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Investigadores

Andrea Barral
Ana Mara Llois
Vernica Vildosola

barral@df.uba.ar
llois@tandar.cnea.gov.ar
vildosol@tandar.cnea.gov.ar

Colaboraciones con grupos internos y externos:


Centro Atmico Bariloche, Universidad de Rosario,
IPCMS- Estrasburgo, Universidad de Pars 6 y 7,
Universidad de Ohio, Centro de Investigaciones de Juelich.

Propuestas de trabajo (en general)


Fsica computacional:
Clculo de propiedades electrnicas, magnticas y de
transporte usando:
Cdigos de primeros principios y parametrizados,
Monte Carlo cuntico
Sistemas nanoscpicos: superredes, junturas,
superficies
Espintrnica: xidos semiconductores
magnticos. Nuevo magnetismo, GMR, TMR

Resolucin de Hamiltonianos many body.


Aplicacin de Teora de Campos a problemas de
Materia Condensada: Implementacin de tcnicas
diagramticas de clculo.
Aplicaciones a sistemas con Cerio y Uranio.
VINCULACION CON GRUPOS EXPERIMENTALES

Experimentos----Teora----Fsica Computacional

Sistemas
nanoscpicos

Manipulacin atmica e
interacciones magnticas

Es esencial comprender las propiedades electrnicas y magnticas


a escala atmica para fabricar dispositivos nanoscpicos con
aplicaciones en espintrnica. Con STM se puede manipular y
medir interacciones magnticas entre tomos.
Realizamos clculos electrnicos para desentraar la naturaleza
de las interacciones magnticas en cadenas de tomos de distinto
tipo. Este tema tiene potencial aplicacin a computacin

cuntica.

Confinamiento electrnico en
nanoestructuras

Gracias a los avances tecnolgicos hoy se


pueden fabricar sistemas nanoscpicos en
los que se observan manifestaciones del
confinamiento cuntico de electrones en
baja dimensin. Se puede pensar en una
ingeniera de niveles electrnicos que
permita manipular el comportamiento
magntico
y
electrnico
en
las
nanoestructuras.
Realizamos simulaciones para
colaborar en la interpretacin
de la enorme cantidad de
resultados experimentales que
existen.

Espintrnica

Buscando buenos inyectores de


espn
Con el incentivo de crear semiconductores ferromagnticos a
temperatura ambiente para su aplicacin en el campo de la
espintrnica, se han realizado recientemente experimentos en distintos
materiales, tanto xidos como metlicos.
Realizamos simulaciones numricas para estudiar las propiedades
electrnicas y magnticas de nuevos materiales, analizando el rol de
las impurezas, efectos de vacancia, de interfases y sustratos sobre el
magnetismo y el transporte.

Para el transporte usamos teora semiclsica


y analizamos la topologa y caractersticas de
la superficie de Fermi con el fin de predecir y
entender los fenmenos en estudio

Transporte tnel a travs de junturas


metal/semiconductor

Junturas tnel magnticas: barreras semiconductoras


'ensandwicheadas' entre electrodos ferromagnticos.
Prototipo
de
sistema
nanoscpico:
transporte
dependiente de espn y efecto de Magnetorresistencia
Tnel.
Intensamente investigadas: futuro prometedor en
dispositivos espintrnicos.
Testeo de modelos y teoras de transporte electrnico:
comprender la vinculacin entre propiedades electrnicas,
magnticas e interfacial/estructurales.

OBJETIVO: Encontrar sistemas con valores grandes de


Magnetorresistencia Tnel

Usamos el formalismo de Funciones de Green fuera del equilibrio


haciendo uso de una descripcin realista de los materiales en estudio

Sistemas fuertemente
correlacionados

Sistemas fuertemente correlacionados


Teora de campos aplicada a materia
condensada
Resolucin no perturbativa de Hamiltoniano
modelo
Diagramas de Feynman con correcciones de
vrtice

Combinacin de clculos de primeros


principios con
teoras de muchos cuerpos

Aplicaciones a compuestos de Cerio y Uranio (por ejemplo)

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