Modelos en Semiconductores y en Física

TEMA 1 : Modelos en Semiconductores y en Dispositivos Semiconductores.
I.T.T.(S.E.) - Universitat de Valncia - Curso 00/01 -1-

ELECTRNICA DE DISPOSITIVOS
I. Introduccin.
I.1. Definiciones
Electrnica Fsica: Ciencia que se basa en el estudio y control de las propiedades
electrnicas de determinados slidos, con el fin de formar dispositivos complejos
que transportan o almacenan electrones.
Esta definicin est dada desde un punto de vista fsico, segn el cual el ltimo
objetivo del fsico que trabaja en electrnica fsica es el comportamiento ltimo de
los materiales en la naturaleza y en ese sentido es una definicin que se refiere a los
aspectos microscpicos de la electrnica.
Ha de diferenciarse esta rama de la electrnica de la electrnica aplicada o la
electrnica de circuitos, encaminada esta ltima a realizar labores de transmisin,
manipulacin o registro de la informacin fsica de los resultados que se logran en la
electrnica fsica.
Microelectrnica: Es la capacidad de la fsica y de la tcnica para producir
interconectados, con las propiedades deseadas, componentes activos (uniones p-n,
metal-semiconductor, transistores bipolares y unipolares), pasivos (resistencias y
condensadores), aislantes y conductores sobre un mismo substrato de Si o de otros
semiconductores, mediante procesos en los que se controla el lugar y el espesor del
material e impurezas que se incorporan sobre el substrato.
Cada realizacin de sta constituye un circuito integrado (CI) el cual puede
desarrollar funciones de amplificacin, memoria, registro, etc.
Tecnologa microelectrnica: Se entiende por tecnologa microelectrnica, el
conjunto de reglas, normas, requisitos, materiales y procesos de diseo y de
realizacin que, aplicados en una secuencia determinada, llevan a la consecucin de
un producto final (dispositivos de CI).
Desde ese punto de vista cabra situar la tecnologa microelectrnica como el
punto medio, entre el estudio de las propiedades microscpicas de los
semiconductores y el circuito integrado una vez fabricado y dispuesto para su
utilizacin. Ms bien como una herramienta que permite obtener dispositivos
semiconductores de aplicacin o en la vida real.
I.2. Resea histrica de la electrnica fsica.
GENESIS: Doble discusin.
Hay quien dice que la electrnica fsica se origin con:
(J .J . Thomson, 1894-97): Descubrimiento del electrn y el posterior
establecimiento de la teora de conduccin en los slidos.
Y quien prefiere decir que tuvo su origen en:
(T.A. Edison, 1883): Observacin del efecto termoinico y posteriores
estudios de Richardson, Dushman, Sommerfield, Langmuir y Fleming
los cuales determinaron el comportamiento del diodo de vaco (que es
el primer dispositivo electrnico construido).
Dejando a un lado la discusin de la gnesis, vamos a trazar ahora algunos rasgos en
forma secuencial de su evolucin histrica.
SEMICONDUCTORES Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS ANTES DEL
TRANSISTOR
La historia de los semiconductores se remonta a los tiempos de Faraday (1833) y
Becquerel (1839). Faraday descubre que el sulfato de plata tiene un coeficiente de
temperatura negativo y Becquerel estudia las propiedades de algunos electrolitos.
Ambrose Fleming (1905), en la bsqueda de un detector de seales elctricas,
desarrolla el diodo de vaco, el primer dispositivo electrnico (vlvula) conocido. Casi
simultneamente, Gertel y Elstel (1905) toman como base el efecto fotoelctrico y
producen la primera clula fotoelctrica, la cual no ser utilizada con fines comerciales
hasta 1920, cuando da comienzo la investigacin del cine sonoro y de la televisin.
Poco despus, Lee de Foret (1907) inventa el triodo. Este dispositivo, aparte de detectar
seales elctricas, es ya capaz de amplificar seales (surge aadiendo un tercer
electrodo a la vlvula). Hacia 1915 se comienza a usar el cristal de galena como detector
de seales. A principios de los aos 20 se empiezan a utilizar los rectificadores de
selenio y de xido de cobre y las vlvulas de radio sustituyen el detector de cristal.
Entre 1920 y 1940, por un lado se desarrolla el tetrodo y el pentodo, y de otro, los
fsicos elaboran teoras que explican algunos de los fenmenos descubiertos hasta
entonces. En 1923 Schottky publica la teora de los rectificadores secos; es la primera
contribucin al estudio terico de los semiconductores. En esta teora se aprecia que el
empleo de la mecnica cuntica se revela indispensable.
Tal vez sea el televisor el invento ms notable de nuestro tiempo, a juzgar por el
impacto social que ha causado. En 1928 Zworykin desarrolla un dispositivo capaz de
transformar una imagen ptica en una corriente elctrica: el iconoscopio. Poco despus
este dispositivo o tubo sufre modificaciones y as se obtiene el tubo disector de imagen,
en que la imagen se consigue a base de presentarla lnea a lnea en lugar de punto a
punto. Una vez salvados todos los problemas tcnicos en la experimentacin, la
televisin comercial irrumpe en los hogares norteamericanos en 1945.
Hacia 1940, durante la segunda guerra mundial, se busca un detector de cristal que
satisfaga las necesidades del radar (instrumento que funciona en las ondas
centimtricas). La industria electrnica se desarrolla vertiginosamente y surgen tcnicas
