SEMICONDUCTORES

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente. Los semiconductores ms conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). El silicio es ms estable que el germanio y el semiconductor ms utilizado en la fabricacin de componentes electrnicos de estado solido. Se utiliza para cermicas, vidrios, esmaltados, los semiconductores electronicos, ladrillos, y en gral para muchos tipos de aleacin en la industria.

LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES, SEGN SU PUREZA, SE CLASIFICAN DE LA SIGUIENTE FORMA:

INTRNSECOS EXTRNSEC OS

SEMICONDUCTOR INTRNSECO Cuando se encuentra en estado puro, no

contiene impureza, ni tomos de otro elemento en su estructura. Una barra de silicio puro est formada por un conjunto de tomos en lazados unos con otros segn una determinada estructura geomtrica que se conoce como red cristalina.
Se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un cuerpo aislante.

Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos electrones de los rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse. Lgicamente si un electrn se desprende del tomo, este ya no est completo, decimos que est cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrn.

En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin.

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
CUANDO SE INTRODUCE IMPUREZAS EN EL MATERIAL, MEDIANTE UN PROCESO DENOMINADODOPADO, SE HABLA DE UNA CONDUCCIN EXTRINSECOS. GENERALMENTE LOS TOMOS DE LAS IMPUREZAS CORRESPONDEN TAMBIN A ELEMENTOS SEMICONDUCTORES QUE, EN LUGAR DE CUATRO, POSEEN TRES ELECTRONES EN SU LTIMA RBITA [COMO EL GALIO (GA) O EL INDIO (IN)], O QUE POSEEN CINCO ELECTRONES TAMBIN EN SU LTIMA RBITA [COMO EL ANTIMONIO (SB) O EL ARSNICO (AS)]. UNA VEZ DOPADOS, EL SILICIO O EL GERMANIO SE CONVIERTEN EN SEMICONDUCTORESEXTRNSECOSY SERN CAPACES DE CONDUCIR LA CORRIENTE ELCTRICA.

SEMICONDUCTOR TIPO N
Si en un material hay un exceso de cargas negativas (electrones), muchas de ellas no podrn encontrar pareja para formar el enlace. Como consecuencia, estos electrones de sobra se situarn libremente alrededor de los tomos y podrn moverse con facilidad. Este exceso de cargas negativas se consigue introduciendo impurezas con ms electrones de valencia que el material semiconductor base. Estas impurezas se denominanimpurezas donadoras, y el material obtenido,semiconductor tipo N.

Haga clic para modificar el estilo de texto del pat Segundo nivel Por ejemplo, el silicio (que tiene cuatro Tercer nivel electrones de valencia) se dopa con pequeas cantidades de fsforo, arsnico o Cuarto nivel antimonio (que tienen cinco electrones de Quinto nivel valencia y, por tanto, un electrn de ms).
Los electrones sobrantes quedan libres y se encargan de conducir la corriente elctrica.

SEMICONDUCTOR TIPO P

Tambin introducir un exceso de cargas positivas en el material. En este caso se produce un defecto de electrones o, dicho de otra forma, un exceso dehuecos(entendiendo por hueco la ausencia del electrn que compensa la carga positiva). La presencia de estos huecos tambin facilita la El exceso de cargas positivas se conduccin de la corriente elctrica, pues tienden a consigue introduciendo impurezas captar electrones de valencia con menos electrones y permiten el desplazamiento que el material semiconductor base. de estos.
Estas sonimpurezas aceptadoras, y el material obtenido se denominasemiconductor tipo P.

En general, los semiconductores extrnsecos presentan una conductividad elctrica mayor que la de los semiconductores intrnsecos. Por este motivo, en la fabricacin de dispositivos electrnicos se utilizan principalmente semiconductores extrnsecos (silicio tipo P y silicio tipo N).

MECANISMO DE CONDUCCIN DE UN SEMICONDUCTOR

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que saltan a la banda de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la banda de valencia cuando los electrones saltan a la banda de conduccin. Si analizamos el movimiento, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los huecos o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto.

Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para las cargas negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las cargas positivas (de huecos o agujeros), ser "conduccin P".

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
El dispositivo semiconductor mas simple es el diodo. Como se muestra en la figura est hecho por la unin de un material semiconductor de tipo N y otro de tipo P. Nos ocuparemos solo de los diodos deSilicio.

En resumen decimos que el diodo como una forma automtica de interruptor, cuando la corriente est en el sentido de la conduccin esta se permite, en sentido contrario se impide. La permutacin ocurre en respuesta a seales elctricas (el voltaje a que est sometido el diodo) y ocurre a muy alta velocidad. El proceso de permitir el paso de la corriente en una direccin e impedirla en la otras se denomina rectificacin. Algunos diodos pueden rectificar corrientes en el orden de los gigahertz, lo que significa miles de millones de ciclos por segundo.

LA BANDA DE VALENCIA
Como ya conocemos, todos tomos que integran cualquier cuerpo material poseen rbitas o capas, denominadas tambin niveles de energa, donde giran electrones alrededor de sus ncleos. La ltima de esas capas se denomina banda de valencia y es donde giran los electrones que en unos casos el tomo puede ser ceder, como ocurre con los metales y en otros casos puede atraer o captar de la banda de valencia de otros tomos cercanos. La banda de valencia es el nivel de energa que determina que un cuerpo se comporte como conductor, aislante o semiconductor.