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3. DIODO DE POTENCIA

El elemento básico, de cualquier circuito electrónico, es el diodo. Su principal función


es la de rectificar la corriente.

Se le llama diodo de potencia al diodo semiconductor que se utiliza en circuitos donde


se requieren grandes corrientes, altas temperaturas y tensiones inversas muy
superiores a las de diodos convencionales.

La principal función, del diodo, es la de hacer la rectificación en fuentes de alimentación


de potencia.

4. CONSTITUCIÓN Y FUNCIONAMIENTO DEL DIODO.

El diodo, está constituido de un material semiconductor intrínseco como es el silicio.

Figura 1 DIODO Y SU REPRESENTACIÓN

El diodo de potencia es fruto de la unión de un material extrínseco P (3 electrones en


su última capa), con otro de tipo N (5 electrones en su última capa), Figura 1. En la
unión de los dos cristales se formaba una zona aislante, que se llama barrera de
potencial, cuyo valor es de 0,45V. Una vez que se supera este valor de tensión, el
diodo se comporta como un interruptor cerrado (Figura 2) siempre que estuviese
directamente polarizado, es decir, positivo al cristal P “ÁNODO” y el negativo al cristal
N “CÁTODO”

Figura 2 PASO DE CORRIENTE POR EL DIODO

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Cuando se polariza inversamente: negativo al cristal P (ánodo), y positivo al cristal N


(cátodo). Entonces la barrera de potencial se hace más ancha y la corriente no puede
pasar, por lo tanto, se comporta como un interruptor abierto, figura 3.

Figura 3 BARRERA AL PASO DE CORRIENTE

El funcionamiento interno del diodo de potencia es exactamente igual al del diodo


ordinario, pero como ya se dijo en la introducción, este diodo está preparado para
soportar corrientes mucho mayores que el otro diodo.

A simple vista, es fácil diferenciar un diodo normal de uno de potencia. Puesto que,
el material que encapsula al diodo normal es plástico (figura 1, que tolera poca
temperatura), mientras que el diodo de potencia está encapsulado por material
metálico, soportando mayor temperatura. En la figura 4 y siguientes, se representa la
forma que tienen los diodos de potencia (la parte inferior puede corresponder al cátodo,
y la parte superior corresponde al ánodo, otras veces es al contrario, para evitar errores,
se marca el diodo con el símbolo 1 o 2).

Marca en el diodo de potencia

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5. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA.

Figura 4 DIODO DE POTENCIA CON CÁTODO ROSCADO.

Figura 5 DIODO DE POTENCIA CON CÁTODO PLANO.

Aunque, la generalización es difícil, se puede afirmar que para intensidades


comprendidas entre 5 y 40 A (con tensiones inversas entre 50 a 1200 V) son de tipo
ánodo rígido y encapsulado, figura 6.

Figura 6 DIODO DE POTENCIA PARA CORRIENTES MEDIAS.

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Para intensidades elevadas, en la gama que va de 100 a 275 A (con tensiones inversas
de 50 a 1600 V), los diodos son de ánodo flexible y encapsulados (Figura 7)

Figura 7 DIODOS DE 100 A 275 A

Y, por último, en la gama más alta, es decir, la comprendida entre 400 y 1500 A (con
tensiones inversas de 100 a 300V), los diodos pertenecen al tipo “press-pak”, en dos
variedades de encapsulado, figura 10.

Figura 8 DIODOS PRESS-PAK DE 400 A Y 1.500 A

Esta variante consiste en la utilización de diodos de tipo “press-pak”, son dispositivos


en forma cilíndrica con dos caras planas, correspondientes a sus dos terminales, cada
una de las cuales tiene un pequeño alojamiento cilíndrico en su centro.

Figura 9 DIODO DE POTENCIA “PRESS-PAK”.

Cuando los diodos “press-pak” son para grandes intensidades (el caso más frecuente),
las mordazas de sujeción suelen ser huecas, permitiendo la circulación de agua de
refrigeración en circuito cerrado. En la figura 10 puede verse un montaje muy utilizado,
que consta de dos diodos “press-pak” refrigerados por agua.

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La entrada se realiza por los extremos mientras que la salida es común a ambos.

