Describe el principio del control sncrono. Se genera un pulso nicamente cuando la tensin alterna pasa por cero, independientemente del instante de la orden de control. En este caso la apertura del circuito se efecta al paso por cero de la tensin pudiendo realizar la apertura de un interruptor sncrono solamente cuando sea nula la corriente de carga [15].
Ilustracin 32:Circuitos de proteccin de compuerta XII. DRIVERS INTEGRADOS PARA CONTROL DE

TIRISTORES
Muchos fabricantes de circuitos integrados han desarrollado unidades especialmente concebidas parasimplificar el control de tiristores y triacs; los cuales se han venido aplicando al disparo a tensin nula detriacs de media potencia, en sistemas monofsicos donde los circuitos de control son relativamente complicados y donde no es necesario el aislamiento entre etapas de mando y de potencia. Aunque parecen ser una solucin ptima no han tenido el xito esperado. Probablemente la razn del fracaso de este dispositivo puede atribursele a que para el grado de precisin normalmente exigido, pueden emplearse circuitos sencillos realizados nicamente con componentes discretos. Las tcnicas de control usadas en estos dispositivosson el control sncrono, control proporcional al tiempo y el recorte de fase, las cuales son usadas endistintos circuitos integrados apoyados en la caracterstica de los tiristores y de los triacs, su tiempo de respuesta es muy pequeo ante la duracinde cada cambio de estado o alternancia. La caracterstica comn de las tcnicas empleadas esque la frecuencia de la tensin aplicada sobre la carga no cambia y el propsito comn es controlar laaplicacin de la tensin de la red sobre una carga. Segn la naturaleza de la carga se controla lapotencia que se absorbe o el valor eficaz de latensin en los bornes. En muchos de los casos resultaen el control del valor medio de tensin como en un motor universal [15].
Ilustracin 33: Diagrama de un controlador sncrono

-Control proporcional al tiempo
Esta tcnica modula la potencia consumida por unacarga proporcionndole grupos de periodos enteros, es decir regula el nmero de semiciclos de tensin delnea que son aplicados, teniendo como base un periodo de tiempo especfico. Por este motivo est particularmente adaptada a variacin y a la regulacin de calefaccin. El diagrama de este tipo de control se muestra en la figura 8. Donde se puede observar que est constituido por un interruptor sncrono y un generador de seales de diente de sierra. Este generador est conectado a un comparador y mientras su tensin sea inferior a la tensin de control, la carga es alimentada. Cuando sea superada se dejara de suministrar impulsos teniendo un control porcentual respecto a la mxima potencia posible a aplicar a la carga [15].
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Ilustracin 34: Diagrama de un controlador proporcional al tiempo.

-Recorte de Fase
El recorte de fase permite disminuir la tensin eficaz de los bornes como se muestra en la figura 9. El principio es diferente a los anteriores ya que no se activa el tiristor o el triac al paso de la tensin por cero, sino que se retarda ms o menos la activacin segn la tensin eficaz deseada sobre las terminales de la carga.
Ilustracin 36: Diagrama de un circuito de recorte de fase -Ejemplo circuito Integrado para control de tiristores: TCA785 Un Circuito Integrado utilizado comnmente para el control del disparo de tiristores es el TCA785, en la figura 11 podemos observar el diagrama de bloques del mismo.
Ilustracin 35: Principio de Funcionamiento de Recorte de Fase Cabe recordar que el valor eficaz de la tensin se calcula aplicando la ecuacin 1, donde se puede observar que este valor disminuye conforme aumenta el ngulo de activacin. 180 sin2 1 220 180 2 En la figura 10 se muestra el diagrama de un circuito de recorte de fase. Donde bsicamente se puede controlar el ancho del pulso as como el ngulo de activacin [15].
Ilustracin 37: Diagrama de Bloques del Integrado TCA785 La seal de sincronizacin es obtenida a travs de una gran resistencia desde la lnea de voltaje del terminal V5. Un detector de voltaje de cero evala el cruce por cero y lo transfiere al registro de sincronismo. El registro de sincronismo controla un generador de rampa, el capacitor C10 el cual es cargado con una corriente constante (determinada por R9). Si la rampa de voltaje V10 excede el control
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de voltaje V11, una seal es procesada por el bloque lgico. Dependiendo de la magnitud del control de voltaje V11, el ngulo provocado () puede ser desplazado con una fase desde 0 hasta 180 [16]. Para cada media onda, un pulso positivo de aproximadamente 30s aparece a la salida Q1 y Q2. La duracin del pulso puede ser prolongada hasta 180 a travs del capacitor C12. Si el pin 12 est conectado a tierra, resultarn pulsos con una duracin entre y 180. Una seal de +180 puede ser usada para controlar un perifrico lgico, a travs del pin 3. El pin 13 puede ser usado para obtener una longitud completa del pulso (180-) en las salidas . En la figura 12 podemos observar las 1 2 seales proporcionadas por las salidas del TCA785.
Ilustracin 39: Ejemplo de conexin entre TCA785 y tiristor

