Captulo II

Jorge Alberto Garbero

Ingeniera Electrnica
Email : electronicaautomotriz2010@hotmail.com

SEMICONDUCTORES
Los dispositivos de estado slido son elementos pequeos pero verstiles que pueden ejecutar una gran variedad de funciones de control en los equipos electrnicos. Al igual que otros dispositivos electrnicos, son capaces de controlar casi instantneamente el movimiento de cargas elctricas. Se los utiliza como rectificadores, detectores, amplificadores, osciladores, conmutadores, mezcladores, moduladores, etc. Su peso y tamao son reducidos, son de construccin slida y muy resistente mecnicamente lo que los hace libres de microfonismos y se los puede fabricar de manera que sean inmunes a severas condiciones ambientales. Materiales semiconductores Los dispositivos de estado slido hacen uso de la circulacin de corriente en un cuerpo slido. En general todos los materiales pueden clasificarse en tres categoras principales: conductores semiconductores aisladores

Como su nombre lo indica, un material semiconductor tiene menor conductividad que un conductor pero mayor conductividad que un aislador. Hasta hace algunos aos el material ms utilizado en la fabricacin de semiconductores era el GERMANIO, luego fue reemplazado por el SILICIO, material que sigue siendo utilizado actualmente. De cualquier manera en muchos circuitos todava son utilizados diodos de germanio. Resistividad La aptitud de un material para conducir corriente (conductividad), es directamente proporcional al nmero de electrones libres del material. Se denomina electrones libres a aquellos que se encuentran en la rbita ms externa del tomo y que estn unidos dbilmente al ncleo del mismo, por no estar completa la cantidad de electrones correspondientes a dicha rbita. Los buenos conductores tales como la plata, el cobre y el aluminio, tienen gran cantidad de electrones libres. Su resistividad es del orden de unas pocas millonsimas de ohmcentmetro3. Los aisladores tales como el vidrio, el caucho y la mica, que tienen muy pocos electrones unidos dbilmente al ncleo, tienen resistividades que alcanzan millones de ohmcentmetro3. El germanio puro tiene una resistividad de 60 ohms-centmetro3, mientras la resistividad del silicio puro es considerablemente mayor, del orden de los 60.000 ohm-centmetro3.

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A estos materiales, cuando son utilizados para fabricar semiconductores, se le agregan impurezas para reducir su resistividad hasta un orden de aproximadamente 2 ohmcentmetro3 a temperatura ambiente. Esta resistividad disminuye rpidamente a medida que aumenta la temperatura en el cuerpo del semiconductor. Estructura atmica 2da Capa

3er Capa

Ncleo

1er Capa
Fig.1 tomo de Aluminio

Electrones / Cargas negativas / Cantidad Total = 13 Cantidad en 1er Capa = 2 Cantidad en 2da Capa = 8 Cantidad en 3er Capa = 3 - Ncleo formado por: Protones / Cargas positivas / Cantidad = 13 Neutrones / Carga elctrica neutra / Cantidad =14

Nmero atmico 13

Peso atmico = 27

La teora electrnica explica que los tomos de todos los elementos estn constituidos de forma similar a la del aluminio: un ncleo formado por protones y neutrones girando alrededor de l, un nmero de electrones igual al nmero de protones distribuidos estos en capas y cada uno en su rbita, (esta de forma elptica). Por ser la carga elctrica de los ELECTRONES NEGATIVA y la de los PROTONES POSITIVA y adems contar el tomo con la misma cantidad de cada uno de ellos, estas cargas se compensan entre s dando como resultado un estado de carga elctrica neutra en el tomo. Por estar la materia formada por tomos, tambin es neutra en su estado normal, es decir est equilibrada elctricamente.

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Electrones Libres Si fuera posible observar un grupo de tomos que conforman una molcula de aluminio, se vera que los electrones situados en la capa ms externa (cantidad = 3) y que estn dbilmente ligados al ncleo, no permanecen constantemente en el mismo tomo, sino que errticamente algunos de ellos saltan de tomo a tomo, por esta razn se los denomina Electrones Libres. La razn de la dbil ligazn de estos electrones con el ncleo se debe a que la tercera capa a la que pertenecen no se encuentra completa, es decir tiene un dficit de electrones. Esta es una caracterstica propia de los materiales conductores. Ncleo: 6 protones/6 neutrones 3er Capa 6P 6N

2da Capa 29 P 35 N

1er Capa 2da Capa Fig. 2 tomo de carbono (C) Peso atmico = 12 1er Capa Nmero atmico = 6 4ta Capa

1er Capa -

Fig. 3 tomo de cobre (Cu) Peso atmico = 64 Nmero atmico= 29

En la Fig. 2 se ha representado un tomo de carbono, en el tenemos la primer capa (rbita) completa, 2 electrones. La segunda capa (rbita) cuenta con 4 electrones solamente. Para que el tomo fuera estable y no contara con electrones libres (dbil ligazn con el ncleo), esta capa debera tener 8 electrones. En la Fig. 3 se ha representado un tomo de cobre, en el tenemos la primer capa (rbita) completa, 2 electrones. La segunda capa (rbita) tambin est completa, 8 electrones. La tercer capa (rbita) se encuentra completa, 18 electrones. La cuarta capa (rbita) es la incompleta, esta capa podra tener un mximo de 32 electrones, pero para que el tomo fuera estable solo se necesitaran 8 electrones.

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En las pginas anteriores se vio que los tomos de todos los elementos estn constituidos por un ncleo (formado por protones y neutrones) y una cantidad de electrones igual a la de los protones, dispuestos en capas u rbitas. Cada capa puede contener una mxima cantidad de electrones, este mximo nmero de electrones puede determinarse utilizando el siguiente clculo: Mxima cantidad de electrones por capa = 2 n2 Siendo n el nmero de capa, contando a partir del ncleo, para la que se desea conocer la mxima cantidad de electrones que puede contener. Capa Designacin Mxima cant. de electrones 1ra K 2 x 12 = 2 da 2 L 2 x 22 = 8 ra 3 M 2 x 32 = 18 4ta N 2 x 42 = 32 ta 5 O 2 x 52 = 50 6ta P No conocida ma 7 Q No conocida Como se ha descripto, los electrones en un tomo se sitan en sucesivas capas a partir del ncleo: No puede formarse una nueva capa hasta que la anterior no haya completado la cantidad de electrones que le corresponde. Un tomo es estable, o sea que no se combina qumica ni elctricamente con otros tomos cuando su capa exterior se encuentra completa. Los electrones de la capa exterior son los que pueden combinarse qumica o elctricamente con los electrones de otros tomos, estos electrones son denominados ELECTRONES de VALENCIA. Cuando la capa exterior de un tomo contiene 8 electrones, el tomo se mantiene muy estable y no presenta tendencia a perder ni ganar ningn electrn. Por esta razn ningn tomo contiene ms de 8 electrones en su capa exterior. Por ejemplo, la capa N (cuarta capa) puede contener un mximo de 32 electrones, pero si esta capa constituye la capa exterior del tomo en cuestin no contendr ms que 8 electrones. Ejemplos tpicos son algunos gases denominados nobles: Argn N Atmico: 10 1er Capa 2 electrones 2da Capa 8 electrones Kriptn N Atmico: 36 1er Capa 2 electrones 2da Capa 8 electrones 3er Capa 8 electrones Nen N Atmico: 36 1er Capa 2 electrones 2da Capa 8 electrones 3er Capa 18 electrones 4ta Capa - 8 electrones

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En los gases descriptos, as como tambin lo son el Radn y el Xenn, sus tomos por su estabilidad no tienden a combinarse con ningn otro elemento y ni siquiera entre s para formar molculas. Formacin de una molcula de un mismo elemento

Falta de un electrn para completar 8

+9 -

+
+9

tomo de Flor

tomo de Flor

+9 -

+9 -

Electrones covalentes

Fig. 4 - Al compartir un electrn de su capa exterior dos tomos de Flor forman una molcula de Flor (F2).
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Como se puede apreciar en la Fig. 4, el tomo de Flor contiene 7 electrones en su capa ms externa. Al no contener 8 electrones el tomo no es estable, sino que es qumicamente Activo, por lo tanto pretender permanentemente ganar un electrn para completar su capa ms externa. Si puede combinarse con algn otro elemento que este dispuesto a perder un electrn de su capa externa lo har, de lo contrario puede combinarse con otro tomo de su propia especie para formar la molcula de Flor. En el caso citado anteriormente los dos tomos de Flor simplemente estn compartiendo sus electrones. Esta condicin se mantendr mientras no se presente la oportunidad de que ambos tomos puedan adquirir el electrn que les falta, en este caso la molcula de Flor se dividir en dos tomos y cada uno tomar del otro elemento un electrn que ya no tendr que compartir con sus pares. Formacin de la molcula de un compuesto

