Tema Polarizacion

Campos Electromagneticos.
Ingenieros Industriales. Universidad de Sevilla

Tema 7: Polarizaci on
1. Modelo microsc opico dipolar: Dipolos inducidos. Polarizabilidad molecular. Dipolos per-
manentes. Sustancias polares y apolares.
2. Vector polarizaci on: Denicion. Potencial y campo producido por un cuerpo polarizado.
Cargas de polarizacion. Interpretaci on fsica.
3. Vector desplazamiento: Ley de Gauss para medios dielectricos. Denicion de vector desplaza-
miento. Discontinuidades sobre supercies cargadas.
4. Leyes constitutivas: Homogeneidad, isotropa y linealidad en materiales dielectricos. Otros
materiales. Susceptibilidad, permitividad y constante dielectrica.
5. Problemas de potencial en presencia de dielectricos: Formulaci on general de la elec-
trost atica. Medios lineales.
6. Energa y fuerzas en presencia de dielectricos: Trabajo elemental de carga de un sistema.
Condiciones para la denici on de una energa electrica. Energa en medios lineales y ferroelectricos.
Interpretacion termodin amica. Fuerzas a partir del principio de trabajos virtuales.
7.1. Modelo microsc opico dipolar
En el tema 5 hemos establecido la distinci on entre cargas libres y ligadas, seg un el criterio de su
posibilidad de movimiento dentro del material. Si la carga se encuentra asociada inequvocamente
a un conjunto (molecula, atomo o ion), es decir, que no se separa de el ilimitadamente, decimos
que se trata de una carga ligada. Un campo externo act ua tambien sobre este tipo de carga,
deformando u orientando la estructura neutra a la que pertenece. Como ejemplo consideremos un
atomo de hidr ogeno. En ausencia de fuerzas electricas externas el atomo puede imaginarse como
una carga positiva casi puntual en el n ucleo (el proton) y una nube de carga negativa con simetra
esferica rodeandolo (el electr on en su estado cu antico fundamental). Esta conguraci on produce
un campo electrico nulo en su exterior. Cuando un campo electrico externo act ua sobre el atomo,
el proton sufre una fuerza en la direccion y sentido del campo, mientras que la nube electr onica
sufre una fuerza opuesta. El resultado es una perdida de simetra esferica en la distribuci on, de
manera que el propio campo producido por el atomo deja de ser nulo fuera de el.
En consecuencia, los materiales aislantes responden a un campo externo modicando en mayor
o menor medida su estructura y produciendo a su vez campos que debemos sumar al externo.
El concepto de dipolo electrico, visto en el tema 3, es la base que nos permitir a describir el
comportamiento de estos materiales.
En el ejemplo visto del atomo de hidr ogeno podemos llegar a la conclusi on de que el campo
electrico externo induce la formaci on de un dipolo. En efecto, en ausencia de campo externo la
distribuci on de carga tiene un momento dipolar nulo debido a la simetra esferica, mientras que
Tema 7: Polarizaci on 1
Campos Electromagneticos. 2

con campo aplicado aparece un momento dipolar, tanto mayor cuanto mayor sea la deformaci on
producida en el sistema. El efecto se puede describir diciendo que el centro de cargas positivas
(analogo al concepto de centro de masas) y el de cargas negativas no coinciden. Por otra parte,
una vez eliminado el campo externo, el atomo vuelve a su estado original (puesto que las fuerzas
puestas en juego son conservativas) y el dipolo desaparece. A este efecto, presente en todas las
sustancias, se le denomina polarizaci on inducida. Tambien se induce polarizacion, es decir,
separaci on entre los centros de carga positiva y negativa, al aplicar campos electricos a moleculas
formadas por iones de distinto signo. Por ello es usual distinguir dentro de los fen omenos de
polarizaci on inducida entre la polarizaci on electr onica y la polarizaci on i onica, seg un se
trate del primer caso o del segundo.
El momento dipolar inducido es proporcional al campo aplicado:
p =
E,
siendo la polarizabilidad. Si la estructura molecular no tiene simetra esferica tiene car acter
tensorial. Si el campo aplicado es muy intenso la relaci on deja de ser lineal, e incluso se puede
llegar a la ionizaci on de la molecula.
Ejemplo: Polarizabilidad de un atomo de hidrogeno.
La distribuci on de carga asociada a la nube electr onica del atomo de hidr ogeno en su estado fundamental tiene
simetra esferica y viene dada por la densidad
(r) =
q
e
a
3
0
e
2r/a0
,
siendo q
e
= 1,9 10
19
C la carga del electron y a
0
= 5,3 10
11
m el llamado radio de Bohr, par ametro que da
una idea de la distancia al n ucleo hasta donde la distribucion de carga (que en teora se extiende hasta el innito)
tiene un valor apreciable. Supongamos que sometemos el atomo a un campo electrico uniforme de intensidad E
0
, y
que se produce un desplazamiento d del n ucleo respecto del centro de la nube electr onica sin que esta se deforme.
Que polarizabilidad posee el atomo?
Suponemos que el desplazamiento del n ucleo es peque no, d << a
0
, y que por tanto podemos aproximar la
distribuci on cerca del centro por los primeros terminos del desarrollo en serie de Taylor,
(r)
q
e
a
3
0
_
1
2r
a
0
+. . .
_
.
El campo se calcula usando la ley de Gauss en forma integral, tal y como se vio en el tema 3, y si nos quedamos
con el primer termino en el desarrollo anterior resulta
E(r) =
(0)r
3
0
=
q
e
r
3
0
a
3
0
.
Este campo produce una fuerza de restituci on sobre el n ucleo F = q
e
E = kr an aloga a la de un resorte de
constante k = q
2
e
/(3
0
a
3
0
). Se alcanza una posicion de equilibrio cuando el desplazamiento es tal que E(r
eq
) = E
0
, lo
cual da r
eq
= 3
0
E
0
a
3
0
/q
e
. El momento dipolar es p = q
e
r
eq
, dirigido seg un el campo aplicado

