DISEÑO DE AMPLIFICADOR MULTIETAPA
CON BJT
Resumen--Este informe consiste en conocer el diseño
estructurado de un amplificador con transistores BJT (Bipolar
Junction Transfer), usando conocimientos básicos de
electrónica, para conseguir este objetivo se comenzara desde
análisis matemático pasando por simulación en el software
Orcad hasta su montaje físico en ProtoBoard. Se simularon y se
probaron las diferentes etapas del diseño para poder comparar
los resultados obtenidos en cada caso.
PALABRAS CLAVE.
BJT (Bipolar Junction Transfer), Transistor emisor común,
transistor colector común, Orcad, ProtoBoard, Transistor 2N2222
I. INTRODUCCIÓN.
En siguiente trabajo recoge el análisis e implementación de un
modelo de amplificador multietapa utilizando transistores BJT
(Bipolar Junction Transfer), su finalidad principal es hacer los
procesos necesarios para su elaboración.
Para este diseño se utilizarán procedimientos básicos usados en
electrónica; con esto se pretende poner en práctica los
conocimientos adquiridos y demostrarlos mediante cálculos
analíticos, usando el software respectivo y finalmente la
implementación física. El desarrollo de este tipo de proyectos
permite adquirir competencias necesarias en el área de ingeniería
electrónica.
II. OBJETIVOS.
A. Objetivo General.
Conocer conceptos fundamentales sobre el transistor BJT que se
usa en un circuito amplificador, sus métodos de aplicación y
conexiones que son utilizados realizando una tarea de investigación
y la construcción del circuito en un ProtoBoard para comprender de
mejor manera la materia que se imparte en las aulas de clase y
poder tener una formación profesional adecuada.
B. Objetivos Específicos.
• Describir los elementos que conforman el amplificador y sus
respectivas conexiones.
• Montar el circuito en el ProtoBoard, y armarlo con todos los
componentes necesarios para cumplir con las condiciones.
• Presentar el trabajo y comprobar la veracidad de los procesos
realizados.
III. MARCO TEORICO.
A. Amplificador.
Se denomina amplificador multietapa al acople de dos o más
configuraciones de transistores, esto con la finalidad de obtener un
incremento mayor en la señal de salida (comparando con la
configuración de un solo transistor); este acoplamiento se realiza
mediante el uso de condensadores permitiendo parámetros en su
análisis en DC o AC; la ganancia total de esta configuración es el
resultado de la multiplicación de la ganancia individual de cada
etapa.
Entre las configuraciones usadas en este texto se encuentra: está
emisor común (inversor) y colector común (emisor seguidor); al
referirse al producto de cada etapa se incluye también la inversión
de cada señal de salida, por lo tanto, al aplicar un prototipo con el
acople de dos inversores, se obtendrá una señal afectada en su
amplitud por un factor AV=AV1*AV2 pero sin desfase alguno.
Fig. 1 Ejemplo de amplificador BJT
B. Transistor.
Los transistores son los semiconductores, que puede comportarse
como conductor o aislante, que se pueden en un circuito eléctrico,
integrados también en el grupo de elementos electrónicos. Puede
ampliar el poder la energía que reciba, además de crear
perturbaciones en ella, modificar el camino que pueden llevar los
electrones y puede convertir a la corriente alterna, en la que su
magnitud varía constantemente, en corriente continua, la cual no
cambia su ruta en todo el trayecto. Mayormente son fabricados con
silicio y germanio, sin embargo, los más adquiridos son los de
silicio pues son más baratos; éste, por su parte, es un
semiconductor, por lo que se le agregan algunas impurezas para
convertirlo en un conductor.
C. Transistor 2N2222.
Transistor 2N2222. Es un transistor de silicio y baja potencia,
diseñado para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación.
Es un transistor de silicio de mediana potencia con una polaridad
npn, construido mediante el proceso de base epitaxial y designado
para aplicaciones de amplificación lineal y conmutación. Puede Vcc=30 V Vee=15 v
amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias y
trabajar a frecuencias medianamente altas. Es fabricado en Para el caso de ℜ3=Rl
diferentes formatos, los más comunes son los TO-92, TO-18, SOT-
23, y SOT-223.
ℜ3=1 k Ω
Vcc +Vee Vcc
D. Principales Características. [2] I CQ = =
Rc+ Re R E 3+( R E 3 ∕ ∕ Rl)
• Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
I CQ =20 mA
• Corriente de colector constante 800mA (Ic)
• Potencia total disipada 500mW (Pd) Para este caso se asume un β ≅ 200
• Ganancia o hfe 35 mínima Rth=0.1∗β∗ℜ 3
• Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
Rth=20 k Ω
• Encapsulado de metal TO-18
Vth=V B
• Estructura NPN
• Su complementario PNP es el Transistor 2N2907. V B =1.1∗Icq∗ℜ 3−V BE