Figura 10 MONTAJE DE DIODOS REFRIGERADOS POR AGUA

6. RADIADORES DE CALOR.

El paso de corrientes altas, origina también altas temperaturas en el encapsulado


metálico, que por sí solo, no es suficiente para dispersar todo el calor producido; por lo
que, se utilizan radiadores o disipadores de calor.

En general, todos los elementos de potencia, alcanzan temperaturas muy altas (no
conveniente), debido a las grandes corrientes que pasan por él (1500 A en los press-
pak). Por esto, el radiador o disipador de calor, es un complemento fundamental a la
hora de hacer algún montaje con elementos de potencia (diodos, transistores, etc.);
debido a que los componentes necesitan entregar al ambiente una parte de la potencia
consumida, en forma de calor, la cantidad de calorías se determina por la fórmula:

Q = 0,24 . I2 . R. t

Cuando la disipación de potencia, de un componente, es elevada, su transformación en


calor puede llega a producir daños en la estructura interna. En estos casos, se necesita
un disipador adecuado que facilite la refrigeración para que el elemento no alcance
esas temperaturas peligrosas durante su funcionamiento.

En algunos conjuntos de diodos y transistores, que van montados formando unidad, la


potencia de radiación calorífica son tan elevadas que es necesario la refrigeración
forzosa, a base de un ventilador que acelere la evacuación de calor, en otos casos,
bastará solo con el disipador en forma de aletas.

El calor se transmite de tres maneras diferentes, y en muchos casos, de forma


simultanea. Que son:

S Radiación

S Convención y

S Conducción.

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Radiación.

La radiación de calor es una forma de transmisión a través de ondas electromagnéticas


(figura 11), de la misma forma que se emplea en la emisión de radio frecuencia.

Figura 11 ENFRIAMIENTO POR RADIACIÓN

Convención.

Es un proceso bastante sencillo. El aire al calentarse pesa menos, por lo que este sube
y el lugar que ocupaba es renovado por aire frío (figura 12)

Figura 12 REFRIGERACIÓN POR CONVENCIÓN

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Conducción.

El proceso natural de transmisión de calor de un cuerpo, sobre otro mayor, hace que
éste reparta el calor por todos los lados (figura 13).

Figura 13 ENFRIAMIENTO POR CONDUCCIÓN

7. VARIANTES DE DISIPADORES DEL CALOR

Por lo que refiere al montaje de diodos en sus respectivos radiadores, unas veces
interesa aislar al cátodo del cuerpo del radiador, utilizándose pastas dieléctricas
especiales. En otros casos se precisa de un buen contacto eléctrico y metálico
(para facilitar la transmisión de calor) entre cátodo y el cuerpo del radiador; entonces,
se emplea óxido metálico de carga elevada, en forma de pasta fácilmente aplicable.

En la figura 14, se ve al diodo cátodo roscado como se fija al radiador mediante unos
tornillos.

Figura 14 DIODO DE CÁTODO ROSCADO CON RADIADOR

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En la figura 15, se puede observar como el diodo de cátodo plano, también va fijado al
radiador mediante tornillos, logrando una buena fijación y un contacto eléctrico
adecuado.

Figura 15 DIODO DE CÁTODO PLANO CON RADIADOR

En la figura 16 pueden verse algunos radiadores de aletas para diodos de potencia de


ánodo flexible.

Figura 16 RADIADORES DE ALETA

Para el diodo de tipo “press-pak”, es necesario un disipador cuya superficie útil de


evacuación de calor es extraordinariamente grande, debido al gran número de aletas
que posee (figura 17).

Figura 17 DISIPADOR DE GRAN SUPERFICIE

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8. LOS TIRISTORES

Se le llama tiristor al elemento electrónico llamado SCR, mientras que en la realidad,


el nombre de tiristor es un nombre genérico y sirve para designar un conjunto bastante
grande de elementos semiconductores que se estudia en este tema.

También interesa hacer constar, que los tiristores de potencia, en cualquiera de sus
modalidades. Son perfectamente equiparables a los diodos de potencia, en
cuestiones tales como formatos, (a excepción del terminal o terminales de control),
características eléctricas, etc., aunque su precio resulta en general, más elevado para
intensidades de utilización, y tensiones inversas similares.