XIII. TRANSISTORES DE CONMUTACIN: BJT, MOSFET, IBGT, MDULOS INTELIGENTES
Ilustracin 38: Formas de onda del TCA785 Como podemos observar el TCA785 es un disparador de pulsos para control de fase y su diagrama de bloques es el mismo de un controlador proporcional al tiempo como se aprecia en la figura 7. En la figura 13 se detalla como es el circuito de conexin entre el tiristor y el TCA785 para su correcto funcionamiento [16].
Los transistores de potencia tienen caractersticas controladas de encendido y apagado. Lostransistores, que se utilizan como elementos de conmutacin, se operan en la regin de saturacin,y producen una pequea cada de voltaje en el estado de encendido. La velocidad de conmutacinde los transistores modernos es mucho mayor que la de los tiristores y se empleanfrecuentemente en convertidores cd-cd y cd-ca, con diodos conectados en paralelo inverso paraproporcionar flujo bidireccional de corriente. Sin embargo, sus especificaciones nominales devoltaje y corriente son menores que las de los tiristores, y normalmente los transistores se empleanen aplicaciones de baja a mediana potencia. Los transistores de potencia se pueden clasificar, demanera general, en cinco categoras: Transistores bipolares de Juntura (BJT). Transistores semiconductores de metal oxido de efecto de campo (MOSFET). Transistores de induccin esttica (SIT). Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT). COOLMOS
Se puede considerar a los BJT, MOSFET, SIT, IGBT o COOLMOS como interruptoresideales para explicar las tcnicas de conversin de potencia. Un transistor se puede operar comoun interruptor. Sin embargo, la eleccin entre un BJT y un MOSFET en los circuitos convertidoresno es obvia, aunque cada uno de ellos puede sustituir a un interruptor, siempre y cuandosus especificaciones nominales de voltaje y
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corriente cumplan con los requisitos de salida delconvertidor. Los transistores prcticos difieren de los dispositivos ideales; tienen ciertas limitaciones,y se restringen a algunas aplicaciones. Se deben examinar las caractersticas y especificacionesnominales de cada tipo para determinar su adecuacin a determinada aplicacin. [17] Transistores BJT [17] Un transistor bipolar se forma agregando una segunda regin pon a un diodo de unin pn. Condos regiones n y una p, se forman dos uniones, tenindose as un transistorNPN, como se muestraen la figura 14a. Con dos regiones p y una regin n, se forma lo que se llama transistor PNP, quese muestra en la figura 14b. Las tres terminales son colector,emisor y base. Un transistor bipolartiene dos uniones: la unin colector-base (CBJ) y la unin base-emisor (BEJ). En la figura15 aparecen transistores NPN de varios tamaos. Hay dos regiones n + para el emisor del transistor NPN de la figura 16a, y dos regiones p +para el emisor del transistor PNP de la figura 16b. Para un transistor NPN, la capa n del lado delemisor es ancha, la base p es angosta, y la capa n del lado del colector es angosta y con un fuertedopado. Para un transistor PNP, la capa p del lado del emisor es ancha, la base n es angosta y lacapa p del lado del colector es angosta y con un fuerte dopado. Las corrientes de base y de colectorfluyen por dos trayectorias paralelas resultando en una baja resistencia colector-emisor en saturacinRCE(ENC.)
Ilustracin 41: Transistores NPN
Ilustracin 42: Secciones transversales de un BJT.
Aunque hay tres configuraciones posibles: colector comn, base comn y emisor comn, la configuracinemisor comn, que se ve en la figura 17a para un transistor NPN, es la que generalmentese utiliza en aplicaciones de conmutacin. En la figura 17b se muestran las caractersticastpicas de entrada de corriente de base lben funcin del voltaje baseemisor VBE. La figura 17cmuestra las caractersticas tpicas de salida de corriente de colector lcen funcin del voltaje decolector-emisor VCE. Para un transistor PNP, se invierten las polaridades de todas las corrientesy voltajes. Hay tres regiones de operacin de un transistor: de corte, activa y de saturacin. En la reginde corte, el transistor est abierto o apagado, la corriente de base no es suficiente para saturarlo,y las dos uniones estn polarizadas inversamente. En la regin activa, el transistor actacomo un amplificador, en el que la corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y elvoltaje colector-emisor disminuye al aumentar la corriente de base. La unin colectorbase(CBJ) est polarizada inversamente, y la unin colector-emisor (BEJ) tiene polarizacin directa.En la regin de saturacin, la corriente de base es
Ilustracin 40: Transistores bipolares.
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suficientemente alta como para que el voltajecolector-emisor sea bajo, y el transistor acta como un interruptor. Las dos uniones (CBJ y BEJ)tienen polarizacin directa. La caracterstica de transferencia, que es una grfica de VCE en funcinde lB, se muestra en la figura 18.El modelo de un transistor NPN se ve en la figura 19, en operacin a cd a gran seal. Laecuacin que relaciona las corrientes es le = lc+ lb
Ilustracin 45: Modelo de transistores NPN
Una unin pn con polarizacin directa contiene dos capacitancias en paralelo: una capacitanciade la capa de agotamiento y una capacitancia de difusin. Por otra parte, una unin pn con polarizacin inversa slo tiene la capacitancia de agotamiento. Bajo condiciones de estado permanente,esas capacitancias no juegan papel alguno. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, influyensobre el comportamiento del transistor en su encendido y apagado. El modelo de un transistor bajo condiciones transitorias se ve en la figura 20, donde Ccb yCbe son las capacitancias efectivas de las uniones CBJ y BEJ, respectivamente. La transconductanciagm de un BJT se define como la relacin de Ic a VBE. Esas capacitancias dependen delos voltajes en las uniones y de la construccin fsica del transistor. La capacitancia Ccb afecta enforma apreciable a la capacitancia de entrada, debido al efecto de multiplicacin de Miller.Las resistencias de colector a emisor y de base a emisor son rce y rbe, respectivamente.
Ilustracin 43: Caractersticas de los transistores NPN.
Ilustracin 44: Caractersticas de transferencia.
Ilustracin 46:Modelo de transitorios en BJT.
A causa de las capacitancias internas, el transistor no se enciende al instante. La figura 21ilustra las formas de onda y los tiempos de conmutacin. Cuando el voltaje de entrada VB aumentade cero a V1 y la
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corriente de base aumenta a IB1,la corriente de colector no responde deinmediato. Hay un retardo, llamado tiempo de retardo tdpara que haya un flujo de corriente porel colector. Este retardo se requiere para cargar la capacitancia de la unin BEJ hasta el voltajede polarizacin directa VBE (unos 0.7V). Despus de ese retardo, la corriente de colector subehasta el valor Icsde estado permanente. El tiempo de subida tr, depende de la constante de tiempodeterminada por la capacitancia de la unin BEJ. En el caso normal, la corriente de base es mayor que la necesaria para saturar al transistor.El resultado es que el exceso de carga debido a los portadores minoritarios se almacena en la reginde la base. Mientras mayor sea el ODF, ms alta ser la cantidad de carga adicional almacenadaen la base. Esa carga adicional, llamada carga de saturacin, es proporcional al exceso deexcitacin de la corriente de base y la corriente le correspondiente es Ie = IbIcs/ = ODF Ibs - Ibs= Ibs (ODF - 1) y la carga de saturacin se determina por
apagado esta carga adicional se remueve primero en el tiempo ts, y el perfil dela carga cambia de a a c, como se ve en la figura 22b. Durante el tiempo de cada, el perfil de lacarga baja desde el perfil e hasta que se remueven todas las cargas. El tiempo de encendido o tiempo de activacin, t_enc, es la suma del tiempo de retardo td yel tiempo de subida tr.: t_enc = td + tr y el tiempo de apagado o tiempo de desactivacin, t_off,es la suma del tiempo de almacenamiento ts y el tiempo de cada tf t_off = ts + t
donde s se llama constante de tiempo de almacenamiento del transistor. Cuando el voltaje de entrada se invierte de VI a - V2 y la corriente de base tambincambia a Ib2, la corriente de colector no cambia durante un tiempo tsllamado tiempo de almacenamiento.Se requiere el ts para remover la carga de saturacin de la base. Como VBE todavaes positivo, aproximadamente slo de 0.7V, la corriente de base invierte su direccin debido alcambio de polaridad de VB, desde V1 hasta - V2. La corriente -Ib2en sentido inverso ayuda adescargar la base y a remover la carga extra de la base. Si no hay Ib2, la carga de saturacin deberemoverse por completo por recombinacin, y el tiempo de almacenamiento sera mayor.Una vez removida la carga adicional, la capacitancia de la unin BEJ se carga hasta elvoltaje de entrada - V2, y la corriente de base cae a cero. El tiempo de cada tf depende de laconstante de tiempo, que est determinada por la capacitancia de la unin BEJ con polarizacininversa. La figura 22a muestra la carga de almacenamiento extra en la base de un transistor saturado.Durante el
Ilustracin 47:Tiempos de conmutacin de
transistores bipolares.
Ilustracin 48: Almacenamiento de carga en
transistores bipolares saturados. Limites de conmutacin