E
0
. La polarizabilidad
se resulta entonces = 3
0
a
3
0
.
El campo necesario para que se pierda la proporcionalidad entre p y

E
0
es aquel que produce un desplazamiento
del orden de a
0
, puesto que entonces el desarrollo en serie de Taylor no aproxima bien la funci on; esta condicion se
escribe r
eq
= 3
0
E
0
a
3
0
/q
e
a
0
. Sustituyendo valores, el campo se estima en E
0
3 10
10
V/m. En ese orden se
produce ya la ionizaci on del atomo.

El efecto conjunto de las moleculas polarizadas da lugar a un campo macrosc opico observable,
que calcularemos en el pr oximo apartado.
Existe otro mecanismo por el cual una sustancia sometida a campos externos puede dar lugar a
campos observables. Para ello debemos distinguir entre moleculas polares y apolares, seg un
si su estructura en ausencia de campo aplicado tiene asociada un momento dipolar o no. La
molecula de agua tiene una estructura en forma de angulo y posee un momento dipolar no nulo.
Una sustancia polar tiene en general sus moleculas orientadas de manera arbitraria, por lo que el
momento dipolar medio en cualquier punto es cero. Esta situaci on desordenada cambia cuando se
aplica un campo externo, puesto que, seg un vimos en el tema 3, los dipolos permanentes tienden
a orientarse seg un la direcci on del campo (recordemos que el momento de la fuerza electrica es
p

E). Esta tendencia compite con la agitaci on termica, que mediante el mecanismo de choques
entre moleculas tiende a desordenar su orientaci on. El resultado es un equilibrio dinamico con
un mayor n umero de moleculas con sus dipolos orientados de tal forma que el promedio es no
nulo y va en la direcci on del campo. La justicaci on de ello se puede hacer mediante un c alculo
estadstico sencillo, pero no lo llevaremos a cabo. A este tipo de polarizaci on de la materia se la
denomina polarizaci on por orientaci on.
Los dos mecanismos de polarizaci on vistos anteriormente pueden coexistir en la polarizaci on de
una sustancia polar, pero como es m as facil rotar una molecula que deformarla, el mecanismo de
orientacion suele ser el dominante.
La polarizaci on de las moleculas de un medio es responsable de muchos fenomenos de atrac-
cion intermolecular, que dan lugar a estados de agregaci on de la materia. Por ejemplo, el agua
puede presentarse en estado gaseoso, lquido o s olido dependiendo de la importancia relativa de
la agitacion termica respecto de la interaccion dipolo-dipolo.
Ejemplo: Fuerzas de van der Waals.
Las fuerzas de Van der Waals son responsables de la debil cohesion de muchas sustancias. Tienen su origen en
una interacci on de tipo dipolar entre moleculas apolares. Si una molecula sufre una uctuacion temporal en su
distribuci on de carga, adquirir a un momento dipolar p
1
no nulo durante un cierto instante, que a su vez produce
un campo dipolar inversamente proporcional al cubo de la distancia al dipolo, E
1
1/r
3
(omitimos la dependencia
angular obtenida en el tema 3, que no nos interesa para nuestro argumento). Si existe otra molecula cerca de la
primera, el campo E
1
inducir a una polarizacion con momento p
2
= E
1
p
1
/r
3
. La interacci on entre ambos
dipolos viene descrita por una energa proporcional al producto de los momentos dipolares, dividido por el cubo
de la distancia entre ambos (tampoco usamos la dependencia angular, hallada en otro ejemplo del tema 3). Por
tanto podemos escribir U
interac
p
2
1
/r
6
. Se trata de una energa de interaccion atractiva, que promediada sobre
uctuaciones aleatorias no desaparece, puesto que depende del cuadrado de p
1
. La ley de tipo 1/r
6
indica que se
trata de una interaccion de corto alcance.
En lo que sigue supondremos que la distribuci on de dipolos producidos en un material nos es
dada y nos preocuparemos de encontrar los campos que a su vez produce esta distribuci on.
7.2. Vector polarizaci on
Se dene el vector polarizaci on