9. CONSTITUCIÓN Y FUNCIONAMIENTO DEL TIRISTOR.

Recibe el nombre de tiristor el conjunto formado por la unión de cuatro cristales


semiconductores, según la secuencia P-N-P-N.

Al electrodo del cristal P colocado a un extremo se le denomina (ánodo “A”) y al


electrodo conectado al cristal N, se le denomina (cátodo “K”), figura 18.

Figura 18 ESTRUCTURA DEL TIRISTOR

Para interpretar de una forma sencilla el funcionamiento de este dispositivo, suele


recurrirse a dos procedimientos: el de asimilarlo a un conjunto formado por dos
transistores (figura 19) o el de considerarlo como un elemento cuya estructura interna
es equivalente a tres diodos (figura 20). Debido a su mayor compresión, en este tema,
se ha optado por esta última.

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Figura 19 EQUIPARACIÓN DEL TIRISTOR CON TRANSISTORES

Figura 20 EQUIPARACIÓN DEL TIRISTOR CON DIODOS

Obsérvese que la figura 20, los diodos D1 y D2 se encuentran en el mismo sentido que
el diodo D2 está conectado en oposición, o invertido, respecto a los primeros.

Vease que le ocurre a un tiristor cuando se le aplica una tensión variable entre sus
extremos, según indica el circuito de la figura 21.

Figura 21 REACCIÓN DEL TIRISTOR A UNA TENSIÓN VARIABLE

Al aumentar el potencial positivo del ánodo, el tiristor permite un pequeñísimo paso de


corriente, ya que, aunque los diodos D1 y D3 están polarizados directamente, el diodo
D2 está sometido a una polarización inversa y por lo tanto, la corriente inversa de D2.
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Este proceso se corresponde con el tramo de la curva OA.

Si se sigue aumentando la tensión hasta un valor VD, denominado tensión de disparo.


El diodo D2 se encuentra sometido a la tensión de avalancha, con lo que la corriente ya
no es controlada por la tensión aplicada, sino simplemente por la resistencia exterior R
y las resistencias internas de los diodos D1 y D3.

Por esta razón, una vez alcanzado el valor VD, la tensión cae bruscamente y la corriente
alcanza el valor IQR, con lo que el tiristor conduce sin poder controlar ya el valor de IQR
con la tensión aplicada.

El punto B de la curva característica, corresponde el valor Vf -tensión de


funcionamiento-, que es el valor en voltios de la caída de tensión de los diodos D1 y D3,
conjuntamente.

Si se invierte la polarización, los diodos D1 y D3 se encuentran polarizados inversamente


y D2 queda en sentido directo, con lo que esta parte de la curva característica es
idéntica y prácticamente igual a la de un diodo. Obsérvese que a pesar de que el tiristor
posee cierto parecido con el transistor, hay una diferencia en todo lo relativo al control
de la corriente que circula por ellos. Mientras que un transistor, ésta corriente, está
controlada por la acción de la base, en un tiristor no existe ningún control sobre la
misma después del momento inicial de disparo.

Es preciso, por tanto, definir algún procedimiento de bloqueo del tiristor, de forma que
pueda volver a estar controlado por cualquiera de los mecanismos que enseguida
veremos. Este procedimiento consiste en aplicar entre ánodo y cátodo una tensión
inversa. De esta manera, el tiristor, pasará al estado bloqueo en un cierto de periodo
de tiempo, denominado tiempo de bloqueo. La tensión inversa podía, seguidamente,
ser desconectada, manteniéndose el tiristor en la situación adquirida.

10. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO SCR.

El SCR o Rectificador Controlado de Silicio, generalmente denominado tiristor, es un


dispositivo de la familia de los tiristores que consta de otro electrodo denominado
“puerta”, que suele ser designado por la letra G.

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11. CONSTITUCIÓN DEL SCR.

En la figura 22, puede verse la constitución interna de un tiristor SCR y su


correspondiente símbolo.