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Segunda avalancha, SB: Fenmeno destructivo que resulta del flujo de corriente a una pequea porcin de la base, lo que produce puntos calientes donde si la energa en dichos puntos es muy grande, el transistor se puede daar. Por ende, la ruptura secundaria es causada por el sobrecalentamiento trmico localizado resultante de concentraciones de altas corrientes causadas por la estructura del transistor. Tambin puede ocurrir por combinaciones de tensin, corriente y tiempo, y al estar involucrado el tiempo, la ruptura secundaria es bsicamente un fenmeno que depende de la energa. rea de operacin segura en polarizacin directa, FBSOA: Durante la condicin activa y en operacin, la temperatura de la unin y la ruptura secundaria limitan la capacidad de manejo de potencia del transistor. Las FBSOA indican los lmites de Ic-Vce del transistor; para una operacin confiable de ese mismo transistor no debe ser sujeto a una disipacin de potencia mayor que la que muestra la grfica de FBSOA. rea de operacin segura en polarizacin inversa (RBSOA): el rea que se da segn limitaciones IcVce durante la desactivacin con polarizacin inversa como el rea segura en dicho tipo de polarizacin. En esta desactivacin el transistor debe soportar valores de corriente y tensin altos en su unin base-emisor. Perdida de disipacin de Potencia. Los transistores presentan una disipacin de potencia y as mismo una prdida de potencia causada por el circuito trmico equivalente del dispositivo.
= + + Donde Rjc es la resistencia trmica de la unin a la cubierta, Rcs es la resistencia trmica de la cubierta al disipador trmico y Rsa es la resistencia del disipador trmico al ambiente. Voltaje de ruptura: Se define como el voltaje mximo entre dos terminales cuando la tercera est en corto o polarizacin directa o inversa. En este proceso la corriente se eleva rpidamente mientras que su voltaje se conserva relativamente constante. Para aumentar la velocidad de conmutacin, se puede reducir el tiempo de activacin y el de desactivacin. Para reducir el tiempo de activacin se puede permitir que haya un pico de corriente de base durante la activacin, resultando as una forzada baja; al pasar la etapa de activacin dicha se incrementar a un valor lo suficientemente alto para que el transistor conserve su estado de casi saturacin o activo. Para reducir el tiempo de desactivacin se invierte la corriente de base y se permite que en la desactivacin, dicha corriente de base llegue a ese pico y es justamente que al aumentar dicho valor pico de la corriente inversa, el tiempo de desactivacin disminuye. MOSFET [17] Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y slo requiere unapequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta, y los tiempos de conmutacinson del orden de nanosegundos. Los MOSFET de potencia estn encontrando aplicacionescada vez ms numerosas en convertidores de baja potencia y alta frecuencia. Los MOSFETno tienen los problemas de fenmenos de segunda avalancha, como los BJT. Sin embargo, losMOSFET tienen los problemas de descarga electrosttica y requieren cuidados especiales en sumanejo. Adems, es relativamente difcil protegerlos en condiciones de falla por cortocircuito.
= ,
Ilustracin 49: Circuito trmico equivalente de un
transistor. Si Pt es la potencia promedio perdida: = ,
= ,
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Ilustracin 50: MOSFET tipo decremental
xido, dando como resultado un canal efectivo ms angosto y unaalta resistencia del drenaje a la fuente RDS. Si se hace que V GS sea suficientemente negativo, elcanal se decrementa hasta desaparecer, "se agota", por completo y presenta un valor muy alto deRDS, y no pasa corriente del drenaje a la fuente: IDs = 0. El valor de VGS, cuando eso sucede, sellama voltaje de estrechamiento V p. Por otra parte, si VGS se hace positivo, el canal se incrementahacindose ms ancho y aumenta IDs, debido a la reduccin de RDS. Con un MOSFET de tipo decrementalde canal n, se invierten las polaridades de VDS, IDs YV GS, como se ve en la figura 24b. Un MOSFET de canal n de tipo incremental no tiene canal fsico, como se ve en la figura 25a. Si VGS es positivo, un voltaje inducido atrae a los electrones del substrato p y los acumulaen la superficie, bajo la capa de xido. Si Ves es mayor o igual a un valor llamado voltaje umbralo voltaje de entrada, VT, se acumula una cantidad suficiente de electrones para formar un canal nvirtual, y la corriente circula del drenaje a la fuente. Se invierten las polaridades de VDS, IDs y Vgs en un MOSFET de tipo incremental de canal p, como se ve en la figura 25b. En la figura 26 se muestran MOSFET de potencia de diversos tamaos.
Ilustracin 51: MOSFET tipo incremental.
Los dos tipos de MOSFET son 1) MOSFET decrementales y 2) MOSFET incrementales. Un MOSFET de tipo decremental con canal n se forma sobre un substrato de silicio tipo p,como se ve en la figura 24a, con dos regiones de silicio n + muy dopado, para formar conexionesde baja resistencia. La compuerta est aislada del canal por una capa muy delgada de xido.Las tres terminales son compuerta, drenaje y fuente. En el caso normal, el substrato se conecta ala fuente. El voltaje de compuerta a fuente es VGS, y puede ser positivo o negativo. Si VGS es negativo,algunos de los electrones en el rea del canal n son repelidos, y se crea una regin de agotamientoabajo de la capa de
Ilustracin 52: MOSFET de potencia.
Ya que un MOSFET de decremental permanece activo con cero voltaje de compuerta,mientras que un MOSFET de tipo incremental permanece apagado con cero voltaje de compuerta,en general los MOSFET de tipo incremental se usan como dispositivos de conmutacinen la electrnica de potencia. En la figura 27a se ve un corte transversal de un MOSFET de potencia,llamado MOSFET
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vertical (V).Cuando la compuerta tiene un voltaje lo bastante positivo con respecto a la fuente, el efectode su campo elctrico atrae los electrones de la capa n + hacia la capa p. Con esto se forma un canalvecino a la compuerta, el cual a su vez permite el flujo de la corriente del drenaje a la fuente. Hayuna capa de dielctrico de xido de silicio (SiO) entre el metal de la compuerta y la unin n + yp. El MOSFET est muy dopado en el lado del drenaje, para formar un acoplamiento debajo de la capa de desplazamiento n. Este acoplamiento evita que la capa de decrementalllegue al metal, distribuye el esfuerzo dielctrico (esfuerzo por el voltaje) a travs de la capa n y tambin reduce lacada de voltaje en sentido directo durante la conduccin. Tambin, la capa de acoplamiento haceque sea un dispositivo asimtrico, con una capacidad bastante baja de voltaje en sentido inverso. Los MOSFET requieren poca energa de compuerta, y tienen una velocidad muy grandede conmutacin, y bajas prdidas por conmutacin. La resistencia de entrada es muy alta, de 10^9a 10^11 . Sin embargo, la desventaja de los MOSFET es su alta resistencia en sentido directo enestado activo, como se ve en la figura 27b, y por consiguiente grandes prdidas en estado activo;eso los hace menos atractivos como dispositivos de potencia, aunque son excelentes como dispositivosamplificadores de compuerta para tiristores.
transconductancia, que es la relacin de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta,define a las caractersticas de transferencia, y es un parmetro muy importante.
Ilustracin 54: Caractersticas de transferencia de los
MOSFET. En la figura 28 se muestran las caractersticas de transferencia de MOSFET de canal n yde canal p. La figura 29 muestra las caractersticas de salida de un MOSFET de canal n incremental.Hay tres regiones de operacin: 1) la regin de corte, donde VGSVT; 2) la regin de estrechamientoo saturacin, donde VDS = V GS - V T, y 3) la regin lineal, donde VDSVGS - V TLa regin de estrechamiento se presenta en VDS = V GS - V T. En la regin lineal, la corriente dedrenaje ID vara en proporcin con el voltaje de drenaje a fuente, VDS. Debido a la gran corrientede drenaje y al bajo voltaje de drenaje, los MOSFET se operan en la regin lineal, para las accionesde conmutacin. En la regin de saturacin la corriente de drenaje permanece casi constantepara cualquier aumento en el valor de VDS, y en esta regin se usan los transistores para amplificarvoltaje. Se debe notar que la saturacin tiene el significado opuesto al de los transistoresbipolares.
Ilustracin 53: Cortes de MOSFET.
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada muyalta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequea, del orden de los nanoamperes. Laganancia de corriente, que es la relacin entre la corriente de drenaje ID y la corriente de compuertaIG suele ser del orden de 10^9 Sin embargo, la ganancia de corriente no es un parmetroimportante. La
TRABAJO DE INVESTIGACIN I-19 DE MARZO 2014 Ilustracin 55: Caractersticas de salida de un
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MOSFET tipo incremental. El modelo de estado permanente, igual para los MOSFET tipo decremental y tipo incremental, se ve en la figura 30. Para los MOSFET de tipo de decremental, el voltaje de compuerta (o de entrada) podraser positivo o negativo. Sin embargo, los MOSFET de tipo de incremental responden slo a unvoltaje de compuerta positivo. En general, los MOSFET de potencia son del tipo de incremental.Sin embargo, los de tipo decremental tendran ventajas y simplifican el diseo lgico en algunasaplicaciones que requieren alguna forma de interruptor de lgica compatible para cd o ea quepermaneciera cerrado cuando la fuente de potencia falla y VGS se vuelve cero. Ya no se describirnms las caractersticas de los MOSFET de tipo de decremental.
