01 JOSELGC EPA Diodos

Departamento de Ingeniería Mecatrónica
MTJ-1012 Electrónica de potencia aplicada
“1- Semiconductores de potencia”
Dr. José Luis González Córdoba
Santiago de Qro., Querétaro

Diodos de potencia
Dispositivo semiconductor que funciona como interruptor y que efectúa diversas
funciones tales como:
• Conmutadores en circuitos rectificadores
• Corrida libre en reguladores conmutados
• Inversión de carga de capacitor
• Transferencia de energía entre componentes
• Aislamiento de voltaje
• Protección al retorno de energía de la carga a la fuente de alimentación
• Recuperación de energía
Los diodos se forman por la unión de dos

materiales extrínsecos uno con portadores
mayoritarios de carga positiva (tipo p) y otro con
portadores mayoritarios de carga negativa (tipo n).
Material extrínseco es un material semiconductor

sujeto a un proceso de dopaje.
Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 2

Diodos de potencia
Material de tipo n
El electrón es el portador mayoritario y el

hueco el portador minoritario.
Material de tipo p
El hueco es el portador mayoritario y el

electrón es el portador minoritario.

Diodos de potencia
Sin polarización
En ausencia de voltaje de polarización, el flujo neto de

carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor
es cero.
Polarización inversa Polarización directa

Diodo de potencia
Diodo ideal

Diodo de potencia
Modelo de corriente
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝜂𝑉𝑇 −1 (1)
Donde:
• 𝑽𝑫 : Voltaje del diodo

• 𝑰𝑺 : Corriente de saturación inversa
• 𝜼 = 1 para Ge 𝜼 = 2 para Si
𝐾𝑇
• 𝐕𝐓 = .
𝑞
• 𝒒 = 1.6022 × 10−19 𝐶: carga del electrón
• 𝑻: Temperatura absoluta en Kelvin 𝐾 = 273 + °𝐶 𝑞𝑉𝐷
• 𝑲 = 1.3806 × 10−23 𝐽/𝐾: Constante de Boltzman 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝜂𝐾𝑇 −1

Diodo de potencia
Modelo de corriente
close all; clear; clc;
Is = 1e-9; % Corriente de saturación [10-6
to 10-15]
VD = -1:0.001:1; % Voltaje del diodo
K = 1.3806e-23; % Constante de boltzman
q = 1.6022e-19; % Carga del electrón
C = 25; % Temperatura grados centigrados
T = 273 + C;
VT = K*T/q;
n = 2; % Coeficiente de emisión (1-> Ge 2-> Si)
for i=1:length(VD)
if (VD(i)<=0)
ID(i) = -Is*(exp(-VD(i)/(n*VT)) - 1);
else
ID(i) = Is*(exp(VD(i)/(n*VT)) - 1);
end
end
figure('name','JOSELGC-Grafica Corriente-
Voltaje','NumberTitle','on','Color', [1 1 1]);
plot(VD,ID,'b','LineWidth',1.5);
grid on;
title('Corriente del diodo','color','k');
xlabel('V_D','FontName','Times New
Roman','FontSize', 25);
ylabel('I_D','FontName','Times New 𝑉𝐷
Roman','FontSize', 25);
grid on; 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝜂𝑉𝑇 −1
Diodo de potencia
Modelo de diodo comercial 1N4001
Is = 5e-6; % Corriente de saturación inversa a 25°C
k = 1.3806e-23; % Constante de Boltzman

q = 1.6022e-19; % Carga del electrón
C = 25; % Temperatura °C
T = 273 + C; % Temperatura °K
VT = k*T/q;
n = 2; % Tipo de diodo (2 -> Silicio, 1 -> Germanio)
VD = -50:0.001:1; % Voltaje del diodo (Voltaje de polarización inversa)
for i=1:length(VD)
if(VD(i)>0)
Id(i) = Is*(exp(VD(i)/(n*VT)) - 1);
VSD(i) = VD(i); % voltaje de saturación directa
ISD(i) = Is*(exp(VSD(i)/(n*VT)) - 1); % Corriente de saturación directa
else
Id(i) = -Is*(exp(-VD(i)/(n*VT)) - 1);
VSI(i) = VD(i); % Voltaje de saturación inversa
ISI(i) = -Is*(exp(-VD(i)/(n*VT)) - 1); % Corriente de saturación inversa
end
end

Diodo de potencia
figure('name','JOSELGC-Current-voltage graph','NumberTitle','on','Color', [1 1 1]);

plot(VD,Id,'b','LineWidth',1.5);axis([-1 1 -100 50]);
grid on;
title('Diode current','FontName','Times New Roman','FontSize',25,'color','k');
xlabel('V_D','FontName','Times New Roman','FontSize', 25);
ylabel('I_D','FontName','Times New Roman','FontSize', 25);
figure('name','JOSELGC-Current-voltage graph','NumberTitle','on','Color', [1 1 1]);

subplot(1,2,1);plot(VSI,ISI,'r','LineWidth',1.5);grid on;
title('Diode current (Inverse polarization)','FontName','Times New
Roman','FontSize',10,'color','k');
subplot(1,2,2);plot(VSD,ISD,'b','LineWidth',1.5);grid on;
title('Diode current (Direct polarization)','FontName','Times New
Roman','FontSize',10,'color','k');

Diodo de potencia

Diodo de potencia
Cálculo de la corriente de saturación
La caída directa del voltaje de un diodo de potencia es 𝑉𝐷 = 1.2 𝑉 a una corriente 𝐼𝐷 =

300 𝐴. Suponiendo que 𝜂 = 2 (Diodo de silicio) y la temperatura de unión del diodo en
grados centígrados es 25°, Calcular la corriente de saturación inversa.

Diodo de potencia
Cálculo de la corriente de saturación
La caída directa del voltaje de un diodo de potencia es 𝑽𝑫 = 𝟏. 𝟐 𝑽 a una corriente

𝑰𝑫 = 𝟑𝟎𝟎 𝑨. Suponiendo que 𝜼 = 𝟐 (Diodo de silicio) y la temperatura de unión del diodo
en grados centígrados es 25°, Calcular la corriente de saturación inversa.
Dado que el modelo de corriente de Sustituyendo los valores en la ecuación

diodo está definido por:
300 𝐴
𝑞𝑉𝐷 𝐼𝑆 = (1.6022×10−19 )(1.2 𝑉)
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 𝑒 𝜂𝑘𝑇 −1 𝐽
2 1.3806×10−23 ൗ𝐾 (25°𝐶+273)
𝑒 −1
La corriente de saturación inversa
está dada por:
𝐼𝐷 𝑰𝑺 = 𝟐. 𝟏𝟑 × 𝟏𝟎−𝟖 𝑨
𝐼𝑆 = 𝑞𝑉𝐷
𝑒 𝜂𝑘𝑇 −1

Diodo de potencia
Características de recuperación inversa
Una vez que el diodo está en modo de conducción directa, y a continuación su corriente en
sentido de conducción directo se reduce a cero, el diodo continua conduciendo un instante
de tiempo debido a que los portadores minoritarios de carga quedan almacenados en la
unión pn y en la masa del material semiconductor, por lo que estos portadores minoritarios
de carga requieren un determinado tiempo de recuperación 𝒕𝒓𝒓 para recombinarse con
cargas opuestas y quedar neutralizados.

Diodo de potencia
Tiempo de recuperación inversa 𝒕𝒓𝒓
El tiempo de recuperación inversa 𝒕𝑹𝑹 se mide a partir del cruce inicial de la corriente en el
diodo con cero, hasta que la corriente en sentido inverso llega a un 25% de su valor pico
𝑰𝑹𝑹 .
El 𝒕𝒂 se debe al almacenamiento de carga en la región de agotamiento de la unión; el tiempo

𝐭 𝐛 se debe al almacenamiento de carga en la masa del material semiconductor. Y la relación
𝐭𝐛
ൗ𝐭𝐚 se denomina factor de suavidad.