V B =21.3 v

Rth
R 2= =69 k Ω
VB
1−
V cc
R2 ≅ 68 kΩ → Valor comercial
Rth∗V CC
R 1= =28.2 kΩ
VB
R1 ≅ 27 kΩ → Valor comercial
Fig. 2 Transistor 2N2222 y 2N2222A.
Ahora haciendo el análisis con R1=27 kΩ y R2=68 kΩ
IV. PARÁMETROS DE DISEÑO.
Diseñar, simular e implementar un amplificador discreto con las R 1∗R2
siguientes características:
Rth=
R1 + R2
a) Ganancia de voltaje 25
Rth=19.33 kΩ
b) Fuente de alimentación de 30v.
R 2∗V CC
c) Señal de entrada: 200mVpp. (Medido a 1 kHz). Vth=
R1 + R2
d) Carga de 1KΩ.

e) El amplificador debe estar compensado con respecto a

Vth=21.472 v
variaciones de temperatura.
Vth−Rth∗I B −V BE −R E∗( β +1 )∗I B

Vth−V BE
I B=
Rth+ ( β +1 )∗R E
IV. DISEÑO.
I B=94.29uA
Para iniciar el diseño del multietapa se inicia desde la última etapa
y se va desarrollando hasta llegar a la primera, En este caso se I C =( β +1 ) I B =18.95 mA
plantean tres etapas.

A. Tercera Etapa. β∗VT

R π=
IC
Para esta etapa utilizamos un transistor emisor seguidor sin Rc
R π=274.39Ω
Se asume el valor de Rl=1 k Ω Vce=6 v Vbe=0.7 v
Zi n3=Rth /¿(R π + ( β +1 )∗R E 3 ) R2∗V CC
V b =Vth=
R 2+ R 1
Zi n3=17.64 kΩ
Vth=2.73 v
A. Segunda Etapa.

Rl=Zi n3 Vth−I B∗Rth−V BE −R E ( β +1 )∗I B =0

β ≅ 200 Vth−V BE
I B=
Rth+ R E (β +1)
RC Deberá tener un valor de la mitad de RL o hasta el mismo
valor de RL I B=7.64 uA

RC 2 ≅ 10 kΩ I C =β∗I B

Av=−5 I C =1.53 mA

−RC 2 /¿ R L β∗VT
Av ≅ R π=
RE 2 I CQ

−6.7 kΩ R π=3.39 kΩ
R E 2= =1.3 kΩ
Av −β∗RC 2 /¿ R l
Av=
R E 2 ≅ 1.2 kΩ→ Valor comercial R π + ( β+1 ) R E 2
V CC A v =−5.22
I CQ =
R DC + R AC
Zi n2=( Rπ + R E 2 ( β +1 ) ) /¿ Rth
V CC
I CQ = Zi n2=22.31kΩ
RC 2 + R E 2 +[ R ¿ ¿ C 2/¿( Rl + R E 2)]¿
A. Primera Etapa.
I CQ =1.69 mA
Rl=Zi n2
Rth=0.1∗β∗R E
β ≅ 200
Rth=24 kΩ
RC =5.6 kΩ
Vth=V B =1.1¿ I CQ∗R E∗+V BE
Av=−5
V B =2.93 v
−RC 1 /¿ R L
Rth Av ≅
R 2= =26.597 kΩ RE1
VB
1− −RC 1 /¿ RL
V CC
R E= =895.72Ω
Av
R2 ≅ 27 kΩ → Valor comercial
R E ≅ 920 Ω →Valor comercial
Rth∗V CC
R 1= =245.73 kΩ V CC
VB I CQ =
R DC + R AC
R1 ≅ 270 kΩ →Valor comercial
V CC
Ahora con R1 y R2 de la segunda etapa I CQ =
RC + R E +[ R ¿ ¿C /¿( Rl + R E)]¿
R 1∗R2
Rth= I CQ =2.72mA
R1 + R2
Rth=0.1∗β∗R E
Rth=24.55Ω
Rth=18.4 kΩ V. ANÁLISIS EN SOFTWARE Y MONTAJE
EXPERIMENTAL.
Vth=V B =1.1¿ I CQ∗R E∗+V BE
Después de realizar los respectivos cálculos matemáticos se
procede a simular el circuito en el software Orcad y su respectivo
V B =3.45 v
montaje en protoboard para realizar las mediciones experimentales.
Rth A. Simulación En Orcad.
R 2= =20.79 kΩ
VB
1−
V CC
R2 ≅ 22 kΩ →Valor comercial

Rth∗V CC
R 1= =160 kΩ
VB
R1 ≅ 150 kΩ →Valor comercial

Ahora con R1 y R2 de la primera etapa

R 2∗R1
Rth=
R2 + R1
Rth=19.19 kΩ Fig. 3a Esquemático primera etapa.

R2∗V CC
V b =Vth=
R 1+ R 2
Vth=3.84 v
Vth−I B∗Rth−V BE −R E ( β +1 )∗I B =0

Vth−V BE
I B=
Rth+ R E (β +1)
I B=13.47uA

I C =β∗I B
Fig. 3b Señales de salida de la segunda etapa en el dominio del tiempo.