Figura 22 CONSTITUCIÓN DE UN TIRISTOR

12. FUNCIONAMIENTO DEL SCR.

En la figura 23, puede verse que si se inyectan portadores de carga en la zona P


(huecos) a través de la puerta G, la zona de difusión del diodo D2 se reducirá. Y, en
consecuencia, también disminuirá la tensión de disparo VD. Es, pues, evidente que si
en un SCR se polariza positivamente la puerta respecto al cátodo, la tensión de
disparo disminuye, tanto más cuanto mayor sea la diferencia de potencial citada.

Figura 23 EL TIRISTOR COMO ELEMENTO DE CONTROL

Por lo tanto, la puerta de un tiristor es un elemento de control de disparo del mismo.

Cuando en un tiristor se ha producido el disparo por corriente de puerta, ya no es


necesario que se mantenga IG, puesto que IA ya no puede ser modificado. Por otra parte
si se mantuviese IG esta travesearía al diodo D3, pudiéndose provocar su destrucción
al sumarse a la corriente principal IA.

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Además de la forma de disparo anterior, existen otras que convienen conocer, ya que
pueden ser útiles en cualquier aplicación de este elemento. Son las siguientes:

S Tensión: Al aumentar la tensión ánodo-cátodo, el tiristor pasa al estado de


conducción al alcanzarse el valor VD.

S Variación rápida de la tensión: Si la tensión ánodo-cátodo varía bruscamente, se


produce una transmisión de dicha variación hacia el interior del componente,
debido a un efecto capacitivo, iniciándose a partir de ella el proceso regenerativo
del disparo.

S Temperatura: El efecto de la temperatura es el de aumentar la corriente de


deriva. En el momento que se alcance la corriente suficiente para iniciar la
regulación, el tiristor pasará al estado de conducción.

S Luz: El caso de los tiristores accionados por la luz, denominados LASCS, se


producirá un disparo con la luz incidente sobre el mismo.

13. CARACTERÍSTICAS DEL SCR.

Las características que definen a un tiristor son las siguientes:

S IT(RMS): Máxima corriente alterna eficaz que puede conducir.

S IT(AV): Máxima corriente continua en conducción de 180º.

S VTM: Tensión directa máxima en conducción de 180º.

S VRRM: Tensión inversa máxima repetitiva que puede aplicarse al tiristor.

S VFRM: Tensión directa máxima que puede aplicarse sin provocar el disparo.

S IQT: Corriente mínima de puerta para el disparo.

S IGD: Corriente máxima de puerta que se puede aplicar sin alcanzar el disparo.

S VDT: Tensión de puerta necesaria para producir la corriente de disparo.

S VGTmax: Tensión máxima de puerta par el disparo.

S VGTmin: Tensión mínima de puerta para garantizar la corriente de disparo del


tiristor.

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Todas ellas se encuentran debidamente reflejadas en las Tablas de Características de


los diferentes fabricantes.

14. TIRISTOR COMO ELEMENTO DE POTENCIA.

El tiristor de potencia es absolutamente igual a lo indicado para los diodos respecto a:


materiales, tipo de encapsulamiento, fijación, radiadores, etc., con la única salvedad de
que estos tienen un terminal más, la puerta. Además, normalmente en los encapsulados
existe un electrodo roscado, en lugar de tratarse de cátodo (caso de los diodos de
potencia) se trata del ánodo, estando en el otro extremo los restantes terminales.

En cuanto a la pasta y otros materiales empleados para el montaje correcto en


radiadores, son los mismos que para los diodos.

Figura 24 TIRISTORES DE 7,5 A 110 A

A pesar de que al igual que sucedía en los diodos de potencia la generalización es


difícil, se puede afirmar que: para intensidades comprendidas entre 7,5 y 110 A (con
tensiones inversas de 25 a 1300 V), los tiristores son de cátodo rígido y encapsulados
(figura 24).

Para intensidades elevadas, en la gama que va de 180 a 470 A (con tensiones inversas
de 25 a 1700 V). Los tiristores son de cátodo flexibles o formato “press-pak” (modelo
pequeño) y encapsulado (figura 25).

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Figura 25 TIRISTORES DE 180 - 470 A

Por último, la gama más alta, es decir, la comprendida entre 850 y 1400 A (con
tensiones inversas de 100 a 1700 V), los tiristores pertenece al tipo “press-pak” ya
mencionado, en dos variedades de encapsulado (figura 26).