2
+11 +9

tomo de Sodio (Na)

tomo de Flor (F)

+11

+9

(+) Ion Positivo (Anin)

(-) Ion Negativo (Catin)

Fig. 5 - Fluoruro de Sodio (NaF)

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En la Fig. 5 se muestra como se combinan los tomos de dos elementos diferentes para formar una molcula de un compuesto, permitiendo comprender la mayor parte de las reacciones qumicas. El N 1 es un tomo de Sodio, en el centro se muestra el ncleo con 11 cargas positivas (11 protones) que equilibran sus 11 cargas negativas (11 electrones). Observemos como estn dispuestos estos electrones en las 3 capas del tomo: 2 en la primer capa (capa completa), 8 en la segunda capa (capa completa), 1 en la tercer capa (capa incompleta, deberan ser 8 por ser la capa externa). Al estar este undcimo electrn solo en la capa externa, el tomo de Sodio estar muy dispuesto a perderlo. El N 2 es un tomo de Flor, este muestra 9 cargas positivas en su ncleo (9 protones) que equilibran sus 9 cargas negativas (9 electrones). Observemos como estn dispuestos estos electrones en las 2 capas del tomo: 2 en la primer capa (capa completa), 7 en la segunda capa (capa incompleta, deberan ser 8 por ser la capa externa). Al faltarle un electrn para completar esta ltima capa, el tomo de Flor est muy dispuesto para ganar un electrn y completarla. Es evidente que si se colocan juntos un tomo de Sodio y uno de Flor, el electrn libre de la capa externa del tomo de Sodio saltar a ocupar el lugar libre de la ltima capa del tomo de Flor, dando como resultado esta combinacin un elemento compuesto denominado Fluoruro de Sodio. Veamos ahora que los tomos de ambos elementos, N 3 y N 4, han quedado con una conformacin muy similar, la gran diferencia es que se han convertido en iones, ion positivo de Sodio (anin) e ion negativo de Flor (catin). En ambos ya las cargas positivas del ncleo no compensan las cargas negativas de los electrones, en el tomo de Sodio tenemos 11 cargas positivas en el ncleo y 10 electrones orbitndolo, el tomo ya no es neutro elctricamente, presenta una carga positiva. En el tomo de Flor tenemos 9 cargas positivas en el ncleo y 10 electrones orbitndolo, el tomo ya no es neutro elctricamente, presenta una carga negativa. Las partculas de cargas distintas se atraen mutuamente y eso explica por qu se mantienen juntos los dos iones de Sodio y Flor formando una molcula de Fluoruro de Sodio.

Estructura del Silicio y del Germanio El tomo de Silicio (Si) contiene 14 electrones dispuestos de la siguiente forma: 2 electrones en la primer capa (capa completa), 8 electrones en la segunda capa (capa completa) y 4 electrones en la tercer capa o externa (capa incompleta). El tomo de Germanio (Ge) contiene 32 electrones dispuestos de la siguiente forma: 2 electrones en la primer capa (capa completa), 8 electrones en la segunda capa (capa completa), 18 electrones en la tercer capa (capa completa), 4 electrones en la cuarta capa o externa (capa incompleta). El Germanio y el Silicio tienen cuatro electrones en su capa exterior, por lo tanto un tomo de estos elementos puede combinarse con otros cuatro tomos iguales compartiendo un par de electrones con cada uno de ellos, completando as los 8 electrones de la capa exterior y adquiriendo as una configuracin estable.
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Los tomos de Silicio o de Germanio, ligados entre s de esta forma, conforman una red de cubos denominados cristales elementales que comparten los cuatro electrones de los vrtices comunes, dando lugar a la formacin del cristal de Silicio o de Germanio.

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Incluye el ncleo, ms 1er y 2da capa del tomo de Silicio

Electrones compartidos o covalentes

Fig. 6 Estructura reticular cristalina de Silicio

La estructura tal como se observa en Fig. 6 no tiene electrones dbilmente unidos al ncleo, por lo tanto el elemento conforma un mal conductor. Para poder separar las ligaduras covalentes y proveer as electrones libres para la conduccin de corriente elctrica, seria necesario aplicar altas temperaturas o campos elctricos intensos al material. Otra manera de alterar la estructura cristalina y obtener as electrones libres, consiste en agregar pequeas cantidades de otros elementos que tengan una estructura atmica diferente. Mediante el agregado de cantidades muy pequeas de otros elementos, llamados Impurezas, es posible modificar y controlar las propiedades elctricas bsicas de los materiales semiconductores. La relacin entre Impurezas y material semiconductor es del orden de una parte en diez millones.
8 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

Cuando se agrega al material semiconductor el elemento de impureza, lo tomos de este elemento se incorporan a la estructura reticular del semiconductor pasando a formar parte de la misma. Si el tomo de impureza contiene un electrn ms de valencia en su capa exterior (5 electrones) que el tomo del semiconductor (4 electrones), este electrn adicional no podr formar una ligadura covalente debido a que no encontrar un electrn de valencia libre adyacente (Fig. 7). El electrn excedente es atrado dbilmente por el ncleo del tomo y solo requiere una ligera excitacin para separarse, en consecuencia la presencia de tales electrones excedentes hacen al material mejor conductor, es decir su resistencia a la circulacin de corriente elctrica disminuye.

Si

Electrn excedente

Si

As

Si

Si

tomo de impureza

Arsnico: 33 electrones 1er capa : 2 electrones 2da capa : 8 electrones 3er capa : 18 electrones 4ta capa : 5 electrones

Fig. 7 Material tipo N

Los elementos de impureza ms utilizados que se agregan a los cristales de silicio para proveer los electrones excedentes incluyen al Fsforo (P), el Arsnico (As) y el Antimonio (Sb). Cuando se agregan al silicio estos elementos, el material resultante es denominado Tipo N debido a que los electrones libres excedentes tienen carga negativa. Debe hacerse notar, sin embargo, que la carga negativa de estos electrones se equilibra con una carga positiva equivalente situada en el ncleo de los tomos de impureza, por lo tanto el material sigue siendo neutro elctricamente. Se produce un efecto diferente cuando en la estructura cristalina del silicio se introduce impurezas cuyos tomos tienen un electrn de valencia menos en su capa exterior (3 electrones) que el tomo de silicio (4 electrones).
9 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

Aunque todos los electrones de valencia del tomo de impureza forman ligaduras covalentes con los electrones de los tomos vecinos del semiconductor, una de las ligaduras de la estructura cristalina no puede completarse debido a que al tomo de impureza le falta un electrn de valencia en su capa externa con respecto a los que poseen los tomos del semiconductor. Como consecuencia de ello aparece en la estructura reticular del cristal un vaco denominado Laguna (Fig. 8).

Si

Laguna, electrn faltante

Si

Si

tomo de impureza (Boro: B)

Si

Boro : 5 electrones 1er capa: 2 electrones 2da capa: 3 electrones

Fig. 8 Material tipo P

Al quedar conformada as la estructura reticular del cristal, cualquier electrn de las ligaduras covalentes adyacentes puede entonces absorber suficiente energa como para romper su ligadura y moverse a travs de la red para llenar la laguna. Al igual que en el caso de los electrones excedentes, la presencia de lagunas dentro de la estructura, favorece la circulacin de electrones en el material del semiconductor, en consecuencia la conductividad aumenta y la resistividad disminuye. Se considera que el lugar vaco o laguna en la estructura cristalina tiene una carga elctrica positiva, porque representa la falta de un electrn. Sin embargo en este caso tambin la carga neta del cristal permanece invariable o sea neutra. El material semiconductor que contiene lagunas o cargas positivas es denominado material Tipo P. Los materiales tipo P se forman agregando al silicio elementos como el Boro (B), Galio (Ga), Indio (In), Aluminio (Al). Aunque existe poca diferencia en la composicin qumica de los materiales Tipo N y Tipo P, las diferencias en las caractersticas elctricas de los dos tipos de elementos son sustanciales y resultan muy importantes en el funcionamiento de los dispositivos semiconductores.
10 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

Junturas P - N Cuando se unen dos pastillas de materiales semiconductores, una Tipo N y otra Tipo P, tal como se muestra en la Fig. 9, se produce un fenmeno singular pero muy importante en la zona en la que se ponen en contacto los dos materiales, denominada Juntura P-N.
Material tipo P Material tipo N Material tipo P Material tipo N

Lagunas excedentes (dficit de electrones)

Electrones excedentes (exceso de electrones) Fig. 9

Regin de carga espacial o barrera de potencial

Cuando se forma una juntura P-N, algunos de los electrones libres del material Tipo N se difunden a travs de la juntura hacia el material Tipo P, combinndose con las lagunas de este material. Estos electrones al abandonar el material N dejan huecos o lagunas en l, de modo que si observamos la Fig. 9 B se podra interpretar que los electrones se mueven del material N al P y las lagunas del P al N. La energa trmica es la que produce esta llamada Corriente de Difusin. Como resultado del proceso de difusin, se produce una Diferencia de Potencial a travs de la Regin de Carga Espacial. Esta diferencia de potencial puede representarse, tal como se muestra en la Fig. 10, como una batera imaginaria conectada a travs de la juntura P-N. P -

