Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente elctrica mejor que otros.

Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la corriente elctrica son conductores. Analgicamente, los que ofrecen mucha resistencia al paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prcticamente tampoco el conductor perfecto. Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo indica, conducen la corriente bajo ciertas condiciones.

Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atmica. Los conductores son, generalmente, metales esto se debe a que dichos poseen pocos tomos en sus ltimas rbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios tomos de un metal, se acercan los electrones de su ltima rbita se desprenden y circulan desordenadamente entre una verdadera red de tomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente elctrica.

Los aislantes, en cambio, estn formados por tomos con muchos electrones en sus ltimas rbitas (cinco a ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos fcilmente y a no establecer una corriente de electrones. De ah su alta resistencia.

Tambin existe otro tercer tipo de materiales, que cambia en mayor o menor medida la caracterstica de los anteriores, los semiconductores. Su caracterstica principal es la de conducir la corriente slo bajo determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras. Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrnica de estado slida est basada. La estructura atmica de dichos materiales presenta una caracterstica comn: est formada por tomos tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su ltima rbita), por lo que les es fcil ganar cuatro o perder cuatro.

Los semiconductores son aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la Tabla Peridica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida.

La capa ms externa con electrones es la capa de valencia y es determinante para las propiedades elctricas y qumicas de los elementos. Un electrn en la capa de valencia tiene una energa de la banda de valencia (Ev) Para que el electrn escape de la atraccin del ncleo, es necesario que adquiera una energa mnima (Eg) para situarse en la banda de conduccin (Ec).

En un buen aislante, las bandas de valencia y de conduccin estn muy separadas. Por tanto, para liberar pocos electrones que contribuyan a la conduccin se necesita gran cantidad de energa. Por ejemplo, el diamante con Eg 6 eV. En un buen conductor, a la temperatura ambiente, las bandas de valencia y de conduccin se solapan. Por tanto, se necesita muy poca energa para mantener corrientes elctricas bastante intensas. Los semiconductores se caracterizan por tener una Eg 1 eV. Siendo, 1 eV = qV = (1.602x10-19 C). (1 V.) = 1.602x10-19 J.

Silicio: Eg = 1.21 eV Germanio: Eg = 0785 eV Silicio: (14 electrones) 1s2 2s2p6 3s2p2 La capa de valencia en los materiales semiconductores estn incompletas, deben de ganar o perder 4 electrones.

Cuando dos tomos de silicio estn prximos, la fuerza de enlace entre tomos vecinos hace que cada electrn de valencia sea compatible por uno de sus cuatro vecinos ms prximos. ENLACE COVALENTE. Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros tomos vecinos para as formal un cristal, que es la forma que se los encuentra en la naturaleza.

A temperatura ambiente, algunos enlaces covalentes se rompen debido al suministro de energa trmica al cristal, y es posible la conduccin. Cada enlace covalente roto crea un par electrn-hueco, el electrn con carga negativa y el hueco con carga positiva (portadores) Cuando aparece un hueco, el electrn de valencia del tomo vecino deja su enlace covalente y llena el hueco, esto produce un nuevo hueco. As, el hueco se mueve efectivamente en direccin contraria al electrn. (campo elctrico) En un semiconductor puro (intrnseco), el nmero de huecos (p) es igual al nmero de electrones libres (n) (n=p=ni=pi) ni, pi son las concentraciones intrnsecas de portadores

Semiconductores. La magnitud de la banda prohibida es pequea ( 1 eV ), de forma que a bajas temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energa dentro de la banda de conduccin, aumentando la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es aadiendo impurezas que habiliten niveles de energa dentro de la banda prohibida. El germanio y el silicio son semiconductores.

Se denomina semiconductor puro o intrnseco aqul en que los tomos que lo constituyen son todos del mismo tipo (por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza. Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le aade una pequea cantidad de tomos distintos (por ejemplo arsnico, fsforo, etc). Se transforma en un semiconductor impuro o extrnseco. A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptadoras.

Las impurezas difundidas que cuentan con cinco electrones de valencia se denominan tomos donadores (material tipo n). Las impurezas difundidas que cuentan con tres electrones de valencia se denominan tomos aceptadores (material tipo p).