Figura 26 TIRISTOR DE 850 Y 1400 A

15. APLICACIONES DE LOS TIRISTORES.

Las aplicaciones de los tiristores son muchas y variadas: se utilizan en fuentes de


alimentación, en juegos de luces, controladores de potencia de una carga, etc., esta
última aplicación se verá con más detenimiento.

En resumen, el SCR se comporta como un diodo normal cuando llega un impulso


positivo a su puerta, este conducirá si el cátodo y el ánodo están polarizados
directamente; y si están polarizados inversamente no conducen, aunque le llegue el
impulso positivo a la puerta.

Basándose en lo anterior se puede realiza con un SCR el control de la potencia de una


carga (figura 27).

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Figura 27 CONTROL DE POTENCIA DE UNA CARGA

Para cebar un tiristor hay que aplicar a su puerta el impulso adecuado, pero una vez
cebado la puerta pierde el gobierno del elemento y desde ella no se puede descebar.
El único procedimiento que existe para bloquear un tiristor que conduce es rebajarle la
tensión entre cátodo y ánodo a un valor inferior a la de la tensión de mantenimiento, que
suele ser 1 V. Esto exige que la tensión general disminuya hasta casi hacerse “CERO”.

El tiristor sólo conduce intensidad electrónica de cátodo o ánodo, o sea, en un sentido.


Por lo tanto, si se le aplica corriente alterna la rectifica, dejando pasar únicamente los
semi-ciclos positivos y no completos, sino sólo desde que le llega el impulso de disparo
a la puerta. En la figura 27 se presenta un circuito alimentado por corriente alterna, en
la que el tiristor que controla el paso de corriente por la carga recibe los impulsos de
disparo justo en la mitad de los semi-ciclos, habiéndose dibujado a la derecha las
distintas ondas.

La potencia máxima que un tiristor puede entregar a la carga, que sería si condujese
durante todo el semiciclo. Si el impulso se produce en el centro del semiciclo se
mandará a la carga un 50% de máxima potencia. Si el impulso se aplicase a la puerta
pasado un 25% del semiciclo el tiristor proporcionará a la carga una potencia del 75%
de la máxima.

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16. DIODO ALTERNATIVO DE CORRIENTE (DIAC).

El DIAC está constituido por la unión de dos tiristores (no SCR), en antiparalelo.
También se dice que es equivalente a la unión de dos diodos Shockley en antiparalelo.
Su representación en la figura 28.

Figura 28 REPRESENTACIÓN DEL DIAC

En diodo Shockley se comporta como un diodo ordinario con la siguiente particularidad,


de que, al llegar a un cierto límite de tensión 40 o 60 V, etc., dependiendo de cada
diodo, se dispara un tiristor que empieza a conducir, a partir de esta tensión. Como el
diodo Shockley sólo deja pasar la corriente en un sentido se construyó el DIAC que la
deja pasar en los dos sentidos, esto quiere decir, que conduce en los dos sentidos
pero a partir de una tensión mínima de disparo.

17. Constitución del DIAC.

En la figura 29 puede verse la estructura de un DIAC, su circuito equivalente.

Figura 29 ESTRUCTURA DEL DIAC

18. FUNCIONAMIENTO DEL DIAC.

La figura 30 es el circuito es equivalente al de un DIAC, con su correspondiente


polarización y su gráfica (curva característica).

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Figura 30 CIRCUITO EQUIVALENTE DEL DIAC

Solo viendo la figura anterior se puede saber el funcionamiento del DIAC. Cuando el
ánodo es positivo, al variar E se llega a producir el disparo del tiristor (1), como se ve
en la parte positiva de la curva característica. Sin embargo, si el ánodo se polariza
inversamente respecto al cátodo, se produce el disparo de tiristor (2), para un valor
adecuado de E, como se ha reflejado en la zona negativa de la curva característica, que
es igual que la positiva pero invertida.

En consecuencia, se puede afirmar que el DIAC es un tiristor que conduce en los


dos sentidos, cuando se alcanza la tensión de disparo en cada uno de ellos.