N N +
+

Fig. 10

El smbolo de batera se utiliza simplemente para ilustrar los efectos elctricos internos de la juntura, el potencial que representa por supuesto no es mensurable directamente. Esta diferencia de potencial forma una barrera denominada Barrera de Energa la cual impide que se sigan difundiendo electrones a travs de juntura. En efecto, los electrones del material Tipo N que tienden a seguir difundindose a travs de la juntura son repelidos por la carga negativa inducida en el material Tipo P, mientras que las lagunas del material Tipo P son repelidas por la carga positiva inducida en el material Tipo N. Esta diferencia de potencial o barrera de energa impide por lo tanto una interaccin total entre los dos tipos de materiales, preservando as las diferencias en sus caractersticas.
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Circulacin de corriente a travs de una juntura P-N Cuando se conecta una batera a una juntura P-N, la intensidad de corriente que circular por la juntura ser dependiente del nivel de tensin aplicada y de la polaridad con que se conecte la batera a la juntura.
Circulacin de electrones Circulacin de electrones

P -++

A
Fig. 11

En el circuito elctrico representado en la Fig. 11 A el Terminal Positivo de la batera externa ha sido conectado al Semiconductor N y el Terminal Negativo al Semiconductor P. Con esta disposicin de polarizacin de la Juntura P-N, los electrones libres del material semiconductor Tipo N son atrados por el Electrodo Positivo de la batera, alejndose de la juntura. Al mismo tiempo, las lagunas del material semiconductor Tipo P son atradas por el Electrodo Negativo de la batera, alejndose tambin de la juntura. Como resultado de las condiciones descriptas en el prrafo anterior, la regin de carga espacial en la juntura se ensancha y la diferencia de potencial que representa llega casi al nivel de la tensin de la batera externa. La circulacin de corriente a travs de la juntura es extremadamente pequea, si se produce. Una juntura P-N, alimentada por una fuente de Corriente Continua de esta manera, se dice que est Polarizada Inversamente. En el circuito elctrico representado en la Fig. 11 B, se han invertido las conexiones de la batera externa, estando ahora su Electrodo Positivo conectado al semiconductor Tipo P y su Electrodo Negativo al semiconductor Tipo N. Con esta disposicin de polarizacin de la juntura P-N, los electrones del material Tipo P cercanos al Electrodo Positivo de la batera rompen sus ligaduras covalentes y entran a la batera, creando en el material nuevas lagunas. Al mismo tiempo los electrones libres del material Tipo N son repelidos por el Electrodo Negativo de la batera movindose hacia la juntura, al desplazarse van creando nuevos espacios o lagunas que son ocupados por nuevos electrones que ingresan al material desde el Electrodo Negativo de la batera. Toda esta accin da como resultado un estrechamiento de la carga espacial de modo que los electrones comienzan a difundirse rpidamente a travs de la juntura dirigindose hacia el electrodo positivo de la batera, al combinarse con las lagunas del material P. Esta circulacin electrnica continuar mientras se mantenga conectada la fuente de alimentacin externa.
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Una juntura P-N alimentada por una batera externa tal como se muestra en la Fig. 11 B, se dice que est Polarizada Directamente.

Intensidad de corriente directa(mA)

Polarizacin inversa Tensin de Zener (avalancha) Volts 0 100 200 300 400 500 Polarizacin directa 600 mV mV

Intensidad de corriente inversa (A) Fig. 12 - Curva caracterstica Tensin de Polarizacin vs. Corriente de una juntura P-N

En la Fig. 12 se ha representado una curva generalizada para una Juntura P-N de la tensin de polarizacin de la juntura Vs. la intensidad de corriente circulante por la misma, observe que se han contemplado los casos de polarizacin directa e inversa. En la regin de polarizacin directa (cuadrante superior derecho), se puede ver que la intensidad de corriente circulante por la juntura, aumenta inicialmente lentamente a medida que aumenta la tensin aplicada a la juntura, es decir, partiendo desde tensin cero y prcticamente hasta llegar a los 500 mV a 600 mV, cada variacin de 100 mV producen un aumento en la intensidad de corriente de unos pocos mA, cruzando el umbral de la Barrera de Energa o de Potencial que impone la juntura (alrededor de 600mV), la intensidad de corriente aumenta rpidamente de modo que para variaciones de la tensin de polarizacin de unos pocos mV la intensidad de corriente aumenta en forma importante. En la regin de polarizacin inversa (cuadrante inferior izquierdo), observe que para variaciones de varios volts de la tensin aplicada la intensidad de corriente sufre escasas variaciones y est dentro del orden de los micro Amper (A). El nivel de dicha tensin podr ser siendo aumentada (dependiendo del diodo utilizado) hasta un cierto nivel, despus del cual se producir un efecto de avalancha en la juntura que producir un brusco aumento de la intensidad de corriente inversa que si no es limitada producir la destruccin instantnea de la juntura. Dicho nivel de tensin es denominado Tensin de Zener.
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Diodos El dispositivo de estado slido ms simple es el Diodo, el cual se representa por el smbolo mostrado en la Fig. 13.

Material tipo N

Material tipo P Sentido de circulacin de la corriente a travs del diodo

Ctodo (K)

nodo (A)

Fig. 13 - Diodo

La estructura bsica del Diodo es una juntura P-N, similar a la descripta anteriormente. El material tipo N es denominado Ctodo del Diodo y es simbolizado por la letra K. El material tipo P es denominado nodo del Diodo y es simbolizado por la letra P.

El sentido de la flecha utilizada para simbolizar el nodo del diodo, representa el sentido de circulacin de Corriente Convencional a travs del diodo. El sentido de circulacin de corriente electrnica a travs del diodo (sentido de circulacin real de la corriente elctrica) es contrario a la flecha, es decir, de Ctodo a nodo (negativo a positivo).

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El DIODO COMO RECTIFICADOR EN LA CONVERSION DE C.A. a C.C.

Fig. 14

Como se puede apreciar en la Fig. 14, la C.C. rectificada obtenida, es una C.C. pulsante con un rizado o ripple muy grande. Este puede ser suavizado colocando un condensador en paralelo con la carga RL. Este condensador es denominado comnmente condensador de filtro. (Fig. 15)

Fig. 15 15 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

El rizado es la componente de C.A. que queda superpuesta a la C.C. obtenida de la rectificacin. En la Fig. 16 se representa la influencia del condensador C sobre el nivel de rizado en la fuente planteada en la Fig. 15: Fig. 16B, capacidad de C mayor que en Fig. 16 A Fig. 16C, capacidad de C mayor que en Fig. 16 B

Fig. 16

En un rectificador de Media Onda, la frecuencia de la C.A. de rizado es la misma que la frecuencia de la C.A. de alimentacin. En este caso (Figs. 14 y 15), es de 50 Hz..

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RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA En la Fig. 17 se ha planteado un Circuito Rectificador Clsico de Onda Completa, en el que se utiliza un transformador cuyo secundario tiene una derivacin en el punto medio de su arrollado secundario.

Fig. 17

La frecuencia de la componente de C.A. de rizado, es el doble de la frecuencia de la C.A. de alimentacin. Es este caso la frecuencia de la C.A. de alimentacin es de 50 Hz, por lo tanto la frecuencia de la C.A. de rizado es de 100 Hz. Como en el caso del rectificador de media onda, la amplitud de la C.A. de rizado es dependiente de la capacidad del condensador C.
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Fig. 18

La frecuencia de la componente de C.A. de rizado, es el doble de la frecuencia de la C.A. de alimentacin. Es este caso la frecuencia de la C.A. de alimentacin es de 50 Hz, por lo tanto la frecuencia de la C.A. de rizado es de 100 Hz. Como en el caso del rectificador de media onda, la amplitud de la C.A. de rizado es dependiente de la capacidad del condensador C. En ambas fuentes de rectificacin de onda completa presentadas (Figs. 17 y 18), el filtrado realizado por el condensador C es un filtrado muy rudimentario, pero eficaz en muchos casos, especialmente para alimentar etapas de alto nivel, donde los valores de zumbido (100 Hz) no son importantes para el desempeo global del sistema. Se puede realizar un clculo simple pero muy aproximado del valor de capacidad del capacitor C en cada caso. Se debe tener en cuenta la mxima intensidad de corriente que se demandar a la fuente y cual es la mxima tensin de rizado que se desea permitir. Con estos datos se calcula el valor de C con la siguiente ecuacin:

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Planteo de un ejemplo real: Calculo del valor de capacidad del capacitor C, para una fuente a la que se demandar una intensidad de corriente I = 1 Amper y en la que se desea tener una tensin de rizado no mayor que Vr = 0,5 Volt Observe el elevado valor de capacidad necesario, que es tanto ms importante, cuanto mejor quiera filtrarse una tensin aplicada a una carga que consume alta intensidad de corriente. DIODO DE ZENER El diodo no es solamente empleado como rectificador, es empleado en mltiples funciones en electrnica. Asimismo existe una cantidad muy grande de tipos de diodo, el diseo y fabricacin de cada uno responde a la aplicacin a la que est destinado. Un diodo muy particular es el Diodo de Zener. Este diodo se utiliza para alimentar circuitos con una tensin estabilizada, dentro de ciertos lmites. El mismo se trabaja con polarizacin inversa en la zona de avalancha o Tensin de Zener, nivel de tensin que el diodo tiende a mantener constante entre sus extremos variando la intensidad de corriente que por el circula. Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura. Smbolo esquemtico El diodo Zener se representa en los esquemas con el siguiente smbolo, en cambio el diodo normal no presenta esa curva en las puntas:

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Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en sus zonas P y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada de tensin de ruptura. En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un aumento en la corriente producir un ligero aumento en la tensin. El incremento es muy pequeo, generalmente de una dcima de voltio. Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente constante en un amplio rango de intensidad y temperatura, cuando estn polarizados inversamente, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin tal y como el mostrado en la figura. Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que la tensin en la carga (RL) permanezca prcticamente constante dentro del rango de variacin de la tensin de entrada VS. Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cul puede ser su valor mximo y mnimo, despus elegiremos una resistencia R que se adecue a nuestros clculos.

Donde:
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Rmin es el valor mnimo de la resistencia limitadora. Rmax es el valor mximo de la resistencia limitadora. Vsmax es el valor mximo de la tensin de entrada. Vsmin es el valor mnimo de la tensin de entrada. Vz es la tensin Zener. ILmin es la mnima intensidad que puede circular por la carga, en ocasiones, si la carga es desconectable, ILmin suele tomar el valor 0. 7. ILmax es la mxima intensidad que soporta la carga. 8. Izmax es la mxima intensidad que soporta el diodo Zener. 9. Izmin es la mnima intensidad que necesita el diodo zener para mantenerse dentro de su zona zener o conduccin en inversa (1mA). La resistencia que elijamos, debe estar comprendida entre los dos resultados que hemos obtenido. La resistencia de carga del circuito (RL) debe cumplir la siguiente formula:

1. 2. 3. 4. 5. 6.

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Ejemplos de funcionamiento de un diodo zener ante variaciones de la tensin de entrada (de alimentacin) o de la carga que demanda el circuito. Variacin de la tensin de entrada R1 = resistencia limitadora R2 = carga que impone el circuito alimentado con la tensin estabilizada por el zener. La resistencia de carga permanece constante. Respuesta del sistema ante variaciones de la tensin de alimentacin no regulada.

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Variacin de la resistencia de carga R1 = resistencia limitadora R2 = carga que impone el circuito alimentado con la tensin estabilizada por el zener. La tensin de alimentacin permanece constante. Respuesta del sistema ante variaciones de la carga.

Los dos grupos de ejemplos han sido realizados en un Laboratorio Virtual. Observe que la tensin regulada por medio del conjunto R1 y el diodo zener mantienen una tensin de alimentacin a la carga muy estable, a pesar de las grandes variaciones que experimenta la tensin de entrada, en el primer caso o la del nivel de la resistencia de carga en el segundo caso. Existe una muy amplia variedad de Diodos Zener, con tensiones de enclavamiento que van desde por ejemplo 2,4V; 2,7V; 3,0V; 3,7V; .hasta centenas de Volt y dentro de esas tensiones los hay para distintas potencias, desde watt hasta 50 watt o ms. La potencia se determina como primera aproximacin, multiplicando la tensin de enclavamiento por la mxima intensidad de corriente a circular por el diodo. No olvidemos que la potencia es: W=VxI

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* Diodos unidireccionales supresores de transitorios (transient voltage suppressors diode). Al diodo supresor de transitorios lo podramos comparar en funcionamiento con el de un zener, pero el diodo supresor es ms rpido y maneja corrientes muy altas en periodos pequeos de tiempo. Estos diodos son utilizados en una gran variedad de Mdulos de Control Electrnico (ECU), como proteccin ante picos (transitorios) de tensin que se propagan a travs de la lnea de alimentacin +B y que pueden ser generados en el alternador en el instante en el que se conmuta cada diodo rectificador, o en el instante que se desconectan cargas inductivas que demandan altas intensidades de corriente como ser, primarios de bobinas de encendido, electro ventiladores, embrague de aire acondicionado, etc.

Los diodos utilizados en esta proteccin entran en conduccin rpidamente cuando un pico de tensin supera los 25 Volt, evitando as que picos de tensin mayores puedan daar los delicados componentes de la ECU. Podra utilizarse por ejemplo el 1.5 KE24

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Diodos Rectificadores de Avalancha Controlada Tal como se vio en la Pg. 13/ Fig. 12 , todo diodo cuando es sometido a tensiones de polarizacin inversa, tiene una zona de avalancha de corriente. El nivel de la tensin inversa aplicada, para la que se produce esa conduccin (de ctodo a nodo), es distinta para cada tipo de diodo. Los Rectificadores de Avalancha Controlada se recomiendan para las aplicaciones en que la capacidad para soportar elevados transitorios de tensin constituye un factor importante del diseo. En este tipo de rectificadores, la tensin a la que se produce la avalancha es predeterminada durante la fabricacin mediante un control preciso de las resistividades (es decir las concentraciones de impurezas) en las zonas de la juntura P-N y mediante una cuidadosa atencin de la geometra de la pastilla de silicio. En la fabricacin de los rectificadores de avalancha controlada, se debe tener especial cuidado para asegurar una gran regularidad de la pastilla de silicio y una distribucin pareja de impurezas, en las regiones N y P, de la juntura del semiconductor. Adems, los bordes de la juntura P-N de silicio deben tener una forma tal que reduzcan la intensidad de los campos elctricos localizados en la superficie de la juntura. Estas condiciones aseguran que la ruptura sea uniforme a travs de toda la zona de la juntura, en lugar de concentrarse en puntos dbiles cercanos a la superficie de la juntura. Esta avalancha uniforme, si se mantiene dentro de lmites aceptables, no es destructiva. Sometiendo a numerosas pruebas a los Rectificadores de Avalancha Controlada es posible predecir con exactitud el comportamiento de estos dispositivos en condiciones de tensin inversa elevada. Los rectificadores son probados para determinar su aptitud para soportar elevados transitorios de tensin, sometindolos tambin a pruebas de duracin, para determinar su capacidad para funcionar largos perodos en la regin de avalancha. La pendiente de la curva de corriente-tensin en la regin de avalancha define el nivel de disipacin (potencia) al comienzo de la ruptura por avalancha y tambin el nivel mximo de disipacin que los rectificadores pueden soportar en condiciones de polarizacin inversa. Dentro de los regmenes especificados para cada tipo, los rectificadores de avalancha controlada pueden absorber sin grandes riesgos aumentos grandes de energa, como los que se producen como consecuencia de la conmutacin rpida de los circuitos inductivos. Picos de Voltaje Todos los dispositivos y motores que utilizan accionamiento de contactos y bobinados, producen picos de voltaje o transitorios en los conductores cuando se conectan o desconectan de la alimentacin respectiva.

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Estos picos de voltaje, caracterizados por ser de altas frecuencias, si no se controlan provocan daos tales como comportamiento errneo de las funciones, transmisin de datos falsos y generalmente destruccin de los microcontroladores en el instrumental electrnico de cualquier vehculo en general. Entre las precauciones que es necesario siempre tener en cuenta, es de que la batera siempre debe estar bien cargada ya que sta se comporta como un gran capacitor absorbiendo todos los picos y transitorios del sistema elctrico en general. Hoy en da, con el uso de los diodos de avalancha en las placas rectificadoras de los alternadores se ha solucionado bastante este problema de los picos de tensin. Diferencia entre Diodos Convencionales y Avalancha Los alternadores poseen una plaqueta de diodos positivos y una de negativos. Estos diodos, dependiendo del tipo de alternador, van desde los 15A hasta los 35A y desde los 50v hasta los 400v aproximadamente de voltaje inverso y su finalidad es la de convertir el voltaje alterno inducido en el estator a un voltaje continuo para cargar la batera. En la ltima dcada, con el avanzado desarrollo de la industria automotriz, se comenz a incorporar equipamiento electrnico sofisticado a los vehculos entre los cuales podemos citar las computadoras de abordo, las ECU (Electronic Control Unit), unidades de encendidos electrnicos, etc., adems de equipamientos ms estndares como los equipos de aire acondicionado, cierre centralizado de puertas, levanta cristales, airbags, ASR (Control de Traccin), ABS, y ms antiguamente los electro ventiladores. Estos equipos, al momento de su funcionamiento, producen picos inversos de tensin que se transmiten por los conductores elctricos y ocasionan su mal funcionamiento. Los diodos rectificadores convencionales poseen una tensin inversa que va desde los 50v hasta los 400v mientras que los diodos de avalancha poseen una tensin inversa mxima comprendida entre 24v y 32v para los sistemas de 12v. Obviamente, todo pico de tensin que supere los valores anteriores es atenuado debido a la caracterstica de los diodos de avalancha, evitando cualquier falla de funcionamiento en los equipamientos anteriormente mencionados

Una de las soluciones aplicadas es la de utilizar diodos de avalancha en lugar de los clsicos diodos rectificadores hasta ahora usados, tal cul lo muestra la figura.

