PRACTICA N° 2 (ETN 503-II/2025)
PARALELO A
1. En el circuito de la figura si α = 0.98 y VBE = 0.7 Voltios, calcular el valor de la resistencia R1,
para una corriente de emisor 2 mA.
2. El circuito de la figura con un transistor PNP tiene un β =100, VBE=-0.7V . Calcular todas las
intensidades y tensiones en los diferentes puntos.
3. Los tres transistores MOST de las figuras 1-3 son transistores de acumulación. Cuando
funcionan en régimen de saturación, su corriente de drenador viene dada por la ecuación ID
= k(VGS – VT)2 donde VT = 2 (V) y k = 2 mA · V-2. Advierta que hay transistores de canal n y de
canal p
a) Para cada circuito, determinar si el transistor se encuentra funcionando en corte, en la
región activa o en la región de saturación.
b) Para el (o los) transistores que se encuentren funcionando en la región de saturación,
calcular la corriente de drenador ID y la tensión drenador fuente VDS indicando
claramente su signo.
4. Para el BJT de la Figura, utilice: 𝛽 = 100, 𝑉𝐵𝐸 = 0,7𝑉 , analice el circuito y determine el
valor de 𝐼𝑐, 𝑉𝐶𝐸.
5. Considere un circuito auto polarizado donde el transistor tiene la curva característica de
salida como se muestra en la Figura
𝑄(I_C,V_CE) = (8m[A],10[V])
a) Determine el valor de las resistencias de polarización para lograr un punto de trabajo
b) Dibuje la recta de carga.
6. En el circuito de la figura, se desea colocar el punto Q en la mitad de la línea de carga. Para
este transistor β = 100, Vbe = 0.6 [V], Vcc = 12 [V], Re = 300 [Ω] y Rc = [Ω]. Encuentre los
valores de R1 y R2
7.
8. Seleccionar R1 y R2, para la máxima excursión de tensión en la salida, perteneciente al
circuito de la figura. β = 140, Vbe = 0.7 [V] (debe realizar el análisis en DC y AC)
9. El circuito mostrado, posee una doble alimentación para su polarización, considere que se
usa un hfe = 200 y que Vcc = 5 [V] y Vbb = 3,5[V], use un Vbe = 0.6 [V]. se pide:
a) Determinar el punto Ic y Vce.
b) La recta de carga DC en la entrada y la salida
c) Determine la relación que debería existir entre las resistencias para que Vce no varíe
ante un ∆Vee
d) Que modificación se realizaría en las resistencias del circuito, para que el transistor entre
en corte y saturación.
10. Un sistema de iluminación requiere una corriente permanente a pesar que cambie su
impedancia de entrada, actualmente el circuito funciona con Zi=115[Ω] y una VL de 11.5[V].
Contando con una fuente Dc de 24 [V] y un diodo Zener 1N5235 cuya corriente en ruptura es
nominalmente 45 [mA]. Sabiendo que a medida que se aumentan más bombillas LED al
sistema su Zi incrementa, acorde a 5[Ω] por cada bombilla, se pide:
a) Graficar el circuito requerido usando un solo transistor
b) Diseñar los valores de los componentes de la figura sugerida considerando Vcemin =
1.2[V]
c) Cual es el valor máximo de la Zin
d) La recta de carga DC para Zin actual y Zin máximo
e) El punto de operación del transistor considerando Zin máximo y un Hfe de 200
f) Cuantos bombillos led podrá añadirse al sistema
Circuito sugerido:
11. El Jfet de la figura está caracterizado por:
Idss = 6[mA]; Vp= -5[V];Rd= 2k[Ω]; Rs=10k[Ω]; Vdd= 15[V] y Vss=-8[V]. Calcular Vgs y Vo si:
a) Vg= 0[V]
b) Vg = 10[V]
12. En el circuito mostrado en la figura, calcular R1 para que Ie = 2[mA], considerar: Hfe=50 y
Vbe = 0.7[V], Vbesat= 0.8[V], Vcesat=0.2[V], Ic0= 0