19. APLICACIONES DEL DIAC.

La aplicación característica del DIAC es la formación de impulsos aprovechando el


tiempo de carga variable de un condensador C, alimentado a través de un
potenciómetro P, como muestra en la figura 31.

Figura 31 APLICACIÓN CARACTERÍSTICA DEL DIAC

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Cuando alcanza C el valor de disparo en cada semiciclo se produce el paso de corriente


a través del DIAC y del circuito puerta-cátodo del SCR, con lo que se ceba este último
y la carga recibe el suministro de potencia. El tiempo que en cada semiciclo tarda en
cargarse C, y consecuentemente cebarse el DIAC y el SCR, se regula con P, el cual
controla la potencia que el SCR suministra a la carga.

20. TRÍODO ALTERNATIVO DE CORRIENTE (TRIAC).

Constitución del Triac.

Se trata de un semiconductor similar al DIAC, pero que consta de una puerta para
controlar la tensión de disparo, tanto en sentido directo (positivo) como en sentido
inverso (negativo). También se le denomina tiristor bi-direccional, pues se comporta
como dos SCR en antiparalelo. En la figura 32 se ve la estructura semiconductora del
TRIAC y su correspondiente símbolo.

Figura 32 ESTRUCTURA DEL TRIAC

Funcionamiento del Triac.

Cuando le llega un impulso a la puerta G, conduce el tiristor1 o el tiristor 2 según el signo


de los potenciales T1 y T2, hasta que la tensión se hace inferior a 1 V (tensión de
funcionamiento). No volviendo a conducir hasta que llegue un nuevo impulso que vuelva
a disparar (figura 33).

Figura 33 FUNCIONAMIENTO DEL TRIAC

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Lo mismo sucede si se invierte los signos de los potenciales en T1 y T2, obteniéndose


de esta forma la curva característica de la figura 33, que coincide con la del DIAC, sólo
que es susceptible de control, en función de las intensidades del circuito puerta.

Al igual que en el SCR, cuanto mayor es la corriente de disparo de la puerta, tanto


menor es la tensión de disparo VD.

Aplicaciones del Triac.

Las aplicaciones del TRIAC son similares a las de los SCR, la diferencia está en que
el SCR conduce en un solo sentido y el TRIAC conduce en los dos.

Con un TRIAC se consigue el mismo resultado que con el SCR, en una aplicación:
el control de potencia.

El control de potencia lo realiza el TRIAC con la corriente alterna, ya que este


conduce en ambos sentidos.

Como conduce en ambos sentidos en él, no se puede hablar ni de ánodo ni de


cátodo, puesto que estos se combinan posiciones entre sí al invertirse la polarización.

Figura 34 APLICACIÓN DEL TRIAC COMO CONTROLADOR DE POTENCIA

En la figura 34 se aplica un TRIAC como controlador de potencia de corriente alterna


en una carga.

La llegada de los impulsos a la puerta de TRIAC en el centro de cada semiciclo,


produce el paso de dos corrientes I1 e I2, lo que supone un suministro del 50% de la
potencia máxima.

Variando la llegada de los impulsos de disparo, se modificará proporcionalmente la


potencia.

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Aplicaciones del triac como contactor estático

Las figuras 35, 36 y 37 son unas de las aplicaciones del triac, denominadas contactores
estáticos.

Figura 35 CONTACTOR ESTÁTICO MONOFÁSICO CONTROLADO POR TRIAC

Figura 36 CONTACTOR ESTÁTICO TRIFÁSICO CONTROLADO POR TRIAC

Figura 37 CONTACTOR ESTÁTICO MONTADO EN UN CUADRO DE CONTROL

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21. TRANSISTORES.

El transistor es un elemento de suma importancia dentro de la electrónica moderna. Su


utilidad es muy variada pues se encuentra en circuitos de: amplificador, comparador,
conmutador, etc.

Todas estas aplicaciones se dan en el transistor más utilizado, el bipolar.

22. EL TRANSISTOR BIPOLAR.

El transistor bipolar como se ha dicho en la introducción es el más utilizado de todos los


transistores. Fue el primero que se concibió en 1948 de forma ocasional cuando se
efectuaban medidas de resistencia eléctrica de barrera de materiales semiconductores.
Modernamente es un elemento que se utiliza en todas las ramas de electrónica: Digital,
Industrial, Analógica, etc.

