DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Prof. Mag. De Pasquale Lorenzo

Comisión: Moreno-Báez

Dispositivos Multicapa

T IRISTORES Y
TRIACS
 Introducción a la Electrónica de Potencia

Con visión histórica, el concepto de Electrónica diferenciaba dos ramas:

La primera estudiaba el procesamiento de señales eléctricas y los
dispositivos asociados y la segunda estaba dedicada al estudio del
procesamiento de la potencia eléctrica y los dispositivos asociados.
En la Electrónica de señal se varía la caída de tensión que un componente
activo crea en un circuito habitualmente alimentado en continua. Esta
variación permite, a partir de una información de entrada, obtener otra de
salida modificada o amplificada. Lo que interesa es la relación entre las
señales de entrada y salida, examinando posteriormente la potencia
suministrada por la fuente auxiliar que requiere para su funcionamiento.
La función de base es la amplificación y la principal característica es la
ganancia.
 Introducción a la Electrónica de Potencia

Señal Señal tratada Potencia Pot. modificada

entrada salida entrada salida

Fuente aux. Señal de

potencia disparo

Electrónica de señal Electrónica de potencia

 Introducción a la Electrónica de Potencia

En la Electrónica de potencia, el concepto principal es el rendimiento. El

elemento de base no puede trabajar en régimen de amplificación pues las
pérdidas serían elevadas, es necesario trabajar en régimen de
conmutación, siendo el componente de base el semiconductor quien
trabaja como interruptor. Este componente trabajando en conmutación
deberá cumplir las siguientes características:
- Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia
(bloqueo) y otro de baja impedancia (conducción).
- Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con pequeña
potencia de control.
- Ser capaz de soportar altas tensiones cuando está bloqueado y grandes
intensidades, con pequeñas caídas de tensión entre sus extremos,
cuando está en conducción.
- Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
 Introducción a la Electrónica de Potencia

La Electrónica de potencia se desarrolla fundamentalmente a partir del

nacimiento del tiristor. A partir de esa fecha los conceptos
electrotécnicos se convierten en electrónicos.
Se desarrollan entre los años 1965 y 1980 gran cantidad de dispositivos
multicapa para el procesamiento de la potencia eléctrica basados en
este dispositivo. Cabe agrupar los desarrollos en este sentido en
convertidores AC/DC (rectificadores controlados), convertidores DC/AC
y AC/AC (inversores), y convertidores DC/DC.
A partir de los años 1980 se produce un fuerte incremento de la
penetración en el mercado de equipos de potencia debido
fundamentalmente a la incorporación por parte de estos de otros
nuevos elementos de potencia como el transistor, MOSFET, IGBT, que
permiten mayores frecuencias de conmutación y consecuentemente la
reducción del tamaño de los equipos. El tiristor sigue ocupando a
pesar de todo un lugar preferente para las altas potencias (mayores de
500 KW).
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DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE POTENCIA:

Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los

diodos y transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados
de éstos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral
o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor uniunión programable o
PUT y el diodo Shockley. 
Existen tiristores de características especiales como los fototiristores,
los tiristores de doble puerta y el
tiristor bloqueable por puerta (GTO). 
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TIRISTORES
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores que se
utilizan en los circuitos conversores de potencia eléctrica controlada.
Compiten en algunas aplicaciones, con los transistores de potencia.
Actúan como interruptores de corriente eléctrica, con característica
“biestable”, que lo hace pasar de un estado “no conductor”, a un
estado “conductor”.
En comparación con los transistores, desde el punto de vista de su
actuación como interruptor de corriente eléctrica, los tiristores tienen
menores perdidas por conducción en estado “encendido” y tienen
mayores especificaciones para el manejo de la potencia eléctrica a
convertir. Los transistores, en cambio, tienen en general, mejor
prestación durante la conmutación, por su mayor velocidad y menor
perdida de conmutación.
Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores
denominados “tiristores”, con dos, tres y hasta cuatro terminales
externos.
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TIRISTORES
Por ejemplo el tiristor convencional, denominado “SCR” (rectificador
controlado de silicio) es el tiristor de mayor interés hoy en día. Fue
introducido por primera vez en 1956 por los laboratorios de Bell
Telephone y son capaces de controlar hasta 10MW con niveles de
corriente de hasta 2000 A a 18000 V.
Posee tres terminales, dos de los cuales los emplea para conducir la
corriente eléctrica a convertir, y el tercer terminal se lo utiliza para
“encender” el dispositivo (pasaje al estado conductor). La operación
inversa, o sea el bloqueo de la corriente controlada, solo se logra por
acción natural (cruce por cero de la corriente por el cambio de
polaridad del voltaje), o por acción forzada de circuitos de
conmutación auxiliares.
El “GTO” es un tiristor que tiene implementada la función de
“encendido y apagado” mediante una compuerta que se le aplican
pulsos positivos (para encendido) y pulsos negativos (para apagado),
respecto al terminal “cátodo”.
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TIRISTORES
Estructura y símbolo:

Es un semiconductor sólido de silicio formado por cuatros capas P y

N alternativamente, dispuestas como se ve en la siguiente figura
donde también se representa su símbolo.
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TIRISTORES
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Principio de funcionamiento

Siguiendo el grafico se supone que entre ánodo

y cátodo no existe tensión alguna así como
entre el electrodo de gobierno, o puerta y el
cátodo por lo que existen ciertas zonas
desprovistas de cargas, bien definidas, en cada
una de las uniones PN, y señaladas como J1,
J2, J3.
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Polarización directa
Al aplicar una tensión positiva entre ánodo y
cátodo se puede observar que la unión J1 y J3
se polariza en directa, y la unión J2 se
polariza en inversa. En estas condiciones
únicamente circula una corriente muy baja
(despreciable) y el dispositivo se encuentra
cortado.
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Polarización directa
Si aumentamos la tensión ánodo-cátodo (vca),
la juntura “J2” entra en ruptura por avalancha
(vca = VBO), denominado “voltaje de ruptura
directo”. Por el tiristor circulara una gran
corriente, solo limitada por la carga conectada
al circuito. Se dice que el tiristor entro en
estado de “conducción directo o activado”.
En esta condición, vca≈1 volt. La corriente se
mantendrá circulando, solo si esta supera un
valor, denominado “corriente de retención o
enganche”(IL)-Latching.
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Curva I-V en polarización directa

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Polarización en inversa
Cuando se aplica una tensión negativa en
el ánodo respecto al cátodo, J1 y J3 se
polarizan inversamente, y J2 se polariza
directamente. En esta condición, la
junturas J1 y J3, se comportan como dos
diodos conectados en serie, soportando
una tensión inversa, por lo que circulara
una pequeña corriente de fuga entre ánodo
y cátodo
(corriente inversa). Se dice que en esta
condición, el tiristor esta en estado de
“bloqueo inverso”, similar a un diodo
polarizado inversamente.
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Polarización en inversa

Curva I-V del SCR

Curva I-V de un SCR
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Activación por Corriente de Compuerta

La activación de un tiristor, haciendo vca > VBO, lo puede destruir. En
la práctica vca < VBO. y para activarlo, se le aplica un voltaje positivo a
la compuerta “G”, respecto al cátodo. Una vez activado, puede quedar
en esta condición (por un mecanismo de realimentación interna
positiva), siempre y cuando la corriente de ánodo supere el valor
de la corriente “mínima de retención o enganche” (ia> iL). Dadas estas
condiciones, la tensión de compuerta se puede retirar, sin afectar el
ultimo estado “conductor” del tiristor .
El tiristor, en el estado conductor, se comporta en forma similar a la de
un diodo polarizado directamente y ya no hay control sobre el
dispositivo.
El estado de bloqueo directo se logra, como dijimos, mediante la
conmutación natural de la tensión de alimentación a un valor negativo o
mediante circuitos especiales de apagado del tiristor; todos ellos
actuando sobre la corriente de ánodo para que su valor
se haga menor a la de “mínima de mantenimiento” (ia < iH).
Curva I-V de un SCR
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Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

Consiste en separar su estructura física en dos mitades. La mitad

izquierda es un transistor PNP y la mitad derecha NPN, resultando
el circuito mostrado en la siguiente figura que normalmente es
referido como candado.
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Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

Aplicando una tensión positiva en el electrodo
de puerta, vemos que la corriente pasa a través
de la unión J3 polarizada en sentido directo, del
cátodo hacia la puerta o electrodo de gobierno,
tal como ocurriría en un transistor NPN. Las tres
regiones inferiores compuestas por los cristales
N2, P2 y N1 se pueden considerar como un
transistor NPN en el cual P2 constituye la base;
N1 el colector, y N2, el emisor. La corriente
electrodo de gobierno-cátodo equivale a la
corriente emisor-base de un transistor, y por el
efecto transistor parte de la corriente de emisor
atraviesa la unión J2 y pasa al colector. El flujo
de electrones a través de la unión J2 es causa de
que la región de agotamiento se estreche y que ,
por lo tanto, su resistencia se reduzca.
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Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

