SEMICONDUCTORES

Prof: HERNAN Cortez Galindo

 ¿QUÉ ES UN SEMICONDUCTOR?

• Elemento que se comporta como conductor o

como aislante dependiendo de las condiciones
en las que se encuentre.
• El numero de electrones libres de un
semiconductor depende de los siguientes
factores: Calor, luz, campos eléctricos y
magnéticos.
 Materiales semiconductores
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe

Son materiales de conductividad intermedia entre la

de los metales y la de los aislantes, que se modifica
en gran medida por la temperatura, la excitación
óptica y las impurezas.
 SEMICONDUCTORES
Fundamentos de los semiconductores
Átomos de Silicio y Germanio: Más comúnmente empleados en
electrónica
 BANDAS DE ENERGIA

• Son los niveles de un átomo los cuales pueden estar

influenciados por energía externa o energía interna,
en el átomo con estructura cristalina ordenada están:
la banda de conducción, la banda de valencia
 Diagramas de bandas
Diagrama de bandas del Ge

4 estados/átomo
Energía

Banda de
conducción
Eg=0,67eV Banda prohibida

- - Banda de valencia
- - 4 electrones/átomo

Si un electrón de la banda de valencia alcanza la energía necesaria

para saltar a la banda de conducción, puede moverse al estado
vacío de la banda de conducción de otro átomo vecino, generando
corriente eléctrica. A temperatura ambiente algunos electrones
tienen esta energía. Es un semiconductor.
 Diagramas de bandas
Banda de Banda de Banda de
conducción conducción conducción
Eg Eg

Banda de Banda de Banda de

valencia valencia valencia
Aislante Semiconductor Conductor
Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No hay Eg

A 0ºK, tanto los aislantes como los semiconductores no conducen,

ya que ningún electrón tiene energía suficiente para pasar de la
banda de valencia a la de conducción. A 300ºK, algunos electrones
de los semiconductores alcanzan este nivel. Al aumentar la
temperatura aumenta la conducción en los semiconductores (al
contrario que en los metales).
Representación plana del Germanio a 0º K
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e e e
- - -
- - - -
- - - - -
G
- G - G - G
e
- e
- e e
- -

No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a

que los electrones de la banda de valencia no
pueden saltar a la banda de conducción.
 Situación del Ge a 0ºK
300º K
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e e e
- - - -
- - - -
-
G
-
-
G
+ -
-
G -
-
G
-
e
- e
- e e
- -
•Hay 1 enlace roto por cada 1,7·109 átomos.
•Un electrón “libre” y una carga “+” por cada
enlace roto.
 Situación del Ge a 300º K -
- - -
Generación -
- Muy
importante
- - - +
-
G - G - G - Recombinación
G
e e e e
- - - - Generación - -
- -
Generación - -
-
G
-
-
G
+ -
Recombinación
-
G -
-
G
+ -
e- e
- e e
- -
Siempre se están rompiendo (generación) y
reconstruyendo (recombinación) enlaces. La vida media
de un electrón puede ser del orden de milisegundos o
microsegundos.
 Aplicación de un campo externo
-

+++++++
- - - -
- -
G -
-
G -
-
G -
-
G
-

- e
- - e
- -
e
-- -
e
- -
-
- - - -
- - + - - -
- G
- G - G - G
e
- e
- e e

-
- -

- -
•El electrón libre se mueve por acción del campo.
+
•¿Y la carga ”+” ?.
 Aplicación de un campo externo
-

+++++++
- - - -
- -
G
Muy
importante
-
-
G -
-
G -
-
G
-

- e
- e
- - e
-- e
-
-
- - - -
- + - + - - -
- G
- G - G - G
e
- e
- e e

-
- -

- - +
•La carga “+” se mueve también. Es un nuevo
portador de carga, llamado “hueco”.
Movimiento de cargas por un campo
eléctrico exterior

E
-

+++++
- - - - -
- + + + + +
- - - - - -
- +

+ + +

+

- jp jn
Existe corriente eléctrica debida a los dos portadores de carga:
 
jp=q·p·p·E es la densidad de corriente de huecos.
 
jn=q·n·n·E es la densidad de corriente de electrones.
Movimiento de cargas por un campo eléctrico
exterior
   
jp=q·p·p·E jn=q·n·n·E
q = carga del electrón
p = movilidad de los huecos
n = movilidad de los electrones
p = concentración de huecos
n = concentración de electrones
E = intensidad del campo eléctrico
Ge Si As Ga
(cm2/V·s) (cm2/V·s) (cm2/V·s)
Muy
n 3900 1350 8500 importante
p 1900 480 400
 Semiconductores Intrínsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
“Semiconductores Intrínsecos”, en los que:
•No hay ninguna impureza en la red cristalina.
•Hay igual número de electrones que de huecos n = p = ni
Ge: ni = 2·1013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2·106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

¿Pueden modificarse estos valores?