Diodo de potencia
Corriente de pico en sentido inverso 𝑰𝑹𝑹 Por lo que podemos despejar la corriente de
Se calcula como: recuperación inversa como:
𝑑𝑖 2𝑄𝑅𝑅
𝐼𝑅𝑅 = 𝑡𝑎 (2) 𝐼𝑅𝑅 = (4)
𝑑𝑡 𝑡𝑅𝑅
Carga de recuperación inversa 𝑸𝑹𝑹 Igualando la ecuación (2) con la ecuación

(4):
Es la cantidad de portadores de carga que
atraviesan el diodo en sentido de dirección 𝑑𝑖 2𝑄𝑅𝑅
𝑡𝑎 =
inverso debido al cambio de conducción 𝑑𝑡 𝑡𝑅𝑅
directa a conducción de bloqueo inverso.
2𝑄𝑅𝑅
1 1 𝑡𝑎 𝑡𝑅𝑅 = (5)
𝑄𝑅𝑅 ≈ 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑎 + 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑏 (3) 𝑑𝑖ൗ
2 2 𝑑𝑡
1 Si 𝒕𝒃 es despreciable en comparación con
𝑄𝑅𝑅 ≈ 𝐼𝑅𝑅 (𝑡𝑎 + 𝑡𝑏 ) 𝒕𝒂 entonces de la ecuación (3) se obtiene:
2
1 1 1
𝑄𝑅𝑅 = 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑅𝑅 𝐼 (𝑡 ) = 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑅𝑅
2 2 𝑅𝑅 𝑎 2
𝑡𝑎 ≈ 𝑡𝑅𝑅
Diodo de potencia
Por lo que de la ecuación (5) tenemos: 2 2 𝑑𝑖
4𝑄𝑅𝑅 4𝑄𝑅𝑅 ൗ𝑑𝑡
𝐼𝑅𝑅 2 = 2
𝐼𝑅𝑅 =
2𝑄𝑅𝑅 2𝑄𝑅𝑅 2𝑄𝑅𝑅
𝑡𝑎 𝑡𝑅𝑅 = (5) 𝑑𝑖ൗ
𝑑𝑖ൗ
𝑑𝑡 𝑑𝑡
2𝑄𝑅𝑅
𝑡𝑅𝑅 𝑡𝑅𝑅 = 𝐼𝑅𝑅 2 = 2𝑄𝑅𝑅 𝑑𝑖ൗ
𝑑𝑖ൗ 𝑑𝑡
𝑑𝑡
2𝑄𝑅𝑅 𝑑𝑖
𝑡𝑅𝑅 = (6) 𝐼𝑅𝑅 = 2𝑄𝑅𝑅
𝑑𝑖ൗ 𝑑𝑡 (7)
𝑑𝑡
Sustituyendo en la ecuación (6) en (4): Que relaciona la cantidad de corriente de

2𝑄𝑅𝑅 recuperación inversa con la carga de
𝐼𝑅𝑅 = (4) recuperación inversa.
𝑡𝑅𝑅
2𝑄𝑅𝑅 2𝑄𝑅𝑅 2
𝐼𝑅𝑅 = 𝑅𝑅 2
𝐼 =
2𝑄𝑅𝑅 2𝑄𝑅𝑅
𝑑𝑖ൗ 𝑑𝑖ൗ
𝑑𝑡 𝑑𝑡

Diodo de potencia
Cálculo de la corriente de recuperación inversa
El tiempo de recuperación de un diodo es 𝑻𝑹𝑹 = 𝟑𝝁𝒔 y la velocidad de caída de corriente

𝒅𝒊 𝑨
por el diodo es = 𝟑𝟎 . Determine a) la carga 𝐐𝐑𝐑 de almacenamiento, y b) La corriente
𝒅𝒕 𝝁𝒔
pico en sentido inverso.

Diodo de potencia
Cálculo de la corriente de recuperación inversa
El tiempo de recuperación de un diodo es 𝑻𝑹𝑹 = 𝟑𝝁𝒔 y la velocidad de caída de corriente

𝒅𝒊 𝑨
por el diodo es = 𝟑𝟎 . Determine a) la carga 𝐐𝐑𝐑 de almacenamiento, y b) La corriente
𝒅𝒕 𝝁𝒔
pico en sentido inverso.
1 𝑑𝑖 2
1 𝐴 2
𝑄𝑅𝑅 = 𝑡 = 30 3𝜇𝑠 = 135 𝐴𝜇𝑠
2 𝑑𝑡 𝑅𝑅 2 𝜇𝑠
𝑑𝑖
𝐼𝑅𝑅 = 2𝑄𝑅𝑅 = 2 135 × 10−6 30 × 106 = 90𝐴
𝑑𝑡

Tipos de diodos de potencia
Dependiendo de sus características de
recuperación, así como de las técnicas de
manufactura, los diodos de potencia se
pueden clasificar en:
• Diodos de propósito general

• Diodos de recuperación rápida
• Diodos Schottky
Diodos rectificadores de propósito general

• Tiempo de recuperación inversa grande (típico
25 μs).
• Para aplicaciones de baja velocidad donde no es Fig. 1. Diodos de propósito general
critico el tiempo de recuperación.
• Para aplicaciones con frecuencias de entrada Tipos:
bajas de hasta 1 KHz. • Perno
• Especificaciones de corriente menor a 1 A y • Montado en perno
hasta varios mili-amperes. • Espiga o terminal
• Especificaciones de voltaje de 50 V hasta 5KV. • Tipo disco
• Capacidades de hasta 1500 V, 400 A. • Paquete prensado o puck de hockey

Diodos de recuperación rápida
• Tiempo de recuperación corto (menor a 5 μs).
• Para aplicaciones donde la velocidad de
conmutación tiene importancia critica.
• Especificaciones de voltaje de 50 V hasta 3 KV.
• Especificaciones de corriente de 1 A hasta
cientos de amperes.
• Para voltajes nominales mayores a 400 V.
• Tiempos de recuperación cortos (50 ns) para el
caso de diodos epitaxiales.
Diodos Schottky Fig. 2. Diodos de recuperación rápida
• Frecuencia de operación más alta que los diodos

convencionales.
• Caída de voltaje (VD) baja en sentido directo.
• Energía disipada menor.
• Corrientes de fuga en polarización inversa
mayores que en los diodos de unión pn.
• Soportan voltajes menores en relación a los
diodos normales de unión pn.
Fig. 3. Diodos Schottky

Diodos de carburo de silicio
• Pérdidas de potencia extremadamente bajas.
• Excelente fiabilidad.
• No tienen tiempo de recuperación inversa.
• Comportamiento extremadamente rápido en la
conmutación.
• La temperatura no influye sobre el
comportamiento en la conmutación.
Fig. 4. Diodos de carburo de silicio

Conexiones con diodos
Diodos conectados en serie
• Los diodos se conectan en serie con la finalidad • Las características de voltaje-corriente en diodos
de aumentar sus capacidades de bloqueo de un mismo tipo difieren debido a las
inverso. tolerancias en sus procesos de producción.
• En polarización directa, ambos diodos • En la condición de bloqueo inverso, cada diodo
conducen la misma cantidad de corriente iD. debe conducir la misma corriente de fuga.
• La caída de tensión de cada diodo en • Los voltajes de bloqueo son distintos
polarización directa es casi la misma. considerablemente.

• Debido a que los voltajes de bloqueo de cada • Debido a la partición igualitaria de los voltajes,
diodo son distintos en la polarización inversa, la corriente de fuga en cada uno de los diodos
un resistor en paralelo a cada diodo puede ser será distinta.
colocado a fin de que los voltajes de
polarización inversa sean iguales para cada
diodo.

