Electrónica Análoga

Ing. Juan Esteban Palacios Duarte

In. Paulo César Calvo Echeverry
 Unión PN y zona de Deplexión
Electrones libres se combinan con los huecos
generando dipolos, no todos se recombinan dado que
se crea una barrera de potencial que depende del
semiconductor.
Los electrones deben superar en caso del Silicio 0.7V
y 0.3V en el germanio para poder atravesar la zona de
deplexión.
 Polarización de material PN
Los electrones son atraídos por la parte negativa de la fuente
de polarización, por si parte los huecos son atraídos por la
parte positiva.
Si los electrones logran vencer la zona de deplexión y salir
del material se dice que esta en polarización directa, en el
caso contrario se conoce como inversa.
En la polarización directa, el circuito permite el paso de
corriente, por su parte en inversa no hay corriente.
 Ruptura – Efecto avalancha
Tensión en inversa muy alta.
Se genera un efecto de avalancha.
Daño del componente. (La hoja de datos de los
componentes basados en uniones PN poseen el valor
máximo.
 DIODO
Elemento semiconductor basado en unión PN que
permite el paso de corriente en un solo sentido.
Posee tanto polarización inversa como en directa.
Terminal asociado al material tipo P conocido como
Ánodo, mientras que el terminal asociado al material
tipo N se conoce como Cátodo
 Diodo Ideal
Cumple con sus funciones de conducir corriente en un
solo sentido.
No tiene caídas de tensión.
Resistencia interna se considera nula
 Segunda Aproximación
Se tiene en cuenta la caída de tensión de diodo, que es
igual a la barrera de potencial del material usado para
la fabricación.
 Tercera Aproximación del Diodo
Se tiene en cuenta la caída del diodo, 0.7V en caso del
silicio, 0.3V en el caso del germanio.
Se tiene en cuenta la resistencia interna, que se puede
determinar por medio de la hoja de datos.
 Curvas del diodo (Ideales)

Primera aproximación Segunda Tercera aproximación

aproximación
 Curvas características
Los semiconductores
son muy sensibles a
las altas temperaturas,
por tanto un diodo
puede sufrir cambios
en su zona de
deplexión si es
sometido a altas
temperaturas.
Hoja de datos.
 Diodo de segunda aproximación.
 Calcular el voltaje, corriente y potencia en la
resistencia

𝑉
  𝑅 6 =614.99 𝑚𝑉 ; 𝐼 𝑅 6=1.70 𝑚𝐴 ; 𝑃 𝑅 6=1.04 𝑚𝑊
 Ejercicio practico
Con el siguiente circuito, calcule el valor de la resistencia
para que esta consuma 0.5W.
Agregue diodos y verifique como cambian los resultados.

Cambie la fuente de entrada por una señal sinusoidal con

frecuencia de 60Hz y con valor de 5Vrms.
Invierta el diodo y vuelva a medir.
 Amplificador de Instrumentación
 Como se tiene un amplificador no inversor, en la
primera etapa conocido como “Preamplificador “, se
aplica la ecuación de dicha configuración.

Una vez realizado dicha amplificación, el amplificador

diferencial, restará ambas señales.
=
 A.I Integrados
El AD620 de Analog Devices, es un integrado que
contiene todo los elementos excepto la resistencia que
controla la ganancia.
La función es la misma, tomar una señal diferencial,
amplificarla y restarla.
La empresa M&J se encarga de la fabricación de dulces, sin
embargo han presentado problema debido a que las cajas de
distribución han salido de la fabrica con sobre peso, debido a
que en el proceso solo se empacan desde 5kg hasta 30kg, y le
han pedido a usted diseñar un sistema que cumpla con las
siguientes características:

Las cajas no pueden sobrepasar los 30Kg, en caso tal que

eso suceda, la banda transportadora (Motor a 15V – 150mA)
debe detenerse. En caso contrario la banda transportadora
deberá continuar.

Solamente se cuenta con 1k una
 10 celda de carga la cual se le
kg
desconoce la sensibilidad del mismo.
Se cuenta con una única fuente dual de 15V
 Peso Resistencia
0kg 1000Ω
5kg 1050Ω
15kg 1150Ω
20kg 1200Ω
30kg 1300Ω

Usualmente los sensores resistivos poseen un valor de resistencia inicial, es decir, sin la
presencia de la variable física, como lo es en este caso el peso. Esto es relevante debido
a que esta será la resistencia para el puente de Wheatstone.
VCC
15V
Peso Resistencia  𝑉 𝑜𝑢𝑡

R1 R3
0kg 1000Ω 0V
1kΩ 1kΩ
5kg 1050Ω 37,3mV
 𝑉 15kg 1150Ω 523mV
𝑜𝑢𝑡
Sensor R4 20kg 1200Ω 682mV
1000Ω 1kΩ
30kg 1300Ω 978mV
37,5mV 0,19V Con 0Kg
VCC
987mV 5V 15V R2
12.35kΩ
VCC
VCC 15V A

  5𝑉 R1 R3
15V
PR4

𝐴𝑣= =5.11 1kΩ 1kΩ 100Ω

V(dc): 13.5 V
Q1

8
U1
978 𝑚𝑉
3

1
8
U5A V A I(dc): 147
3 1 PR3 PR1
5V B=100
49.4 𝑘 𝛺 6 2
8.5kΩ
𝐴𝑣 = +1 2 LM358AD
𝑅𝐺 Sensor R4

4
1000Ω 1kΩ AD620AN
VEE
49.4 𝑘 𝛺

5
I(dc): 1.48 mA

5.11= +1
𝑅𝐺 -15V

𝑅𝐺 =12.35 𝑘 𝛺
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝐴𝑣 ∗𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑜𝑢𝑡 =5.11 ∗ 37.5 𝑚𝑉 =0.19 𝑉 Con 31Kg
VCC
VCC
15V R2
15V R2 12.35kΩ
VCC
12.35kΩ VCC
R1 R3 15V A
PR4
1kΩ 1kΩ 15V 100Ω
VCC V(dc): 28.3 mV
Q1

8
R1 R3 U1 3

8
U5A V A I(dc): 30.0 pA
1kΩ 1kΩ 15V 3 1 PR3 PR1
B=100
5V
U1 6 2
8.5kΩ
7

2 LM358AD
3
Sensor R4

4
6 1kΩ AD620AN
1310Ω VEE
4

5
I(dc): -14.9 pA
2
-15V
Sensor R4
1300Ω 1kΩ AD620AN
VEE
4

-15V