P, como la densidad de momento dipolar por unidad de
volumen. Si en un material consideramos un elemento de volumen centrado en r, en el que

existen N moleculas con momentos dipolares p
i
se tendra
P(r) = lm
0
1
i=1
p
i
.
Esta expresi on nos permite, como es habitual, pasar a un tratamiento de la materia como un
continuo y olvidarnos de los detalles microsc opicos. La polarizaci on se mide en el Sistema Inter-
nacional en C/m
2
.
Ejemplo:
Una muestra de diamante tiene una densidad masica de 4 g/cm
3
. Situada en un campo electrico se polariza
uniformemente siendo el momento dipolar por unidad de volumen de 10
6
C/m
2
. Calc ulese el momento dipolar
medio de cada atomo.
Si en un volumen se encierran N dipolos podemos escribir, por la propia denici on de momento dipolar medio,
N
i=1
p
i
= N p) y la polarizaci on, o momento dipolar por unidad de volumen, ser a
P =
N p)
=
N
A
m p)
M
=
N
A
p)
M
,
donde N
A
es el n umero de Avogadro, es la densidad masica del diamante y M = 12 g la masa de un mol de
carbono. Hemos usado que N/N
A
= m/M. Despejando p) y sustituyendo los valores numericos su modulo resulta
ser p) = 5 10
36
C m.
Dado que el potencial que crea un dipolo situado en el origen es (ver tema 3)
V (r) =
p r
4
0
r
3
,
el potencial que crea en un punto r una distribuci on

P(r
1
) denida en cada punto r
1
del cuerpo
polarizado, situado en una region del espacio , se obtendr a sumando los potenciales creados por
cada elemento de volumen en que descomponemos :
V (r) =
1
4
0
_
P(r
1
) (r r
1
)
[r r
1
[
3
d
1
.
Esta expresi on es v alida en principio para puntos exteriores a la distribuci on de dipolos, puesto
que en las cercanas de uno de ellos el potencial dipolar usado no es valido. De hecho, dentro del
material el campo es extraordinariamente complicado, si tenemos en cuenta que su valor vara
mucho espacial y temporalmente debido a los detalles microsc opicos de distribuci on de la carga.
Sin embargo es posible dar argumentos sencillos para demostrar que la f ormula anterior es v alida
tambien en el interior del material (vease D.J. Griths, Introduction to Electrodynamics, Prentice
Hall), entendiendo por campo en el interior un valor que es promedio espacio-temporal del campo
microscopico en dicho punto.
El potencial encontrado puede expresarse de otro modo manipulando el integrando. En particular
tenemos en cuenta que
r r
1
[r r
1
[
3
=

1
_
1
[r r
1
[
_
,

y que por tanto, usando el desarrollo de la divergencia de una funci on escalar por una vectorial,
P(r
1
) (r r
1
)
[r r
1
[
3
=

P(r
1
)
[r r
1
[
1

P(r
1
)
[r r
1
[
.
El integrando original da lugar a dos terminos, donde uno de ellos es una divergencia, que integrada
en el volumen se puede transformar en una integral de supercie denida en la frontera S
:
V (r) =
1
4
0
_
S
P(r
1
) d
S
[r r
1
[

1
4
0
_

P(r
1
)
[r r
1
[
d
1
.
Comparando esta expresi on con la que proporciona el potencial de una distribuci on volumetrica
de carga mas otra supercial podemos interpretar que la polarizaci on del material da lugar a una
distribuci on volumetrica de carga en y una supercial en S
, denidas por las expresiones
(P)
=

P,
(P)
S
=

P n,
donde n es el vector normal saliente denido en cada punto de la supercie del cuerpo polariza-
do. Dada la distribuci on de momentos dipolares denida mediante una densidad volumetrica

P,
podemos sustituirla por distribuciones de cargas de polarizaci on en volumen,
(P)
, y supercie,
(P)
S
.
Aun cuando las cargas de polarizaci on han aparecido en virtud de una manipulaci on matem atica,
hay que advertir que se trata de cargas reales. Esto lo podemos ver con dos ejemplos sencillos:
1. Una placa de cierto espesor de material polarizado uniformemente en la direcci on perpendicular
a sus caras puede entenderse como una distribucion de dipolos de igual valor orientados seg un esa
direccion. Si cada dipolo se entiende como dos cargas opuestas, las capas de dipolos adyacentes a
cada supercie del material producen distribuciones de carga supercial, positiva a la derecha y
negativa a la izquierda (ver gura) cuyo valor podemos estimar a partir de un c alculo sencillo: el
momento dipolar de una porci on de tubo de campo de

P es PSd, que puede ser entendido como
un solo dipolo de valor qd; por tanto q = PS y la densidad supercial resulta
(P)
S
= P. En
cambio las cargas en el interior del material se cancelan, usando las cargas positivas y negativas
de dipolos de capas contiguas. Esto est a de acuerdo con la aplicaci on de las formulas propuestas,
puesto que si

P es uniforme su divergencia es nula y en efecto se predice
(P)
= 0, mientras que
en la supercie la formula

P n conduce a distribuciones superciales de signo correcto y valor
absoluto P.
-+ -+ -+ -+
-+
P
0
-+ -+ -+
-+ -+ -+ -+
-+ -+ -+ -+
densidad
superficial
negativa
densidad
superficial
positiva
densidad neutra
en volumen
2. Si ahora, considerando la misma geometra, la polarizaci on crece desde una supercie a la otra,
el momento dipolar en cada capa crece con la distancia a la supercie de la izquierda y no hay
compensacion completa entre las cargas positivas de una capa y las negativas de la siguiente.