Constitución y funcionamiento del transistor bipolar.

El transistor es un componente electrónico, que está constituido por 3 cristales


semiconductores, dos de un tipo separado por otro de tipo contrario, por lo que los
transistores pueden ser de dos tipos: PNP (figura 38) o NPN (figura 39).

Figura 38 CONSTITUCIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR PNP

Figura 39 CONSTITUCIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR NPN

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Lógicamente al tener 3 cristales, tendrá sus correspondientes electrodos o “patillas”,


una por cada cristal. Estas patillas son:

Colector: Terminal de salida.

Emisor: Terminal de entrada.

Base: Elemento regulador del paso de electrones.

Para el correcto funcionamiento de un transistor es necesario aplicar los


correspondientes potenciales adecuadamente a cada cristal, como se ve en las figuras
40 y 41.

El colector (terminal de salida) está polarizado inversamente, entonces se produce lo


que se conoce con el nombre de efecto transistor, consiste en que los electrones o
huecos rompan la ancha barrera de potencial de la unión base-colector y vayan hacía
un cristal que está polarizado inversamente.

23. EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN.

Aunque el transistor bipolar se utiliza como elemento amplificador (amplificadores), y


estabilizador (fuentes de alimentación), etc.

También se utiliza como elemento conmutador, que es una de las aplicaciones más
utilizadas en la electrónica industrial.

Un transistor bipolar, dependiendo de la tensión que se le aplica a la unión base-


emisor, tendrá a la salida una tensión amplificada mayor o menor

Figura 40 TRANSISTOR EN BLOQUEO

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Cuando al transistor se le aplica en la base una tensión que no rompa la pequeña


barrera de potencia de la unión base-emisor, no se obtiene corriente en la salida, y, se
dice, que el transistor está en bloqueo (figura 40).

Si al transistor se le aplica en la base una tensión mayor de 0,7 V, el transistor conduce


al máximo, es decir, entra en saturación.

Figura 41 TRANSISTOR EN SATURACIÓN

Dependiendo de la tensión que se aplique a la base éste estará en bloqueo (no


conduce) o en saturación (sí conduce). Se puede decir que el transistor, actúa como
conmutador, que no es otra cosa más que un funcionamiento similar al de un diodo
(interruptor).

Esta aplicación del transistor es muy utilizada en la electrónica industrial, el transistor


funciona como un interruptor: conduce o no conduce.

Ejemplo de cálculo:

Dadas las características de transistor SC 107, hallar los valores de las resistencias Rc
y Rb que forman el circuito de conmutación, teniendo en cuenta que circula una Icsat =
60 mA.

Los niveles lógicos aplicados a la base para el bloqueo y la saturación, son de 0 y 5 V,


respectivamente, y la polarización del circuito es de 10 V, (Figura 42).

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Figura 42 EJEMPLO DE CÁLCULO

1º Calcular Rc.

En la figura 43 se ha dibujado la curva de máxima potencia para conocer la zona


permitida de trabajo del transistor. También se ha trazado la recta de carga, puesto que
quedan determinados dos puntos:

Ic = 0, Vce = 10 V y el Ic = 60 mA, Vce = 0 V

Figura 43 CURVA DE POTENCIA DEL SC 107

Se ha calculado la Rc sobre la misma figura 43, aplicando la ley de Ohm en el punto de


saturación, habiendo obtenido un valor teórico para ella de 166 .

En la práctica, se tomará como resistencia de carga el valor de 150 que está


normalizado.

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2º Cálculo de IB saturación.

IC
IB

IC
IB

En la práctica, para mayor seguridad:

IC 60
IB 2 2 0,6mA
200

3º Cálculo de RB para permitir la saturación con 5 V de entrada (según figura 44).

Figura 44 CÁLCULO DE LA RESISTENCIA DE BASE

5 0,7
RB 7166,66
0,0006

Finalmente, en la figura 45, se ve el circuito completo, una vez diseñado.

Figura 45 RESULTADO DEL CÁLCULO

Modulo 2 . Tema 8 Control lógico: Cableado programable Página 27 de 64

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