Ilustracin 58: Modelo de conmutacin para el
MOSFET
Ilustracin 59: Formas de onda y tiempos de
conmutacin. Si no tiene seal de compuerta, un MOSFET de tipo incremental se puede considerar como dosdiodos conectados espalda con espalda, o como un transistor NPN. La estructura de la compuertatiene las capacitancias parsitas Cgs respecto a la fuente y Cgd respecto al drenaje. El transistornpn tiene una unin con polarizacin inversa, del drenaje a la fuente, y forma una capacitanciaCds. La figura 31a muestra el circuito equivalente de un transistor bipolar parsito en paralelocon un MOSFET. La regin de base a emisor de un transistor NPN se pone en corto en el dado delmicrocircuito, al metalizar la terminal de la fuente y la resistencia de la base al emisor, debido aque la resistencia Rbc del material de las regiones n y p es pequea. Por consiguiente, se puedeconsiderar que un MOSFET tiene un diodo interno, y el circuito equivalente se ve en la figura 31b. Las capacitancias parsitas dependen de sus voltajes respectivos. El modelo de conmutacin de los MOSFET se ve en la figura 32. Las formas de onday los tiempos tpicos de conmutacin se ven en la figura 33. El retardo de encendido td(enc)esel tiempo necesario para cargar la capacitancia de entrada hasta el valor del voltaje umbral.El tiempo de subida t, es el tiempo de carga de la compuerta, desde el nivel de umbral hasta
Ilustracin 56: Modelo de interrupcin de estado
estable para MOSFET.
Ilustracin 57: Modelo de efectos parsitos de
MOSFET de incremental.
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elvoltaje total de compuerta Vgsp, que se requiere para activar al transistor hasta la regin lineal.El tiempo de retardo de apagado td(apag)es el necesario para que la capacitancia de entrada sedescargue desde el voltaje de sobre saturacin V1 hasta la regin de estrechamiento. El voltajeVgs debe disminuir en forma apreciable antes de que VDS comience a subir. El tiempo de cada tf es el necesario para que la capacitancia de entrada se descargue desde la regin de estrechamientohasta el voltaje de umbral. Si VgsVT, el transistor se des activa. IGBT [17] En un IGBT se combinan las ventajas de los BIT y de los MOSFET. Un IGBT tiene alta impedanciade entrada, como los MOSFET, y pocas prdidas por conduccin en estado activo, como losBJT. Sin embargo, no tiene problema de segunda avalancha, como los BJT. Por el diseo y la estructuradel microcircuito, se controla la resistencia equivalente de drenaje a fuente, Rvs, paraque se comporte como la de un BJT.
Ilustracin 60: Corte transversal y circuito equivalente
de los IGBT. En la figura 34a se muestra la seccin transversal de la estructura de silicio de un IGBT, quees idntica a la de un MOSFET, a excepcin del substrato p+. Sin embargo, el rendimiento de unIGBT se parece ms al de un BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al substrato p +, causante dela inyeccin de portadores minoritarios en la regin n. El circuito equivalente se muestra en lafigura 34b, que se puede simplificar al de la figura 34c. Un IGBT se hace con cuatro capas alternasPNPN, y puede tener retencin como un tiristor, cuando se cumple la condicin necesaria:(npn + pnp) > l.La capa de acoplamiento n+ y la ancha base epitaxial reducen la ganancia de laterminal NPN por diseo interno, y con ello evitan la retencin. Los IGBT tienen dos estructuras:de perforacin (PT, de punch-through) y de no perforacin (NPT, de non punch-through). En la estructuraIGBT PT, el tiempo de conmutacin se reduce usando una capa de acoplamiento n muydopada, en la regin de corrimiento cerca del colector. En la estructura NPT los portadores tienenuna vida mayor que en una estructura PT, lo que causa modulacin de conductividad de la reginde corrimiento y reduce la cada de voltaje en estado de encendido. Un IGBT es un dispositivocontrolado por voltaje, parecido a un MOSFET de potencia. Como en un MOSFET, para el encendidose hace positiva la compuerta con respecto al emisor, los portadores n son atrados al canal pcerca de la regin de la compuerta; esto produce una polarizacin en directa de la base del transistornpn, que con ello se enciende. Un IGBT slo se enciende aplicndole un voltaje de compuertapositivo, para que los portadores n formen el canal, y se apaga eliminando el voltaje de compuerta,para que el canal desaparezca. Requiere un circuito de control muy simple. Tiene menores
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prdidasde conmutacin y de conduccin, y al mismo tiempo comparte muchas de las propiedadesadecuadas de los MOSFET de potencia, como la facilidad de excitacin de compuerta, corrientepico, buenas caractersticas y robustez. En forma inherente, un IGBT es ms rpido que un BJT.Sin embargo, la velocidad de conmutacin de los IGBT es menor que la de los MOSFET.En la figura 35 se ven el smbolo y el circuito de un IGBT interruptor. Las tres terminalesson compuerta, colector y emisor, en lugar de compuerta, drenaje y fuente de un MOSFET.
corriente, relevadores de estado slido y contacto res. A medida que los lmites superiores de las especificaciones de IGBT disponibles en el comercioaumentan (por ejemplo, hasta 6500 V Y2400 A), estn encontrando aplicaciones dondese usan los BJT y los MOSFET convencionales principalmente como interruptores, y los estnsustituyendo. Mdulos Inteligentes [18] Las posibilidades crecientes que ofrece la tecnologa para construir diversos dispositivossemiconductores en una sola pastilla y para montar varias pastillas en una sola cpsula, hanpermitido construir transistores de potencia bipolares, MOSFET e IGBT que integran circuitos asociados de control de proteccin. Todos los transistores son sensibles a las sobrecorrientes; de ah que parte de los componentes inteligentes disponibles hayan sido diseados con dispositivos internos de diversostipos que impiden que la intensidad de los terminales pueda sobrepasar cierto lmite de seguridad. La medida de la intensidad suele hacerse integrando en serie con el surtidor o emisor una resistencia calibrada de bajo valor, cuya cada de tensin es medida por un circuito de proteccin ms o menos complejo que, actuando sobre el terminal de control (puerta o base), limita o anula dicha intensidad.
Ilustracin 61:. Smbolo y circuito de un IGBT
Ilustracin 62:Caractersticas tpicas de salida y de
transferencia de los IGBT Las curvas caractersticas de salida tpicas, de icen funcin de VCE, se ven en la figura 36a paradiversos voltajes VCE de compuerta a emisor. La caracterstica tpica de transferencia de ic enfuncin de VGE se ve en la figura 36b. Los parmetros y sus smbolos se parecen a los de losMOSFET, excepto que se cambian los subndices para fuente y drenaje, a emisor y colector, enforma respectiva. La especificacin de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta 1200 V, 400A, y la frecuencia de conmutacin puede ser hasta de 20 kHz. Los IGBT estn encontrandoaplicaciones crecientes en potencias intermedias, como por ejemplo propulsores de motor de cdy de ca, fuentes de
Ilustracin 63: Mdulos transistores de potencia inteligentes (Smart power), a) Smbolo general; b)IGBT con proteccin contra sobreintensidad mediante un sensor resistivo, Buena parte de los mdulos de potencia inteligentes son, hoy da, IGBT.
En el caso de los transistores MOSFET, se ha generalizado la consecucin de la medidade la intensidad principal, aislando el surtidor de varias celdillas de la pastilla del surtidordel resto y logrndose de esta sencilla manera derivar y medir
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una pequea proporcin de la intensidad total del dispositivo completo, que no se ve afectado por dio en su funcionamiento. Las diversas marcas bautizaron inicialmente este procedimiento con nombres variados (SensFET, Motorola; HEXSonse, IR.; SensorFET, Philips). Son posibles otras funciones de proteccin ms complejas vigilando la tensin del otro terminal principal (drenador o colector) como se simboliza en la Figura 37a. La incorporacin de circuitera en el propio transistor de potencia responde a una tendencia creciente de los fabricantes a facilitar al mximo el control de estos componentes y a simplificar los montajes de aplicacin. Entre numerossimos ejemplos posibles se cita aqu el mdulo de potencia inteligente FSAM15SH69A de Fairchild consistente en un conjunto de seis IGBT con diodo antiparalelo de 15 A y 600 Y pensado para control de motores de induccin bifsicos de hasta 0,8 kW en electrodomsticos (acondicionadores de aire entre otros), Entre otras funciones el mdulo integra: excitadores optoacoplados para simplificar el montaje y ajustados para obtener una conmutacin ptima de cada ICBT; proteccin programable de sobreintensidad; proteccin de cortocircuitos; monitorizacin de temperatura. Su aspecto, distribucin de patillas y configuracin interna puede verse en la Figura 38. El concepto de componente semiconductor, o mdulo de potencia, inteligente llega desde los noventa a 1a posibilidad de programar algunas de las caractersticas de potencia delmismo mediante el circuito (le control asociado. Quiz tino de los ejemplos ms representativos sean los IGBT de gran potencia que algunos fabricantes suministran en asociacin a un circuito de control que, adems de integrar funciones de proteccin y monitorizacin, aaden la posibilidad de ajustar dentro de ciertos mrgenes algunas caractersticas del transistor, como los tiempo de excitacin y apagado. Con ello, nuevos IGBT con ms posibilidades estticas y dinmicas que los primeros pueden adaptarse para, entre otros objetivos, emular a estos y sustituirlos sin problemas en las reparaciones.