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Comprobacin del estado de diodos de uso general y rectificadores

Debido a que los diodos son componentes activos no amplificadores, simples comprobaciones de juntura en cortocircuito, abierta, o excesivas prdidas en sentido inverso al de conduccin son mtodos normalmente utilizados para establecer su estado de funcionamiento.

Smbolo de diodo

Encapsulado tpico de diodos de baja y media corriente

K K= ctodo

A A= nodo

A Banda de identificacin del ctodo

Diodos rectificadores para alternador

Ctodo a la carcasa

nodo a la carcasa

nodo

Banda de identificacin del ctodo

Ctodo

Una comprobacin rpida del estado de un diodo puede ser realizada por medio de un multmetro digital que posea la funcin Medicin de Diodos.

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Comprobacin del estado de un diodo utilizando un multmetro digital

En las Fig.1 y Fig.2 se puede apreciar como utilizar un multmetro digital que contenga la funcin medicin de diodos. Se ha seleccionado por medio de la llave selectora la funcin Medicin de Diodos, luego se ha conectado la punta positiva del multmetro al ANODO del diodo y la negativa al CATODO (Fig.1). Al ser conectadas las puntas de esta forma, el diodo queda polarizado correctamente para conducir, por tener aplicado el polo positivo de la fuente interna del multmetro al ANODO y el negativo de dicha fuente al CATODO. No olvidar que para que un diodo conduzca su ANODO debe ser ms positivo que el CATODO. En un diodo de SILICIO (que son los que se estn tratando) la diferencia de potencial ANODO/CATODO para plena conduccin debe ser de aproximadamente 0,6 volts.

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Como se aprecia en la Fig.1, dicho voltage es el que se lee en el display del instrumento. Segn el tipo de diodo de silicio medido, esa tensin estar comprendida entre 0,5 a 0,7 votls. Prestar especial atencin a la lectura que se obtiene en esta medicin. Un multmetro digital dispuesto en la funcin Comprobacin de Diodos NO ESTA MIDIENDO RESISTENCIA, ESTA MIDIENDO TENSION de C.C. Se hace esta salvedad debido a que es muy frecuente escuchar que errneamente se cree que al medir un diodo con multmetro digital, dispuesto en la funcin Comprobacin de Diodos, se est midiendo la resistencia de juntura en el sentido de conduccin y no la cada de tensin sobre la misma, que es realmente lo que se est midiendo. Todo diodo que al ser comprobado utilizando este sistema arroje un valor de tensin comprendido entre 0,5 y 0,7 volts, puede ser considerado en buen estado por lo que hace al estado de su juntura al ser polarizada en el sentido directo o de conduccin.

Se observa en la Fig.2 que se han invertido las conexiones de las puntas del multmetro, o sea que la punta positiva se ha conectado al CATODO y la negativa al ANODO. Ahora la juntura del diodo ha sido polarizada inversamente, por lo tanto el diodo no conduce y en el display no se presenta ninguna lectura vlida. En el caso del multmetro utilizado en el ejemplo, el display presenta en este caso la lectura 1., en otros se presenta OL., etc. Si alguna tensin es medida, por ejemplo 1,6 volts o 2,5 volts, no cabe ninguna duda que el diodo testeado tiene fugas muy importantes en el sentido inverso de conduccin, del orden de los 10 Kohm a 15 Kohm. Indudablemente se trata de un diodo defectuoso. Fugas menores o sea que presenten una resistencia mayor, por ejemplo 30 Kohm, no sern detectadas utilizando este mtodo. A pesar de todo un diodo con una resistencia de fuga de ese valor es un diodo deteriorado. Los multmetros digitales utilizados como hmetros (funcin medicin de resistencias), no sirven para medir la resistencia de juntura de un diodo en el sentido de conduccin y generalmente no son confiables o no sirven para medir resistencia de fuga, conduccin en el sentido de polarizacin inversa. ___________________________________________________________ Los multmetros analgicos prestan mejores posibilidades de comprobacin del estado de un diodo, tanto cuando es medida su resistencia de juntura en el sentido de conduccin (polarizacin directa), como cuando se mide la posible resistencia de fuga de dicha juntura (polarizacin inversa). Se entiende por multmetro analgico aquel cuyas lecturas son indicadas por una una aguja que se desplaza sobre distintas escalas.
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Anteriormente, cuando se hizo referencia a la utilizacin de un multmetro digital, se explic que las puntas del multmetro se conectaban positiva a nodo y negativa a ctodo para polarizar la juntura del diodo en el sentido directo o de conduccin. (Fig.1) Esto se debe a que cuando se selecciona en un multmetro digital la funciones Comprobacin de Diodos o Medidor de Resistencias (hmetro), el POLO POSITIVO de la fuente interna del multmetro (batera), est conectado a travs de algn circuito interno del mismo a la PUNTA POSITIVA y el POLO NEGATIVO de dicha fuente est conectado a la PUNTA NEGATIVA. En los multmetros analgicos cuando se selecciona alguna de las escalas de la funcin Medicin de Resistencias (hmetro), el POLO POSITIVO de la fuente interna (batera o conjunto de pilas), est conectado a travs de un circuito interno a la PUNTA NEGATIVA y POLO NEGATIVO de dicha fuente est conectado a la PUNTA POSITIVA Para medir con un multmetro analgico la resistencia de juntura de un diodo en el sentido de conduccin, primero se debe seleccionar preferentemente la escala de resistencias R x100. A continuacin conectar entre s las Puntas Positiva y Negativa del multmetro y ajustar la aguja a fondo de escala (indicacin de 0 ohms), por medio del control de ajuste de cero. Luego conectar la PUNTA POSITIVA al CATODO del diodo y la PUNTA NEGATIVA al ANODO del mismo. Una lectura de 500 a 600 ohms es normal para diodos de pequea y media potencia. En diodos de mayor potencia como los utilizados en alternadores de automotores, dicha resistencia es algo menor, alrededor de 400 ohms.

** Observe y recuerde que al utilizar un multmetro anlogo para comprobar el estado de la juntura de un diodo en el sentido de conduccin, las puntas de prueba se conectan al revs que en el caso de utilizar un multmetro digital. Esto se debe, como ya se explic, a la inversin de polaridad de la batera con respecto a las puntas de prueba. Para comprobar si el diodo tiene fugas de corriente en el sentido inverso al de conduccin (Polarizacin Inversa) se debe proceder de la forma siguiente: Seleccionar la escala de resistencias en x10 Kohm. Unir las puntas Positiva y Negativa del multmetro y ajustar la aguja a fondo de escala (indicacin de 0 ohm) por medio del control de ajuste de cero. Conectar luego la PUNTA POSITIVA del multmetro al ANODO del diodo y la PUNTA NEGATIVA al CATODO del mismo.
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Al conectar las puntas del multmetro como se indica, observe que el diodo ha quedado polarizado inversamente, por lo tanto no debera conducir. En la prctica no es as, pero cuanto ms alta sea la resistencia medida, ms seguro se puede estar de las buenas con diciones del componente bajo prueba. Los diodos de silicio muestran elevada resistencia de fuga que puede llegar hasta 1000 megohms. Un valor normal en diodos de potencia para alternadores de automotores en buen estado es de 10 a 20 megohms.