de miniaturizacin y empleo de materiales robustos y ligeros en los dispositivos
electrnicos. As el diodo semiconductor recibe un nuevo impulso, mientras que el
diodo de vaco queda relegado. Pongamos en claro aqu las ventajas del diodo de cristal
de silicio o diodo semiconductor (diodo de unin pn) frente al diodo de vaco:
dimensiones reducidas, capacidades en paralelo muy pequeas, posibilidades de empleo
para captar seales de muy alta frecuencia por el radar y su estudio terico constituye
una base indispensable en el estudio del transistor.
Efecto termoinico: Emisin de electrones por un cuerpo, generalmente metlico, a
elevada temperatura.
Electrolito: Sustancia que en estado fundido o disuelto conduce la corriente elctrica
debido a la existencia de iones; es susceptible de descomponerse por electrolisis.
Diodo de vaco: vlvula electrnica que consta de dos electrodos. El ctodo es un
filamento que, al ser calentado mediante una pila, emite electrones que van a parar al
otro electrodo o nodo.
Triodo: Vlvula o tubo de vaco termoinico de 3 elementos: nodo, ctodo y una
rejilla (electrodo de control) cuya potencia regula la corriente de electrones que va del
ctodo al nodo.
RESUMEN HISTRICO DESDE LA INVENCIN DEL TRANSISTOR
A finales de la dcada de los 40 estaban claras las limitaciones de los dispositivos
termoinicos, que haban imperado en la electrnica aplicada desde que Fleming
construyera el primer diodo de vaco de la historia. La nica salida posible estaba en el
desarrollo de nuevos dispositivos que utilizasen materiales slidos, a causa de que en
estos se poda modular la conductividad.
El transistor bipolar
La invencin y desarrollo del transistor bipolar de difusin se llev a cabo en los Bell
Telephone Laboratories, donde un grupo de ingenieros electrnicos y metalrgicos (W.
Schockley, J . Bardeen, W. Brattain) se propusieron la realizacin de un amplificador de
estado slido. La denominacin transistor bipolar es debida a la existencia de dos tipos
de portadores electrones y huecos- y al hecho del cambio de impedancias entre el
circuito de emisor (baja) y el de colector (alta), de donde se genera la palabra transistor
(transfer-resistor). W. Schockley, J . Bardeen, W. Brattain reciben el premio Nobel de
Fsica en 1956.
Transistor unipolar JFET
En los aos sucesivos se perfecciona el transistor bipolar y se desarrollan nuevos
dispositivos de estado slido. Entre estos pueden citarse el transistor de base
gradualmente impurificada, los transistores de potencia, el transistor unipolar de efecto
de campo (J FET=J unction Field-Effect Transistor) construido por Shockley en 1952, el
diodo de cuatro capas (tambin debido a Shockley), los elementos de control de
potencia (tiristores y triacs) y el efecto del efecto tnel en uniones por Esaki (1958).
Transistor unipolar MOS
Ya J .E. Lilienfield (1926) haba imaginado un dispositivo similar al actual transistor
metal-xido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET o simplemente transistor
MOS). Pero por limitaciones tecnolgicas obvias de la poca no pudo construirse. En
1960 Atalla y Kalng proponen que sobre un semiconductor base o sustrato de silicio se
produzca una fina capa de dixido de silicio (SiO
2
). Y en 1963 Holfstein y Heiman
construyen el primer dispositivo MOS que funciona en deplexin o vaciamiento y en
acumulacin.
Microelectrnica: los circuitos integrados
Hacia el ao 1958 era evidente la necesidad de obtener dispositivos, a ser posible
circuitos, de dimensiones ms pequeas que las alcanzadas hasta esa fecha. Esta
situacin conduce a que se produzca un circuito de componentes discretos hecho
nicamente de silicio (prototipo experimental de un oscilador de deriva de fase
construido por Kilby en 1959) El desarrollo de los nuevos circuitos comienza con los
circuitos digitales discretos bipolares (1962). Pronto se pasa a los circuitos monolticos
bipolares (que ya eran circuitos integrados en un substrato comn de Si), con la familia
lgica TTL (Transistor-Transistor Logic), que no puede fabricarse con dispositivos
discretos porque emplea un transistor multiemisor que no se consigue como dispositivo
discreto. El paso siguiente fue aplicar la incipiente tecnologa microelectrnica de los CI
monolticos bipolares a la de los dispositivos MOS. As se produce un singular avance
en los CI digitales, de forma particular en las memorias lgicas, que lleva en los aos 70
a la cada de los precios de las calculadoras, cada que se continua produciendo ao tras
ao.
Hasta el ao 1972 el predominio de los CI digitales fue de los MOS sobre los
bipolares, salvo cuando se requera gran velocidad, que era satisfecha con CI bipolares
T
2
L. A partir de ese ao el dominio deja de ser absoluto, al irrumpir en el campo de la
microelectrnica la familia bipolar IIL (Integrated-Injection-Logic); su configuracin
bsica permite una mayor densidad de integracin y rapidez de clculo que con sus
competidoras de tecnologa MOS.
Desde 1962, en que se produjeron los primeros CI lgicos digitales de pequea
escala de integracin (SSI =Small Scale Integration), hasta la actualidad, la
microelectrnica ha experimentado un extraordinario desarrollo, como lo prueban los
datos que se dan a continuacin:
DESARROLLO EXPERIMENTADO POR LA MICROELECTRNICA
Nivel de
integracin
Fechas de