Ilustracin 64: Modulo de Potencia Inteligente
FSAM15SH69A Se consiguen en el comercio circuitos de excitacin de compuerta para controlar dispositivos o mdulos individuales. Los mdulos inteligentes integran el mdulo de potencia y el circuito perifrico. El circuito perifrico consiste en el seccionamiento de la entrada o la salida respecto a, interconexin con, el sistema de seal y alto voltaje, un circuito de excitacin, de proteccin y diagnstico. Los usuarios slo deben conectar las fuentes de poder externa. Tambin reciben el nombre de potencia astuta. Esta tecnologa se puede considerar como una caja que conecta la fuente de poder a cualquier carga. La funcin de interconexin de dicha caja se realiza con circuitos lgicos de semiconductores de xido metal complementario de alta densidad (CMOS), su funcin de deteccin y proteccin con circuitos bipolares analgicos y de deteccin, y su funcin de control de potencia con dispositivos de potencia. Los circuitos analgicos se usan para crear los sensores necesarios para la autoproteccin y para proporcionar ciclos rpidos de realimentacin, que pueda suspender sin peligro la operacin del chip cuando las condiciones del sistema se salen de las condiciones normales.En la figura 40 se muestra el diagrama funcional de bloques de un sistema depotencia inteligente. [17]
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Ilustracin 67:. a) Circuito excitador de base simple
para un BJT de potencia y b) formas de onda asociadas de corriente y tensin en el apagado. estra un circuito excitador de En la figura 42 se muestra base muy simple para convertidores con una topologa de un solo interruptor. En el encendido, se enciende el transistor excitador pnp mediante la saturacin de uno de los transistores internos en el comparador. Esto da una corriente rriente de base para el BJT de potencia principal que se calcula al anotar en el circuito de la figura 42a. VBB=VCE (sat) t) (TA)+ R1 I1+VBE (enc) (1) y Vbe(enc)/R2 (2) IB (enc)=I1Vbe(enc)/R2 Para la mxima corriente del colector especificada IC que la aplicacin exige e del transistor, la corriente de base necesaria IB (enc) y el correspondiente corresp VB E (enc) c) se encuentra en las hojas de datos del transistor de potencia. cia. De forma similar, el VCE (sat) para el transistor pnp en el circuito excitador de base se obtiene de sus us hojas de datos. Para la seleccin de R1, R2 y VBB se debe reconocer que una R2 pequea permite un apagado ms rpido, pero tambin causa que la disipacin de potencia en el circuito excitador sea grande. Las formas de onda aproximadas del apagado se muestran mue en la figura 42b, donde VBE BE se muestra ms grande durante el estado activo en comparacin con el intervalo de almacenamiento. A continuacin se muestra un procedimiento de diseo paso a paso. 1. Con base en la velocidad requerida de apagado, se estima la corriente de base negativa Ib,alm durante el tiempo de almacenamiento. A partir de esto se calcula R2 en la figura 43 como (3)
Ilustracin 65: Diagrama funcional de bloques de un
sistema inteligente de potencia Algunos fabricantes de mdulos inteligentes:
Ilustracin 66: Fabricantes de mdulos inteligentes.
[17]
XIV. DRIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT, MOSFET, IGBT: ACOPLE DIRECTO.
Circuitos excitadores con acoplamiento de cc con salida unipolar [11]
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2. Cuando se conoce la corrien corriente de base en estado activo IB, requerida y el correspondiente V B E (e n c) y R2 del paso anterior, I1 se vuelve
(4) 3. Dos incgnitas itas quedan en la ecuacin 1, VBB B y R1. Las prdidas en estado activo en el circuito excitador son aproximadamente iguales a VBB*I1, , lo que sugiere que V VBB debe ser pequeo. Por otro lado, para reducir la influencia de variaciones riaciones de VBE (en (enc) , VBB debe ser er grande. En la prctica, un VBB B de aproximadamente 8 V es ptimo. Con VBB=8V, , R1 se estima con la ecuacin 1. Este circuito excitador de base no se debe usar en circuitos de convertidores de puente modulados por el ancho ho de pulsos, por razones que explicaremos en breve.
La insuficiencia de este circuito se supera por el circuito excitador de compuerta que se muestra en la figura 44, , donde se usan dos interruptores en un arreglo de ttem-pote ote con el comparador (tipo 311) controlando el apilamiento en ttem-pote ttem npn-pnp, En esta configuracin, para encender el MOSFET, el transistor de salida del comparador se apaga, lo que de este modo enciende el BJT npn y suministra un voltaje de compuerta positivo al MOSFET. En el apagado del MOSFET, lacompuerta se pone en corto circuito con la fuente a travs de RG y el transistor pnp. Como ningunacorriente de estado activo fluye a travs de RG , a diferencia de R1 , que describimos en el prrafoanterior, RG se selecciona con un valor mucho menor, lo que permite tiempos de encendido y apagado mucho ms rpidos. Es muy frecuente que, en lugar de usar componentes discretos, se obtenga un desempeo parecido, como se muestra en la figura 59b, con IC compensadores, compensado como CMOS 4049 o 4050, si se necesita una corriente de compuerta baja, o un DS0026 o UC 1707, que suprimen o disipan corrientes que excedan de 1 A.
Ilustracin 68: Circuito excitador de compuerta simple
MOSFET apropiado para aplicaciones de bajavelocidad y frecuencia de conmutacin baja. Un circuito excitador de compuerta puerta simple de MOSFET con slo un interruptor para controlar la corriente de compuerta se muestra en la figura 58, donde el transistor de salida de un comparador (por ejemplo, LM31l) controla el MOSFET. Cuando el transistor de salida est apagado, el MOS MOSFET est encendido, y viceversa. Cuando el comparador est encendido, debe disipar unacorriente, y para evitar grandes prdidas en el circuito excitador, R1 debe ser grande. Esto desacelerar el tiempo de encendido del MOSFET. Esto significa que el circuit circuito excitador slo es apropiado para aplicaciones de velocidades bajas de conmutacin.
Ilustracin 69: Circuito excitador de compuerta
MOSFET con una configuracin guracin de ttem-pote ttem paratiempos de apagado ms rpidos: a) circuito excitador discreto de compuerta en ttem-pote; ttem b)circuito excitador integrado de compuerta en ttem-pote. pote.
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Circuitos excitadores de acoplamiento cc con salida bipolar [11] A fin de operar dispositivos semiconductores de potencia con frecuencias de conmutacin altas, los circuitos excitadores se deben disear para apagar los dispositivos tan rpido como se encienden. Las ilustraciones de las caractersticas de conmutacin de BJT, MOSFET, IGBT y otros dispositivos ilustran con claridad la necesidad de aplicar una polaridad inversa a las terminales de control del interruptor de energa a fin de afectar el apagado rpido. Los circuitos excitadores itadores con salidas unipolares son incapaces de proveer la polaridad inversa necesaria y, por ende, de proporcionar el apagado rpido de dispositivos de potencia. A fin de proporcionar una polaridad inversa a las terminales de control del dispositivo de potencia, otencia, el circuito excitador debe tener una salida bipolar (positiva o negativa). Esto a su vez requiere que el circuito excitador se polarice por una fuente de alimentacin tanto negativa como una positiva.El circuito excitador de base del BJT de la figura ura 60, donde se usa una fuente de alimentacin positiva y una negativa respecto del emisor, proporciona un apagado rpido. Para el intervalo d de encendido, el transistor de salida del comparador se apaga y de este modo enciende el transistor B+l. dos los argumentos parecidos a los del paso Son vlidos 3 del diseo anterior del circuito excitador deun BJT para la seleccin de VBB+ BB+ y R RB . El capacitor opcional Cenc, , que se muestra con lneaspunteadas, acta como un capacitor de aceleracin y proporciona una corriente riente de base detransitorio grande al transistor de potencia en el instante del encendido para acelerar la secuencia de encendido.
Ilustracin 70: a) Circuito excitador de corriente de base de un BJT con voltajes tanto positivos como negativos respecto del emisor del BJT para el apagado ms rpido del dispositivo de potencia. b) Se debe usar un circuito preconvertidor si la entrada desde el circuito de control slo tiene la sealentre VBB+ y tierra fsica.