Como consecuencia de todo lo expuesto la
proporción de la tensión ánodo-cátodo que
aparece en la unión J2 disminuye, lo cual
permite que aumente la tensión de las uniones
J1 y J3. La polarización directa de J1 aumenta y
un cierto número de huecos atraviesa la unión,
lo cual se ve representado por la flecha blanca.
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Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

Las regiones P1, N1 y P2 pueden a su vez ser
consideradas como un transistor PNP , por lo que ,
debido al efecto del transistor normal, algunos de
los huecos del emisor P1 fluyen hacia el colector
P2 a través de la base N1 (flecha blanca). Este
último flujo de huecos a través de la unión J2 hace
que su anchura se reduzca aún más y, por
consiguiente, aumenta el flujo de electrones en el
transistor formado por las regiones N2, P2 y N1.
Este efecto acumulativo, iniciado por el impulso
positivo aplicado entre electrodo de gobierno y
cátodo, continúa rápidamente hasta que la unión
J2 desaparece del todo, con lo cual la resistencia
efectiva ánodo-cátodo del tiristor se hace muy
pequeña y puede circular a través de él una
corriente directa de gran intensidad.
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Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

Cada transistor posee

una ganancia de
corriente:
Q1=α1 ; Q2=α2
La corriente IC del
colector de un transistor
se relaciona con la
corriente del emisor IE y
la corriente de fuga de la
unión colector-base
ICBO.
IC = αIE + ICBO
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Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

La ganancia de corriente en base común se define como α ≈ IC/IE. Para el
transistor Q1 la corriente de emisor es la corriente anódica IA, y la corriente del
colector IC1 se puede determinar con la ecuación:
IC1= α1IA + ICB01
donde α1 es la ganancia en corriente e ICB01 es la corriente de fuga para Q1. De
igual modo, para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es
IC2= α2Ik + ICB02
donde α2 es la ganancia en corriente e ICB02 es la corriente de fuga para Q2.
Se combinan IC1 e IC2 para obtener
IA = IC1 + IC2 = α1IA + ICB01 + α2IK + ICB02
Si la corriente de disparo es IG, IK = IA + IG, reemplazando en la ecuación
anterior y despejando IA se obtiene
IA = α2IG + ICB01 + ICB02
1 – ( α1 + α2 )
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Modelo del tiristor con dos transistores bipolares

1) Si en la ecuación anterior hacemos IG = 0 , es decir no hay activación por
compuerta, la corriente de ánodo vale:
IA = ICB01 + ICB02 En este caso α1 =α2 ≈ 0 dado que IE e IC ≈ 0

2) Si hacemos IG distinto de 0 o sea tenemos activación por la compuerta del

transistor npn (corriente de base entrante) comienza a producirse la
realimentación interna positiva , dado que aumenta la corriente de colector de
Q2 que a su vez es corriente de base de Q1 y por efecto de amplificación
aumenta su corriente de emisor (corriente de ánodo del tiristor); de la misma
forma aumenta la corriente de colector de Q1 y esta corriente alimenta
nuevamente la base de Q2 y así sucesivamente hasta que ambos transistores
pasan a la saturación. En la formula el crecimiento de la corriente de ánodo se
nota al aumentar las ganancias de corrientes de los transistores por efecto del
aumento de las corrientes de emisor de los transistores.
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Diferentes formas de activar un tiristor
Térmica: Si la temperatura de un tiristor es alta, hay aumento en la cantidad de
pares e- hueco, que aumenta las corrientes de fuga y estas hacen que aumente
α1 y α2. Debido a la acción regenerativa α1+α2 puede tender a la unidad y el
tiristor se puede activar. Este tipo de activación puede causar avalancha
térmica, y por lo tanto se evita.
Luz: Al incidir luz en las uniones del tiristor, aumentan los pares e- hueco y el
mismo puede activarse. Los que utilizan este método dejan que la luz incida
sobre la oblea de silicio.
Alto voltaje: Si el voltaje en sentido directo (A-K) es mayor que el VBO (voltaje
de ruptura directo) pasa una corriente de fuga suficiente para iniciar la
activación regenerativa. Esta activación se debe evitar porque es destructiva.
dv/dt: Si la rapidez de aumento del VAK es alta, la corriente de carga de las
uniones capacitivas es suficiente para activar el tiristor. Se debe proteger contra
una alta tasa de dv/dt.
Corriente de compuerta: Si el tiristor esta polarizado en directa, la inyección de
corriente de compuerta al aplicar un voltaje (+) entre la compuerta y el cátodo
hace que el tiristor conduzca. Al aumentar la corriente de compuerta disminuye
el voltaje de bloqueo en sentido directo.
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Desactivación de un tiristor
Un tiristor que esta activo puede desactivarse reduciendo la corriente en
sentido directo hasta un valor inferior al de la corriente de retención IH. En
todas las técnicas de desactivación la corriente anódica se mantiene inferior a
la corriente de retención durante un tiempo suficientemente largo para que
todo el exceso de portadores en las 4 capas se recombinen.
Los tiristores para activarse necesitan un impulso corto, para desactivarse
necesitan circuitos especiales de control.
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Tipos de tiristores
Se pueden clasificar en 13 categorías:

Tiristores controlados por fase (SCR)

Tiristores bidireccionales controlados por fase BCT (Bidirectional Phase-
Controlled Thyristor)
Tiristores de conmutación rápida
Rectificadores controlados de silicio foto activados (LASC)
Tiristores de tríodo bidireccional TRIACS (Triode Alternating Current Switch)
Tiristores de conducción en sentido inverso RCT (reverse-conducting
thyristor)
Tiristores apagados (desactivado) por compuerta GTO (Gate Turn-Off)
Tiristores controlados por FET ( FET-CTH)
Tiristores de apagado por MOS (MTO- Mos Turn-Off)
Tiristores de apagado (control) por emisor ETO (Emitter Turn-Off)
Tiristores conmutados por compuerta integrada IGCT (Integrated Gate-
Commutated Thy)
Tiristores controlados por MOS (MCT- Mos Contolled Thyristor)
Tiristores de inducción estática (SITH- Static inducction Thyristor)
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Aplicaciones de los diferentes dispositivos
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Grafico comparativo frec-I-V
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Tipos de Encapsulado
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TRIACS
El TRIAC (TRIode for Alternative Current)
Es un dispositivo semiconductor de
característica biestable, con la
particularidad que puede conducir
corriente controlada en ambos sentidos,
con tensiones positivas y negativas,
aplicadas a sus terminales principales. La
activación, se realiza en forma similar a los
SCR, aplicándoles una tensión eléctrica,
de determinada polaridad, al terminal de
compuerta.
Como el triac, puede conducir en ambas
direcciones, sus terminales principales, se
denominan T2 y T1, en reemplazo del
cátodo y ánodo de los dispositivos
unidireccionales, como el SCR.
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MODOS DE ENCENDIDO
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TRIACS
En la práctica las sensibilidades al disparo son diferentes. En el primer
cuadrante se logra activar al triac con menor corriente de compuerta,
aplicándole un pulso de tensión positiva. Para el tercer cuadrante la
mayor sensibilidad, se logra con un pulso de tensión negativa, en la
compuerta. Esencialmente el TRIAC no presenta diferencias de
funcionamiento con respecto al SCR.
Los regimenes máximos que garantiza el fabricante están determinados
por la temperatura máxima de funcionamiento. Los valores de tensión de
bloqueo están disponibles hasta 1200 V y corrientes máximas de 300 A.
La frecuencia máxima de operación es de 400Hz, con tiempos de
conmutación de 200 a 400 μseg. Los TRIAC, tienen aplicaciones en los
convertidores de ca a ca (modifican el valor eficaz de la tensión alterna)
por el método de control por fase. Cuando trabajan con carga inductiva,
debido a que la corriente circula mas allá del cruce por cero de la tensión
de alimentación, cuando la corriente se hace finalmente cero, el TRIAC se
somete a una dv/dt alta debido a que en ese momento la tensión en sus
extremos toman el valor de la tensión externa que en ese momento tiene
un valor alto.
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TRIACS
Por ello es necesario protegerlo con una red pasiva RC, dado que si no se lo
hace, se pierde el control de potencia y el TRIAC se reactiva inmediatamente
sin pulso de disparo.
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Bibliografía:
Electrónica de Potencia. Muhammad H.Rashid. Prentice Hall.
Solid State Electronic Devices. Streetman. Prentice Hall.
Artículos de internet ( Introd.Sistemas de Potencia Universidad de
Valencia-Universidad Nacional de Rosario-UTN Facultad Regional Santa Fe-
Varios)

AÑO 2007