En los dos ejemplos que acabamos de comentar se ha optado por una de las muchas formas en que
podemos agrupar las cargas ligadas; ello debe entenderse por tanto como argumento plausible (y
no demostraci on) que da sentido fsico a las distribuciones de carga macrosc opicas que sustituyen
a la distribuci on de dipolos.
La carga total de un cuerpo aislante polarizado debe ser nula (salvo que se deposite carga libre
por alg un metodo). Esto implica que la suma de cargas en supercie y en volumen dar a cero. En
efecto,
q
(P)
total
=
_
(P)
d +
_
S
(P)
S
dS =
_

Pd +
_
S
P ndS = 0,
sin mas que aplicar el teorema de la divergencia.
7.3. Vector desplazamiento
Si escribimos la ley de Gauss distinguiendo los tipos de densidades de carga que conocemos
resulta

E =
1
0
(
(f)
+
(P)
),
donde
(f)
es la densidad de carga libre y
(P)
la de polarizaci on. Usando la denici on de esta
ultima queda

E =
1
0
_
(f)

P
_
.
Multiplicando todo por
0
y pasando el termino de divergencia del segundo al primer miembro
podemos escribir
(
0
E +

P) =
(f)
.
Si denimos un nuevo campo vectorial,

D seg un la f ormula
D =
0
E +

P
la ley de Gauss se reescribe sencillamente

D =
(f)
.
Al vector

D se le denomina desplazamiento electrico, o simplemente vector desplazamiento.
No se trata de una magnitud medible directamente, sino mas bien un campo auxiliar que facilita
la formulaci on del problema electrico en presencia de medios polarizables.
El nuevo aspecto de la ley de Gauss no debe llevar a la conclusi on de que la polarizaci on no
interviene en las fuentes del campo electrico. Para ello no hay m as que considerar un problema
electrost atico, para el cual

E es irrotacional. En este caso se tiene

E =
1
D

P)

D =

P ,= 0,
es decir,

D posee fuentes vectoriales relacionadas con la polarizaci on.
Sin embargo en algunas situaciones en que el rotacional de

P es nulo, y en particular en muchas
situaciones de alta simetra,

D se obtiene inmediatamente a partir de la nueva ley de Gauss en
forma integral:

_
S
G
D d
S =
_
(f)
d = q
(f)
.
donde q
(f)
es la carga libre encerrada por la supercie gaussiana S
G
.
Esta ley integral permite discutir el comportamiento de

D al pasar a traves de una distribucion
supercial de carga. Siguiendo un procedimiento totalmente an alogo al que nos permiti o deducir
la condicion n [
E] =
S
/
0
(vease el tema 2), encontramos una condici on de salto para la com-
ponente normal del vector desplazamiento, que ahora se relaciona s olo con la densidad supercial
de carga libre:
n [
D] =
(f)
S
Tambien se llega a esta condicion a partir de la del salto en

E simplemente usando la f ormula
de denicion

D =
0
E +

P, que
S
=
(f)
S
+
(P)
S
y que
(P)
S
=

P n, aunque hay que tener la
precauci on de considerar la carga supercial de polarizaci on a un lado y a otro de la distribuci on
de carga libre. Esto se deja como ejercicio.
7.4. Leyes constitutivas
Al discutir los mecanismos de polarizaci on de moleculas de material dielectrico hemos visto que
la polarizaci on del material debe relacionarse con la existencia de un campo externo que, o bien
induce la formaci on de dipolos, o bien produce la orientaci on preferente de dipolos ya existentes
en la direcci on de dicho campo. A una ley fenomenol ogica que determine la relaci on entre

P y

E
se la denomina la relacion constitutiva del material. Esta relaci on puede ser muy complicada
para ciertos tipos de material, pero en muchos casos la relaci on es de simple proporcionalidad. Si
el material es lineal, is otropo y homogeneo los valores de ambos campos es
P =
0
E
donde al escalar
e
se le denomina susceptibilidad electrica, propia de cada material. Comen-
tamos a continuaci on el origen de los tres adjetivos usados:
* Es lineal cuando la susceptibilidad se puede denir y es independiente del campo electrico.
En general, como ya hemos comentado, la linealidad es cierta para campos moderados.
Existen sustancias, sin embargo, que incluso para campos peque nos no admiten una relacion
lineal, y ni siquiera se puede establecer una ley matem atica para su comportamiento, puesto
que el valor de

P en cada punto depende de la historia del material, es decir, de los sucesivos
valores que ha adquirido previamente el campo electrico en ese punto. Estos son los materiales
ferroelectricos. No vamos a extendernos en su descripci on porque en el proximo captulo
tendremos ocasi on de analizar los materiales ferromagneticos, que presentan caractersticas
an alogas y de mayor importancia pr actica.
* Es is otropo cuando