I C =2.7 mA De acuerdo con el valor de amplitud máximo de cada señal, se

obtiene la ganancia:
β∗VT
R π= Vo
I CQ Av= =4.78 v
Vs
R π=1.92kΩ

− β∗RC /¿ Rl
Av=
R π + ( β+1 ) R E
A v =−4.79

Zi n1=( Rπ + RE 1 ( β +1 ) ) /¿ Rth

Zi n1=17.4 kΩ

A v Total =(−5.22 )∗(−4.79)

A v Total =25.0038
 Fig. 4a Esquemático segunda etapa.

Fig. 8 Señal de salida de la segunda etapa.

De acuerdo con el valor de amplitud máximo de cada señal, se

obtiene la ganancia:

Fig. 4b Señales de salida de la primera etapa en el dominio del tiempo. Vo 1.54 v

Av= = =7 v
Vs 200 mv
De acuerdo con el valor de amplitud máximo de cada señal, se
obtiene la ganancia:

Vo
Av= =5.2 v
Vs
B. Montaje En ProtoBoard.

Fig. 9 Señal de salida de la 3 etapa.

De acuerdo con el valor de amplitud máximo de cada señal, se

obtiene la ganancia:

Vo 248 mv
Av= = =1 v
Vs 200 mv
Fig. 6 Montaje del diseño en la ProtoBoard.

Al realizar el montaje de los implementos en la protoboard y

efectuar las respectivas mediciones, se obtuvo:

Fig. 7 Señal de salida de la primera etapa. VI. TABLA DE RESULTADOS.

De acuerdo con el valor de amplitud máximo de cada señal, se A. Tercera Etapa.
obtiene la ganancia:
TABLA 1
Vo 1.00 v
Av= = =5 v COMPARACIONES DE PROCESOS DE DISEÑO.
Vs 200 mv
Valor Valor Valor
practico teórico simulado

IB 80uA 94.29uA 93.75uA

IC 15.30mA 18.95mA 18.85mA

V CE 8.48v 6v 6.5v

B. Segunda Etapa.
TABLA 2

COMPARACIONES DE PROCESOS DE DISEÑO.

Valor Valor Valor

 practico teórico simulado SAVANT, Cj. RODEN, MARTIN.S, CARPENTER, GORDON.
DISEÑOS ELECTRÓNICOS DE SISTEMAS.3.ra.Ed.California
IB 27.3uA 7.64uA 8.73uA E.E.U.U: Prentice-Hall, 1999.

IC 1.3mA 1.53mA 1.54mA B. Referencias web

[1] “El transistor,” Circuitos y Esquemas Electrónicos - Electrónica
V CE 12v 6v 6.5v
Fácil. https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php
[Consultado: 4-Jun-2018].

[2] “Transistor 2N2222,” Juan Gualberto Gómez - EcuRed.

https://www.ecured.cu/Transistor_2N2222. [Consultado: 5-Jun-
C. Primera Etapa. 2018].

TABLA 3 [3] “transistor,” temas de tecnologia.

http://www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL
COMPARACIONES DE PROCESOS DE DISEÑO. TRANSISTOR.htm. [Consultado: 5-Jun-2018].
Valor Valor Valor
practico teórico simulado

IB 24.68uA 13.47uA 16.92uA

IC 2.7mA 2.7mA 3.08mA

V CE 6.76v 6v 6.5v

VII. CONCLUSIONES.
• Durante el montaje de uno de los primeros prototipos, donde el
diseño tenía capacitores paralelos en las resistencias del emisor de
la etapa 1 y 2, se observó que los resultados de ganancia no eran los
esperados, el circuito no generaba la señal de salida y notamos que
al momento de retirarlos los capacitores se generaba la señal, pero
no con la ganancia de 30 si no una más baja, saliéndose de los
parámetros de diseño se llegó a concluir que estos capacitores
obstruían el paso de la señal de entrada en las primeras etapas
impidiendo mostrar la señal de salida.

• Se observó que el capacitor de acople entre la etapa 2 y 3 tenía

una dirección de polaridad diferente al de los demás, donde estos
tenían la polaridad positiva hacia la carga y la polaridad negativa
hacia la señal de entrada, mientras que la polaridad del capacitor de
acople de la etapa 2 y 3 iba en sentido contrario. Se determinó que
los capacitores electrolíticos tienden a polarizarse de la siguiente
manera quedan con la polaridad positiva hacia la señal de entrada y
la polaridad negativa hacia la 3 etapa o hacia la carga.

• En el proceso de diseño hubo varios prototipos, en las primeras

prueba utilizamos capacitores paralelos a las resistencias del emisor
de la etapa 1 y 2. En los cálculos y en la simulación nos daba muy
buenos resultados pero en el momento del montaje físico la señal de
salida no era generada, Por esta razón se optó por crear un diseño
sin capacitores en las resistencias del emisor de la etapa 1 y 2.

• En el montaje físico del diseño donde se siguió la simulación de

Orcad hubo cambios de valores de resistencias en el colector y en el
emisor esto se dio porque la ganancia medida no entraba en el
rango de los parámetros de diseño mostrando un valor más bajo se
incrementó el valor de las resistencias para que la ganancia subiera.

VIII. REFERENCIAS.

A. Bibliografia.
R. Boylestad and L. Nashelsky, Electronic devices and circuit
theory. Harlow: Pearson, 2014.