• Dado que la corriente total de fuga debe Como los voltajes de bloqueo inverso son iguales
compartirse por un diodo y su resistor: 𝑉𝐷1 = 𝑉𝐷2 = 𝑉𝐷 :
𝐼𝑆 = 𝐼𝑆1 + 𝐼𝑅1 = 𝐼𝑆2 + 𝐼𝑅2 (8) 𝑉𝐷2 𝑉𝐷1
𝐼𝑅1 = 𝑅1
y 𝐼𝑅2 =
𝑅2
• Sin embargo:
𝑉𝐷1 𝑉𝐷2 Entonces:
𝐼𝑅1 = e 𝐼𝑅2 = 𝑉 𝑉
𝑅1 𝑅2 𝐼𝑆1 + 𝑅𝐷 = 𝐼𝑆2 + 𝑅𝐷 (9)
1 2

Segundo caso:
• Si las resistencias 𝑅1 y 𝑅2 son iguales:
𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅
Los valores 𝑉𝐷1 y 𝑉𝐷2 se pueden determinar por
medio de (9) de la siguiente manera:
𝑉 𝑉𝐷2
𝐼𝑆1 + 𝑅𝐷1 = 𝐼𝑆2 + (10)
𝑅
𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷2 = 𝑉𝑆 (11)

Ejemplo 1
• Se conectan dos diodos en serie, como se aprecia
en la figura, para compartir un voltaje total de
CD en sentido inverso de 𝑽𝑫 = 𝟓 𝑲𝑽 . Las
corrientes de fuga inversa de los dos diodos son
𝑰𝑺𝟏 = 𝟑𝟎 𝒎𝑨 e 𝑰𝑺𝟐 = 𝟑𝟓 𝒎𝑨. A) Determinar
los voltajes de diodo, si las resistencias de
voltaje compartido son iguales; esto es: 𝑹𝟏 =
𝑹𝟐 = 𝟏𝟎𝟎 𝑲𝜴. B) Determinar las resistencias
de voltaje compartido 𝑅1 y 𝑅2 para que los
voltajes en los diodos sean iguales; es decir:
𝑽𝑫
𝑉𝐷1 = 𝑽𝑫𝟐 = .
𝟐

Ejemplo 1
• Se conectan dos diodos en serie, como se aprecia
en la figura, para compartir un voltaje total de
corrientes de fuga inversa de los dos diodos son
los voltajes de diodo, si las resistencias de
𝑹𝟐 = 𝟏𝟎𝟎 𝑲𝜴. B) Determinar las resistencias
• Despejando 𝑉𝐷2 de la ecuación (11):
voltajes en los diodos sean iguales; es decir:
𝑽𝑫 𝑉𝐷2 = 𝑉𝑆 − 𝑉𝐷1
𝑉𝐷1 = 𝑽𝑫𝟐 = . Por lo que:
𝟐
𝑉𝐷1 5 𝑘𝑉 − 𝑉𝐷1
• De las ecuaciones (10) y (11) tenemos: − = 35 𝑚𝐴 − 30 𝑚𝐴
100 𝑘Ω 100 𝑘Ω
𝑉 𝑉𝐷2
𝐼𝑆1 + 𝑅𝐷1 = 𝐼𝑆2 + (10) 𝑉𝐷1 − 5 𝑘𝑉 + 𝑉𝐷1 = 0.005 𝐴 100000Ω
𝑅
𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷2 = 𝑉𝑆 (11) 2𝑉𝐷1 − 5 𝑘𝑉 = 500 Ω𝐴
500 Ω𝐴 + 5000 𝑉
𝑉𝐷1 = = 2.75 𝑘𝑉
Sustituyendo los valores en la ecuación (10): 2
𝑉𝐷1 𝑉𝐷2 𝑉𝐷2 = 5𝑘𝑉 − 2.75 𝑘𝑉
30 𝑚𝐴 + = 35 𝑚𝐴 + 𝑉𝐷2 = 2.25 𝑘𝑉
100 𝑘Ω 100 𝑘Ω
Ejemplo 1
𝑅1 𝑉𝐷2 − 𝑅2 𝑉𝐷1
• Se conectan dos diodos en serie, como se aprecia 𝐼𝑆1 − 𝐼𝑆2 =
en la figura, para compartir un voltaje total de 𝑅1 𝑅2
corrientes de fuga inversa de los dos diodos son 𝑅1 𝑅2 𝐼𝑆1 − 𝐼𝑆2 = 𝑅1 𝑉𝐷2 − 𝑅2 𝑉𝐷1
los voltajes de diodo, si las resistencias de 𝑅1 𝑅2 𝐼𝑆1 − 𝐼𝑆2 + 𝑅2 𝑉𝐷1 = 𝑅1 𝑉𝐷2
𝑹𝟐 = 𝟏𝟎𝟎 𝑲𝜴. B) Determinar las resistencias 𝑅2 [𝑅1 𝐼𝑆1 − 𝐼𝑆2 + 𝑉𝐷1 ] = 𝑅1 𝑉𝐷2
𝑅1 𝑉𝐷2
voltajes en los diodos sean iguales; es decir: 𝑅2 =
𝑽𝑫 𝑅1 𝐼𝑆1 − 𝐼𝑆2 + 𝑉𝐷1
𝑉𝐷1 = 𝑽𝑫𝟐 = .
𝟐
Suponiendo 𝑅1 = 100 𝑘Ω
• De la ecuación (10) tenemos:
𝑅2 = 125 𝑘Ω
𝑉𝐷1 𝑉
𝐼𝑆1 + = 𝐼𝑆2 + 𝑅𝐷2 (10)
𝑅1 2
Despejando 𝑅2 :
𝑉𝐷2 𝑉𝐷1
𝐼𝑆1 − 𝐼𝑆2 = −
𝑅2 𝑅1

Ejercicios prácticos I
El tiempo de recuperación en sentido inverso de un diodo es 𝒕𝑹𝑹 = 𝟓 𝝁𝒔, y la rapidez de bajada
de la corriente en el diodo es 𝒅𝒊Τ𝒅𝒕 = 𝟖𝟎 𝑨/𝝁𝒔. Si el factor de suavidad es 𝑺𝑭 = 𝟎. 𝟓, determine a) la carga
almacenada 𝑸𝑹𝑹 y b) la corriente pico en sentido inverso 𝑰𝑹𝑹 .
Los valores medidos de un diodo a 25 °C de temperatura son:

VD = 1.0 V cuando ID = 50 A
Calcule a) el coeficiente de emisión 𝜼 y b) la corriente de fuga 𝑰𝑺 .
Se conectan dos diodos en serie y se mantiene igual el voltaje a través de cada uno de ellos,
conectando una resistencia de voltaje compartido, de tal modo que VD1 VD2 2000 V, y R1 100 k. Las
características v-i de los diodos se ven en la figura P2.3. Calcule las corrientes de fuga de cada diodo, y la
resistencia R2 a través del diodo D2.


El tiempo de recuperación en sentido inverso de un diodo es 𝒕𝑹𝑹 = 𝟓 𝝁𝒔, y la rapidez de bajada
de la corriente en el diodo es 𝒅𝒊Τ𝒅𝒕 = 𝟖𝟎 𝑨/𝒔. Si el factor de suavidad es 𝑺𝑭 = 𝟎. 𝟓, determine a) la carga
almacenada 𝑸𝑹𝑹 y b) la corriente pico en sentido inverso 𝑰𝑹𝑹 .
5𝜇𝑠
El tiempo de recuperación inversa 𝑡𝑎 = = 3.33𝜇𝑠
0.5 + 1
y el factor de suavidad se definen como:
𝑡𝑏 La corriente de recuperación inversa 𝐼𝑅𝑅 se
𝑡𝑅𝑅 = 𝑡𝑎 + 𝑡𝑏 𝐹𝑆 = calcula como:
𝑡𝑎 𝑑𝑖 𝐴
−6
𝐼𝑅𝑅 = 3.33 × 10 𝑠 80
𝐼𝑅𝑅 = 𝑡𝑎
Despejando 𝑡𝑏 e igualando ambas 𝑑𝑡 𝑠
ecuaciones: 𝐼𝑅𝑅 = 2.66 × 10−4 𝐴
Por lo que la carga de recuperación inversa es:
𝑡𝑅𝑅 − 𝑡𝑎 = 𝑡𝑏 𝐹𝑆𝑡𝑎 = 𝑡𝑏 1
𝐹𝑆𝑡𝑎 = 𝑡𝑅𝑅 − 𝑡𝑎 𝑄𝑅𝑅 = 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑅𝑅
2
𝑡𝑎 𝐹𝑆 + 1 = 𝑡𝑅𝑅 1
𝑄𝑅𝑅 = 2.66 × 10−4 𝐴(5 × 10−6 𝑠)
2
Por lo que 𝑡𝑎 puede ser calculado como:
𝑡𝑅𝑅 𝑄𝑅𝑅 = 6.65 × 10−10 𝐶
𝑡𝑎 =
𝐹𝑆 + 1
Los valores medidos de un diodo a 25 °C de temperatura son:
Calcule a) el coeficiente de emisión 𝜼 y b) la corriente de fuga 𝑰𝑺 .
La corriente en el diodo obedece es: Igualando ambos coeficientes de emisión:

𝑞𝑉𝐷 𝑞𝑉𝐷1 𝑞𝑉𝐷2
𝐼𝐷 = 𝑰𝑺 𝑒 𝜂𝐾𝑇 −1 =
𝐼 +𝑰 𝐼 +𝑰
𝐾𝑇 ln 𝐷1𝑰 𝑺 𝐾𝑇 ln 𝐷2𝑰 𝑺
Despejando e: 𝑺 𝑺
𝐼𝐷 𝑞𝑉𝐷 𝑞𝑉𝐷 𝐼𝐷 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺

+ 1 = 𝑒 𝜂𝐾𝑇 𝑒 𝜂𝐾𝑇 = 𝑉𝐷1 ln = 𝑉𝐷2 ln
𝑰𝑺 𝑰𝑺 𝑰𝑺 𝑰𝑺
𝑞𝑉𝐷 𝐼𝐷 + 𝑰𝑺
ln 𝑒 𝜂𝐾𝑇 = ln 𝐼 +𝑰 𝐼 +𝑰
ln 𝐷2𝑰 𝑺 𝑉𝐷2 ln 𝐷1𝑰 𝑺
𝑰𝑺 𝒆 𝑺 = 𝑒 𝑺
𝑞𝑉𝐷 𝐼𝐷 + 𝑰𝑺 𝐼 +𝑰 𝑉𝐷1 𝐼 +𝑰 𝑉𝐷2

= ln ln 𝐷2𝑰 𝑺 ln 𝐷1𝑰 𝑺
𝜂𝐾𝑇 𝑰𝑺 𝒆 𝑺 = 𝑒 𝑺
𝑞𝑉𝐷 𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺
𝑉𝐷1
𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺
𝑉𝐷2
𝜂= =
𝐼 +𝑰
𝐾𝑇 ln 𝐷 𝑰 𝑺 𝑰𝑺 𝑰𝑺
𝑺
𝑉𝐷1 𝑉𝐷2 1ൗ
𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 2
= =
𝑰𝑺 𝑰𝑺 (𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 ) 𝑰𝑺
𝟐
Dado que: 𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺
3 𝟐 =
𝑉𝐷1 = 1 𝑉𝐷2 = 1.5 = 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 𝑰𝑺
2 𝟐 𝟐
3 𝑰𝑺 𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺 = 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺
𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 2
= 𝑰𝑺 𝐼𝐷2 𝟐 + 2𝐼𝐷2 𝑰𝑺 + 𝑰𝑺 𝟐 = 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 (𝐼𝐷1 𝟐 + 2𝐼𝐷1 𝑰𝑺 + 𝑰𝑺 𝟐 )
𝑰𝑺 𝑰𝑺
3ൗ
𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺 (𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 ) 2 𝐼𝐷2 𝟐 𝑰𝑺 + 2𝐼𝐷2 𝑰𝑺 𝟐 + 𝑰𝑺 𝟑 =
=
𝑰𝑺 3
𝑰 ൗ2 𝐼𝐷1 𝟑 + 2𝐼𝐷1 𝟐 𝑰𝑺 + 𝐼𝐷1 𝑰𝑺 𝟐 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷1 𝟐 + 2𝐼𝐷1 𝑰𝑺 𝟐 + 𝑰𝑺 𝟑
𝑺
𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 2 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 2𝐼𝐷2 𝑰𝑺 𝟐 + 𝐼𝐷2 𝟐 𝑰𝑺 = 𝐼𝐷1 𝟑 + 3𝐼𝐷1 𝑰𝑺 𝟐 + 𝟑𝐼𝐷1 𝟐 𝑰𝑺

=
𝑰𝑺 2 𝑰𝑺 𝟐 2𝐼𝐷2 − 3𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷2 𝟐 − 3𝐼𝐷1 𝟐 − 𝐼𝐷1 𝟑 = 0
𝑰𝑺 𝑰𝑺
2(600) − 3(50) 𝑰𝑺 𝟐 + (600)𝟐 −3(50)𝟐 𝑰𝑺 − (50)𝟑 = 0
𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺 (𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 ) 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺
=
𝑰𝑺 𝑰𝑺 𝑰𝑺 𝟏𝟎𝟓𝟎𝑰𝑺 𝟐 + 𝟑𝟓𝟐𝟓𝟎𝟎𝑰𝑺 − 125000 = 0

𝟏𝟎𝟓𝟎𝑰𝑺 𝟐 + 𝟑𝟓𝟐𝟓𝟎𝟎𝑰𝑺 − 2500 = 0
q = 1.6022e-19;
𝑰𝑺𝟏 = 0.3542 𝐴 T = 25+273;
𝑰𝑺𝟐 = −336.06 𝐴 k = 1.3806e-23;
𝑞𝑉𝐷 Vd1 = 1;
𝜂= Vd2 = 1.5;
𝐼 +𝑰
𝐾𝑇 ln 𝐷 𝑰 𝑺 ID1 = 50;
𝑺
ID2 = 600;
Is1 = 7.092e-4;
Is2 = -335.71;
nd1A = 7.8562
nd1A=q*Vd1/(k*T*log((ID1+Is1)/Is1))
nd2A = 7.8563
nd2A=q*Vd2/(k*T*log((ID2+Is1)/Is1))
nd1B=q*Vd1/(k*T*log((ID1+Is2)/Is2))
nd2B=q*Vd2/(k*T*log((ID2+Is2)/Is2))

Se conectan dos diodos en serie y se mantiene igual el voltaje a través de cada uno de ellos, conectando
una resistencia de voltaje compartido, de tal modo que 𝑽𝑫𝟏 = 𝑽𝑫𝟐 = 𝟐𝟎𝟎𝟎 𝑽, y 𝑹𝟏 = 𝟏𝟎𝟎 𝑲. Las
características voltaje-corriente 𝒗 − 𝒊 de los diodos se ven en la figura. Calcule las corrientes de fuga de
cada diodo, y la resistencia 𝑹𝟐 a través del diodo 𝑫𝟐 .
𝐼𝑆1 + 𝐼𝑅1 = 𝐼𝑆2 + 𝐼𝑅2
𝑉𝐷1 𝑉𝐷 2
𝐼𝑆1 + = 𝐼𝑆2 +
𝑅1 𝑅2
2000 𝑉 2000𝑉
7.5𝑚𝐴 + = 17𝑚𝐴 +
100 𝐾Ω 𝑅2
2000𝑉
𝑅2 =
2000 𝑉
7.5𝑚𝐴 + 100 𝐾Ω − 17𝑚𝐴
𝑅2 = 190.47𝐾Ω
𝑉𝐷1 2000 𝑉
𝐼𝑆 = 𝐼𝑆1 + = 7.5𝑚𝐴 + = 27.5mA
𝑅1 100 𝐾Ω
Diodos conectados en paralelo
• Se utilizan para aumentar la capacidad de
conducción de corriente.
• La repartición de corriente se establece de
acuerdo a sus respectivas caídas de voltaje
directo.
• Se puede lograr un reparto de corriente uniforme
conectando resistores en serie, como se muestra
en la figura.
• Los voltajes de bloqueo inverso serán los
mismos para cada diodo.