Multmetro analgico

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FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR Transistor de Juntura Bipolar Las Figs. 11A;11B y 12 revelan que una juntura P-N con polarizacin inversa es equivalente a un elemento de alta resistencia (baja corriente para una tensin dada), pero que con polarizacin directa es equivalente a un elemento de baja resistencia (alta corriente para una tensin dada). Para una corriente determinada, la potencia desarrollada W = I2.R, en el primer caso es mayor que en el segundo. Se puede fabricar un cristal que tenga dos junturas P-N, una de ellas para ser polarizada en sentido directo y la otra en sentido inverso. As, podemos introducir una seal en la primera y extraerla de la segunda con una ganancia de potencia. Tal circuito transfiere la seal de un circuito de baja resistencia a otro de alta resistencia. De la contraccin de los trminos transfer (transferencia) y resistor (resistencia) resulta la palabra TRANSISTOR. El transistor es dispositivo de tres elementos que son: (Fig. 19) El emisor, que emite los portadores de carga. La base, que controla el flujo de los portadores de carga. El colector, que capta la mayora de los portadores de carga emitidos por el emisor.
TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP

Fig. 19

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Si en un transistor NPN, un voltaje E1 es aplicado al diodo base-emisor en el sentido de conduccin (Fig. 20), una cantidad grande de electrones contenidos en el emisor, sern atrados por el positivo de E1 y entraran a la base donde se neutralizarn con las lagunas positivas contenidas en ella. Esta combinacin de electrones y lagunas en la base causar, que la misma cantidad de electrones que entran salgan de ella hacia el electrodo positivo de E1. Pero la capa de material P que forma la base es muy fina, por lo tanto contiene pocas lagunas. Muchos de los electrones que fluyen desde el emisor, atrados por el polo positivo de E1, no pueden combinarse con lagunas de la base quedando en estas condiciones movindose en la zona cercana a la juntura.

Fig. 20 (Fig.21) Aplicamos ahora un voltaje E2 (de mayor nivel que E1) entre el emisor y el colector. (Fig.

La diferencia de potencial de E2 (positivo a colector y negativo a emisor), har que los electrones libres cercanos a la juntura emisor-base y que no pueden combinarse con las lagunas de la base, sean atrados por el polo positivo de E2 atravesando la base. Ms del 95% de los electrones emitidos por el emisor circularn por el colector atrados por el positivo de E2. De esto fcilmente se deduce que un 5% o menos de los electrones que circulan por el emisor circulan por la base.

Las corrientes que fluyen a travs de los tres terminales de transistor son denominados: IB = Corriente de Base IE = Corriente de Emisor IC = Corriente de Colector
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Para un transistor PNP la polaridad de las fuentes debe ser invertida, pero su funcionamiento es igual al NPN. (Fig. 22). Decamos anteriormente que a lo sumo un 5% de los electrones que circulan por el emisor llegan a circular por la base, la relacin:

es denominada FACTOR DE AMPLIFICACION DE CORRIENTE Este factor puede ser simbolizado por o hfe Los transistores de pequea seal (pequea potencia), tienen generalmente un factor de amplificacin de hfe = 50 ~ 500 Los transistores de potencia tienen factores de amplificacin mucho menores, generalmente comprendidos entre: hfe = 10 ~ 20 El transistor es representado generalmente tal como se ve en la Fig. 23, o tambin como se lo representa en la Fig. 19.

La flecha del emisor indica la direccin de circulacin de la corriente cuando el transistor est funcionando. Tenga en cuenta que esta indicacin obedece a la circulacin de corriente teniendo en cuenta el sentido convencional (no electrnico), o sea de Positivo a negativo. 34 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

En la Fig. 24A se plantea un transistor NPN al que se polariza su Base con respecto al Emisor por medio de una fuente VB-E cuya tensin es ajustable entre 0V y 1,5V. El Colector se alimenta a travs de una resistencia de 1 Kohm, con una fuente fija VCC de 10V, conectada entre Colector y Emisor. En la Fig. 24B vemos como vara la corriente de base IB, en funcin de la tensin de polarizacin directa del diodo B-E. Veamos como vara la corriente de colector IC, en funcin de la variacin de la corriente de base IB. Como se vio en la pgina anterior, para que exista una corriente a travs del colector, debe estar circulando corriente entre emisor y base, producto esta corriente del nivel de la tensin de polarizacin B-E. Recordemos como se relacionan ambas corrientes:

Si la IB = 0, la IC = 0, no circular corriente de colector, por lo que no se produce ninguna cada de tensin sobre la resistencia de carga de colector RL y el nivel de tensin en el nodo VC = 10 V (tensin de la fuente VB) El transistor, en esta condicin de funcionamiento se dice que est CORTADO Si la IB = 100 A y asumiendo que para ese transistor su factor de amplificacin es hfe=100 la intensidad de corriente de colector ser ahora de: IC = 100 A x 100 = 10000 A = 10 mA = 0,01 A Para esta condicin, la tensin en el nodo VC ser: VC = VCC (RL . IC) = 10 10 = 0V
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El transistor, en esta condicin de funcionamiento, se dice que est SATURADO

Si en el circuito planteado en la Fig. 24, la corriente de base IB, se incrementa continuamente entre 0uA y 100 uA, una corriente de colector IC 100 veces mayor circular en cada instante, causando una cada de tensin a travs de RL cada vez mayor (Fig. 25). decrecer Consecuentemente VC continuamente desde 10V hasta 0V.

Asumiendo que: la tensin de polarizacin Base-Emisor para la que la corriente de base es de 100 A, punto en el que el transistor est saturado, es de: VBE = 0,7 V; para IB = 100 A; VC = 0V la tensin de polarizacin Base-Emisor para la cual la corriente de base es de 1 A, punto en que el transistor comienza a salir del corte, es de: VBE = 0,5V; para IB = 1 A; VC = 10V La tensin de polarizacin Base-Emisor para la cual la corriente de base es de 50 A, punto en el que la corriente de colector es de 5mA, por lo que la tensin en el nodo VC = 5V, es de: VBE = 0,6V; para IB = 50 A; VC = 5V De lo anteriormente desarrollado se desprende que: Cuando VBE sea menor que 0,6V, VC ser mayor que 5V. Cuando VBE sea mayor que 0,6V, VC ser menor que 5V. Cuando VBE vara, VC tambin vara. pero en sentido contrario. (Fig. 26)

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En la Fig. 26 se aprecia claramente que para una variacin de la tensin de polarizacin VBE = 0,2 VPP, se produce una variacin en la cada de tensin sobre RL de VC = 10VPP Si la VBE es considerada como un Voltaje de Entrada o Seal de Entrada y VC como un Voltaje de Salida o Seal de Salida, una amplificacin de tensin de la Seal de Entrada se produce en la etapa, siendo esta amplificacin de:

El desfasaje de la Seal de Salida con respecto a la Seal de Entrada es de 180. El Emisor es el electrodo comn del transistor para ambas seales. Si la seal de entrada aplicada supera en amplitud los 200mVPP, por ejemplo llega a 400mVPP, la seal de salida ser recortada en ambos hemiciclos. Esto es porque el hemiciclo positivo de la seal de salida no puede tener una amplitud mayor que la tensin de fuente VCC = 10V y el hemiciclo negativo de esta seal no puede caer por debajo de 0V. (Fig. 27)

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La etapa amplificadora planteada en la Fig. 24 y que se analiz precedentemente es denominada Amplificador en Clase A.

En la prctica, debido a que los transistores no son componentes tan lineales como se los consider tericamente para la descripcin de su funcionamiento, la polarizacin de base VBE, y el valor de la resistencia de carga RL, son elegidos tomando en cuenta distintos parmetros del transistor seleccionado, de modo que este trabaje en su zona ms lineal, con el fin que la seal de salida sea lo menos distorsionada posible con respecto a la seal de entrada. Estos parmetros se obtienen de las hojas de datos del transistor. Hasta ahora se utilizaron dos fuentes de C.C. distintas. Una de ellas para obtener la tensin de polarizacin base-emisor (VBE) deseada y la otra para establecer la tensin de alimentacin emisor-colector (VCC). En la prctica una sola fuente es utilizada.

En la Fig. 28 se muestra como esta disposicin es lograda. La tensin de polarizacin baseemisor se obtiene de la fuente por medio de un divisor de tensin formado por las resistencias RA y RB. Los valores de estas resistencias se eligen de modo que la intensidad de corriente circulante por el divisor, sea por lo menos 10 veces mayor que la corriente de base del transistor, de este modo, esta corriente que tambin circula por RA, no influye sobre la cada de tensin que se produce sobre esta resistencia, puesto que IB es muy pequea con respecto a la impuesta por el divisor IAB. En la Fig. 29 se plantea una etapa similar a la utilizada en la descripcin de funcionamiento de un Amplificador en Clase A, pero con un transistor real BC549. Observe se ha polarizado la base del TR de modo que la corriente de colector en reposo, es decir sin seal de entrada, site la tensin de colector en prcticamente la mitad de la tensin de fuente.
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A esta etapa amplificadora en Clase A, se le aplica ahora una seal de corriente alternada proveniente de un generador externo. Observe que esta seal es aplicad a travs de un condensador, denominado de acoplamiento. El condensador evita que la resistencia de salida del generador (en realidad es impedancia de salida), despolarice la base del transistor por estar en paralelo con la resistencia de 720 del divisor de tensin de polarizacin de base (Fig. 30).