P y

E son colineales, sea cual sea la orientacion del ultimo. Un uido
normal siempre se comporta de manera is otropa, puesto que sus moleculas tienen libertad
para orientarse. En cambio en s olidos con estructura cristalina a veces es posible encontrar
comportamientos anisotropos. En tales casos la susceptibilidad tiene car acter tensorial, de

manera que su aplicaci on al vector

E produce otro vector que no va en general en la misma
direccion.
* El material es homogeneo cuando la susceptibilidad no depende de la posici on. Esto ocurre
cuando las caractersticas microscopicas y termodin amicas (temperatura, composici on, etc.)
son las mismas en cualquier punto del material. En denitiva, la homogeneidad en sentido
termodin amico conduce a la homogeneidad en sentido electrico.
Para completar esta clasicaci on debemos mencionar los electretes, o cuerpos que presentan
una polarizaci on permanente en ausencia de un campo externo aplicado. Existen otros materiales
con propiedades a un m as complejas, cuya polarizacion depende tambien del valor del campo
magnetico existente. Actualmente se siguen descubriendo materiales con nuevas e interesantes
propiedades desde el punto de vista electromagnetico (materiales opticamente activos, cristales
nematicos, etc.), lo cual hace que sea esta un area en continuo desarrollo.
En un material lineal existe tambien proporcionalidad entre

D y

E. En efecto,
D =
0
E +

P =
0
(1 +
e
)
E =
E,
donde =
0
(1 +
e
) se denomina la permitividad del material. Otra cantidad que suele usarse
es la permitividad relativa al vaco,
r
= /
0
= 1 +
e
, tambien llamada constante dielectrica
del material.
A continuaci on se incluye una tabla con valores de permitividades relativas de algunas sustancias
en condiciones de presion y temperatura normales:
Material /
0
Aire 1.0
Vidrio 4-10
Cuarzo 4.3
Polietileno 2.3
Papel 2-4
Madera 2.5-8.0
Porcelana 5.7
Caucho 2.3-4.0
Alcohol etlico 28.4
Cloruro de sodio 6.1
Agua destilada 80
Agua de mar 72
En un medio lineal con permitividad , conocido uno del los tres vectores,

E,

D o

P, conocemos
los dem as sin m as que combinar convenientemente las relaciones anteriores. Por ejemplo,

P =
(
0
)
E.
7.5. Problemas de potencial en presencia de dielectricos
Si las condiciones de un problema son estaticas, el campo electrico es irrotacional y podemos hacer
uso del potencial electrostatico, tal y como se ha hecho anteriormente (temas 3 y 5). Tpicamente
se tiene un sistema en el que existen regiones conductoras y regiones dielectricas (ver gura).

1 E=0
E
E=0
2
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
- +
+
+
El problema electrost atico con toda generalidad se plantea en la forma
E =
V ;

D =
0
E +

P;

D =
(f)
,
pero si los medios son lineales,

P =
0
E, y se reduce a
V ) =
(f)
.
En muchas ocasiones los medios dielectricos son n piezas sin carga libre y caracterizadas por
una permitividad homogenea,
i
. En tales casos debemos plantear un problema para cada regi on,
2
V
i
= 0 en
i
, i = 1, 2, . . . , n
y conectar los distintos problemas a traves de las condiciones de contorno en las supercies de
separaci on entre regiones, que son de dos tipos:
1. Continuidad del potencial: si S
ij
es la supercie que separa la region i de la j, exigimos
que V
i
(r) = V
j
(r) en r S
ij
.
2. Salto en D
n
: si en S
ij
existe una distribuci on supercial de carga libre
S,ij
(normalmente
nula) y n
ij
es el vector normal que va del medio i al j, se cumplira n
ij
(
i
V
i
V
j
) =
S,ij
.
En la supercie de los conductores eventualmente presentes conocemos el potencial, que es con-
stante en toda la pieza, o bien su carga libre total. Con esto queda determinado el problema de
contorno. Aunque en este curso no nos planteamos resolver problemas con geometra complicada,
es importante conocer este planteamiento general, puesto que es lo que necesitamos saber para
utilizar los paquetes de resoluci on numerica mediante elementos nitos existentes en el mercado
(FlexPDE, Comsole, etc.).
En situaciones en que la simetra del sistema es sucientemente alta, es posible resolver el
problema aplicando la ley de Gauss en forma integral, una vez que la dependencia de los campos
con las coordenadas se ha reducido y tambien su orientacion espacial.
Ejemplo:
Una esfera conductora de radio R
1
con carga libre q esta rodeada de una capa dielectrica de radio exterior R
2
y
permitividad . H allese el campo electrico y las distribuciones de carga en todo el espacio.
La simetra del problema nos permite decir que el campo electrico s olo va a depender de la distancia al centro del
sistema y va a ser radial, puesto que la carga libre se distribuir a uniformemente y la carga de polarizacion que surja
en el dielectrico no puede distinguir una direccion privilegiada en el espacio. Por tanto

E = E(r)u
r
y aplicamos
_
S
D d
S = q
(f)
(),

donde S es una supercie gaussiana esferica de radio r que iremos eligiendo convenientemente, y q
(f)
() es la carga
encerrada en el volumen delimitado por la supercie gaussiana.