Diodos en paralelo
Encontrar el voltaje 𝑉0 y la corriente que pasa por 10V − 𝐼𝑅 − 𝑉𝐷1 = 0
cada uno de los diodos.
Por lo que la corriente 𝐼 se calcula como:
A
10 V − V𝐷1 10 V − 0.7 V
𝐼= 𝐼=
𝑅 0.33 × 103 Ω
𝐼 = 28.18𝑚𝐴
El voltaje 𝑉0 es exactamente igual a la caída de Analizando el nodo A para obtener las corrientes de
voltaje de los diodos, dado que están en paralelo; cada diodo:
por lo que al ser el diodo de silicio la caída de 𝐼 = 𝐼𝐷1 + 𝐼𝐷2
potencial es de 0.7 V; esto es:
𝑉0 = 0.7 V Dado que los diodos son iguales, “idealmente”
ambos dejan pasar la misma cantidad de corriente,
Analizando la malla 1 por medio de la ley de por lo que:
voltajes de Kirchhoff: 𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 = 𝐼𝐷
10V − V𝑅 − 𝑉𝐷1 = 0 𝐼
𝐼 = 𝐼𝐷 + 𝐼𝐷 = 2𝐼𝐷 𝐼𝐷 = = 14.09𝐴
2
Diodos con cargas RC 𝑉𝑠 = 𝑉𝑅 + 𝑉𝐶
Un circuito con diodo y carga RC se muestra en la
1 𝑡
figura. Considerando el diodo “ideal” (Tiempo de 𝑉𝑠 = 𝑖(𝑡)𝑅 + න 𝑖(𝑡) 𝑑𝑡
recuperación inversa 𝒕𝒓𝒓 y la caída de voltaje en 𝐶 𝑡0
sentido directo 𝑽𝑫 son despreciables). EL Resolviendo la ecuación por medio de la
interruptor 𝑺𝟏 se cierra en 𝒕 = 𝟎. transformada de Laplace para encontrar la corriente
Analizando el circuito por LVK tenemos: del circuito tenemos:
1 𝑡
ℒ 𝑉𝑠 = ℒ 𝑖 𝑡 𝑅 + න 𝑖 𝑡 𝑑𝑡
𝐶 𝑡0
𝑉𝑠 1 𝐼(𝑆)
= 𝐼(𝑆)𝑅 +
𝑆 𝐶 𝑆
𝑉𝑠 1
=𝐼 𝑆 𝑅+
𝑆 𝐶𝑆
𝑉𝑠 𝑅𝐶𝑆 + 1
=𝐼 𝑆
𝑆 𝐶𝑆

Diodos con cargas RC 1 1
𝐼 𝑆 = 𝑉
𝑅 𝑆+ 1 𝑠
𝑉𝑠 𝑅𝐶𝑆 + 1 𝑅𝐶
=𝐼 𝑆
𝑆 𝐶𝑆 La respuesta temporal 𝑖(𝑡) se obtiene calculando la
transformada inversa de Laplace ℒ −1 de 𝐼(𝑆).
𝐶𝑆
𝐼 𝑆 = 𝑉
𝑆 𝑅𝐶𝑆 + 1 𝑠 𝑉𝑠 −1 1
𝑖 𝑡 = ℒ
Si la entrada en tiempo 𝑉𝑠 es igual a un nivel de 𝑅 1
𝑆 + 𝑅𝐶
tensión de C.D., como por ejemplo 1 𝑉𝐶.𝐷. , La
transformada de Laplace de esa entrada escalón será 𝑉𝑠 − 𝑡
1
𝑉𝑆 𝑆 = ; por lo que la salida de corriente estará 𝑖 𝑡 = 𝑒 𝑅𝐶
𝑆 𝑅
dada por:
𝐶
𝐼(𝑆) = 𝑉 Por lo que el voltaje del capacitor es:
𝑅𝐶𝑆 + 1 𝑠
1 𝑡
𝐶 𝑣𝑐 𝑡 = න 𝑖(𝑡) 𝑑𝑡
𝐼(𝑆) = 𝑉 𝐶 𝑡0
𝑅𝐶𝑆 + 1 𝑠
𝐶 1 𝑡 𝑉𝑠 − 𝑡
𝑅𝐶 𝑣𝑐 𝑡 = න 𝑒 𝑅𝐶 𝑑𝑡
𝐼(𝑆) = 𝑉 𝐶 0 𝑅
1 𝑠
𝑆 + 𝑅𝐶

Diodos con cargas RC 𝑡 𝑡
−
𝑡 𝑣𝑐 𝑡 = −𝑉𝑠 𝑒 𝑅𝐶 ฬ
𝑉𝑠 −
𝑡 0
𝑣𝑐 𝑡 = න 𝑒 𝑅𝐶 𝑑𝑡
𝑅𝐶 0 𝑡
−𝑅𝐶
0
−𝑅𝐶
𝑣𝑐 𝑡 = −𝑉𝑠 𝑒 − 𝑒
𝑡 𝑑𝑢 1
𝑢=− =− 𝑡
𝑅𝐶 𝑑𝑡 𝑅𝐶 𝑣𝑐 𝑡 = 𝑉𝑠 1 − −
𝑒 𝑅𝐶
1
𝑑𝑢 = − 𝑑𝑡 Al producto 𝑅𝐶 se le denomina constante temporal
𝑅𝐶 de la carga RC y se define por la letra 𝑅𝐶 = 𝜏; por
𝑡 lo que:
𝑡
−𝑅𝐶 −1 𝑡
−𝜏
𝑣𝑐 𝑡 = −𝑉𝑠 න 𝑒 𝑑𝑡 𝑣𝑐 𝑡 = 𝑉𝑠 1 − 𝑒
0 𝑅𝐶
La velocidad del cambio del voltaje en el capacitor
𝑏 está dado por la derivada del voltaje del capacitor;
𝑣𝑐 𝑡 = −𝑉𝑠 න 𝑒 𝑢 𝑑𝑢 por lo que:
𝑎 𝑑𝑣𝑐 𝑡 𝑑 𝑡
−𝑅𝐶
= 𝑉𝑠 1−𝑒
𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑏
𝑣𝑐 𝑡 = −𝑉𝑠 𝑒 𝑢 ቤ
𝑎 𝑑𝑣𝑐 𝑡 𝑉𝑠 − 𝑡
= 𝑒 𝑅𝐶
𝑑𝑡 𝑅𝐶

Diodos con cargas RC
La velocidad inicial de cambio en el capacitor puede
ser obtenida cuando 𝑡 = 0; por lo que:
𝑑𝑣𝑐 𝑡 𝑉𝑠 − 0
ቤ = 𝑒 𝑅𝐶
𝑑𝑡 𝑡 = 0 𝑅𝐶
𝑑𝑣𝑐 𝑡 𝑉𝑠
ቤ =
𝑑𝑡 𝑡 = 0 𝑅𝐶

