Circuitos de potencia

◼ Amplificadores de Potencia
◼ Fuentes de Poder

Concepto: Alta Eficiencia

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 Amplificadores de Potencia
Fundamentos

Los amplificadores con elementos discretos y circuitos integrados se diseñan

para procesar señales con énfasis en la linealidad y alta ganancia, en general
son de baja potencia y solo tienen capacidad de generar en sus salidas
voltajes en el rango de los voltios corrientes en el rango de los miliamperes y
en consecuencia transfirieren a las cargas conectadas a su salida potencias
en el rango de miliwatios o decimas de watios.

En muchas aplicaciones tales por ejemplo sistemas de instrumentación

control de pequeños motores, activación de altavoces, etc., se necesitan
potencias en el rango de decenas o centenas de watios, incluso mayores, y
para conseguirlo se requieren circuitos electrónicos especialmente diseñados
para amplificar potencia con alta eficiencia (100 W, 1kW, etc.)

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 Amplificadores de Potencia
Escenario de materias

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Definiciones
Un amplificador de potencia es un circuito electrónico cuya etapa de
salida se diseña para permitir grandes variaciones de voltaje y
corriente con mínima distorsión de señal y de manera de transferir a
una carga la máxima potencia posible con alta eficiencia. Esto implica
operar los transistores a su máxima excursión posible en el limite de
sus capacidades de voltaje, corrientes y disipación de potencia

Amplificación de señal Amplificación de potencia

Amplificador de alta Amplificador de alta

Amplificador de alta
impedancia de entrada capacidad de corriente y
ganancia
y ganancia moderada ganancia unitaria baja
impedancia de salida

señal A1 A2 A3 carga

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Amplificador operacional

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Amplificador de potencia con etapa amplificadora
utilizando operacional y realimentación negativa

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 Amplificadores de Potencia

Tipos de amplificadores de Potencia

◼ Clase A
◼ Clase B
◼ Clase AB
◼ Clase C
◼ Clase D

Concepto: Máxima Excursión con Alta Eficiencia

Minimizar No linealidades y Distorsión de Señal Minimizar Potencia Disipada

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 Amplificadores de Potencia Lineales
Definiciones: según punto de operación

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 Amplificadores de Potencia Lineales
Definiciones: según punto de operación

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 Amplificador clase A
Corresponde a una configuración en colector común, típico de los amplificadores de potencia
Se enfatiza el uso de fuente de corriente para polarizar el transistor bajo el concepto de circuito
integrado y para máxima excursión de señal en la carga

+Vcc

Q1

+
vi

v0
Zac=∞ I BB
I REF RB
RL

Q3 Q2

Colector común:
• Solo amplifican corriente
• Alta impedancia de entrada
• Baja impedancia de salida − VCC Fuente de corriente
espejo simple

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 PARA ANULAR VOLTAJE Vbe DEL BJT
+

El transistor se polariza en
R.A.N. para operar con máxima
excursión simétrica

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 MAXIMA EXCURSION

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 Formas de onda

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 Resumen de formulas
Pmax = Pmax RL
Pi = P2Vcc = 2 I EEVCC (V0 = Vpeak )
(V0max = VCC )

v 2 o max
[ ]
2 V 2 cc
Pmax = =
RL 2 RL
2
VCC
P 2 RL
 = max = 2
= 0.25 Con Vcesat = 0 el
Pi VCC
2
RL
voltaje máximo de
salida (vomax) es
igual a Vcc

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Limites de diseño

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Ejemplo de diseño

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 Solución

Cada alimentación debe proporcionar, al menos

la fuente de corriente debe producir

Elegimos potencias para Q1y 02 acordes con

el funcionamiento en reposo

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Solución

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 Amplificador Clase B con BJT
Dos colectores comunes complementarios de iguales parámetros NPN, PNP

+ VCC

Ventaja:
Q1
Mayor eficiencia que el AP clase A
Ri Desventaja:
v0 Debido a los umbrales de los
+ diodos base emisor se produce una
v1
− RL distorsión en el voltaje de salida
Q2 (distorsión de cruce

Sin señal ninguno de los transistores conduce

− VCC y por lo tanto no hay disipación de potencia

Esquema

Circuitos y Sistemas Electrónicos Prof.Lautaro Salazar

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 Amplificador Clase B con BJT
+ VCC

Condición señal de entrada nula

Ambos transistores en corte Q1

Ri v0

vi = 0 Q2 RL

− VCC

Circ. Equivalente sin Señal

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 Amplificador Clase B con BJT

+ VCC

Semiciclo positivo el transistor Q1 conduce y

el transistor Q2 esta en corte

iB
Ri iL v0

+ RL
vi
−

− VCC

I EE Circ.Equivalente con vi positivo

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 Amplificador Clase B con BJT
+ VCC

