Tema 7.

Dispositivos electrónicos uned

Sea el circuito de la figura en el que los diodos presentan resistencia interna

nula y tensión umbral de 0’6V. Determinar si los diodos conducen o no y la
tensión de salida Vo cuando V1 = 5V.
a. D1 conduce, D2 no conduce, VO = 7’066V
b. D1 conduce, D2 conduce, VO = 5’4V
c. D1 no conduce, D2 conduce, VO = 5’4V
d. N.d.a.

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Tema 7. Dispositivos electrónicos uned

Sea el circuito de la figura en el que los diodos presentan resistencia interna

nula y tensión umbral de 0’6V. Determinar si los diodos conducen o no y la
tensión de salida Vo cuando V1 = 5V.
a. D1 conduce, D2 no conduce, VO = 7’066V
b. D1 conduce, D2 conduce, VO = 5’4V
c. D1 no conduce, D2 conduce, VO = 5’4V
d. N.d.a.

 Para resolver el problema:

• Se hace una suposición sobre el punto de trabajo de cada diodo
• Se resuelve el circuito (leyes de Kirchoff + ecuaciones del transistor)
• Se comprueba si la hipótesis inicial era correcta o no
• Si no era correcta, se rehacen los cálculos

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 Supongamos que los dos diodos están en directa (D1=PD; D2=PD)

 Modelo ideal de diodo = fuente de tensión + resistencia interna (0 en este caso)

 Calculamos las corrientes y las caídas

de tensión, resolviendo las mallas por
Kirchoff
I2

i1 I1
i2 i3

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A
 Ecuaciones de mallas:

I2
10  0, 6  5  (10000  5000) I1  5000 I 2
5  0, 6  0, 6  6  5000 I1  5000 I 2
i1 I1
i2 i3
4, 4  15000 I1  5000 I 2
0, 2  5000 I1  5000 I 2
B

i1  0, 42 mA
I1  0, 42 mA
 Resolviendo el sistema se obtiene: i2  I1  I 2  0, 04 mA
I 2  0,38 mA
i3  0,38 mA

 Comprobamos si la hipótesis inicial era cierta (D1=PD; D2=PD):

 Diferencia de potencial entre A y B:
• Rama izquierda: VAB  10  10000i1  5,8 V
• Rama central: V  5  0, 6  5000i2  5,8 V  D1 conduce
• Rama derecha: V  6  0, 6  5, 4 V  La solución no coincide. La
suposición es errónea, D2 no
conduce. 4
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 La rama derecha no conduce corriente. Aunque el diodo D2 podría estar

polarizado en directa, D2 no tendría una diferencia de potencial entre sus bornas
mayor a 0,6V (hay 6V en el ánodo y 5,8V en el cátodo). Por tanto, decimos que
está en corte y no conduce corriente.

 La malla de la izquierda ahora: A

10  0, 6  5  15000I1
4, 4
 I1   0, 2933 mA
15000 I1

 El potencial VO = VAB pero ahora: B

 VAB  10  10000i1  7, 066 V

 Respuesta correcta: a)

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Tema 7. Dispositivos electrónicos uned

 Para resolver el problema:

• Se hace una suposición sobre el punto de trabajo
• Se resuelve el circuito (leyes de Kirchoff + ecuaciones del transistor)
• Se comprueba si la hipótesis inicial era correcta o no

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Tema 7. Dispositivos electrónicos uned

• Ecuaciones de mallas y nudos

 I E  I B  IC

 VC  I C RC  VCE  I E RE
 V  I R V  I R
 B B B BE E E

• Supongamos que está en activa

 I C   I B VB  I B RB  VBE  I E RE
  I B RB  VBE     1 I B RE
 I E     1 I B
 I B  RB     1 RE   VBE

VB  VBE 20V  0
IB  IB   116 μA
RB     1 RE 10000   80  1 2000

 I C   I B  80 116 μA  9.30 mA

 I E     1 I B  81116 μA  9.42 mA
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Tema 7. Dispositivos electrónicos uned

 I B  116 μA

 I C  9.30 mA
 I  9.42 mA
 E
• Si β·IB < ICmax  región activa
• Si β·IB ≥ ICmax  región saturación

• ¿Cuál sería la ICmax? En saturación, en la malla del colector tendríamos:

I CSat  I ESat IB

VC  I C RC  VCE  I E RE VC  I CSat ( RC  RE )  VCESat

VC  VCESat 10V  0
I CSat  I ESat    1.67 mA
RC  RE 6000
 Estamos en saturación
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Tema 7. Dispositivos electrónicos uned

 I B  116 μA

 I C  9.30 mA
 I  9.42 mA
 E

• Además, observemos que, si estuviéramos en activa, en la malla del colector:

VC  I C RC  VCE  I E RE VCE  VC  I C RC  I E RE
 10V  (9.30 mA  4000)  (9.42 mA·2000)
 46.04V
 ¡Imposible!

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Tema 7. Dispositivos electrónicos uned

• Supongamos entonces que está en saturación:

VCE  VCESat  0 V  VCBSat  VCESat  VBESat  0.7 V

• Al estar en saturación, las corrientes de colector y emisor no son ya proporcionales a

la corriente de base. Despreciando IB frente a IC e IE tenemos:
I CSat  I ESat

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Tema 7. Dispositivos electrónicos uned

• En la malla del colector tendríamos:

I CSat  I ESat

VC  I C RC  VCE  I E RE VC  I CSat ( RC  RE )  VCESat

VC  VCESat 10V  0
I CSat  I ESat    1.67 mA
RC  RE 6000

• Y en la malla base-emisor:
VB  I B RB  VBE  I E RE VB  I B RB  VBESat  I ESat RE

VB  VBESat  I ESat RE 20V  0.7V  1.67mA·2000

IB    1.60 mA
RB 10000
 I B  80 1.60 mA  128 mA I CSat  Confirmado: en saturación
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