introduccin
Npuertas/chip Aplicaciones
(ejemplo)
SSI (Small Scale
Integration)
Comienzos de los
60
3-30 Puertas lgicas
bsicas
MSI (Medium
Scale Integration)
A mediados y
finales de los 60
30-300 Memorias 256 bits
Sumadores de alta
velocidad
LSI (Large Scale
Integration)
Comienzos de los
70
300-3000 RAM 1-16K
Calculadoras
VLSI (Very Large
Scale Integration)
Finales de los 70 >30.000 RAM 64k
A la vista de los datos anteriores, se puede afirmar, sin peligro de equivocarse,
que es la historia del incremento de componentes por chip y de la reduccin de las
dimensiones mnimas de los componentes del CI.
Sin embargo la evolucin de los circuitos integrados lineales o analgicos ha sido
ms lenta que la de los digitales encontrndose en la actualidad en un proceso menos
avanzado. De todas formas, el CI amplificador operacional ha llegado a tal grado de
versatilidad y precisin en configuraciones realimentadas, que se considera el
componente bsico de los CI ms avanzado, sustituyendo al transistor salvo en los
casos de aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
Sistemas analgicos: La respuesta del sistema es lineal con la entrada del mismo.
Respuesta continua a una entrada continua.(Por ejemplo: Rectificador)
Sistemas digitales: Ante una entrada continua su salida es un uno o un cero
lgico.(Por ejemplo: Puertas lgicas, memorias).
TEMA 1: MODELOS EN SEMICONDUCTORES Y EN FSICA DE
SEMICONDUCTORES
Definicin de modelo:
Modelo de enlace covalente.
Modelo de bandas de energa.
Modelo analtico o matemtico.
Modelo circuital o analgico.
1.1. MODELO DE ENLACE COVALENTE
1.1.1. Materiales Semiconductores.
1.1.2. Estructura cristalina
Elementos semiconductores
ndices de Miller.
1.2. MODELO DE BANDAS DE ENERGA
1.2.1. Modelo cualitativo de bandas de energa (Schrdinger).
1.2.2. Modelo cuantitativo de bandas de energa (Modelo de Kronig-Peney).
1.3. MODELOS ANALTICOS.
1.4. MODELOS ANALGICOS O CIRCUITOS EQUIVALENTES.
TEMA 1: MODELOS EN SEMICONDUCTORES Y EN FSICA DE
SEMICONDUCTORES.
Definicin de modelo: El trmino modelo se refiere a una representacin
matemtica que permite comprender la naturaleza de determinados
comportamientos fsicos que se dan en el material, pero que adems permite avanzar
en el conocimiento mediante la realizacin de descubrimientos importantes.
Son cuatro los modelos que permiten analizar y comprender el comportamiento de
los semiconductores y de los dispositivos semiconductores.
Modelo de enlace covalente: Es el ms simple. Permite hacerse una idea
intuitiva de los procesos de conduccin en semiconductores. Ofrece una
representacin cualitativa del comportamiento interno de los slidos
cristalinos.
Modelo de bandas de energa: Es el ms utilizado. Rene las
caractersticas de ser un modelo grfico y matemtico. Permite describir los
fenmenos de transporte en semiconductores y dispositivos
semiconductores de una forma cuantitativa.
Modelo analtico o matemtico: Describe mediante un conjunto de
ecuaciones matemticas los procesos fsicos que tienen lugar en el
semiconductor o dispositivo.
Modelo circuital o analgico: Describe el comportamiento del dispositivo
a nivel macroscpico en funcin de las magnitudes de tensin y de
corriente. Adecuado para el anlisis de circuitos en los que intervengan
dispositivos semiconductores.
1.1. Modelo de enlace covalente.
1.1.1. Materiales Semiconductores.
Fig. 1: Conductividades para aislantes, semiconductores y conductores.
Los materiales de estado slido pueden agruparse en tres clases: aislantes,
semiconductores y conductores. La anterior figura muestra la conductividad elctrica
(y la resistividad 1/) asociada a varios slidos importantes.
Aislantes: Conductividad entre 10
-18
y 10
-8
S/cm (cuarzo y vidrio)
Conductores: Conductividad entre 10
4
y 10
6
S/cm (aluminio, plata)
Semiconductores: Zona intermedia: Conductividad en funcin de:
temperatura, iluminacin, campo magntico y cantidad de impurezas (Ge,
Si, GaAs)
1.1.2. Estructura cristalina
Los materiales semiconductores se encuentran en la naturaleza formando una
llamada estructura cristalina. Segn esta estructura, los tomos del material
semiconductor se encuentran distribuidos espacialmente formando una estructura
regular (celosa, enrejado o lattice).
Sin embargo, los tomos no ocupan en el espacio posiciones fijas, sino que
debido a las vibraciones trmicas estn situados o localizados alrededor de esta
posicin.
Para un material semiconductor dado, hay una estructura bsica llamada celda
unidad, a partir de la cual es posible mediante repeticin tridimensional construir la
estructura propia del cristal.
En la siguiente figura se recogen tres tipos diferentes de celdas unidad en un
cristal de tipo cbico.
Fig. 2: Tres tipos diferentes de celdas unidad en un cristal cbico. (a) Celda de cubo
simple. (b) Celda cbica centrada en el centro. (c) Celda cbica centrada en las caras.
2.a) Celda de cubo simple: En ella cada tomo del material ocupa los ocho vrtices
(aristas) del cubo. La cantidad a es llamada constante de la estructura. El Polonio
cristaliza en esta forma.
2.b) Celda cbica centrada en el centro: En esta estructura, adems de los ocho
tomos de las aristas hay uno ocupando el centro de la celda. Es la celda tipo (bcc)
(body-centered-cubic). Ejemplos son el sodio y tungsteno.