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ChA = Voltaje de la Seal de Entrada 40 mVpp ChB = Voltaje de la Seal de Salida 7,63 Vpp Ganancia de Tensin A = 190

Fig. 31

Como vemos la Ganancia de Tensin obtenida es de 190 veces. La respuesta a frecuencias de la etapa se mantiene plana (no tiene atenuacin), entre 10Hz y 100KHz. El tipo de polarizacin visto puede ser mejorado de modo de estabilizar al transistor trmicamente. Esto se consigue aadiendo una resistencia en el emisor del transistor RE (Fig. 32). Como norma general, la cada de tensin en dicha resistencia se elige de modo que sea la dcima parte de la tensin de alimentacin.

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Observe la etapa de la Fig. 32, si aumenta la temperatura en el transistor, por efecto de la misma este tender a conducir ms y aumentar la corriente de colector. Por consecuencia aumentar la corriente de emisor, provocando a travs de RE una mayor cada de tensin VE . Como la tensin de polarizacin VB se mantiene constante, debido a que est impuesta por el divisor resistivo RA / RB , la tensin de polarizacin VBE disminuir, haciendo que el transistor conduzca menos, compensando as el aumento de corriente provocado por el aumento de temperatura. La resistencia RE introduce a la etapa una realimentacin negativa para la Corriente Continua. Para evitar que la seal de corriente alterna que est siendo amplificada tenga efectos sobre la polarizacin de C.C. del transistor, debido a la resistencia de emisor RE, en paralelo con esta se coloca un condensador de desacoplo CE. La reactancia capacitiva de este condensador debe ser, para la frecuencia ms baja que se desea amplificar, por lo menos 10 veces menor que el valor de la resistencia RE. Siendo la Reactancia Capacitiva de un condensador:

En la Fig. 32 se plantea una etapa amplificadora en base a un transistor BC 549 en la que se incluye la resistencia de emisor RE = 300 .

Fig. 33 41 JORGE A. GARBERO INGENIERIA ELECTRONICA

En la Fig. 34 se tiene la etapa planteada en la Fig. 33, pero a la que se le ha aplicado ahora una seal de C.A. proveniente de un generador externo. Las Seales de Entrada y Salida son mostradas tal como se ven en la pantalla de un osciloscopio (Fig. 35).

ChA = Voltaje de la Seal de Entrada 45 mVpp ChB = Voltaje de la Seal de Salida 5,9 Vpp Ganacia de Tensin A = 131

Fig. 35

La Ganancia de Tensin de la etapa es de 131 veces, algo menor que en el caso planteado en las Figs. 29 30 31. Esto es debido a la menor disponibilidad de tensin Emisor-Colector por la inclusin de la resistencia de Emisor. La respuesta a frecuencias de la etapa se mantiene plana entre 100 Hz y 100 KHz. Para que la respuesta mejore en bajas frecuencias, el condensador de desacoplo de emisor debe aumentarse a por lo menos 1000 F.
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Observe que la seal amplificada por los circuitos planteados en las Figs. 30 y 34 presenta una distorsin importante del hemiciclo negativo. Esto se debe a que en ambas etapas se busco la mxima amplificacin de la seal de entrada y la distorsin se produce por la no linealidad del diodo base-emisor En la prctica, cuando se disean etapas amplificadoras, se da prioridad a la deformacin (distorsin) que introduce la etapa en la seal amplificada con respecto a la seal a amplificar, buscando que esta sea lo mnima posible sacrificando si es necesario, nivel de amplificacin.

Fig. 36

En las Fig. 36 se muestra el circuito de un amplificador de 2 Etapas cuya ganancia total de tensin es de: A = 200 veces Respuesta a Frecuencias = plana entre 20Hz y 150KHz Los resistores de 300 y 200 insertados en los emisores del primer transistor y el segundo, respectivamente, al no estar bypasados por un condensador introducen una realimentacin negativa para la C.A., esta realimentacin mejora el factor de distorsin. En la Fig. 37 se muestra, en la pantalla del osciloscopio, las seales de Entrada y Salida del circuito

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ChA = Voltaje de la Seal de Entrada 20 mVpp ChB = Voltaje de la Seal de Salida 4 Vpp Ganancia = 4Vpp / 0.02 Vpp = 200

Fig. 37

Observe que las seales de Entrada y Salida se encuentran en fase, esto es debido a que al existir dos etapas se produce una doble inversin de la seal de entrada. Los amplificadores vistos hasta ahora son denominados: Amplificadores en Clase A en configuracin Emisor Comn. Los amplificadores en Clase A, amplifican la seal de entrada completa, es decir los dos hemiciclos, si los hay. Su configuracin se denomina Emisor Comn por estar el emisor conectado a masa, aplicndose la seal a amplificar a la base y obteniendo la seal amplificada en el colector. Su Resistencia de Entrada es baja, comprendida entre 100 y 5K. Su Impedancia de Salida es alta, comprendida entre 10K y 100K. Realizan amplificacin en corriente y tensin, lo que permite obtener una alta ganancia de potencia. Las seales de Entrada y salida se encuentran desfasadas 180 y la respuesta en frecuencia es pobre comparada con la configuracin de Base Comn. Por sus buenas caractersticas de ganancia es el circuito utilizado como amplificador para medias y bajas frecuencias. Como la diferencia de impedancia de entrada y salida no es muy grande, esta configuracin se utiliza en amplificadores de varias etapas, ya que permite el acoplamiento de una etapa a la siguiente.
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Amplificador Clase A en configuracin Base Comn

La Seal de Entrada, en este tipo de circuito, se aplica al Emisor mientras la Seal de Salida amplificada se obtiene, como en el caso anterior, del Colector. En la Fig. 38 se muestra una etapa amplificadora de este tipo. En la Fig. 39 vemos las seales de Entrada y Salida en la pantalla del osciloscopio.

Fig. 38
ChA = Voltaje de la Seal de Entrada 20 mVpp ChB = Voltaje de la Seal de Salida 5 Vpp Ganancia = 5 Vpp / 0,02 Vpp = 250

Fig. 39

La base del transistor est puesta a masa para la corriente alternada de la seal a travs del condensador de 100 F, de ah que esta configuracin reciba el nombre de Base Comn.
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La Resistencia de Entrada es bastante baja, pudiendo estar comprendida entre 10 y 100 y presenta una Impedancia de Salida muy alta, entre 500K y 1M. En este tipo de circuito la amplificacin de corriente es siempre menor que la unidad, mientras tiene una alta amplificacin de tensin, entre 500 y 5000. La ganancia en potencia es media, entre 100 y 1000. Las seales de Entrada y Salida se encuentran en fase. Es la configuracin que mejor respuesta en frecuencia proporciona. Esta configuracin tiene su principal aplicacin como amplificador para altas frecuencias.

Amplificador en Clase A en configuracin Colector Comn. A este tipo de etapa se la conoce tambin como, Seguidor de Tensin o Seguidor Emisivo.

En la Fig. 40 se muestra una etapa amplificadora de este tipo. En la Fig. 41 vemos las seales de Entrada y Salida en la pantalla del osciloscopio.

Fig. 40

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ChA = Voltaje de la Seal de Entrada 2 Vpp ChB = Volaje de la Seal de Salida 1,98 Vpp Ganancia = 0,99

Fig. 41

En este ltimo tipo de configuracin, la Seal de Entrada que se desea amplificar se aplica a la Base del transistor. La Seal de Salida se obtiene a travs del Emisor. El Colector se encuentra a masa para la corriente alternada pues est directamente conectado al positivo de la fuente de alimentacin. De ah que reciba el nombre de Colector Comn. Este montaje presenta una Resistencia de Entrada muy alta, comprendida entre 50K y 500K, mientras que la Impedancia de Salida es muy baja, entre 10 y 100. La amplificacin de corriente es media, entre 10 y 100. La amplificacin de tensin es menor que la unidad. Su ganancia en potencia est comprendida entre 10 y 100. No presenta ningn desfasaje entre las seales de Entrada y Salida. Gracias a las Impedancias de Entrada y Salida de este tipo de etapa, es que es muy utilizado como Adaptador de Impedancias. Adapta muy bien etapas de Alta Impedancia de Salida con etapas de Baja Impedancia de Entrada.

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 El transistor en conmutacin
El transistor trabaja como una llave, por supuesto una llave electrnica. En el automotor lo vemos operando Bobinas de Encendido, Inyectores de combustible, Relays, etc. En este tipo de utilizacin, el transistor solamente puede tomar dos estados Saturado o al Corte En las Figs. 42 y 43 vemos estas dos condiciones.