D es tambien radial y dependiente s olo de r. El
ujo resulta simplemente 4r
2
D(r) y la carga encerrada es q si r > R
1
. En resumen,
D =
q
4r
2
u
r
.
El campo electrico es

E
i
=

D/
i
, donde distinguimos si estamos en la capa dielectrica o en el vaco. Por tanto
E =
q
4r
2
u
r
si R
1
< r < R
2
,
q
4
0
r
2
u
r
si r > R
2
.
El salto en el valor de

E en r = R
2
indica que en dicha supercie se acumula carga de polarizaci on. Su valor
viene dado por la relaci on
(P)
S
=

P n = (
0
)E(R
2
), siendo E(R
2
) el campo electrico evaluado en el dielectrico
y n la normal saliente del cuerpo dielectrico, es decir, u
r
. Esto conduce a
(P)
S
=
(
0
)q
4R
2
2
.
Tambien hay carga supercial de polarizaci on en r = R
1
, contigua a la carga libre que existe sobre el conductor.
Ahora es n = u
r
y se tiene
(P)
S
=
(
0
)q
4R
2
1
.
En este caso no hay carga en volumen, puesto que
(P)
=

P =

D(
0
)/ = 0. Esto ocurre obviamente
siempre que el medio dielectrico no acumule carga libre y sea homogeneo.
Ejemplo:
Un condensador plano con armaduras de area S
0
y separacion d se rellena parcialmente de un material dielectrico
de permitividad . Obtengase la nueva capacidad en los dos casos siguientes: (a) placa dielectrica de espesor e
colocada paralelamente a las armaduras; (b) placa dielectrica de espesor d parcialmente introducida, siendo S la
supercie introducida.
z
x
y
d
V=0 V=V
0
e e
0
e
I II
z
x
y
d
e
e
0
I
II
S
1
S S
(b) (a)
S
G
V=0 V=V
0
(a) Supongamos para empezar que el dielectrico se introduce en contacto con una de las armaduras. Existen dos
regiones con distinta permitividad dentro del condensador, que en la gura aparecen como I y II. Si no tenemos
en cuenta los efectos de borde, la homogeneidad del material y la geometra nos garantizan que, sea cual sea
la distribuci on de cargas libres y ligadas, estas no depender an de x ni de y. El campo electrico ser a entonces
perpendicular a las armaduras, es decir

E = E(z)u
z
, y por tanto

D = D(z)u
z
. Si aplicamos la ley de Gauss para
dielectricos, en forma integral, tomando una supercie gaussiana en forma de paraleleppedo recto que encierre la
carga libre de la armadura positiva y llegue a un valor de z arbitrario (ver gura), podemos escribir
_
SG
D d
S = D(z)S; q
(f)
=
(f)
S
S,

luego D(z) =
(f)
S
, que es constante para cualquier z. Esto ocurre incluso cuando pasamos del medio dielectrico al
vaco. Sin embargo el campo electrico s sufre un salto, puesto que

E
I
=

D/ pero

E
II
=

D/
0
. Si la diferencia
de potencial entre armaduras es V
0
, la circulacion del campo hallado nos suministra la relacion entre carga libre y
potencial:
V
0
= E
I
e +E
II
(d e) =
q
(f)
S
_
e
+
d e
0
_
.
La capacidad resulta C =
q
(f)
V
0
=
S
e/ + (d e)/
0
.
Si e = d la f ormula se reduce a la de un condensador plano salvo por la sustituci on de la permitividad del vaco
por la del material que rellena el condensador.
Puede comprobarse que la capacidad encontrada equivale a la asociaci on en serie de dos condensadores de igual
area y separaciones e y d e, uno relleno de dielectrico y otro vaco. Tambien es interesante observar que la
localizacion de la placa dielectrica dentro del condensador no altera el resultado.
Las cargas de polarizacion se limitan a dos distribuciones superciales opuestas en las caras de la placa dielectrica,
de valor
(P)
S
=
(f)
S
(
0
)/.
(b) Si ahora la placa dielectrica tiene el grosor del condensador, d, y se introduce parcialmente hasta un area S
1
se
pierde la simetra del problema. Las distribuciones de carga libre y ligada no son necesariamente uniformes seg un las
coordenadas x e y. No obstante vamos a ensayar una soluci on sencilla que consiste en un campo electrico uniforme
E = u
z
V
0
/d en todo el condensador. Esta propuesta viene motivada por dos consideraciones: (i) si cada medio
fuera ilimitado el campo cumplira todas las condiciones exigidas (satisface la ecuacion de Laplace, las armaduras
son equipotenciales y la circulacion del campo entre ambas nos da la diferencia de potencial establecida); (ii) en la
frontera entre ambos medios se cumplen todas las condiciones exigidas. En efecto, la continuidad de la componente
tangencial de

E se cumple por ser el campo propuesto tangencial e igual en ambos medios, mientras que, al no haber
carga libre en la frontera, la continuidad de la componente normal del vector

D se garantiza al ser proporcional al
campo electrico y no tener este componente en esa direccion.
Es interesante analizar c omo se distribuyen las cargas libres y ligadas. Aplicando la condici on de salto en el vector
desplazamiento, n
_
D
_
=
(f)
S
, a cualquiera de las armaduras obtenemos
(f)
S
= D, pero D
I
= E y D
II
=
0
E,
por lo que en la supercie adyacente a cada medio la densidad de carga libre es constante, pero con valor distinto.
En cambio la condici on de salto para el campo electrico incluye toda la carga (libre y de polarizaci on); como el
campo es uniforme, la carga supercial total en cada armadura es tambien uniforme. Esto es posible porque la
carga de polarizaci on tambien cambia de un medio al otro y se ajustapara hacer uniforme la distribuci on total.
Puede comprobarse esto mediante el calculo directo
(P)
S
=