2.c) Celda cbica centrada en las caras: En este tipo de celda, adems de los ocho
tomos de las aristas se encuentran seis tomos ms, localizados en el centro de
cada cara. Es la celda de tipo (fcc) (face-centered cubic). Cada tomo tiene 12
vecinos. Ejemplos son el aluminio, cobre, oro y platino.
Los elementos semiconductores tales como el germanio y el silicio presentan una
estructura cristalina del tipo del diamante (ver figura (a)). Dicha estructura puede ser
vista como dos estructuras (fcc) interpenetradas con un desplazamiento de una con
respecto a la otra de
4
1
de la distancia a lo largo de la diagonal del cubo ( a
4
3
). En este
caso, cada tomo del semiconductor est rodeado de cuatro tomos equidistantes
configurando los vrtices de un tetraedro.
La estructura de la zincblenda (pechblenda) es idntica a la del diamante salvo
en que cada estructura (fcc) constituyente est formada por tomos de valencia
diferente. A dicha estructura pertenecen materiales semiconductores del tipo del
arseniuro de galio (AsGa) en que una de las estructuras (fcc) tiene tomos de Ga (III
columna) y la otra de As (V columna).
Fig. 3: (a) Estructura del diamante. (b) Estructura de la Pechblenda.
ndices de Miller: En la figura 2.b) se puede ver que hay cuatro tomos en el plano
ABCD y cinco tomos en el plano ACEF (cuatro en las esquinas y uno en el centro).
Adems, las distancias interatmicas en cada uno de los planos son diferentes. Ello
conlleva que las propiedades del cristal van a ser diferentes segn el plano que se
considere, siendo las propiedades elctricas y otras caractersticas funcin de la
orientacin del cristal
Un mtodo conveniente para definir los planos de un cristal es utilizar los llamados
ndices de Miller. Estos ndices se obtienen con los siguientes pasos:
(1) Intersectar el plano en cuestin con los tres ejes cartesianos y obtener la
distancia de la interseccin en trminos de la constante de la estructura.
(2) Obtener los recprocos (inversos) de estos tres nmeros y reducirlos al entero
mnimo comn mltiplo (entero ms prximo a los nmeros multiplicndolos
por el menor entero posible).
(3) Englobar los tres nmeros en un parntesis (hkl) y este conformar los ndices
de Miller.
En Fig. 4 se muestran algunos ejemplos de obtencin de los ndices de Miller en
diferentes planos de un cristal.
Fig. 4: ndices de Miller de algunos planos importantes de un cristal cbico.
Enlaces de valencia: En la estructura cristalina del silicio, cada tomo est rodeado por
otros cuatro tomos los cuales ocupan los vrtices de un tetraedro regular (Fig. 5.a),
cuya proyeccin plana se muestra en Fig. 5.b.
Fig. 5: (a) Tetraedro que constituyen los enlaces. (b) Proyeccin plana.
Cada tomo de silicio posee cuatro electrones de valencia, los cuales estn
siendo compartidos por los restantes cuatro tomos. El mecanismo de comparticin de
los electrones recibe el nombre de enlace covalente. El enlace covalente puede ocurrir
entre tomos idnticos o no. Cada electrn est el mismo tiempo alrededor de un ncleo
que de otro y la atraccin elctrica que ejercen los ncleos hacia los electrones hace que
permanezcan los tomos unidos entre s. La estructura de la pechblenda es anloga slo
que cada tomo de As est rodeado de cuatro tomos de Ga y viceversa.
A bajas temperaturas, los electrones estn constituyendo en su totalidad los
enlaces covalentes que conforman la estructura cristalina del silicio, la cual en estas
condiciones trmicas posee gran rigidez. A altas temperaturas, las vibraciones trmicas
de las partculas de la red dan lugar a que algunos de los enlaces covalentes se rompan,
formndose en consecuencia un electrn libre capaz de dar lugar a una corriente de
conduccin (fig. 6.a). Adems se ha formado una deficiencia de electrn en uno de los
enlaces covalentes, la cual puede ser llenada por otro electrn de los enlaces covalentes
prximos. Ello supone un desplazamiento de la deficiencia de un enlace covalente (A) a
otro (B) a lo largo de la estructura cristalina (Fig. 6.b).
El desplazamiento de esta deficiencia puede considerarse como el
desplazamiento de una partcula similar al electrn. Esta partcula ficticia se denomina
hueco , es portadora de carga positiva (h
+
) y se desplaza en sentido opuesto al de los
electrones, cuando se aplica a la red cristalina un campo elctrico.
Fig. 6: Dibujo bsico de los
enlaces en el silicio
intrnseco. (a) Un enlace
roto en la posicin A, da
lugar a un electrn en la
banda de conduccin y un
hueco. (b) Enlace roto en la
posicin B.
1.2. Modelo de Bandas de Energa
El modelo de bandas de energa es de gran utilidad para explicar la fsica electrnica
en los materiales y dispositivos semiconductores. Se expondr en primer lugar un
modelo de tipo cualitativo muy conceptual y a continuacin el modelo que da una
descripcin cuantitativa, el llamado modelo de Kronig-Penney.
1.2.1. Modelo cualitativo de bandas de energa.
La teora de bandas de energa se basa en la mecnica cuntica, la cual describe el
comportamiento fsico de los electrones que forman parte de un tomo. Dicho
comportamiento est determinado por la llamada funcin de onda ) , , ( z y x la cual
contiene toda la informacin medible sobre cada electrn y satisface la llamada
ecuacin de onda o de Schrdinger:
[ ] 0 ) , , ( ) , , (
8
) , , (
2
2
2
+ z y x z y x V E
h
m
z y x

