Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
3. DIODO DE POTENCIA
A simple vista, es fácil diferenciar un diodo normal de uno de potencia. Puesto que,
el material que encapsula al diodo normal es plástico (figura 1, que tolera poca
temperatura), mientras que el diodo de potencia está encapsulado por material
metálico, soportando mayor temperatura. En la figura 4 y siguientes, se representa la
forma que tienen los diodos de potencia (la parte inferior puede corresponder al cátodo,
y la parte superior corresponde al ánodo, otras veces es al contrario, para evitar errores,
se marca el diodo con el símbolo 1 o 2).
Para intensidades elevadas, en la gama que va de 100 a 275 A (con tensiones inversas
de 50 a 1600 V), los diodos son de ánodo flexible y encapsulados (Figura 7)
Y, por último, en la gama más alta, es decir, la comprendida entre 400 y 1500 A (con
tensiones inversas de 100 a 300V), los diodos pertenecen al tipo press-pak, en dos
variedades de encapsulado, figura 10.
Cuando los diodos press-pak son para grandes intensidades (el caso más frecuente),
las mordazas de sujeción suelen ser huecas, permitiendo la circulación de agua de
refrigeración en circuito cerrado. En la figura 10 puede verse un montaje muy utilizado,
que consta de dos diodos press-pak refrigerados por agua.
La entrada se realiza por los extremos mientras que la salida es común a ambos.
6. RADIADORES DE CALOR.
En general, todos los elementos de potencia, alcanzan temperaturas muy altas (no
conveniente), debido a las grandes corrientes que pasan por él (1500 A en los press-
pak). Por esto, el radiador o disipador de calor, es un complemento fundamental a la
hora de hacer algún montaje con elementos de potencia (diodos, transistores, etc.);
debido a que los componentes necesitan entregar al ambiente una parte de la potencia
consumida, en forma de calor, la cantidad de calorías se determina por la fórmula:
Q = 0,24 . I2 . R. t
S Radiación
S Convención y
S Conducción.
Radiación.
Convención.
Es un proceso bastante sencillo. El aire al calentarse pesa menos, por lo que este sube
y el lugar que ocupaba es renovado por aire frío (figura 12)
Conducción.
El proceso natural de transmisión de calor de un cuerpo, sobre otro mayor, hace que
éste reparta el calor por todos los lados (figura 13).
Por lo que refiere al montaje de diodos en sus respectivos radiadores, unas veces
interesa aislar al cátodo del cuerpo del radiador, utilizándose pastas dieléctricas
especiales. En otros casos se precisa de un buen contacto eléctrico y metálico
(para facilitar la transmisión de calor) entre cátodo y el cuerpo del radiador; entonces,
se emplea óxido metálico de carga elevada, en forma de pasta fácilmente aplicable.
En la figura 14, se ve al diodo cátodo roscado como se fija al radiador mediante unos
tornillos.
En la figura 15, se puede observar como el diodo de cátodo plano, también va fijado al
radiador mediante tornillos, logrando una buena fijación y un contacto eléctrico
adecuado.
8. LOS TIRISTORES
También interesa hacer constar, que los tiristores de potencia, en cualquiera de sus
modalidades. Son perfectamente equiparables a los diodos de potencia, en
cuestiones tales como formatos, (a excepción del terminal o terminales de control),
características eléctricas, etc., aunque su precio resulta en general, más elevado para
intensidades de utilización, y tensiones inversas similares.
Obsérvese que la figura 20, los diodos D1 y D2 se encuentran en el mismo sentido que
el diodo D2 está conectado en oposición, o invertido, respecto a los primeros.
Vease que le ocurre a un tiristor cuando se le aplica una tensión variable entre sus
extremos, según indica el circuito de la figura 21.
Por esta razón, una vez alcanzado el valor VD, la tensión cae bruscamente y la corriente
alcanza el valor IQR, con lo que el tiristor conduce sin poder controlar ya el valor de IQR
con la tensión aplicada.