Diodos con cargas RL
Utilizando la LVK dentro de la malla tenemos:
Un circuito con diodo y carga RL se muestra en la
figura. Considerando el diodo “ideal” (Tiempo de 𝑉𝑠 − 𝑉𝑅 − 𝑉𝐿 = 0
recuperación inversa 𝒕𝒓𝒓 y la caída de voltaje en Poniendo los voltajes del resistor y el inductor en
sentido directo 𝑽𝑫 son despreciables). EL función de la corriente del circuito tenemos:
interruptor 𝑺𝟏 se cierra en 𝒕 = 𝟎.
Analizando el circuito por LVK tenemos:
𝑑𝑖(𝑡)
𝑉𝑠 − 𝑖(𝑡)𝑅 − 𝐿 =0
𝑑𝑡
El cálculo de la corriente del circuito por medio de
la transformada de Laplace es el siguiente:
𝑑𝑖 𝑡
ℒ 𝑉𝑠 = ℒ 𝑖 𝑡 𝑅 + 𝐿
𝑑𝑡
𝑑𝑖 𝑡
ℒ 𝑉𝑠 = 𝑅ℒ 𝑖 𝑡 + 𝐿ℒ
𝑑𝑡
1
𝑉𝑠 = 𝑅𝐼(𝑆) + 𝐿𝑆𝐼(𝑆)
𝑠
1
𝑉𝑠 = 𝐼 𝑆 𝑅 + 𝐿𝑆
𝑠
1 𝑉𝑠ൗ 𝑉𝑠ൗ
𝑉𝑠 = 𝐼 𝑆 𝑅 + 𝐿𝑆 𝑅 𝐿
𝑠 𝐵 = lim 𝑆 + = 𝐿
1 𝑅 𝐿 𝑅 𝑅
𝐼 𝑆 = 𝑉𝑠 𝑆→− 𝐿 𝑠 𝑠+𝐿 −𝐿
𝑠 𝑅 + 𝐿𝑆
𝑉𝑠
1ൗ 𝐵=−
𝐿 𝑅
𝐼 𝑆 = 𝑉𝑠
𝑅 Por lo que 𝑖(𝑆) puede ser representado como la
𝑠 𝑠+𝐿
suma de las fracciones parciales como:
Expandiendo en fracciones parciales: 𝑉𝑠 1 𝑉𝑠 1
1ൗ 𝐼 𝑆 = −
𝐴 𝐵 𝑅 𝑆 𝑅 𝑆+𝑅
𝐼 𝑆 = 𝑉𝑠 𝐿 = + 𝐿
𝑅 𝑆 𝑆+𝑅
𝑠 𝑠+𝐿 La corriente en tiempo puede encontrarse entonces
𝐿 obteniendo la transformada inversa de Laplace de
𝑉𝑠ൗ 𝑉𝑠ൗ 𝐼(𝑆)
𝐴 = lim 𝑠 𝐿 = 𝐿
𝑅 𝑅 𝑉𝑠 −1 1 𝑉𝑠 −1 1
𝑆→0
𝑠 𝑠+𝐿 0+𝐿 𝑖 𝑡 = ℒ −1 𝐼 𝑆 = ℒ − ℒ
𝑅 𝑆 𝑅 𝑅
𝑆+𝐿
𝑉𝑠ൗ
𝑉𝑠
𝐴= 𝐿= 𝑖 𝑡 = ℒ −1 𝐼 𝑆 =
𝑉𝑠
1−𝑒
𝑅
−𝐿 𝑡
𝑅 𝑅
𝐿 𝑅

Título II
El voltaje a través del inductor es:
La velocidad de cambio de esta corriente se obtiene
de la siguiente manera: 𝑑𝑖(𝑡)
𝑣𝐿 = 𝐿
𝑑𝑖(𝑡) 𝑉𝑠 𝑑 𝑅
−𝐿 𝑡 𝑑𝑡
= 1−𝑒
𝑑𝑡 𝑅 𝑑𝑡
𝑉𝑠 −𝑅𝑡 𝑅
− 𝑡
𝑣𝐿 = 𝐿 𝑒 𝐿 𝑣𝐿 = 𝑉𝑠 𝑒 𝐿
𝑑𝑖(𝑡) 𝑉𝑠 𝑑 −𝑅𝑡 𝐿
= − 𝑒 𝐿
𝑑𝑡 𝑅 𝑑𝑡
𝑑𝑖(𝑡) 𝑉𝑠 𝑅 −𝑅𝑡
= 𝑒 𝐿
𝑑𝑡 𝑅 𝐿
𝑑𝑖(𝑡) 𝑉𝑠 −𝑅𝑡
= 𝑒 𝐿
𝑑𝑡 𝐿

Diodos con carga LC
1 1 1 1
Para los diodos con carga LC, el análisis se realiza 𝑉𝑠 = 𝐿𝑠𝐼 𝑠 + 𝐼(𝑠) 𝑉𝑠 =𝐼 𝑠 𝐿𝑠 +
𝑠 𝐶𝑆 𝑠 𝐶𝑆
de la siguiente manera:
𝑉𝑠 𝑉𝑠
𝐼 𝑠 = 𝐼 𝑠 =
1 𝑠
𝑠 𝐿𝑠 + 𝐿𝑠 2 +
𝐶𝑆 𝐶𝑠
𝑉𝑠 𝑉𝑠 /𝐿
𝐼 𝑠 = 𝐼 𝑠 =
1 1
𝐿𝑠 2 + 𝑠2 +
𝐶 𝐿𝐶
𝑉𝑠 /𝐿
𝐼 𝑠 =
1 1
𝑠+ 𝑖 𝑠− 𝑖
𝐿𝐶 𝐿𝐶
𝑉𝑠 − 𝑉𝐿 − 𝑉𝐶 = 0
𝐴 𝐵
𝐼 𝑠 = +
𝑑𝑖(𝑡) 1 𝑠+
1
𝑖 𝑠−
1
𝑖
𝑉𝑠 = 𝐿 + න 𝑖(𝑡) 𝑑𝑡 𝐿𝐶 𝐿𝐶
𝑑𝑡 𝐶
Obteniendo la transformada de Laplace:

Diodos con carga LC 𝑉𝑠 /𝐿 1 𝑉𝑠 /𝐿 𝐵
𝐼 𝑠 = +
𝑉𝑠 /𝐿 1 1 1 1
−2 𝑖 𝑠+ 𝑖 2 𝑖 𝑠− 𝑖
𝐴= lim 𝐿𝐶 𝐿𝐶 𝐿𝐶 𝐿𝐶
𝑠→−
1 1
𝐿𝐶 𝑠− 𝑖
𝐿𝐶
𝑖 𝑡 = ℒ −1 𝐼 𝑠
𝑉𝑠 /𝐿
𝐴= 𝑉𝑠 /𝐿 1 𝑉𝑠 /𝐿 𝐵
1 1 𝐼 𝑠 = ℒ −1 + ℒ −1
− − 𝑖 1 1 1 1
𝐿𝐶 𝐿𝐶 −2 𝑖 𝑠+ 𝑖 2 𝑖 𝑠− 𝑖
𝐿𝐶 𝐿𝐶 𝐿𝐶 𝐿𝐶
𝑉𝑠 /𝐿
𝐴=
1 −
1
𝑡
1
𝑡
−2 𝑖 𝑉𝑠 /𝐿 −𝑒 𝐿𝐶 +𝑒 𝐿𝐶
𝐿𝐶
𝐼 𝑡 =
1 2𝑖
𝑉𝑠 /𝐿 𝐿𝐶
𝐵 = lim
𝑠→
1 1
𝐿𝐶 𝑠+ 𝑖
𝐿𝐶
𝐶 1
𝑉𝑠 /𝐿 𝐼 𝑡 = 𝑉𝑠 sin 𝑡
𝐵= 𝐿 𝐿𝐶
1 1
+ 𝑖
𝐿𝐶 𝐿𝐶
𝑉𝑠 /𝐿
𝐵=
1
2 𝑖
𝐿𝐶

Análisis de circuito LC
1 1
Ejemplo: sin 𝑡 =0 𝑡 = 𝑠𝑖𝑛−1 (0)
𝐿𝐶 𝐿𝐶
En la figura se muestra un circuito de diodo y carga
LC, donde el capacitor tiene un voltaje inicial 𝑉𝑠 =
𝑡 = 𝐿𝐶𝜋
220 𝑉; capacitancia 𝑐 = 20 𝜇𝐹 e inductancia 𝐿 =
80 𝜇𝐻. Si se cierra el interruptor en el momento 𝑡 = 𝑡= 20 × 10−6 80 × 10−6 𝜋
0, determinar la corriente pico en el diodo, así como 𝑡 = 1.25 × 10−4 𝑠
el tiempo de conducción del diodo y el voltaje en el
capacitor en estado permanente. 1
𝑉𝑐 𝑡 = න 𝑖(𝑡) 𝑑𝑡
𝐶
1
La corriente pico se calcula cuando sin 𝑡 =1
𝐿𝐶
𝑉𝑠 𝐶 1
𝑉𝑐 𝑡 = න sin 𝑡 𝑑𝑡
𝐶 𝐿 𝐿𝐶
𝐶 1
𝐼𝑝 = 𝑉𝑠 sin 𝑡 = 110𝑉
𝐿 𝐿𝐶
1
𝑉𝑐 𝑡 = −𝑉𝑠 𝑐𝑜𝑠 𝑡
El tiempo de conducción del diodo se 𝐿𝐶
determina cuando 𝑖 𝑡 = 0; por lo que:
𝐶 1
𝑉𝑠 sin 𝑡 =0
𝐿 𝐿𝐶