Transistor cortado - Fig. 42

Transistor saturado - Fig. 43

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Fig. 44

En la Fig. 44 se muestra un transistor trabajando en conmutacin cuando es activada su base por una seal de C.C. Pulsante cuyos estados son: ON = (1 digital) = +5 Volt ---- OFF = (0 digital) = 0 Volt Los estados del transistor se corresponden con la seal que recibe en base y sus estados son: Seal = +5V => Transistor = ON (en saturacin) Seal = 0V => Transistor = OFF (cortado) Observe que el tiempo que el transistor se encuentra en saturacin (en conduccin), es igual al tiempo que la seal aplicada a su base se encuentra a nivel alto, o sea ON = 1 = +5V Observe que el tiempo que el transistor se cortado (no conduccin), es igual al tiempo que la seal aplicada a su base se encuentra a nivel bajo, o sea OFF = 0 = 0V Como ya sabemos esto se traduce en el colector del transistor en los siguientes estados: Seal aplicada a la Base = 1 = +5V => Seal en Colector = 0 = 0V Seal aplicada a la Base = 0 = 0V => Seal en Colector = 1 = +12V El transistor trabajando en conmutacin (tambin conocido como switching) es muy utilizado para el manejo de relays, electro vlvulas, motores, inyectores de combustible, bobinas de encendido, etc.
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Tiempos de conmutacin

El pasar del Corte a la Saturacin y viceversa no es instantneo, es decir, el transistor necesita un determinado tiempo para conmutar. Este tiempo de conmutacin se divide en dos: El tiempo que tarda en pasar del estado de Corte al de Saturacin, se denomina: tOFF-ON El tiempo que tarda en pasar del estado de Saturacin al de Corte, se denomina: tON-OFF

Observando la Fig.45, podemos ver como a su vez estos tiempos se subdividen en otros dos: tOFF-ON = td + tr tON-OFF = ts + tf td Delay Time: en el cambio de Corte a Saturacin, es el tiempo que transcurre desde que aparece la seal en la base, Vs, hasta que la tensin de colector, VC, cae al 90% de la tensin de fuente, VCC. tr Rise Time: en el cambio de Corte a Saturacin, es el tiempo que tarda en caer la tensin de colector, VC, desde el 90% al 10% de la tensin de fuente, VCC. ts Storage Time: en el cambio de Saturacin a Corte, es el tiempo transcurrido entre la

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desaparicin de la seal, Vs, y el paso de la tensin de colector, VC, de 0% al 10% de la tensin de fuente, VCC. tf Fall Time: en el cambio de Saturacin a Corte, es el tiempo que tarda la tensin de colector, VC, en pasar del 10% al 90% de la tensin de fuente, VCC. El tiempo ms significativo es ts, Storage Time. En los transistores empleados en las aplicaciones de conmutacin, este tiempo suele variar entre 10 y 60 ns.

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Transistor Darlington Cuando se necesita conmutar cargas que demandan corrientes elevadas por ejemplo, una electro vlvula, un inyector de combustible, el primario de una bobina de encendido, un motor de C.C., es comn la utilizacin de transistores denominados Darlington. Observe la figura, contenidos en la misma cpsula hay dos transistores, la corriente emisor-colector del primero es la corriente de base del segundo. Una etapa as configurada puede tener ganancias de corrientes elevadas, de 200 a 1000 veces, esto permite manejar corrientes grandes en la carga de Fig. 45 colector con corrientes muy pequeas de base. Supongamos que la corriente que demanda la carga sea de 6 Amper, mximo nivel de intensidad de corriente que normalmente se alcanza en una bobina de encendido actual. Si el transistor Darlington empleado tiene una ganancia hfe = 300, la corriente de base que demandar ser de 0,02A (20 mA.). / 0,014A x 500 = 6 Amper Esto permite que esta etapa de potencia sea manejada directamente por circuitos digitales, circuitos estos que pueden erogar solamente potencias pequeas. El diodo conectado entre emisor y colector es de proteccin y es comn encontrarlo en transistores Darlington diseados para manejar cargas inductivas como por ejemplo inyectores y bobinas de encendido. Se muestran a continuacin dos tipos de transistores Darlington utilizados en varios Mdulos de Encendido y controles electrnicos (ECU), para operar primarios de bobinas de encendido.

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En la pgina siguiente se han incluido dos fotografas de una ECU Magneti Marelli IAW G8 empleada en la gestin de motor de un automvil RENAULT 19 1.6 Monopunto. En ellas se muestran los transistores Darlington que gobiernan distintos actuadores.

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En la fotografa anterior aparece un nuevo componente, VDR (recuadro rojo). VDR > del ingls Voltage Dependent Resistor en espaol Resistor Variable con la Tensin o Varistor

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Un varistor es un componente electrnico cuya resistencia hmica disminuye bruscamente cuando la tensin (voltaje) que se le aplica aumenta por encima de su tensin nominal de trabajo. Cuando la tensin aplicada es inferior a la tensin nominal, el componente presenta una resistencia elevada, del orden de los Kohm, cuando se supera esa tensin su resistencia disminuye bruscamente reducindose a unos pocos ohm. En los Controles Electrnicos utilizados en el automvil se colocan varistores cuya tensin nominal de trabajo esta en el orden de los 25 Volt. Su disposicin en el circuito de la ECU es igual a la disposicin empleada con los Diodos Supresores de Transitorios, o sea en paralelo con la entrada de alimentacin. Tienen un tiempo de respuesta rpido y son utilizados como limitadores de picos voltaje. Fabricados bsicamente con xido de zinc y dependiendo del fabricante se le aaden otros materiales para agregarle las caractersticas no lineales deseables. El material se comprime para formar discos de diferente tamao y se le agrega un contacto metlico a cada lado para su conexin elctrica. Se utiliza para proteger los componentes ms sensibles de los circuitos contra variaciones bruscas de voltaje o picos de corriente que pueden ser originados, en el caso del automvil, por el alternador o en el instante que se desconectan cargas inductivas que demandan altas intensidades de corriente como ser, primarios de bobinas de encendido, electro ventiladores, embrague de aire acondicionado, etc. El tiempo de respuesta est en el orden de los 5 a 25 nanosegundos. El voltaje de actuacin esta comprendido, para los distintos modelos fabricados, entre los 5,5Volt en C.C.; 4 Volt RMS en C.A. y los 850Volt en C.C.; 660 Volt RMS en C.A. Los picos de intensidad de corriente transitoria que pueden soportar esta comprendida entre los 20 Amper y los 6500 Amper, segn de que modelo se trate. La confiabilidad es limitada ya que se degrada con el uso.

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Transistor MOSFET MOSFET son las siglas (en ingles) de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS.

Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin. Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).

Estado de corte Cuando la tensin de la compuerta (G) es idntica a la de la fuente (S), el MOSFET est en estado de no conduccin: prcticamente ninguna corriente fluye entre fuente y drenaje aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos (Fig. 45).

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Saturacin Cuando de la compuerta (G) es positiva con respecto a la fuente (S), en el ejemplo +5V, el MOSFET entra en estado de saturacin, mxima conduccin. Es importante observar que la intensidad de corriente entre fuente y drenaje es prcticamente limitada por la resistencia de carga (en este caso R = 1 ohm), mientras que la intensidad de corriente que toma la compuerta es prcticamente nula, apenas 50 nano Amper (Fig. 46).

Estas caractersticas hacen que este transistor se comporte como una llave de conmutacin casi ideal, puede manejar corrientes muy elevadas entre fuente y drenaje sin tomar prcticamente corriente de compuerta, al ser esta activada por tensin y no por corriente, como sucede en los transistores bipolares de juntura, an en los Darlington. Esta caracterstica permite que los circuitos previos, de los que reciben la seal de mando en su compuerta, sean de muy baja potencia, por ejemplo circuitos digitales. Tambin aventajan a los transistores bipolares en lo referente a la velocidad de conmutacin, por tener tiempos de conmutacin mucho menores. Tienen una desventaja con estos ltimos, su resistencia interna en estado de conduccin aumenta al aumentar la corriente circulante entre fuente y drenaje.

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Transistor IGBT

El transistor bipolar de compuerta aislada IGBT, (del ingls - Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de compuerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturacin del transistor bipolar, combinando una compuerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del transistor bipolar de juntura. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al transistor bipolar en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa, una de ellas es su utilizacin en Controles Electrnicos (ECUs), controlando los bobinados primarios de bobinas de encendido. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido, en el que se ha integrado en un solo encapsulado un MOSFET como entrada de seal de control y un BJT para conmutar la carga. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de corriente de base para mantenerse en conduccin.

Como ejemplo, en la pgina siguiente se muestra la fotografa de un Control Electrnico SIRIUS 32 fabricado por Siemens para Renault, en el que se ha utilizado dos transistores de potencia IGBT para activar las bobinas de encendido.
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Todos estos semiconductores discretos estn siendo reemplazados por circuitos integrados que pueden manejar cargas inductivas que demandan corrientes importantes como son, los primarios de bobinas de encendido, inyectores, relays, motores, etc. Como ejemplo se muestra la foto de un Control Electrnico Magneti Marelli 4AF que equipa a varios modelos de automviles de la empresa FIAT.

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