Para apagar el l BJT, se enciende el transistor de salida interno del comparador, lo que enciende eltransistor pnp Bl (y apaga automticamente el transistor npn B+l. . Para un apagado rapido, no seusan resistencias externas en serie con B l.La magnitud del voltaje negativo debe ser menor que latensin de ruptura BE del BJT que se da en las hojas de datos y que normalmente normalmen esta en el rangode 5 a 7 V. Si el BJT tiene una tendencia a dejar estela de corriente en el colector debido a unapagado demasiado rpido de la unin BE en comparacin con la unin CB, se agrega un restato o, de ser necesario, un inductor en el excitador excitado de base de apagado entre los puntos A y el emisor deBl de la figura 45a. Si la seal de control se suministra por un circuito lgico conectado entre BB+l l y el emisor del BJT,la entrada de referencia al comparador debe ubicarse en el potencial medio entre BB B+l y la terminaldel emisor del BJT, como se ve en la figura 45b, donde R4= RS. Las modificaciones de la figura 46a intensifican aun ms el desempeo de apagado del circuitoexcitador de la figura 46. . Se agrega un diodo de anti saturacinDas para mantener el voltaje delBJT Vceun un poco arriba de su valor de saturacinVCE(sat ) . Esto se ve en la figura 46a. Como VBE(enc) es por lo general ms grande que VCE(sat ) , la presencia del diodode anti saturacin mantiene al transistor un poco fuera de saturacin, lo
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que reduce el tiempo dealmacenamiento a expensas de perdidas mayores de estado activo en el BJT. Por tanto, el diodo deanti saturacin solo se debe usar si se requiere el BJT para una aplicacin de alta frecuencia deconmutacin. . Si se necesita una conmutacin del apagado todavamsrpida todavamsrpida, se ajusta el voltajedel ltajedel estado activo VCE( sat ) mediante la colocacin de uno o ms diodos en serie con D1 .
Aqu, el diodo de anti ti saturacin adapta la corriente de base del transistor excitador B+ de modoque B+l opera en el modo activo y la corriente consumida de BB+ahora solo es igual al IB real quese necesita para apenas saturar al BJT. Adems, se reduce la corriente especificada a requerida deDas. Una pequea resistencia en serie con el diodo de anti saturacin contribuye considerablementea reducir las oscilaciones en el encendido.
Ilustracin 72: Varios circuitos excitadores de puerta
Ilustracin 71: a) Circuito excitador de base con anti
saturacin para reducir el tiempo de almacenamiento del BJT y, por ende, el l tiempo de apagado. Las modificaciones en b) permiten queel diodo de anti saturacin tenga una corriente especificada ms baja en comparacin con lasituacin en a). En el circuito de la figura 46a, 6a, el diodo D2 es necesario para proporcionar una ruta para la corrientede base negativa. Da s debe ser un diodo de recuperacin rpida con un tiempo de recuperacininversa ms corto que el tiempo de almacenamiento del BJT. Adems, su voltaje inversoespecificado debe ser similar al voltaje especificado de estado inactivo nactivo del transistor de potencia.Una versin mejorada del circuito de la figura 61a se muestra en 46b, 6b, donde la prdida de potenciaen la parte positiva del circuito excitador de base se reduce en comparacin con el circuito original.
mediante fuentes de alimentacin divididas paraproporcionar un MOSFET de canal n con voltajes positivos de compuerta-fuente compuerta en el encendido yun excitador de puerta negativo en el apagado. Como TB+ opera en la zona activa, se debe montar sobre un pequeo disipador de calor. c En lasfiguras 47 se muestra un circuito excitador para MOSFET que proporciona voltajes decompuerta positivos en el encendido y voltajes de compuerta negativos en el apagado, por medio deuna fuente de alimentacin dividida respecto de la fuente del MOSFET. MO Si la seal de control sesuministra por un circuito lgico conectado entre GG+y la fuente del MOSFET, la entrada dereferencia al comparador se debe desplazar para que este en el potencial medio entre GG+y lafuente del MOSFET con un circuito preconvertidor tidor parecido al de la figura 60b.
XV. DRIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT, MOSFET, IGBT: TRANSFORMADORES DE PULSO P , PTICOS. Para operar transistores de potencia como interruptores, se deben aplicar un voltaje de compuerta o una corriente de base para a excitar los transistores al modo de saturacin, para bajo voltaje de encendido. El voltaje de control se
TRABAJO DE INVESTIGACIN I-19 DE MARZO 2014 debera aplicar entre las terminales de la compuerta y la alimentacin, o entre las de la base y el emisor. En general, los convertidores de potencia requieren varios transistores, y cada uno se debe controlar en forma individual. [19]
35 conectados en serie o en paralelo. El transformador deber tener una inductancia de fuga muy pequea, y el tiempo de subida del pulso de salida deber ser muy pequeo. Con un pulso relativamente largo y con baja frecuencia de conmutacin, el transformador se saturara y su salida se distorsionara. [19]
Ilustracin 74: Seal de Control de Alta Frecuencia,Aislada con Transformador de Pulso Ilustracin 73: Sistema excitador de base de un BJT de potencia que muestra la necesidad delaislamiento elctrico entre el conjunto de circuitos excitadores y el conjunto de circuitos de controlde nivel lgico. [20]
Con mucha frecuencia existe la necesidad del aislamiento elctrico entre las seales de control denivel lgico y los circuitos excitadores. Esto se muestra en la Ilustracin 73: Sistema excitador de base de un BJT de potencia que muestra la necesidad delaislamiento elctrico entre el conjunto de circuitos excitadores y el conjunto de circuitos de controlde nivel lgico.para el caso de un convertidorde semi-puente BJT de potencia con una fuente de alimentacin monofsica de CA como entrada,donde una de las terminales de potencia es un hilo neutral conectado a tierra. Ahora, el bus de CCpositiva est cerca del potencial de tierra durante el semiciclo negativo de vs, y el bus de CCnegativa est cerca del potencial de tierra durante el semiciclo positivo de vs. En estas condiciones,las terminales de los emisores de ambos BJT se deben tratar como "un punto caliente o activo"respecto del neutro de potencia. Las seales de control de nivel lgico suelen determinarse enfuncin de la tierra lgica, que est en el mismo potencial que el neutro de potencia, pues loscircuitos lgicos estn conectados al neutro por medio de un hilo de tierra de seguridad. [20] El aislamiento galvnico se consigue optoacopladores o transformadores de pulsos I. Transformadores de pulso Los transformadores de pulsos slo tienen un devanado primario, y pueden tener uno o ms devanados secundarios. Con varios devanados secundarios se pueden tener seales simultneas de compuerta para transistores empleando
El transformador de pulsos permite transportar una seal de ciertapotencia, y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentacinauxiliar.El problema es que no pueden usarsepulsos de baja frecuencia debido a la inductancia de magnetizacin. Para pulsos de frecuencias superiores a decenas de kilohertzios y con D0.5se aplica una seal de control de banda base demagnitud correspondiente directamente al primario de un transformador relativamente pequeo y depeso ligero, como se implica en la Ilustracin 75a, y la salida secundaria se usa para excitar de mododirecto al interruptor de energa o como entrada a un circuito excitador aislado.Conformedisminuye la frecuencia de conmutacin por debajo del rango de las decenas de kilohertzio una seal decontrol de banda base aplicada al primario del transformador deja de ser prctica porque el tamaoy peso del transformador aumentan cada vez ms. [20]
36
Ilustracin 76: Excitador de base proporcional del BJT flyback. (Aplicacin para Frecuencias de Trabajo Elevadas y Ciclo de Trabajo Aproximadamente Constante) [20]
Ilustracin 75: Acoplamiento de transformadores de seales de control desde los circuitos de control hasta los circuitos excitadores elctricamente aislados. En a), la seal de control de banda base est directamente conectada al primario del transformador. En b), la seal de control modula un portador de alta frecuencia que luego se aplica al primario de un pequeo transformador de seales de alta frecuencia. Las formas de onda asociadas con b) se muestran en c). [21]
Al cortar T1cuando por Lmcircula ip, se hace circular una corriente por la base,y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 ser: = [20]
Si T1 est conduciendo, ibsera negativa y por tanto, T2 se cortar. La corrientede magnetizacin por el transformador (por Lm) ser transcurrido un tiempo: [20]
La modulacin de un portador de alta frecuencia por medio de una seal de control de bajafrecuencia permite el uso de un pequeo transformador de pulsos de alta frecuencia incluso paraseales de control de baja frecuencia. En la Ilustracin 75b, la seal de control modula la salida de unoscilador de alta frecuencia (por ejemplo, de 1MHz) antes de que se aplique al primario de untransformador de seales de alta frecuencia. Como un transformador de alta frecuencia se puedefabricar de tamao muy pequeo, es fcil evitar capacitancias parsitas entre los bobinados deentrada y salida, y el transformador es econmico. La salida secundaria del transformador serectifica y filtra, y luego se aplica al comparador y al resto del circuito excitador aislado. Las formasde onda de este mtodo de modulacin se muestran en la Ilustracin 75c. 1) BJT
Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformacin, podr hacerse lacorriente de base negativa y se cortar el transistor de potencia. [20] 2) MOSFET
Adems, durante el tiempo que est cortado T1, Cpse descargar por Rp. Si enestas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensin aplicada al devanado 1 es VBBy la corriente ip por el transformador podr ser muy alta, de forma que: = [20]