P n. Una ultima observaci on al respecto: la carga total
es suma de dos distribuciones superciales contiguas, una libre, en la armadura, y otra ligada, en la frontera del
dielectrico.
La capacidad se calcula dividiendo la carga libre acumulada en la armadura positiva por la diferencia de potencial
entre ambas. La carga libre es
q
(f)
=
(f)
SI
S
1
+
(f)
SII
(S S
1
) = D
I
S
1
+D
II
(S S
1
) = ES
1
+
0
E(S S
1
) =
V
0
d
[S
1
+
0
(S S
1
)] .
La capacidad resulta
C =
1
d
[S
1
+
0
(S S
1
)] .
Se observa que el resultado coincide con la asociaci on de dos condensadores en paralelo, uno de area S
1
y separacion
d relleno de dielectrico y otro de area S S
1
, igual separaci on y vaco.
7.6. Energa en presencia de dielectricos
En el tema 2 se asign o a la cantidad u
E
=
0
E
2
/2 el car acter de densidad volumetrica de
energa electrica asociada a un sistema que produce un campo

E(r) en el espacio. En el tema

3, referido a sistemas est aticos, se vio que la energa electrica total del sistema U
E
=
_
u
E
d,
donde la integral se extiende a todo el espacio, se puede interpretar como el trabajo necesario
para traer las cargas desde el innito, partiendo del reposo, hasta su posici on nal. Esta energa
es en principio totalmente recuperable (el sistema la puede ceder) si no estamos en presencia de
medios materiales.
Cuando estamos en presencia de medios polarizables nos encontramos con la dicultad de que
en un proceso de carga del sistema, trayendo carga desde el innito, entran en juego fuerzas de
muy diverso tipo, pudiendo existir transformacion de parte del trabajo realizado por nosotros en
calor (fen omenos disipativos). Por ello, aun cuando la energa denida en temas anteriores tiene
un signicado claro, no resulta en general util, puesto que ni coincide con el trabajo que nosotros
realizamos para cargar el sistema, ni tenemos garanta de que en un proceso vayamos a obtenerla
en forma de trabajo realizado por el sistema.
Para discutir en que condiciones es posible denir una energa electrost atica en presencia de
materiales polarizables vamos a calcular cual es el trabajo elemental W que debemos realizar
para incrementar la distribuci on de carga libre,
(f)
(r) del sistema. Es importante recalcar que nos
interesa una variaci on de carga libre
(f)
(r) porque en la pr actica es el tipo de carga que podemos
manejar (en cambio no podemos actuar directamente sobre la carga de polarizaci on). Usando la
interpretaci on del potencial electrost atico V (r) como trabajo necesario para traer la unidad de
carga desde el innito hasta la posici on r, podemos escribir
W =
_
esp
(f)
(r)V (r)d.
La variaci on de densidad de carga libre se puede expresar en funci on de la variaci on del vector
desplazamiento a partir de la ley de Gauss:
(f)
= (

D) =

D,
con lo que el trabajo elemental queda
W =
_
esp
V

Dd =
_
esp
(V
D)d
_
esp
Dd,
donde hemos usado el desarrollo de la divergencia de un campo escalar por uno vectorial. La
primera de las dos integrales resultantes puede transformarse en una de supercie aplicando el
teorema de la divergencia. Dado que el volumen de integraci on es todo el espacio, consideramos
la integral extendida a una esfera de radio R que luego hacemos tender a innito. Siguiendo un
argumento ya usado en otras ocasiones, si las distribuciones de carga decaen sucientemente r apido
con la distancia a un punto, podemos admitir que la integral de supercie es nula una vez tomado
el lmite R . La otra integral se puede escribir
W =
_
esp
Dd.
El trabajo total necesario para cargar un sistema es la suma de trabajos elementales, partiendo de
una situaci on original sin carga libre (que habitualmente corresponde a campos

E y

D nulos en
todo el espacio) hasta una situaci on nal en la que estos campos poseen valores conocidos

E(r) y
D(r). Podemos expresar esta suma como una integral de evoluci on de los campos en cada punto
del espacio:
W =
_
esp
d
_
_
[
E(r),
D(r)]
[
0,
0],
D
_
,

donde indica que para cada punto espacial la evoluci on de los campos viene representada por
un camino en el espacio de las componentes de

D.
D
x
D
y
D
z
D(r)
g(r)
El criterio fundamental que nos permite establecer si un trabajo realizado por nosotros para
formar un sistema puede considerarse almacenado en el en forma de energa es que dicho trabajo
sea funci on exclusivamente de los estados inicial y nal del sistema (la energa es una funcion de
estado). Seg un esto, debemos exigir que la integral de lnea anterior, calculada en cada punto del
espacio, sea independiente del proceso de carga (r).
Un ejemplo importante de sistemas que admiten la denicion de una energa electrost atica es el
de los medios dielectricos lineales. Para estos medios en cada punto se tiene, si ademas son
isotropos,
D =

E (
E) =
1
2
(E
2
) =
1
2
(
D

E),
y por tanto la densidad de energa almacenada en cada punto es la integral de una diferencial
exacta, y nalmente se escribe la energa total como
U
E
=
1
2
_
esp
E