Diodos con carga RLC
1 1
Para los diodos con carga RLC, el análisis se realiza 𝑉𝑠 = 𝐼 𝑆 𝑅 + 𝐿𝑆𝐼(𝑆) + 𝐼(𝑆)
de la siguiente manera: 𝑆 𝐶𝑆
1 1
𝑉𝑠 = 𝐼 𝑆 𝑅 + 𝐿𝑆 +
𝑆 𝐶𝑆
𝑉𝑠
𝐼 𝑆 =
1
𝑆 𝑅 + 𝐿𝑆 + 𝐶𝑆
𝑉𝑠
𝐼 𝑆 =
1
𝐿𝑆 2 + 𝑅𝑆 + 𝐶
𝑉𝑠 − 𝑉𝑅 − 𝑉𝐿 − 𝑉𝐶 = 0
𝑉𝑠 = 𝑉𝑅 + 𝑉𝐿 + 𝑉𝐶
𝑉𝑠ൗ
𝑑𝑖(𝑡) 1 𝐼 𝑆 = 𝐿
𝑉𝑠 = 𝑖 𝑡 𝑅 + 𝐿 + න 𝑖 𝑡 𝑑𝑡 𝑅 1
𝑑𝑡 𝐶 𝑆 2 + 𝐿 𝑆 + 𝐿𝐶
Obteniendo la transformada de Laplace:

Diodos con carga RLC Parámetros del sistema
• Coeficiente de amortiguamiento 𝜉
𝑉𝑠 1
𝐼 𝑆 = • Frecuencia de resonancia del circuito 𝜔𝑛
𝐿 𝑆2 + 𝑅 𝑆 + 1
𝐿 𝐿𝐶 𝑅 1 1
Obtención de las raíces del denominador 𝜉= 𝜔𝑛 = =
2𝐿 𝐿𝐶 𝐿𝐶
𝑅 1 𝑅2 4 Casos de sistemas de segundo orden:
𝑆1,2 =− ± − • Críticamente amortiguado: si las raíces son
2𝐿 2 𝐿2 𝐿𝐶
iguales y reales 𝝃 = 𝝎𝒏 .
• Sobreamortiguado: si las raíces son iguales
𝑅 𝑅2 4 𝝃 > 𝝎𝒏 .
𝑆1,2 =− ± − • Subamortiguado: si las raíces son complejas .
2𝐿 4𝐿2 4𝐿𝐶
𝑅 𝑅2 1
𝑆1,2 =− ± −
2𝐿 4𝐿2 𝐿𝐶

Análisis de circuito RLC subamortiguado 𝑉𝑠 1
𝐴= lim
𝑅 1 𝑅2 𝐿 𝑅 1 𝑅2
𝑠→− + − 𝑠 − − 2𝐿 − 𝐿𝐶 − 2 𝑖
Si las raíces del circuito RLC del sistema son 2𝐿 𝐿𝐶 4𝐿2
4𝐿
imaginarias quiere decir que:
𝑉𝑠 1
𝑅2 1 𝐴=
𝐿
− <0 𝑅 1 𝑅2 𝑅 1 𝑅2
4𝐿2 𝐿𝐶 − 2𝐿 + 𝐿𝐶 − 2 𝑖 + 2𝐿 + 𝐿𝐶 − 2 𝑖
4𝐿 4𝐿
Por lo que las raíces serán: 𝑉𝑠

𝐴=
1 𝑅2
2𝐿 𝐿𝐶 − 2 𝑖
𝑅 1 𝑅2 4𝐿
𝑆1,2 =− ± − 𝑖
2𝐿 𝐿𝐶 4𝐿2
𝑉𝑠 1
𝐵= lim
𝑅 1 𝑅2 𝐿 𝑅 1 𝑅2
Podemos entonces representar la corriente del 𝑠→−
2𝐿
− −
𝐿𝐶 4𝐿2 𝑠 − − 2𝐿 + 𝐿𝐶 − 2 𝑖
4𝐿
sistema como sigue:
𝑉𝑠 1
𝑉𝑠 1 𝐵=
𝐼 𝑆 = 𝐿 𝑅 1 𝑅𝑅2 1 𝑅2
𝐿 𝑅 1 𝑅2 𝑅 1 𝑅2 − 2𝐿 − 𝐿𝐶 − 2 𝑖 + 2𝐿 − 𝐿𝐶 − 2 𝑖
𝑠 − − 2𝐿 + 𝐿𝐶 − 2 𝑖 𝑠 − − 2𝐿 − 𝐿𝐶 − 2 𝑖 4𝐿 4𝐿
4𝐿 4𝐿
𝑉𝑠
B= −
1 𝑅2
Expandiendo en fracciones parciales tenemos: 2𝐿 −
𝐿𝐶 4𝐿2
𝑖
𝑉𝑠 𝐴 𝐵
𝐼 𝑆 = +
𝐿 𝑅 1 𝑅2 𝑅 1 𝑅2
𝑠 − − 2𝐿 + 𝐿𝐶 − 2 𝑖 𝑠 − − 2𝐿 − 𝐿𝐶 − 2 𝑖
4𝐿 4𝐿

Análisis de circuito RLC subamortiguado
Entonces, la corriente 𝐼(𝑆) puede ser expresada
como:
𝑉𝑠 1 1 1 1
𝐼 𝑆 = −
𝐿 1 𝑅2 𝑅 1 𝑅2 1 𝑅2 𝑅 1 𝑅2
2 𝐿𝐶 − 2 𝑖 𝑠 − − 2𝐿 + 𝐿𝐶 − 2 𝑖 2 𝐿𝐶 − 2 𝑖 𝑠 − − 2𝐿 − 𝐿𝐶 − 2 𝑖
4𝐿 4𝐿 4𝐿 4𝐿
Obteniendo la transformada inversa de Laplace:

𝑉𝑠 1 1 1 1
𝑖(𝑡) = ℒ −1 − ℒ −1
𝐿 1 𝑅2 𝑅 1 𝑅2 1 𝑅2 𝑅 1 𝑅2
2 𝐿𝐶 − 2 𝑖 𝑠 − − 2𝐿 + 𝐿𝐶 − 2 𝑖 2 𝐿𝐶 − 2 𝑖 𝑠 − − 2𝐿 − 𝐿𝐶 − 2 𝑖
4𝐿 4𝐿 4𝐿 4𝐿
𝑉𝑠 1 𝑅 1 𝑅2 1 𝑅 1 𝑅2
− + − 𝑖𝑡 − − − 𝑖𝑡
𝑖(𝑡) = 𝑒 2𝐿 𝐿𝐶 4𝐿2 − 𝑒 2𝐿 𝐿𝐶 4𝐿2
𝐿 1 𝑅2 1 𝑅2
2 𝐿𝐶 − 2 𝑖 2 𝐿𝐶 − 2 𝑖
4𝐿 4𝐿
𝑉𝑠 1 𝑅 1 𝑅2 1 𝑅 1 𝑅2
− 𝑖𝑡 − − 𝑖𝑡
𝑖(𝑡) = 𝑒 −2𝐿 𝑒 𝐿𝐶 4𝐿2 − 𝑒 −2𝐿 𝑒 𝐿𝐶 4𝐿2
𝐿 1 𝑅2 1 𝑅2
2 𝐿𝐶 − 2 𝑖 2 𝐿𝐶 − 2 𝑖
4𝐿 4𝐿
𝑉𝑠 𝑅 1 1 𝑅2 1 1 𝑅2
− 𝑖𝑡 − − 𝑖𝑡
𝑖(𝑡) = 𝑒 −2𝐿 𝑒 𝐿𝐶 4𝐿2 − 𝑒 𝐿𝐶 4𝐿2
𝐿 1 𝑅2 1 𝑅2
2 𝐿𝐶 − 2 𝑖 2 𝐿𝐶 − 2 𝑖
4𝐿 4𝐿

