1.

2 Ventajas y Desventajas
 DIODO DE POTENCIA

 Elemento que permite el flujo de corriente en un solo

sentido.
 Permite mayores corrientes
 Soporta voltajes inversos elevados
 Funcionan como interruptores en una sola dirección
 Diferentes clases de diodos dependiendo sus tiempos
de recuperación
 DIODO DE POTENCIA

 VENTAJAS
 Alta tensiones de ruptura
 Corrientes elevadas de conducción
 Dependiendo la aplicación existe una gran gama de
diodos
 DIODO DE POTENCIA

 DESVENTAJAS
 Existen tiempos de transición o también llamados de
recuperación (pequeños o altos) y estos dependen
del tipo de diodo que estemos utilizando
 Tiristores

 Semiconductor que trabaja en estado de

conmutación (ON-OFF)
 Dependiendo la aplicación se clasifican en :
 SCR
 TRIAC
 GTO
 SCR

 Es un tipo de tiristor que trabaja en ON-OFF en forma unidireccional en el

semiciclo positivo (180 grados) que controla altas potencias
 Soporta altas tensiones inversas
 Permite circulación de altas corrientes
 Contiene un pin más que el diodo de señal llamado gate o compuerta que
permite el control del SCR
 Para conducir necesita polarización directa y que exista un disparo en el
gate o compuerta
 Para que deje de conducir la corriente tiene que disminuir mas allá del
valor mínimo de mantenimiento
 Diferentes tipos de disparo
 Tensión excesiva
 Impulso de puerta
 Derivada de tensión
 Temperatura
 Luz
 SCR

 VENTAJAS
 Soporta altas tensiones inversas
 Disparo por corriente
 No es complejo el circuito de mando
 SCR

 DESVENTAJAS
 Altas pérdidas en conmutación
 TRIAC

 Tiristor que funciona en ambas direcciones (360

grados)
 Conexión de dos diodos en paralelo
 Fácilmente trabaja en corriente
 TRIAC

 VENTAJAS
 Fácilmente trabaja en corriente alterna
 Puede encenderlo tanto con corrientes positivas
como negativas
 TRIAC

 DESVENTAJAS
 Trabaja en baja frecuencia y baja tensión
 GTO

 Es un tipo de tiristor que tiene la capacidad de

bloquear externamente
 Alcanzan grandes corrientes en el orden de los KA y
voltajes en el orden de los KV
 Mecanismo de disparo similar al del SCR
 Un GTO puede no tener la capacidad de bloquear
tensiones inversas
 Es mas caro que un SCR
 Rango de tensiones y corrientes son más pequeños
con respecto al SCR
 GTO

 VENTAJAS
 Alcanzan grandes corrientes en el orden de los KA y
voltajes en el orden de los KV
 GTO

 DESVENTAJAS
 Altas pérdidas en conmutación
 Alta complejidad del circuito de mando
 Es mas caro que un SCR
 Transistor Bipolar de Potencia

 Es un transistor de potencia que funciona como

interruptor controlado por corriente
 Fáciles de controlar por el terminal de base
 Poca ganancia con v/i grandes
 Baja caída de tensión en saturación
 Solo interesa hacerlos funcionar en 2 estados corte y
saturación
 Utiliza para frecuencias y potencias medias
 Bastante económicos
 Transistor Bipolar de Potencia

 VENTAJAS
 Baja caída de tensión en saturación
 Bastante económicos
 Fáciles de controlar por el terminal de base
 Transistor Bipolar de Potencia

 DESVENTAJAS
 Poca ganancia con v/i grandes
 Alta complejidad del circuito de mando
 MOSFET

 Transistores controlados por tensión

 Facilidad de control gracias al aislamiento de la
puerta
 Existen de canal n y p. Los n son los más comunes
 Los de canal n presentan menores perdidas y mayor
velocidad de conmutación
 Potencia que se puede manejar es bastante reducida
 Resistencia en conducción varia mucho con la
temperatura
 MOSFET

 VENTAJAS
 Los de canal n presentan menores perdidas y mayor
velocidad de conmutación
 Muy bajas pérdidas en conmutación
 MOSFET

 DESVENTAJAS
 Potencia que se puede manejar es bastante reducida
 Resistencia en conducción varia mucho con la
temperatura
 IGBT

 Transistor hibrido que aprovecha características del

MOSFET
 Funciona a centenas de Khz en componentes para
corrientes en el orden de las decenas de amperios
 Soporta tensiones elevadas
 El control es similar al de los MOSFET
 La velocidad de trabajo no es tan elevada como la de los
MOSFETs
 El accionamiento se hace por tensión
 Alta impedancia de entrada
 Bajas perdidas de conducción en estado activo
 IGBT

 VENTAJAS
 Tiene muy baja complejidad de circuito
 Alta impedancia de entrada
 Bajas perdidas de conducción en estado activo
 IGBT

 DESVENTAJAS
 Baja potencia del circuito de mando
 Altas perdidas en conmutacion