Universidad Nacional Autónoma de México

Centro de Nanociencias y Nanotecnología

Síntesis de capacitores de 𝑨𝒍𝟐 𝑶𝟑 y

𝒁𝒏𝑶 2:1 mediante ALD
Alumnos:
Santiago Galván y García
Christian Emmanuel López Ángeles

Profesor:
Dr. Javier López
Capacitores
Elemento pasivo diseñado para almacenar energía en su campo eléctrico.
Usados extensamente en electrónicos, comunicación, computadoras y sistemas de alimentación.
Dos placas conductoras separadas por un aislante o un dieléctrico y se le conecta una diferencia
de potencial o voltaje.
𝜎 𝑑
𝑉 = 𝐸𝑑 = 𝑑 = 𝑄
𝜖0 𝜖0 𝐴

El voltaje es proporcional a la carga.

𝑄 = 𝐶𝑉
𝜖𝐴
𝐶=
𝑑
Técnica ALD
Es un método de deposición de películas delgadas basado en el uso secuencial de procesos
químicos en fase de vapor, sus características son:

◦ Se emplean típicamente dos gases precursores, los cuales reaccionan uno a uno de forma
alternada y consecutiva con le superficie del material o sustrato.
◦ Los gases se insertan como una serie de pulsos que no se solapan y reaccionan con la
superficie de forma autolimitada, de modo que la reacción termina cuando se consumen
todos los sitios reactivos de la superficie.
◦ Cada exposición de la superficie con todos los gases precursores es denominada ciclo.
◦ Al variar el número de ciclos es posible generar materiales de forma uniforme y con alta
precisión en grosor.
Técnica ALD
 Transformador
Filtro Refrigerante de aislamiento

Diagrama de sistema ALD (2) del CNyN

de fase

Bomba de vacío

Cabina de control
Reactor
(Cámara de Purificador de gas
deposito)

Gases precursores
Computadora
BENEQ
 Metodología
Se efectuaron 2 depósitos de películas delgadas empleando como precursores óxido de aluminio (Al2O3) y óxido
de zinc (ZnO) sobre sustratos de ITO y Si mediante la técnica de ALD.

Para (Al2O3-ZnO) 2:1 se usaron: Para (Al2O3-ZnO) 1:2 se usaron:

33 ciclos de: 33 ciclos de:
- 17 capas de Al2O3 -8 capas de Al2O3
-5 capas de ZnO -10 capas de ZnO.
Metodología
Una vez terminado el depósito, se extrajeron las
muestras del reactor y se realizó una nueva
deposición con una capa oro sobre las placas. Lo
anterior se efectuó en una cámara al alto vacío, Oro
las placas se colocaron cerca de un alambre de
oro en un filamento de tungsteno, se elevó la
temperatura hasta alcanzar el punto de
evaporación del oro. Multicapas
Al2O3 – ZnO
Se procedió a medir la capacitancia de cada
capacitor así como el tiempo de relajación al
conectarlos a un circuito que proporcionaba un
potencial de 1V, se analizaron las curvas
obtenidas observando la variación de la carga
respecto al tiempo.
Resultados

Sobre silicio Sobre ITO

Resultados
Resultados
Resultados
Grosor: 80.48 ± 0.03 𝑛𝑚
Rugosidad: 2.34 ± 0.13 𝑛𝑚
MSE: 12.54