𝑅
𝑉𝑠 𝑒 −2𝐿𝑡 1 𝑅2
− 𝑖𝑡 −
1 𝑅2
− 𝑖𝑡
𝑖(𝑡) = 𝑒 𝐿𝐶 4𝐿2 −𝑒 𝐿𝐶 4𝐿2
1 𝑅2
2𝐿 𝐿𝐶 − 2 𝑖
4𝐿
𝑅 1 𝑅2 1 𝑅2
− 𝑖𝑡 − − 𝑖𝑡
𝑉𝑠 𝑒 −2𝐿 𝑡 𝑒 𝐿𝐶 4𝐿2 −𝑒 𝐿𝐶 4𝐿2
𝑖(𝑡) =
1 𝑅2 2𝑖
𝐿 𝐿𝐶 − 2
4𝐿
𝑅
𝑉𝑠 𝑒 −2𝐿𝑡 1 𝑅2
𝑖(𝑡) = sin − 2𝑡
1 𝑅2 𝐿𝐶 4𝐿
𝐿 𝐿𝐶 − 2
4𝐿
Definimos la frecuencia de resonancia amortiguada

𝜔𝑑 como:
1 𝑅2
𝜔𝑑 = − 2
𝐿𝐶 4𝐿
𝑅
𝑉𝑠 𝑒 −2𝐿𝑡
𝑖(𝑡) = sin 𝜔𝑑 𝑡
1 𝑅2
𝐿 𝐿𝐶 − 2 𝑖
4𝐿

Ejemplo:
El circuito RLC de la figura tiene un voltaje 𝑉𝑠 =
220 𝑉 , inductancia 𝐿 = 2 𝑚𝐻 , capacitancia 𝐶 =
0.05 𝜇𝐹 y resistencia 𝑅 = 160 Ω. El valor inicial en
el voltaje del capacitor es 𝑣𝑐 𝑡 = 0 = 0 y la
corriente en el conductor 𝑖 𝑡 = 0 = 0. Determine
una expresión para la corriente 𝑖(𝑡) y el tiempo de
conducción del diodo.

1 𝑅2
𝐿 − 𝑖
Ejemplo: 𝐿𝐶 4𝐿2
sin 𝜔𝑑 𝑡 = 0 𝑅
El circuito RLC de la figura tiene un voltaje 𝑉𝑠 = −
𝑉𝑠 𝑒 2𝐿
220 𝑉 , inductancia 𝐿 = 2 𝑚𝐻 , capacitancia 𝐶 =
0.05 𝜇𝐹 y resistencia 𝑅 = 160 Ω. El valor inicial en
el voltaje del capacitor es 𝑣𝑐 𝑡 = 0 = 0 y la
sin 𝜔𝑑 𝑡 = 0
corriente en el conductor 𝑖 𝑡 = 0 = 0. Determine
𝜔𝑑 𝑡 = 𝑠𝑖𝑛−1 (0)
una expresión para la corriente 𝑖(𝑡) y el tiempo de
conducción del diodo. Grafique la corriente
𝜔𝑑 𝑡 = 𝜋
instantánea.
𝑅
𝑉𝑠 𝑒 −2𝐿𝑡 𝜋 3.141592654
𝑖(𝑡) =
1 𝑅2
sin 𝜔𝑑 𝑡 𝑡= =
𝐿 𝐿𝐶 − 2 𝜔𝑑 91652
4𝐿
El tiempo de conducción del diodo, se determina

𝑡 = 34.27 𝜇𝑠
cuando 𝑖 𝑡 = 0; por lo que:
𝑅
−2𝐿𝑡
𝑉𝑠 𝑒
sin 𝜔𝑑 𝑡 = 0
1 𝑅2
𝐿 𝐿𝐶 − 2
4𝐿

En MatLab:
%% JOSELGC_Diodos con cargas RLC

vs = 220;
L = 2e-3;
C = 0.05e-6;
R = 160;
wd = sqrt((1/(L*C))-((R*R)/(4*L*L)));
t = 0:1e-6:100e-6;
i_t = ((vs*exp(-R*t/(2*L)))./(L*wd)).*sin(wd*t);
figure('name','JOSELGC-Diodo con Carga RLC','NumberTitle','on','Color',

[1 1 1]);
plot(t,i_t,'b','LineWidth',1.5);
grid on;
title('Corriente del diodo','color','k');
xlabel('t','FontName','Times New Roman','FontSize', 25);
ylabel('i(t)','FontName','Times New Roman','FontSize', 25);
grid on;

Gracias por su atención!!
Dr. J. Luis González C. Instituto
Tecnológico de Querétaro
-

01 JOSELGC EPA Diodos

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

01 JOSELGC EPA Diodos

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Departamento de Ingeniería Mecatrónica

MTJ-1012 Electrónica de potencia aplicada

“1- Semiconductores de potencia”

Dr. José Luis González Córdoba

Santiago de Qro., Querétaro

Los diodos se forman por la unión de dos

Material extrínseco es un material semiconductor

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 2

El electrón es el portador mayoritario y el

El hueco es el portador mayoritario y el

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 3

En ausencia de voltaje de polarización, el flujo neto de

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 4

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 5

• 𝑽𝑫 : Voltaje del diodo

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 6

Is = 5e-6; % Corriente de saturación inversa a 25°C

k = 1.3806e-23; % Constante de Boltzman

VD = -50:0.001:1; % Voltaje del diodo (Voltaje de polarización inversa)

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 8

figure('name','JOSELGC-Current-voltage graph','NumberTitle','on','Color', [1 1 1]);

figure('name','JOSELGC-Current-voltage graph','NumberTitle','on','Color', [1 1 1]);

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 9

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 10

La caída directa del voltaje de un diodo de potencia es 𝑉𝐷 = 1.2 𝑉 a una corriente 𝐼𝐷 =

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 11

La caída directa del voltaje de un diodo de potencia es 𝑽𝑫 = 𝟏. 𝟐 𝑽 a una corriente

Dado que el modelo de corriente de Sustituyendo los valores en la ecuación

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 12

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 13

El 𝒕𝒂 se debe al almacenamiento de carga en la región de agotamiento de la unión; el tiempo

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 14

Carga de recuperación inversa 𝑸𝑹𝑹 Igualando la ecuación (2) con la ecuación

Sustituyendo en la ecuación (6) en (4): Que relaciona la cantidad de corriente de

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 16

El tiempo de recuperación de un diodo es 𝑻𝑹𝑹 = 𝟑𝝁𝒔 y la velocidad de caída de corriente

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 17

El tiempo de recuperación de un diodo es 𝑻𝑹𝑹 = 𝟑𝝁𝒔 y la velocidad de caída de corriente

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 18

• Diodos de propósito general

Diodos rectificadores de propósito general

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 19

Diodos Schottky Fig. 2. Diodos de recuperación rápida

• Frecuencia de operación más alta que los diodos

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 20

Fig. 4. Diodos de carburo de silicio

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 21

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 22

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 23

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 24

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 25

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 26

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 28

Los valores medidos de un diodo a 25 °C de temperatura son:

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 29

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 30

La corriente en el diodo obedece es: Igualando ambos coeficientes de emisión:

𝐼𝐷 𝑞𝑉𝐷 𝑞𝑉𝐷 𝐼𝐷 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺

𝑞𝑉𝐷 𝐼𝐷 + 𝑰𝑺 𝐼 +𝑰 𝑉𝐷1 𝐼 +𝑰 𝑉𝐷2

𝐼𝐷2 + 𝑰𝑺 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 2 𝐼𝐷1 + 𝑰𝑺 2𝐼𝐷2 𝑰𝑺 𝟐 + 𝐼𝐷2 𝟐 𝑰𝑺 = 𝐼𝐷1 𝟑 + 3𝐼𝐷1 𝑰𝑺 𝟐 + 𝟑𝐼𝐷1 𝟐 𝑰𝑺

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 33

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 34

Dr. J. Luis González C. Instituto Tecnológico de Querétaro 36