donde:
2
2
2
2
2
2
2
z y x
(operador Laplaciano)
m masa de la partcula
h constante de Planck
E energa total de la partcula
V (x,y,z) energa potencial de la partcula
Hay una funcin de onda para cada electrn del tomo. La ecuacin de onda
anterior slo tiene solucin para determinados valores discretos de la energa E del
electrn. La mecnica cuntica asocia a cada valor discreto de E un conjunto de
cantidades o nmeros cunticos n, l, m y m
s
de forma que cada electrn del tomo
queda caracterizado por el nivel energtico E o por sus nmeros cunticos. Esta es la
situacin que ocurre cuando se considera un tomo aislado. Sin embargo, la situacin es
bien diferente cuando se considera el sistema formado por muchos tomos tales como
los que constituyen una red cristalina de material semiconductor.
Cuando se considera un sistema formado por dos o ms tomos debe tenerse en
cuenta el principio de exclusin de Pauli, segn el cual dos electrones no podrn tener el
mismo nivel energtico o los mismos nmeros cunticos. De esta forma, dos electrones
pertenecientes a dos tomos idnticos separados una distancia muy grande (infinita)
poseen el mismo nivel energtico, pero al aproximarse una distancia ya del orden de la
distancia interatmica en un cristal esos dos niveles energticos del mismo valor se
desdoblan o desplazan ligeramente producindose dos nuevos niveles energticos
degenerados.
En el caso de una red cristalina formada por N-tomos, donde antes haba N niveles
energticos idnticos (separacin infinita) ahora hay N-niveles energticos degenerados
muy prximos entre s, de forma que puede considerarse todo el conjunto como una
banda de energa.
Fig. 7 representa la formacin de las bandas de energa en un cristal del tipo del Si.
Cuando los tomos estn separados por una distancia elevada, cada uno conserva
definidos sus niveles energticos susceptibles de ser ocupados por electrones (en Fig. 7
es la parte derecha, ms alejada, se han representado dos niveles).
Si la distancia interatmica disminuye, los niveles energticos idnticos se separan
entre s, dando lugar a una banda de niveles muy prximos entre ellos. Si ahora la
distancia alcanza el valor de la distancia interatmica en el equilibrio (para el Si es de
5.43) de la red cristalina, el conjunto de niveles que antes conformaba una banda de
energa se divide en dos bandas. Estas dos bandas estn separadas por una regin o
intervalo de energas que no poseern ninguno de los electrones de la red cristalina. Este
intervalo es llamado intervalo prohibido o banda prohibida, de anchura E
g
. La banda
superior es llamada banda de conduccin y la inferior, banda de valencia.
Fig. 7: Formacin de bandas de energa cuando un cristal de estructura de
diamante es formado al colocar juntos dos tomos de silicio aislados.
A la temperatura de 0K, la banda de conduccin est vaca y la de valencia llena de
electrones, por lo que no existe conduccin. La nica posibilidad de lograr conduccin
electrnica es comunicar a los electrones una energa mayor o igual que E
g
para que los
haga pasar de la banda de valencia a la banda de conduccin (por ejemplo mediante
excitacin trmica o luminosa).
Para el silicio y germanio a la temperatura ambiente de 300K, E
g
vale:
Ge: E
g
=0.72 eV
Si: E
g
=1.12 eV
Fig. 8 representa esquemticamente la disposicin de las bandas en diferentes tipos
de slidos: aislantes, semiconductores y conductores.
Metales, semiconductores y aislantes.
Fig. 8: Representacin esquemtica de las bandas de energa en (a) un
aislante, (b) un semiconductor, y (c) un conductor.
En un slido aislante tal y como el xido de silicio (SiO
2
) los electrones de valencia
que forman los enlaces covalentes forman fuertes uniones con los tomos de la red
cristalina que les rodean. Estos enlaces son difciles de romper y, en consecuencia, no
hay electrones libres para originar una conduccin. Considerando sus bandas de energa
hay una banda prohibida de mucha anchura (Fig. 8a), la cual se encuentra entre la banda
de conduccin que est completamente vaca y la de valencia, completamente llena de
electrones de valencia. La anchura de la banda no permitida es tal que incluso mediante
un aporte energtico externo (excitacin trmica o campo elctrico aplicado) no es
suficiente como para romper los enlaces covalentes y crear electrones libres en la banda
de conduccin. Por lo tanto, el dixido de silicio es un aislante, no puede conducir
corriente.
El caso correspondiente a Fig. 8b representa la disposicin de bandas de energa en
un material semiconductor (tal como el Si). Tal y como se ha visto anteriormente, los
enlaces covalentes que constituyen la red cristalina pueden ser rotos con relativa
facilidad y poco aporte energtico (para el Si, 1.12eV por electrn). En un
semiconductor, la anchura de la banda prohibida es muy pequea comparada con la del
aislante, y en consecuencia un pequeo aporte energtico exterior produce la ruptura de
algunos enlaces covalentes creando pares de electrn-hueco, los cuales ocupan la banda
de conduccin y la de valencia respectivamente. Cuando un campo elctrico es aplicado
al cristal semiconductor, tanto los electrones como los huecos adquieren energa cintica
dando lugar a conduccin elctrica.
Las bandas de energa de Fig. 8c representan el caso de un metal. Las bandas de
conduccin y de valencia estn solapadas entre s y no existe banda de energa
prohibida. Con esta disposicin los electrones de la banda de valencia pueden alcanzar
fcilmente el nivel ms alto de la de conduccin sin ms que aplicar un pequeo campo
elctrico. De esta forma, pueden dar lugar a una rpida conduccin elctrica.
Conviene indicar que la tendencia de los electrones al recibir energa es la de
moverse hacia arriba en los niveles energticos de la banda que ocupe, por el contrario
cuando un hueco es excitado energticamente tiende a moverse hacia niveles inferiores
en la banda donde se localice.
Fig. 9 ilustra de forma esquemtica la disposicin tpica de bandas de energa. La
anchura de la banda prohibida se denomina gap de energa prohibido y se representa por
la cantidad E
g
. El nivel energtico ms bajo de la banda de conduccin se designa por la
cantidad E
c
y corresponde a la mnima energa que posee un electrn libre, para este
caso es energa potencial en su totalidad (energa de un electrn en reposo) siendo este
nivel el origen de energa cintica (energa cintica cero). La energa del electrn
aumenta al movernos hacia arriba en la banda de conduccin. Anlogamente, para los
huecos se define el nivel E
v
como el mximo nivel en la banda de valencia, E
v
corresponde a la energa potencial de un hueco (energa de un hueco en reposo) y su
energa cintica se mide a partir del nivel E
v
. En consecuencia, la energa del hueco
aumenta al movernos hacia abajo en la banda de valencia.
Fig. 9: Energa potencial y cintica en la representacin de bandas de energa.
Como puede verse a partir de la figura, para que un hueco salga de la banda de
valencia, un electrn de la banda de conduccin ha de ser desexcitado y volver a ella.
Fig. 10: Gap prohibido para el Si y el GaAs en funcin de la temperatura.
En Fig. 10 se representa la variacin del gap prohibido E
g
en trminos de la
temperatura del slido semiconductor (para el Si y GaAs). Se observan como puntos
representativos:
T=300K (ambiente) Si: E
g
=1.12eV
P=1atm GaAs: E
g
=1.42eV
T=0K Si: E
g
=1.17eV
GaAs: E
g
=1.52eV
La variacin del gap E
g
con la temperatura sigue las expresiones:
636
10 73 . 4
17 . 1 ) (
2 4
+