VCE sat
La máxima señal sin
distorsión se obtiene
antes que el transistor iB
iL
Q1 entre a saturación Ri
vo
VBE

+
Q2 RL
−

vi
− VCC

Circ.Equivalente cuando se satura Q1

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 Amplificador Clase B con BJT
+ VCC

Semiciclo negativo el transistor Q2 conduce y

el transistor Q1 esta en corte
Q1

Ri v0
+
VBE iL
vi
La máxima señal sin − iB
RL
distorsión se obtiene
2iB
antes que el transistor
Q2 entre a saturación

− VCC

Circ.Equivalente con vi negativo

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 Amplificador Clase B con BJT

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 DISTORSION DE CRUCE

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 Amplificador Clase B con FET
VDD

El umbral de corte de un
transistor FET es bastante
mayor que un transistor
BJT por lo tanto estos M1
circuitos presentan mayor
distorsión de cruce v0

+ M2
RL
vi

−VDD

Esquema

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 Amplificador Clase B con FET

Condición señal de entrada nula

Ambos transistores en corte M1

v0

+ M2 RL
vi

Con vi nulo

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 Amplificador Clase B con FET
V DD

Semiciclo positivo el transistor M1 conduce y

el transistor M2 esta en corte. Lo inverso ocurre
con un semiciclo negativo
iD = f (vGS)

v0
+
vi M2
RL

− VDD

Equivalente con vi>vt

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 Amplificador Clase B con FET
VDD

RDS
La máxima señal sin
distorsión se obtiene +

antes que el transistor vGS v0

Q2 entre a zona óhmica + − RL
vi

−VDD

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 Amplificador Clase B con FET
v0

Alta distorsión de cruce

V DD
1
− vt 1

vi
vt

Funcion de Transferencia

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Amplificador Clase B con FET
EXAMPLE 10.4 Código SPICE
VPL 1 0 DC 15
VMI 2 0 DC -15
RL 4 0 20
M1 1 3 4 2 NCH
M2 2 3 4 1 PCH
.MODEL NCH NMOS KP=0.2 VTO=3
.MODEL PCH PMOS KP=0.2 VTO=-3
VI 3 0 DC 0.0
*VI 3 0 SIN(0 12 1000)
.DC VI -18 10 0.3
*.TRAN 0.02E-3 2E-3
.PLOT DC V(4)
*.PLOT TRAN V(4)
.OP
.PROBE
.END

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 Amplificador Clase B con FET
10V

0V

-10V

-20V
-20V -15V -10V -5V 0V 5V 10V
V1(RL)
VI

Función de Transferencia
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Amplificador Clase B con FET
Realimentado para reducir la distorsión
de cruce
+ 15V

M1
+ vx
v0
+ X1 M2 20
vI

− 15V

Esquema

19/10/2022 Microelectronica Dr. L. Salazar 33

 Amplificador Clase B Realimentado para
reducir la distorsión de cruce

EXAMPLE 10.5
************************
.SUBCKT OPAMP 1 2 3
Código SPICE RIN 1 2 100K
E1 5 0 1 2 1E5
ROUT 3 5 100
.ENDS
************************
VPL 1 0 DC 15
VMI 2 0 DC -15
RL 4 0 20
M1 1 3 4 2 NCH
M2 2 3 4 1 PCH
.MODEL NCH NMOS KP=0.2 VTO=3
.MODEL PCH PMOS KP=0.2 VTO=-3
VI 5 0 SIN(0 12 1000)
X1 5 4 3 OPAMP
.TRAN 0.02E-3 2E-3
.PRINT TRAN V(4) V(3)
.FOUR 1000 V(4)
.OP
.PROBE
.END

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Amplificador Clase B Realimentado para
reducir la distorsión de cruce
20V

10V

0V

-10V

-20V
0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms 1.8ms 2.0ms
V(3) V(4)
Time

Formas de onda de salida del circuito y del operacional

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 Amplificador Clase B con BJT
sin distorsión de cruce (AB)

VCC
VCC

I BB
Las fuentes de corriente Q5 iC 1
hacen conducir los diodos y
Q1
de esta manera se genera un Q3
voltaje opuesto al umbral del i0
diodo de base emisor. Esto v0
permite eliminar la distorsión + Q4

de cruce aunque disminuye vi

Q2
RL
en un cierto grado la
iC 2
eficiencia comparado con un Q6
clase B
− VCC
− VCC

Circuito Bipolar

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 Amplificador Clase AB con BJT
+VCC + VCC