Impureza de Antimonio en un material tipo n.

Impureza de Boro en un material tipo p.

Ahora, bien para aumentar la conduccin de cualquier semiconductor se recurre a un proceso denominado "dopado" o "envenenamiento". El objeto del mencionado proceso es el del aumentar la cantidad de portadores libres en el cristal provocando un aumento en la conductividad del mismo (recordar que la corriente es el flujo de portadores)

El dopado del cristal es realizado con tomos trivalentes (con tres electrones en su ltima rbita) o pentavalentes (con cinco). Esta eleccin no es resultado de un proceso azaroso sino que uno u otro tipo de tomo aumentar a su vez la presencia de uno u otro tipo de portador. Cmo es esto?: el silicio, como ya se ha dicho, tiene cuatro electrones en su ltima rbita que se combinan a su vez con otros tomos para formar un cristal. Al introducir un tomo penta o trivalente en dicho cristal, se provocar un aumento o un defecto de electrones que har aumentar la cantidad portadores.

Si se introduce un tomo pentavalente (P, Sb, As) en un cristal puro, cuatro de sus electrones se unirn a cuatro electrones de los tomos de silicio vecinos, pero el quinto queda libre, sin formar parte de ninguna unin, por lo que est dbilmente ligado al tomo: Este electrn libre, requerir muy poca energa para "saltar" a la banda de conduccin. La energa trmica del ambiente basta para provocar este salto. De esta forma al agregar tomos pentavalentes agregamos electrones en la banda de conduccin, es decir, agregamos portadores.

De la misma forma, podemos dopar al cristal con tomos trivalentes (como el boro, el Alumnio, el Galio, etc), esto provocar un exceso de electrones en el cristal, ya tres de los cuatro electrones de la ltima rbita del Silicio se combinan con los tres electrones del anterior tomo. Esto trae como consecuencia la generacin de un espacio sin electrones, que tendr carga positiva, es decir, esto generar un hueco. De esta forma podemos controlar de manera casi definida, a travs del dopado, la cantidad de electrones o huecos que existen en un cristal. A este tipo de cristal se le denomina extrnseco, ya que fue modificado por elementos exteriores

Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico se unirn a los correspondientes electrones de los cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar inicialmente libre, sin una posible unin, y por tanto se convertir en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo n. En un semiconductor con impurezas del tipo n, no slo aumenta el nmero de electrones sino que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor puro. La causa de esta disminucin se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes.

Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga tres electrones externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de silicio, y la unin incompleta dar lugar a un hueco. Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o impurezas del tipo p. Al contrario de lo que suceda antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparacin, con los que tena el semiconductor puro.

A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptad se les llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minoritarios. En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios. Veamos ahora, qu ocurre si a un cristal extrnseco le conectamos una fuente externa de tensin. Al existir mayor cantidad de portadores (no importa de qu tipo), circular por el cristal una corriente mucho mayor que en el no dopado. El valor de esta corriente depender de que tan contaminado est el material.

El efecto del hueco sobre la conductividad se muestra en la siguiente figura. Si un electrn de valencia adquiere suficiente energa para romper su enlace covalente y llena el vacio creado por un hueco, entonces, una vacante o hueco se creara en el enlace covalente que libero al electrn. Por lo tanto existir una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha. La direccin que se utilizar es la del flujo convencional, la cual se indica por la direccin del flujo de huecos.

Flujo de electrones versus flujo de huecos.

En el estado intrnseco, el numero de electrones libres en el Ge o en el Si se debe nicamente a los pocos electrones en la banda de valencia que adquirieron energa de fuentes trmicas o luminosas suficiente para romper el enlace covalente, o a las escasas impurezas que no se pudieron eliminar. En un material tipo n, el electrn se denomina portador mayoritario y el hueco portador minoritario. Para un material tipo p, el numero de huecos sobrepasa por mucho al numero de electrones por lo tanto en un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrn es el portador minoritario.

Los materiales tipo p y tipo n representan los componentes bsicos de construccin para los dispositivos semiconductores.