¿Puede desequilibrarse el número de electrones y de
huecos?
La respuesta son los Semiconductores Extrínsecos
 Semiconductores Extrínsecos
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo V
- Sb, P, AS (Pentavalente)
- - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
- -
- 1
- - 5 - 0ºK -
2
-
- - - - -
G Sb
- G - G
e
- - 4 e e
3
- -
Tiene 5 electrones en la A 0ºK, habría un electrón
última capa adicional ligado al átomo
de Sb
 Semiconductores Extrínsecos Tipo N
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e e e e
- - 5 - -
- 1 5
- 300ºK
0ºK
- - - -
2
-
- - - - -
G Sb
- G - G
e
- Sb+ - 4 e
- e
3 -
A 300ºK, todos electrones adicionales de los átomos de Sb están
desligados de su átomo (pueden desplazarse y originar corriente
eléctrica). El Sb es un donador y en el Ge hay más electrones
que huecos. Es un semiconductor tipo N.
 Semiconductores Extrínsecos
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo N

3
4 est./atm. 300ºK
0ºK
Energía

- 1
0 electr./atom.
electr./atm.
-
+
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atom.

El Sb genera un estado permitido en la banda

prohibida, muy cerca de la banda de conducción. La
energía necesaria para alcanzar la banda de
conducción se consigue a la temperatura ambiente.
 Semiconductores Extrínsecos Tipo P
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo III
B, Ga, In, Al, Ta ( Trivalente)
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
- -
- - 1 - 0ºK -
2
-
- - - - -
G Al G - G
e- - e e
3
- -
A 0ºK, habría una “falta de
Tiene 3 electrones en la
última capa
electrón” adicional ligado
al átomo de Al
 Semiconductores Extrínsecos Tipo P
- - -
-
- - - - -
G - G -
+ G - G
e
- e
- e e
- 300ºK
0ºK -
- - 1 - -
2
-
- - - - -
G Al G - G
Al-
-
e- - 4 (extra) e e
3
- -
A 300ºK, todas las “faltas” de electrón de los átomos de
Al están cubiertas con un electrón procedente de un
átomo de Ge, en el que se genera un hueco. El Al es un
aceptador y en el Ge hay más huecos que electrones. Es
un semiconductor tipo P.
 Semiconductores Extrínsecos
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo P

300ºK
0ºK
Energía
4 est./atom.

EAl=0,067eV Eg=0,67eV
-
+- - 43 electr./atom.
- - 01 huecos/atom.
hueco/atom.

El Al genera un estado permitido en la banda prohibida,

muy cerca de la banda de valencia. La energía necesaria
para que un electrón alcance este estado permitido se
consigue a la temperatura ambiente, generando un hueco
en la banda de valencia.
 Resumen
Muy
Semiconductores intrínsecos: importante
•Igual número de huecos y de electrones
Semiconductores extrínsecos:
Tipo P:
•Más huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
•Impurezas del grupo III (aceptador)
•Todos los átomos de aceptador ionizados “-”.
Tipo N:
•Más electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
•Impurezas del grupo V (donador)
•Todos los átomos de donador ionizados “+”.
Ecuaciones en los semiconductores extrínsecos
ND= concentr. donador NA= concentr. aceptador

Neutralidad eléctrica (el semiconductor intrínseco era

neutro y la sustancia dopante también, por lo que
también lo será el semiconductor extrínseco):
Dopado tipo N: n = p + ND
Dopado tipo P: n + NA = p
Ambos dopados: n + NA = p + ND
Muy
importante
Producto n·p p·n =ni2
Simplificaciones si ND >> ni Simplificaciones si NA >> ni
n=ND ND·p = ni2 p=NA NA·n = ni2
 DIODOS SEMICONDUCTORES
Semiconductor extrínseco : TIPO N

+
Sb
+
Sb +
Sb +
Sb
Impurezas
+
Sb
+
Sb
grupo V
+
Sb +
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb 300ºK
+
Sb +
Sb Sb + +
Sb

Electrones libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

electrones libres
 DIODOS SEMICONDUCTORES

Semiconductor extrínseco : TIPO P

-
Al
-
Al -
Al -
Al

-
Al Al - 300ºK
-
Al -
Al Impurezas
-
Al
-
Al
grupo III
-
Al
-
Al
- -
Al
-
Al -
Al Al

Huecos libres Átomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son

Huecos. Actúan como portadores de carga positiva.
 La unión P-N
La unión P-N en equilibrio

- - - + + + +
- - - + +
- + +
- - + +
- - - +
- + + + +
- - - +
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
 La unión P-N
La unión P-N en equilibrio Zona de transición

- - - + + + +
- - - + +
- + +
- - + +
- - - +
- + + + +
- - - +
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
- +

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de

carga espacial denominada ‘zona de transición’. Que actúa como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.