Operación: Q5 iB
cuando vi(t)>0 Q1 conduce I BB
VBE
Cuando vi(t)<0 Q2 conduce
Q1
iB
0,5VBB
iD
Diodos conduciendo i0
v0
0,5VBB
+ RL
vi Q2
I BB Q6

−VCC
−VCC

Equivalente en gran señal para (b) cuando vi>0

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Amplificador Clase AB con BJT

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Amplificador Clase AB con BJT
v0

Saturacion de la Fuente de
VCC −Vmin−VBE corriente Q5

1
1

vi

Saturacion de la Fuente
de corriente Q6

Funcion de Transferencia del

Amplificador en clase AB

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 Balance de energía
Potencia entregada por las fuentes
Vcc, corresponde a la potencia de
entrada Pi

Potencia disipada en
cada transistor:
Potencia de salida
corresponde a la potencia
en la carga RL
2

Potencia máxima disipada en cada transistor

Observar que la potencia máxima disipada en cada transistor no se

manifiesta a máxima potencia de salida
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Resumen de formulas

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 Ejercicio

Diseñar un amplificador clase B para obtener una potencia de 4 W sobre una carga de 10Ω

Con

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 Amplificadores Clase AB con FET
+ VDD + VDD

I BB
Anula el voltaje de umbral Vt de M1
M1 eliminando de esta forma la
distorsión de cruce
M3
v0

M4
RL
+
vi
M2

I BB

− V DD − V DD
Circuito con MOSFETs

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 Resumen amplificadores clase AB

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Limitación de cortocircuito en la salida

19/10/2022 Microelectronica Dr. L. Salazar 45

 Circuito Amplificador Clase D
VDD
En estos circuitos los
transistores trabajan en
forma conmutada, es RB
decir en zona óhmica y CC M1
corte. No operan en la
región activa normal como
− + L
VDD
v0 (t)
en los anteriores circuitos Modulacion en
estudiados ancho de pulso vx
Al operar de esta manera VDD
C RL
la disipación de potencia + − M2
+
en los transistores es vI (t) CC
mínima y se logra de esta RB
forma una alta eficiencia
del circuito, superior al
90% con un buen diseño −VDD

Amplificador

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Modulación en ancho de Pulso
VCC
Vs(t)
PWM
vI (t) .
+ v0(t)
vs (t) C .

vK(t)
C

vK(t) Comparador
0 T t

Tren de pulsos de periodo T

Switch

Generador del Diente de Sierra

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 Modulación en ancho de Pulso
v I (t )

v S (t )

VP
Comparacion de
las señales de
entrada

0
0 T t

v0 (t)
VM

0
0 t

−VM

Componente de baja frecuencia

Forma de onda de salida del comparador y su

informacion de baja frecuencia

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 Modulación en ancho de Pulso


1

Vo(t)=

0 vI
VP

Ciclo de trabajo de la salida en relacion con la

amplitud de entrada

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 Circuito Amplificador Clase D
VDD
Filtro pasa bajo de segundo orden

Si ron=0
rON
M1 L
v0 (t)
M2
C
RL
rON

−VDD

Circ. Equivalente de la salida indicando la resistencia

en conduccion rON de los transistores y la señal
PWM completa

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 Circuito Amplificador Clase D

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 Circuito Amplificador Clase D
rON
v0(t)
+
RL
KvI (t) vo (t ) = KvI (t )
RL rON + RL

Con rON  RL Vomax≈VDD

Circ. Equivalente de salida solo por las

frecuencias de la señal

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Circuito Amplificador Clase D
rON
XL= Alta impedancia

+
v PWM XC=baja impedancia RL

Circ. Equivalente de salida para altas

frecuencias

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Circuito Amplificador Clase D
R
R
Modulador en Etapa de Filtro de pasa
ancho de pulso potencia en bajo
vX (t) clase D
R
+ R
vI (t)
VP
2

Aplicando realimentación negativa se puede mejorar la linealidad,

aumentar el ancho de banda y minimizar armónicas

Configuracion de un amplificador en
clase D en bucle cerrado

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Eficiencia amplificador clase D

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Amplificador Clase D
Ejemplo Chip comercial

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 POTENCIA DISIPADA EN
TRANSISTORES

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 FET BJT

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19/10/2022 Microelectronica Dr. L. Salazar 59
 TRANSFERENCIA DE CALOR Y POTENCIA DISIPADA

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 CALCULO DE DISIPADORES

Se debe evitar sobrepasar la temperatura máxima de juntura, Tjmax,

a la potencia máxima disipada en el transistor
Tjmax, en el rango de 125 a 200 ºC

Curva de disipación Curva de degradación

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19/10/2022 Microelectronica Dr. L. Salazar 62
 Objetivo de diseño:

Grasa térmica:

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a)

b)

c)

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