T
T
T E
g
para el Si
204
10 4 . 5
52 . 1 ) (
2 4
+

T
T
T E
g
para el GaAs
El coeficiente de temperatura
dT
dE
g
es negativo para cualquiera de los dos
semiconductores.
Finalmente, debe decirse que el modelo de bandas de energa constituye una
herramienta muy valiosa para hacerse una representacin de cuales son los mecanismos
que producen la conduccin elctrica en un material semiconductor. No obstante, debe
eliminarse la imagen de que las bandas de energa son como canales por los cuales
circulan los electrones o huecos. nicamente se trata de niveles energticos que llevan
asociados, por el hecho de ocuparlos, el estado de conduccin elctrica o la ausencia de
ella.
Este mecanismo de conduccin elctrica en semiconductores presenta cierta
complejidad y deben aplicarse herramientas matemticas avanzadas como la estadstica
de Fermi-Dirac. Concretamente, como se ver posteriormente, debe determinarse la
estructura de bandas en el semiconductor, la densidad de estados cunticos en cada
banda y la concentracin de portadores en cada banda, as como su comportamiento.
1.2.2. Modelo cuantitativo de bandas de energa (Modelo de Kronig-Peney).
El modelo de Kronig-Peney es un modelo de tipo cuantitativo y tiene como objetivo
describir el comportamiento fsico de una partcula cargada (electrn) en el cristal.
La energa potencial del electrn en el tomo de hidrgeno viene dada por la ecuacin:
r
q
W
0
2
4
(Fig. 11a)
Para dos tomos sera como la mostrada en Fig. 11b. Suponiendo un cristal de
hidrgeno unidimensional, la energa potencial representada en funcin de la distancia
aparecera como la mostrada en Fig.11c con una constante L para la red. La distribucin
de energa potencial para un conjunto de tomos es muy compleja de manera que la
resolucin de la ecuacin de Schrdinger para tal distribucin es muy difcil.
Fig. 11: (a) Energa potencial de un electrn en las proximidades de un tomo
de hidrgeno; (b) Lo mismo que (a) pero cuando se tienen dos ncleos
atmicos; (c) Lo mismo que (a) pero para un conjunto de tomos.
En un esfuerzo para obtener una solucin matemtica que confirmase la formacin
de bandas de energa, incluyendo las bandas prohibidas, Kronig y Penney utilizaron un
modelo unidimensional para la distribucin de energa potencial en un slido. Se trata
de un modelo de potencial peridico de forma cuadrada y unidimensional, es decir, para
un cristal de dimensin infinita pero unidimensional. Dicho modelo, mostrado en Fig.
12, presenta alguna similitud con la distribucin de energa potencial mostrada en Fig.
11c. A pesar de esta basta similitud, la solucin de la ecuacin de Schrdinger
utilizando este modelo describe con bastante precisin los efectos que se observan en
slidos reales.
Fig. 12: Modelo de Kronig-Penney unidimensional de la distribucin de energa
potencial
Es importante tener en cuenta una serie de suposiciones en el modelo y en su
solucin:
1. La interaccin entre el electrn y el ncleo es nicamente debida al campo
elctrico debido a sus cargas.
2. No se tiene en cuenta la interaccin electrn-electrn.
3. Se desprecian los efectos no ideales tales como las colisiones con la estructura y la
presencia de impurezas.
4. tomos fijos aunque, de hecho, los tomos pueden estar vibrando.
En el modelo de Kronig-Peney, el nivel del cero de energa potencial est en las
proximidades del ncleo y el pico de valor W
0
ocurre a medio camino entre los ncleos.
Se va a suponer que un electrn, con una cierta masa y energa, esta presente en esta
distribucin de energa potencial generada por los ncleos del tomo. Cuando el
electrn se acerca a uno de los tomos de la red cristalina se acelera y cuando se aleja es
decelerado hasta que se acerca al campo elctrico del siguiente tomo de la red,
repitindose de nuevo el proceso.
Las funciones de onda asociadas al electrn se obtienen resolviendo la ecuacin de
Schrdinger independiente del tiempo:
[ ]
2
2
2
2 2
2
4
con 0 ) ( ) (
2 ) (
h
x x W E
h
m
dx
x d
+
!
Las soluciones de esta ecuacin con significado fsico corresponden a funciones de
onda asociadas a los electrones que son planas indicando la direccin de propagacin
mediante el vector de onda K y moduladas por una funcin U(x) que posee la misma
periodicidad que la de la red cristalina:
iKx
e x U x ) ( ) (
siendo ) ( ) ( ) ( L N x U L x U x U + + ; N n de tomos del cristal
a =anchura regiones con W(x) =0
b =anchura regiones con W(x) =W
0
a +b =L =periodo =constante de la estructura (distancia interatmica)
y, por tanto,: ) ( ) ( b U a U
Teniendo en cuenta las condiciones de contorno, la ecuacin de Schrdinger tendr
solucin si se cumplen las siguientes igualdades:, una para 0 <E <W
0
y otra para
E>W
0
:
) cos( ) cos( ) cosh( ) sin( ) sinh(
2
2 2
L K a b a b +