Es preciso, por tanto, definir algún procedimiento de bloqueo del tiristor, de forma que
pueda volver a estar controlado por cualquiera de los mecanismos que enseguida
veremos. Este procedimiento consiste en aplicar entre ánodo y cátodo una tensión
inversa. De esta manera, el tiristor, pasará al estado bloqueo en un cierto de periodo
de tiempo, denominado tiempo de bloqueo. La tensión inversa podía, seguidamente,
ser desconectada, manteniéndose el tiristor en la situación adquirida.
Además de la forma de disparo anterior, existen otras que convienen conocer, ya que
pueden ser útiles en cualquier aplicación de este elemento. Son las siguientes:
S VFRM: Tensión directa máxima que puede aplicarse sin provocar el disparo.
S IGD: Corriente máxima de puerta que se puede aplicar sin alcanzar el disparo.
Para intensidades elevadas, en la gama que va de 180 a 470 A (con tensiones inversas
de 25 a 1700 V). Los tiristores son de cátodo flexibles o formato press-pak (modelo
pequeño) y encapsulado (figura 25).
Por último, la gama más alta, es decir, la comprendida entre 850 y 1400 A (con
tensiones inversas de 100 a 1700 V), los tiristores pertenece al tipo press-pak ya
mencionado, en dos variedades de encapsulado (figura 26).
Para cebar un tiristor hay que aplicar a su puerta el impulso adecuado, pero una vez
cebado la puerta pierde el gobierno del elemento y desde ella no se puede descebar.
El único procedimiento que existe para bloquear un tiristor que conduce es rebajarle la
tensión entre cátodo y ánodo a un valor inferior a la de la tensión de mantenimiento, que
suele ser 1 V. Esto exige que la tensión general disminuya hasta casi hacerse CERO.
La potencia máxima que un tiristor puede entregar a la carga, que sería si condujese
durante todo el semiciclo. Si el impulso se produce en el centro del semiciclo se
mandará a la carga un 50% de máxima potencia. Si el impulso se aplicase a la puerta
pasado un 25% del semiciclo el tiristor proporcionará a la carga una potencia del 75%
de la máxima.
El DIAC está constituido por la unión de dos tiristores (no SCR), en antiparalelo.
También se dice que es equivalente a la unión de dos diodos Shockley en antiparalelo.
Su representación en la figura 28.
Solo viendo la figura anterior se puede saber el funcionamiento del DIAC. Cuando el
ánodo es positivo, al variar E se llega a producir el disparo del tiristor (1), como se ve
en la parte positiva de la curva característica. Sin embargo, si el ánodo se polariza
inversamente respecto al cátodo, se produce el disparo de tiristor (2), para un valor
adecuado de E, como se ha reflejado en la zona negativa de la curva característica, que
es igual que la positiva pero invertida.
Se trata de un semiconductor similar al DIAC, pero que consta de una puerta para
controlar la tensión de disparo, tanto en sentido directo (positivo) como en sentido
inverso (negativo). También se le denomina tiristor bi-direccional, pues se comporta
como dos SCR en antiparalelo. En la figura 32 se ve la estructura semiconductora del
TRIAC y su correspondiente símbolo.
Las aplicaciones del TRIAC son similares a las de los SCR, la diferencia está en que
el SCR conduce en un solo sentido y el TRIAC conduce en los dos.
Con un TRIAC se consigue el mismo resultado que con el SCR, en una aplicación:
el control de potencia.
Las figuras 35, 36 y 37 son unas de las aplicaciones del triac, denominadas contactores
estáticos.
21. TRANSISTORES.
También se utiliza como elemento conmutador, que es una de las aplicaciones más
utilizadas en la electrónica industrial.
Ejemplo de cálculo:
Dadas las características de transistor SC 107, hallar los valores de las resistencias Rc
y Rb que forman el circuito de conmutación, teniendo en cuenta que circula una Icsat =
60 mA.
1º Calcular Rc.
2º Cálculo de IB saturación.
IC
IB
IC
IB
IC 60
IB 2 2 0,6mA
200
5 0,7
RB 7166,66
0,0006