Ilustracin 77: Circuito de Puerta con Seal de Control Aislada con Transformador de Pulso. (Aplicacin para Bajas Frecuencias de Trabajo) [20]
37 Schmitt es la salida del optoacoplador y sirve comoentrada de control al circuito excitador aislado. La capacitancia entre el LED y la base del transistorreceptor dentro del optoacoplador, debe ser lo ms pequea posible para evitar un disparo adicionaltanto en el encendido como en el apagado del transistor de potencia debido al salto en el potencial entre el punto de referencia del emisor del transistor de potencia y la tierra de los elementoselectrnicos de control. Para reducir este problema se deben usar optoacopladores con blindajeselctricos entre el LED y el transistor receptor. En circuitos excitadores aislados por optoacopladores, el propio optoacoplador es la interconexinentre la salida del circuito de control y la entrada del circuito excitador aislado. El lado de entradadel optoacoplador se acopla directamente al circuito de control y el lado de salida del optoacopladorse acopla directamente al circuito excitador aislado. La topologa del circuito excitador aislado entrela salida del optoacoplador y la terminal de control del interruptor de energa puede tener diferentesformas. 1) BJT Un circuito excitador aislado por optoacoplador para un BJT de potencia se muestra en la figura 66.El circuito excitador tiene una salida bipolar, as que se puede realizar el encendido y apagadorpido del BJT. Un circuito npn-pnp en ttem-pole acopla el correspondiente voltaje de CC a labase del BJT de potencia para encenderlo o apagarlo como se requiera. Las fuentes de alimentacindivididas y aisladas se implementan por el segmento del circuito del lado inferior izquierdo de laIlustracin 80.
Si Vcontrol=1, aparece una seal de AF en el transformador, cargando unavez rectificada los condensadores C1y C2, entonces Vi=0 y el CI estalimentado, al ser inversor dar una salida Vo=1 , haciendo que el MOSde potencia conduzca. Si Vcontrol=0, no hay tensin de AFen el transformador y C2se descargapor R2Vi=1, mientras que C1se mantiene en carga (DBimpide que sedescargue), luego Vo=0.Si el circuito integrado es de bajoconsumo (p.ej. 7555) se puede mantenercargado C1hasta el prximo disparo. [20]
II.
pticos
En los optoacopladores se combina un diodo emisor de luz infrarroja (ILED, de infrared lightemitting diode) y un fototransistor de silicio. La seal de entrada se aplica al ILED y la seal de salida se toma del fototransistor. Los tiempos de subida y bajada de los fototransistores son muy pequeos; los valores tpicos de tiempo de encendido ton son de 2 a 5 s, y de tiempo de apagado toff son de 300 ns. Estos tiempos de encendido y apagado limitan las aplicaciones en alta frecuencia. En la figura 78 se muestra un circuito de aislamiento de compuerta donde se usa un fototransistor. Este fototransistor podra ser un par Darlington. Los fototransistores requieren suministro de potencia separado, y aumentan la complejidad, el costo y el peso de los circuitos excitadores. [19]
Ilustracin 79: Seal de Control Optoacoplada [20]
El optoacoplador de la Ilustracin 79consiste en un diodo emisor de luz(LED), un transistor de salida y un disparador de Schmitt integrado. Una seal positiva de la lgicade control causa que el LED emita luz, enfocada a la zona de base pticamente sensible de untransistor fotosensible. La luz que cae en la zona de base genera un nmero sustancial de pares deelectrones/huecos en la zona de base que causan que se encienda el transistor fotosensible. La cadade tensin resultante en el colector del transistor fotosensible hace que el disparador de Schmittcambie su estado. La salida del disparador de
Ilustracin 80: Aislamiento por optoacoplador de circuitos excitadores de base. [21]
TRABAJO DE INVESTIGACIN I-19 DE MARZO 2014 2) MOSFET e IGBT Tambin se pueden usar circuitos excitadores aislados por optoacopladores con MOSFET e IGBTde potencia. El circuito que se muestra en la Ilustracin 81usa un optoacoplador inmune contra ruidosde modo comn (HPCL-4503) y un excitador de alta velocidad (IXLD4425) con una capacidad desalida de 3 A. El circuito excitador usa una fuente de alimentacin flotante asimtrico de 15 V yproporciona un voltaje de salida de 15 V para inmunidad alta contra ruidos y conmutacin rpidapara excitar la compuerta de un MOSFET o IGBT de potencia. El circuito excitador de altavelocidad integrado conecta lacompuerta del dispositivo de potencia a la barra colectora de 15 V,mientras que en forma simultnea conecta la fuente al lado negativo de la fuente de alimentacinpolarizada a fin de encender el dispositivo de potencia. Para apagar el dispositivo de potencia, elcircuito excitador conecta la compuerta al lado negativo de la fuente de alimentacin asimtricamientras conecta la fuente a la barra colectora de 15 V.
38 carga de compuerta al dispositivo de potencia. El segundo son los desplazadores de nivelnecesarios para interconectar las seales de control a los acopladores de salida del lado de alta potenciayde baja. El tercero es la deteccin de condiciones de sobrecarga en el dispositivo de potencia, con las contramedidas apropiadas que se tomen en el acoplador de salida, al igual que la retroalimentacin de estado de falla.
Ilustracin 82: Diagrama de Bloques SG3526. [22]
Ilustracin 81: Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control [20]
XVI. DRIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT, MOSFET, IGBT: DRIVERS INTEGRADOS. Hay numerosos circuitos integrados de excitacin decompuerta disponibles en el mercado para controlar convertidores de potencia. En estos circuitos integrados se integran funciones lgicas, de aislamiento de compuertas, de proteccin y de control; que son necesarias para cumplir con los requisitos de excitacin de compuerta de los transistores utilizados en la parte del circuito dealta potencia, con un paquete compacto y con baja disipacin de potencia. Los circuitos integrados cuentan con tres tipos de circuito para efectuar las funciones de activacin y proteccin de compuerta. El primero es el acopladorde salida, necesario para proporcionar suficiente tensin o
Las demandas de mercado para circuitos industriales, electrodomsticos y accionamientos industriales, han llevado a los fabricantes de dispositivos de potencia a desarrollar circuitos integrados de desarrollan muchas ms tareas principalmente en el procesamiento del comportamiento del circuito en diferentes niveles para generar seales de excitacin ms precisas y rpidas, con el fin de mejorar la eficiencia y el comportamiento en general de los circuitos de potencia. Como ejemplo podemos usar el SG3526 que es un circuito de control PWM que cuenta con oscilador diente de sierra, una compensacin de temperatura y polos de alta corriente de salida adaptados para manejar En la Ilustracin 83, se muestra el circuito para que el driver integrado SG352opere como PUSH PULL.
39 conmutaciones y asegurar un rgimen de trabajo seguro. [23] La funcin principal que desarrollan los circuitosde ayuda a la conmutacin es absorber la energaprocedente de los elementos reactivos del circuitodurante el proceso de conmutacin controlandoparmetros tales como la evolucin de la tensino corriente en el interruptor, o bien limitando losvalores mximos de tensin que ha de soportar. De esta forma la fiabilidad de los semiconductores aumentan, pues al reducirse la degradacin que sufren debido a los aumentos de potencia disipada y de la temperatura de la unin. Los snubbers consiguen reducir el estrs elctrico en los semiconductores durante el proceso de conmutacin cuando trabajan en un convertidor electrnico, de varias formas: Limitando el pico mximo de tensin aplicado al interruptor durante el transitorio que aparece en el proceso de apagado. Limitando el pico mximo de corriente a travs del interruptor durante proceso de encendido. Limitando la pendiente de la corriente que circula por el interruptor en el proceso de encendido
Ilustracin 83: SG3526 como driver de transistor FET [22]
En la Ilustracin 84, la conexin para que opere como medio puente
Limitando la pendiente de la tensin en el interruptor durante el proceso de apagado. [23]
Desde la perspectiva de la topologa de circuitos existen tres clases amplias de snubbers. Estas clases incluyen lo siguiente:
Ilustracin 84: SG3526 como semi-puente.
XVII. SNUBBERS Y DISEO DE SNUBBERS.
Los semiconductores presentan unos lmites muyestrictos en cuanto a valores mximos de tensin corriente y potencia soportadas, que si son superados podran provocar la destruccin del dispositivo. Cuando se disea un circuito se ha de ponerespecial cuidado en que sus Amortiguadores LR polarizados. Con estos componentes puedanresistir las condiciones de trabajo amortiguadores se modela la parte de apagado de ms desfavorablesque tengan lugar, tanto durante su la trayectoria de conmutacin de encendido de funcionamientonormal como ante determinadas acciones interruptores controlables y/o se limita durante ajenas a lapropia operacin normal del circuito (sobretensiones, cortocircuitos externos, etc.). Los el encendido del dispositivo [23] circuitosde ayuda a la conmutacin conocidos comnmentecomo snubber son una parte esencial en Snubbers con diodos muchosde los circuitos electrnicos de potencia. I. Bsicamente podemos considerarlos como un conjunto decomponentes (pasivos y/o activos) que se incorporanal Los amortiguadores son necesarios en circuitos con circuito de potencia para reducir en el diodos para reducir sobre tensiones que ocurren debido a dispositivosemiconductor el estrs elctrico durante las inductancias parsitas o de dispersin en serie con el diodo y al bloqueo rpido de la corriente de recuperacin
Amortiguadores RC no polarizados en serie con que se protegen los diodos y tiristores mediante la limitacin de tensin mxima y en la recuperacin inversa Amortiguadores RC polarizados. Con estos amortiguadores se modela la parte de apagado de la trayectoria de conmutacin de interruptores controlables para enclavar tensiones aplicadas a los dispositivos a niveles seguros o para limitar durante la desconexin del dispositivo.
TRABAJO DE INVESTIGACIN I-19 DE MARZO 2014 inversa del diodo en el encendido del interruptor. Por lo comn se usa un amortiguador Rs-Cs a travs del diodo para la proteccin de sobretensiones. El anlisis del circuito amortiguador que protege al diodo se basa en el circuito de un convertidor reductor con inductancia parsita L, dicho circuito es el siguiente:
40
[21] Donde [21] Si se introduce una capacitancia de lnea de base dada por [21] es posible expresar el voltaje del condensador como
[21] Ya sea por un derivado de tiempo o por un planteamiento de vector giratorio, el mximo valor de vCs en la ecuacin anterior, se estima como
[21] Las formas de onda de vCs y la corriente del inductor iL se muestran en la figura para Cs Cbase. En este caso, el mximo voltaje del diodo inverso es el mismo que VCs,mxcalculado segn la ecuacin. Para valores pequeos de Cs, el mximo voltaje del diodo se vuelve excesivo. [21]
Ilustracin 85: a) Circuito de un convertidor reductor con inductancia parsita y circuito amortiguador para el diodo.b) Corriente de recuperacin inversa del diodo. [21]
II. Snubber Capacitivo Aunque el amortiguador capacitivo (Rs=0) no se usa en la prctica, s proporciona un buen punto de partida para analizar los conceptos bsicos. Para obtenerun circuito equitativo, suponemos que el interruptor de la Ilustracin Ilustracin 86:a) Circuito equivalente del convertidor reductor 86a es ideal, lo que produce unanlisis del peor caso de en el instante del bloqueo rpido de la corriente de recuperacin este circuito. Cuando se trata el instante del bloqueo inversa, y b) la simplificacin que resulta de que la resistencia instantneo del diodoen la corriente pico de recuperacin del amortiguador sea cero. c) Las formas de onda de tensin y inversa Irrcomo t =0, la corriente inicial del inductor en corriente para Rs=0 y Cs= Cbase. [21] elcircuito equivalente de la figura 72 es Irry el voltaje inicial del condensador del amortiguador escero. Para establecer un circuito de lnea de base, suponemos que la Amortiguador de apagado resistencia del amortiguador R,es cero, como se muestra III. en la Ilustracin 86b. El voltaje del condensador (que es el negativo del voltajedel diodo en este circuito de lnea de Para evitar problemas de apagado, la meta de un amortiguador de apagado es proveer un voltaje cero a base) se obtiene a partir de: travs del transistor mientras la corriente se apaga. Esto se
TRABAJO DE INVESTIGACIN I-19 DE MARZO 2014 logra mediante una red RCD a travs del BJT como se muestra en la siguiente figura:
41
del amortiguador durante el apagado que se disipa en el BJT en el siguiente encendido. [21]
1) Amortiguador de sobretensin En el amortiguador de apagado se ignoraron lasinductancias parsitas y por ende tambin la sobretensin que estas inducen. Las sobretensiones de apagado debido a estas inductancias se muestran en la siguiente figura:
Ilustracin 87: Circuito de amortiguador de apagado [21]
Antes del apagado, la corriente del transistor es Io y el voltaje del transistor es esencialmente 0. En el apagado en la presencia de dicho amortiguador, la corriente del transistor Ic disminuye con un constante e (Io - Ic) fluye en el condensador a travs del diodo del amortiguador Ds. Por tanto, ara un tiempo de cada de la corriente tfila corriente del condensador se escribe como:
Ilustracin 89: Circuito de un convertidor reductor con inductancia parsita [21]
[21] Donde Ics es 0 antes del apagado en t=0. Las formasde onda de tensin y corriente se muestran en la figura que se presentar a continuacin para tres valores de la capacitancia del amortiguador Cs. Para un valor pequeo de capacitancia, el voltaje del condensador alcanza a Vd antes de que termine el tiempo de cada de la corriente. En este momento se enciende el diodo de libre circulacin Df y sujeta el condensador y el transistor a Vd, e Ics cae a cero debido a que es igual a cero. [21]
Las sobretensiones se reducen, si se supone que es posible agrupar todas las inductancias parsitas, de la siguiente manera:
Ilustracin 90: Amortiguador de sobretensin [21]
Al principio el transistor conduce y el voltaje Vc de sobretensin a travs del condensador del amortiguador de sobretensin es igual a Vd. Durante el apagado, si se supone que el tiempo de cada del transistor BJT, la corriente a travs de la inductancia parsita es en esencia Io cuando la corriente del transistor se reduce a cero, y la corriente de salida se mueve entonces en circulacin libre a travs del diodo de circulacin libre Df. En ese exacto momento, el circuito equivalente sera el siguiente:
Ilustracin 88: a) Circuito de amortiguador de apagado, b) su circuito equivalente durante el transitorio y c) formas de onda de corriente y tensin durante el transitorio de apagado. Las reas sombreadas representan la carga sobre la capacitancia
42 sentido debido al restato, Rsobret y la sobretensin en el condensador se reduce a Vd a travs del restato Rsobret. La constate de tiempo del condensador Rsobret x Csobretdebe ser lo bastante pequea para que la tensin del condensador disminuya aproximadamente a Vd antes del siguiente apagado del transistor.
XVIII. BIBLIOGRAFA
Ilustracin 91: Circuito equivalente en la etapa de apagado del transistor. [21]
En la anterior figura se puede ver que l la combinacin de Df e Io se vuelve un cortocircuito debido a la libre circulacin de la corriente Io por Df y as mismo como se apaga el BJT, este se convertira en un circuito abierto. En el momento en que se toma el modelo de la figura 48, la energa almacenada lmacenada en las inductancias parsitas se transfiere al condensador de sobretensin a travs del diodo de sobretensin y obsrvese que la sobretensin 1tD a travs del transistor (que es la misma del capacitor de sobretensin), se obtiene mediante la sus sustitucin del capacitor precargado por su circuito equivalente, tal como se muestra en la siguiente figura:
Ilustracin 92:Circuito :Circuito equivalente durante el apagado del transistor BJT con el equivalente del capacitor precargado precargado. [21]
A partir de consideraciones de energa y al notar que; [21]
[21] En la anterior ecuacin se demuestra que con un valor grande de capacitancia de sobretensin (Csobret) reduce la sobretensin VCE,max. Una vez que la corriente a travs de la inductancia parsita disminuye a cero, puede invertir su
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43
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TRABAJO DE INVESTIGACIN I. ELECTRNICA DE POTENCIA. (MARZO 2014)