Dd.
Puede demostrarse que si el medio es lineal pero anisotropo, la f ormula anterior sigue siendo v alida,
pero hay que admitir que el tensor permitividad es simetrico. Digamos que la existencia de una
formula para la energa en estos medios proviene de la certeza de que para ellos todas las fuerzas
involucradas a nivel microscopico son conservativas, y una vez admitida su existencia, surge como
consecuencia la simetra del tensor permitividad.
Un ejemplo opuesto, con el que ponemos de maniesto que no siempre es posible denir la energa
de un sistema, es el de los medios ferroelectricos. Recordemos que para estos materiales no
existe en general una relacion unvoca entre los vectores

E y

D, sino que su valor depende de la
historia del material. En tal caso es evidente que la integral de lnea en el espacio D
x
, D
y
, D
z
depender a del proceso de carga, y no s olo del estado nal.

Nota avanzada:
La energa obtenida para medios lineales tiene un signicado termodinamico distinto que el visto para dis-
tribuciones en el vaco. En efecto, aunque el proceso de carga debera poder ser arbitrario, el hecho de que la
permitividad del material sea una funci on de la temperatura del sistema (y tambien de la presion, aunque en
menor grado), obliga a que el proceso concreto que dene la energa electrostatica del sistema sea isotermo, con
lo que garantizamos que la permitividad va a ser una constante en cada punto. Si el proceso no es isotermo, no
hay garanta de que el resultado sea el mismo. Por otra parte, siguiendo con los requisitos termodinamicos, para
que los campos macroscopicos esten bien denidos es necesario que el sistema este siempre en equilibrio, y por

tanto el proceso de carga debe ser reversible. Una funci on de estado que tiene signicado de trabajo reversible en
presencia de un foco termico es la energa libre, o funcion de Helmholtz F, que es el potencial termodin amico
que debemos asociar a la energa electrostatica.
Una vez discutida la denicion de energa asociada a un sistema podemos aplicar directamente el
formalismo que nos da la fuerza (generalizada) a partir de la aplicaci on del principio de los trabajos
virtuales. En procesos a carga libre constante y a potencial constante se tiene respectivamente
F
x
= U
E
/x[
q
, F
x
= U
E
/x[
V
.
Ejemplo:
En el condensador plano parcialmente relleno de una pieza dielectrica de igual espesor que la distancia entre
armaduras, ya analizado en el ejemplo anterior, calc ulese la fuerza que act ua sobre la pieza.
z
x y
d
V=0
V=V
0
e
e
0
profundidad, b
a
Llamemos x a la distancia desde el borde del condensador por donde entra el dielectrico hasta el extremo de la
pieza. Supongamos que en la direcci on x el condensador tiene longitud a y longitud b en la direccion y. El area de
la armadura en contacto con el dielectrico ser a entonces S
1
(x) = bx. Si se produce un desplazamiento virtual x en
la posicion de la pieza la energa del sistema variara una cantidad U
E
. La fuerza electrica ejercida sobre la pieza,
en un proceso a potencial constante es F
x
= U
E
/x[
V
.
La energa del sistema es U
E
= C(x)V
2
0
/2. La capacidad se calcul o en el ejemplo mencionado y, teniendo en
cuenta que las dimensiones de las armaduras, C(x) = bx/d +
0
b(a x)/d. Sustituyendo todo en la f ormula que
da la fuerza y efectuando la derivada resulta
F
x
=
(
0
)bV
2
0
2d
,
por lo que el dielectrico tiene tendencia a rellenar el condensador.
Para hacernos una idea de la magnitud de la fuerza sobre el dielectrico podemos considerar el caso de un
condensador plano colocado verticalmente y ligeramente sumergido en un lquido aislante. El lquido tiende a subir
su nivel hasta una altura h tal que la fuerza electrica compense a la fuerza gravitatoria, F
g
=
m
g =
m
dbhg =
(
0
)bV
2
0
/(2d). Si el lquido tiene la densidad del agua, una constante dielectrica
r
= 3 y el condensador tiene
1 mm de separacion entre placas, la diferencia de potencial para que el lquido suba 1 cm es V
0
3,33 kV.
Algunos aspectos de este problema merecen ser comentados:
(1) La tendencia de un material dielectrico a migrar a regiones donde el campo es mas intenso es bastante general.
Una aplicaci on es el control de masas lquidas en ausencia de gravedad, como es el caso del combustible de una
nave espacial.
(2) El c alculo realizado no ha tenido en cuenta los efectos de borde. Sin embargo pueden darse argumentos para
justicar que el resultado es el mismo si estos se incluyen, puesto que lo que cuenta es la variacion de la capacidad
ante un peque no desplazamiento del extremo de la pieza y las regiones donde el campo es no uniforme quedan
invariantes.
(3) Si hubieramos intentado calcular la fuerza directamente a partir de las distribuciones de carga y campo el
problema hubiera sido formidable. Hay que observar que no hay carga de polarizacion en el extremo de la pieza y
por tanto la fuerza tiene su origen en la zona del borde del condensador, donde los campos son muy complicados.
No deja de resultar paradojico que para el metodo energetico usado esta zona carezca de importancia.

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depender a del proceso de carga, y no s olo del estado nal.

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