; para E<W
0
) cos( ) cos( ) cos( ) sin( ) sin(
2
) (
2 2
L K a b a b +

+

; para E >W
0
con
2
2
2
h
mE
,
2
0 2
) ( 2
h
E W m
y j (en regin II en que es imaginario)
Estas son ecuaciones trigonomtricas implcitas que permiten obtener los valores de
la energa asociados a las distintas funciones de onda del electrn. Su solucin es de
tipo numrico o grfico.
Un hecho importante es que la funcin peridica cos(KL) slo puede tomar valores
comprendidos entre 1 y +1. Desde un punto de vista numrico para un potencial W
0
dado, habr unos valores de la energa que cumplan la igualdad anterior, sin embargo
tambin existirn otros valores para los cuales el primer miembro de la igualdad ser
mayor o menor que el segundo miembro. Los primeros de ellos son los valores de
energa permitidos para el estado del electrn en el cristal unidimensional, los segundos
constituyen los valores no permitidos para la energa del electrn. Esta es la explicacin
de que aparezcan bandas de energa prohibida.
Las dos expresiones anteriores constituyen el modelo matemtico de Kronig-
Peney. Su representacin matemtica queda recogida en Fig. 13.
Fig. 13: Bandas permitidas y prohibidas, segn el modelo de Kronig-Penney.
Las regiones en blanco son las bandas prohibidas y las rayadas las permitidas.
En la grfica se ha representado el primer miembro de las anteriores expresiones y se
han delimitado los niveles de 1 y +1 como los valores extremos del segundo miembro.
Las zonas sombreadas corresponden a aquellas en las cuales la variable E hace que se
produzca la igualdad de los dos miembros y las zonas en blanco corresponden a los
valores de E que ocasionan la desigualdad (mayor o menor) entre el primer miembro y
el segundo, son los valores no permitidos de la energa.
Resolviendo las ecuaciones anteriores puede representarse la relacin entre E y K. Esto
es lo que indica Fig. 14:
Fig. 14: Representacin normal o extendida de la funcin E(K) para una
estructura cristalina simple unidimensional, segn el modelo de Kronig-Penney.
La parbola con trazo discontinuo corresponde a la solucin para la partcula
libre.
Esta figura muestra los valores permitidos de la energa del electrn en trminos del
vector de onda K. Se pueden hacer las siguientes observaciones:
La representacin del modelo de Kronig-Peney muestra discontinuidades y
perturbaciones cuando se compara con la forma parablica que presenta la
solucin para una partcula libre. Estas modificaciones son mayores para valores
bajos de energa. Para valores mas grandes de energa la solucin para este
modelo se asemeja ms al de una partcula libre. En conclusin, cuanto mayor es
la energa del electrn menor importancia tiene el potencial peridico del cristal.
El modelo presenta discontinuidades para KL=tn. Para los valores de energa
correspondientes a tales discontinuidades, las ondas del electrn no pueden
propagarse en el slido. Estos valores de K marcan los lmites de las zonas de
energa que constituyen las bandas prohibidas.
A las zonas marcadas por los puntos de discontinuidad se las denomina zonas de
Brillouin. De esta forma, la primera zona de Brillouin sera la correspondiente al
intervalo ]-/L, /L[. La segunda zona de Brillouin sera la correspondiente a los
intervalos ]-2/L, -/L[ y ]/L, 2/L[. Y as sucesivamente.
Al incrementarse el valor de E, la anchura de las bandas permitidas se incrementa
mientras que la anchura de las bandas prohibidas se reduce.
La parte izquierda de las ecuaciones no sufre modificacin alguna si KL cambia
en t2. Por razones relacionadas con la masa de las partculas y que resultarn
ms claras ms adelante, es conveniente desplazar las curvas correspondientes a
la segunda y tercera banda permitida a lo largo del eje x en t2/L. Los valores
correspondientes a la segunda y tercera banda permitida para K positiva se
desplazan -2/L y los correspondientes a K negativa son desplazados en 2/L.
De esta forma nos limitamos a la regin comprendida entre -/L y /L (primera
zona de Brillouin), como se muestra en las curvas con trazo discontinuo c, d, e
y f que reemplazan a las curvas c, d, e y f. Las nuevas curvas se muestran en
Fig. 15 y representan el perfil energtico de las bandas de valencia y de
conduccin correspondientes a n=1, 2 y 3.
Fig. 15: Reduccin a la primera zona de Brillouin de la funcin E(K) en que se
representan las bandas permitidas y, entre ellas, las prohibidas.
Se han mostrado las curvas de energa para tres valores de n. Es posible obtener
estas curvas para mayores valores de n. Sin embargo, las que se han mostrado son
suficientes para ilustrar la relevancia y beneficios del modelo de Kronig-Penney.
Es importante remarcar que el modelo unidimensional de Kronig-Penney presenta una
gran semejanza con las condiciones reales existentes en un cristal. En un cristal real
tridimensional, las relaciones E-K son mucho ms complicadas que las obtenidas con
anterioridad. Sin embargo, los resultados obtenidos a partir de dicho modelo nos ha
permitido explicar la existencia de bandas permitidas y de bandas prohibidas de una
manera analtica.
Para un slido semiconductor el gap de energa entre una zona de Brillouin y su
contigua tiene una anchura suficientemente pequea comparada con la anchura
respectiva para un slido aislante. Finalmente, el slido metal posee un gap pequeo y
de menor energa que los anteriores.
1.3. Modelos analticos.
Un modelo matemtico o analtico es, en general, una formulacin matemtica de
una situacin o de un fenmeno fsico y que permite hacer predicciones en cuanto a los
acontecimientos que pueden aparecer y obtener consecuencias. Son aplicables tanto a un
semiconductor (modelo de Kronig-Peney) como a dispositivos semiconductores (se
tratar con posterioridad).
Por ejemplo, para el dispositivo diodo, se tiene el modelo del diodo de unin
reflejado mediante la ecuacin del diodo o de Shockley.
) 1 (
T
V
V
s
e I I
I corriente del diodo
I
s
corriente de saturacin del diodo
V tensin aplicada
V
T

