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Solidos Cristalinos
Solidos Cristalinos
CARACTERSTICAS:
Al estar formados por aniones y cationes de distinto tamao, las
fuerzas de cohesin son debidas a enlaces inicos, por lo que la
energa del enlace oscila en torno a los 100 k3/mol
PROPIEDADES:
. Duros y Frgiles
. Elevado punto de fusin.
. Buenos conductores de calor y de la electricidad en estado liquido.
CARACTERSTICAS:
Las fuerzas de cohesin son debidas a enlaces covalentes, por lo que
las uniones presentan energas del orden entre 100 y 1000 k3/mol.
PROPIEDADES:
. Duros e incomprensibles.
. Malos conductores del calor y de la electricidad.
EJEMPLOS:
. Grafito
. Diamante
. Cuarzo SiO2
CARACTERSTICAS:
Constituidos por molculas, las fuerzas de cohesin son debidas a
puentes de H y fuerzas de Van der Waals, que son de intensidad
reducida. Por ello su energa de cohesin es del orden 1 K3/mol.
PROPIEDADES:
. Blandos
. Comprensibles y deformables.
. Bajo punto de fusin.
. Malos conductores del calor y de la electricidad.
EJEMPLOS:
. SO2
. I2
. H2O (hielo)
CARACTERSTICAS:
Cada punto de masa lo constituye un tomo de metal.
Los electrones estn deslocalizados, movindose por todo el cristal.
PROPIEDADES:
. Buena resistencia ante esfuerzos externos.
. Buenos conductores del calor y la electricidad.
EJEMPLOS:
. Li
. Ca
. Na
Se
obtiene
como
subproducto
en
los
procesos de obtencin de
cobre, zinc y en las cenizas
de ciertos carbones. Para
la purificacin ulterior se
utiliza el proceso llamado
fusin por zonas.
Desde hace unos aos se ha prestado un inters especial en los compuestos basados
en Nitruro de Galio (GaN), un nitruro que por sus aplicaciones en emisores y
detectores de radiacin, en electrnica de potencia, lo convierten en un material
fundamental en el diseo de nuevas estructuras. Los transistores, la piedra angular
de la electrnica, tienen prdidas y por lo tanto consumen energa. El alto valor de su
constante dielctrica, su buena conductividad trmica y sus favorables propiedades
de transporte hacen del GaN un semiconductor ideal para dispositivos de potencia,
como por ejemplo los transistores de efecto de campo (MOSFETs).
GaN es un material muy duro, mecnicamente estable, con alta capacidad de
transmision de calor. En su forma pura resiste el agrietarse y puede ser depositado
adentro pelcula fina en zafiro o carburo del silicio. GaN puede ser dopado con silicio
(Silicio) o con oxgeno a N-tipo y con el magnesio (magnesio) a P-tipo. El crecimiento
de Cristales de GaN no es tan fcil como el crecimiento de silicio. GaN es slo fundido
a una temperatura de 2225 C , a esa temperatura es necesario mantener
el nitrgeno a una presion de 64,000 Altmosferas para evitar la descomposicin del
material. En este camino se encuentra la empresa Ammono.
http://e-ducativa.catedu.es/44700165/aula/archivos/repositorio/4750/4910/html/1_slidos_cristalinos_tipos_de_cristales.html
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/sili2.html
http://elementos.org.es/silicio
http://elementos.org.es/germanio
http://www.quimicaweb.net/tablaperiodica/paginas/germanio.HTM
http://www.periodni.com/es/ga.html
http://elementos.org.es/galio