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III. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR). [3]

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Ilustracin 5: Constitucin interna del SCR.

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caracterstica directa del S.C.R.

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Ilustracin 11: Smbolo esquemtico del triac.

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TRABAJO DE INVESTIGACIN I-19 DE MARZO 2014 VI. GTO. [6] [7]

VII. MCT. [8]

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Ilustracin 20: MCT.

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Ilustracin 28:. Circuito con acople directo

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XI. DRIVERS AISLADOSPARA DISPARO DE TIRISTORES TIR

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Ilustracin 31: Aislador de foto-SCR foto acoplado

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Ilustracin 32:Circuitos de proteccin de compuerta XII. DRIVERS INTEGRADOS PARA CONTROL DE

Ilustracin 33: Diagrama de un controlador sncrono

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TRABAJO DE INVESTIGACIN I-19 DE MARZO 2014

Ilustracin 39: Ejemplo de conexin entre TCA785 y tiristor

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Ilustracin 42: Secciones transversales de un BJT.

Ilustracin 40: Transistores bipolares.

TRABAJO DE INVESTIGACIN I-19 DE MARZO 2014

Ilustracin 43: Caractersticas de los transistores NPN.

Ilustracin 44: Caractersticas de transferencia.

Ilustracin 46:Modelo de transitorios en BJT.

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Ilustracin 47:Tiempos de conmutacin de

Ilustracin 48: Almacenamiento de carga en

transistores bipolares saturados. Limites de conmutacin