q
T K
=26mV a 300K
Con K constante de Boltzman =1.38110
-23
J /K =1.38110
-23
cV/K
Y q carga del electrn =1.60210
-19
c
De igual manera se tiene el modelo de Ebbers-Moll para el transistor bipolar pnp en
continua, formado por dos ecuaciones:
) 1 ( ) 1 (
12 11
+
T
CB
T
EB
V
V
V
V
E
e a e a I
) 1 ( ) 1 (
22 21
+
T
CB
T
EB
V
V
V
V
C
e a e a I
I
E
, I
c
corrientes de emisor y colector
V
EB
, V
CB
tensiones emisor-base y colector-base
a
ij
parmetros fsicos del dispositivo
1.4. Circuitos equivalentes o modelos analgicos.
Los modelos analgicos o de circuitos equivalentes constituyen una representacin a
nivel circuital del comportamiento elctrico del dispositivo. Dicha representacin se
realiza mediante conexionado de elementos pasivos y activos propios de la teora de
circuitos. Dichos modelos no constituyen una representacin del comportamiento fsico
interno del dispositivo sino que son tiles desde el punto de vista de su aplicacin
prctica.
Por ejemplo, un transistor bipolar funcionando en configuracin de emisor comn.
Cuando el transistor bipolar funciona con seal de pequea amplitud (condicin
dinmica de funcionamiento), las ecuaciones que definen sus parmetros relacionan
magnitudes elctricas de una forma lineal. Estas ecuaciones son susceptibles de ser
representadas por circuitos equivalentes que contengan impedancias (o admitancias) y
generadores dependientes (de corriente o tensin). As, un transistor bipolar que
funciona en condiciones dinmicas puede ser representado por un cuadripolo (Fig. 16)
pudindose obtener dos relaciones entre las cuatro magnitudes mostradas.
Fig. 16: Cuadripolo con la indicacin de las variables de entrada (i
b
, v
be
)
y de salida (i
c
, v
ce
)
Se trata del caso de configuracin en emisor comn, con entrada por la base y salida por
colector, referida a emisor. Las corrientes i
b
e i
c
pueden escribirse de la forma:
ce re be ie b
v y v y i +
ce oe be fe c
v y v y i +
0
,
_
ce
v
be
b
ie
v
i
y =admitancia de entrada
0
,
_
be
v
ce
c
oe
v
i
y =admitancia de salida
0
,
_
ce
v
be
c
fe
v
i
y =admitancia de transferencia directa
0
,
_
be
v
ce
b
re
v
i
y =admitancia de transferencia inversa
El correspondiente modelo analgico o circuito equivalente asociado a estas ecuaciones
es el de Fig. 17. Este circuito representa el modelo del circuito equivalente a la
configuracin en emisor comn, no explica el funcionamiento interno del dispositivo
pero es muy til en la aplicacin prctica.
Fig. 17: Modelo analgico o circuito equivalente en T del transistor bipolar de
pequea seal con los parmetros admitancia.
Para cada propsito prctico aparece un modelo de circuito equivalente que responde
al comportamiento circuital del dispositivo. As aparecen modelos para la descripcin
del comportamiento en rgimen de pequea o gran seal, en corriente continua, etc.
ANEXO:Obtencin de las expresiones matemticas del
modelo de Kronig-Peney
Las funciones de onda asociadas al electrn se obtienen resolviendo la ecuacin de
Schrdinger independiente del tiempo:
[ ] 0 ) ( ) (
2 ) (
2 2
2
+
x x W E
h
m
dx
x d
Las soluciones de esta ecuacin con significado fsico corresponden a funciones de
onda asociadas a los electrones que son planas indicando la direccin de propagacin
mediante el vector de onda K y moduladas por una funcin U(x) que posee la misma
periodicidad que la de la red cristalina. Son las llamadas funciones de Bloch (basadas en
el Teorema de Floquet):
iKx
e x U x ) ( ) (
siendo ) ( ) ( ) ( L N x U L x U x U + + ; N n de tomos del cristal
y, por tanto,: ) ( ) ( b U a U
En las regiones I en que W(x)=0:
iKx
I I
e x U x ) ( ) (
iKx I iKx
I
I
e
dx
dU
e x U K i
dx
x d
+
) (
) (
iKx I iKx I iKx
I
I
e
dx
U d
e
dx
x dU
K i e x U K
dx
x d
+ +
2
2
2
2
2
) (
2 ) ( ) (
) (
definiendo
2
2
2
h
mE
; se obtiene a partir de la ecuacin de Schrdinger:
0 ) (
) (
2
) (
2 2
2
2
+ +
I
I I
U K
dx
x dU
K i
dx
x U d
En las regiones II, W(x)=W

0
y con la substitucin:
2
0 2
) ( 2
h
E W m

anlogamente se obtiene la ecuacin:
0 ) (
) (
2
) (
2 2
2
2
+ +
II
II II
U K
dx
x dU
K i
dx
x U d
La solucin de las dos ecuaciones diferenciales resultantes es de la forma:

( )x k i x K i
I
e B e A U
+
+
) (
( )x ik x iK i
II
e D e C U
+
+
) (
donde A, B, C y D son constantes.
Las funciones U y
dx
dU
han de ser continuas en los lmites y se cumple la relacin
U(a)=U(-b) por ser U una funcin peridica. Estas condiciones de contorno se
satisfacen si:
0 0
) 0 ( ) 0 (
x
II
x
I
II I
dx
dU
dx
dU
U U
Continuidad en los lmites de U y
dx
dU

b x
II
a x
I
II I
dx
dU
dx
dU
b U a U ) ( ) (
Periodicidad de U y
dx
dU
Es decir:
D C B A + +
D iK C iK B K i A K i + + ) ( ) ( ) ( ) (
b iK b iK a K i a K i
e D e C e B e A
) ( ) ( ) ( ) ( + +
+ +

b iK b iK a K i a K i
e D iK e C iK e B K i e A K i
) ( ) ( ) ( ) (
) ( ) ( ) ( ) (
+ +
+ +

Si se pasan todos los trminos del segundo miembro de cada una de las igualdades al
primer miembro se tendr un sistema homogneo de cuatro ecuaciones en A, B, C y D.
Empleando la regla de Cramer para los sistemas homogneos se llega a la conclusin de
que el sistema tiene solucin distinta de cero si el determinante formado por los
coeficientes de A, B, C y D es distinto de cero.
Despus de unos laboriosos clculos algebraicos, se puede comprobar que esta
ltima condicin se satisface si:
) cos( ) cos( ) cosh( ) sin( ) sinh(
2
2 2
L K a b a b +

; para E<W
0
donde se ha tenido en cuenta que L =a +b
Esta es una ecuacin trigonomtrica implcita que permite obtener los valores de la
energa asociados a las distintas funciones de onda del electrn. Su solucin es de tipo
numrico o grfico.
Finalmente, para ver representadas completamente de forma grfica las bandas
permitidas y prohibidas es necesario resolver adems el caso E >W
0
. En este caso el
parmetro es imaginario y para explicitar este hecho y resolver en trminos reales la
ecuacin se realizan pequeas operaciones algebraicas:
j ; ) sin( ) sinh( ) sinh( b j b j b
) cos( ) cosh( ) cosh( b b j b
y, de esta manera, la ecuacin anterior se transforma en:
) cos( ) cos( ) cos( ) sin( ) sin(
2
) (
2 2
L K a b a b +

+

; para E >W
0
Las dos expresiones anteriores constituyen el modelo matemtico de Kronig-Peney.

Modelos en Semiconductores y en Física

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TEMA 1 : Modelos en Semiconductores y en Dispositivos Semiconductores.

I.T.T.(S.E.) - Universitat de Valncia - Curso 00/01 -1-

En las regiones II, W(x)=W

La solucin de las dos ecuaciones diferenciales resultantes es de la forma:

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