Ejemplo de diseño de disparo de MOSFET de potencia.

xmcd

Datos de la aplicación: Conmutación de carga muy inductiva a partir de una tensión rectangular y un driver
ID  20A f  50kHz δmax  0.8

Datos del MOSFET (IRFR3607PbF.pdf):

- Abslute Maximum Ratings: VGS  20

- Static: RDS_on  9mΩ VGS_th  4V (Valores máximos)

- Dynamic: Qg  84nC RG_int  0.55Ω tr  110ns

Ciss  3070pF Coss  280pF Crss  130pF

Circuito equivalente en zona óhmica:

CGD  Crss  130  pF

CGS  Ciss  Crss  2.94 nF

CDS  Coss  Crss  150  pF

Circuito de disparo:

RGext = RG

Suponiendo driver salida bipolar:

Rdr  0

fdrv  f

Valores a determinar: RG, selección del driver

VGS_min  VGS_th  RDS_on ID  4.18 V Vcc  15V < VGS_max = 20 V

 
τ1 = ROH  RG  RG_int  CGD  CGS 
tr
Condición de diseño: 5  τ1 = tr RG 
5  Ciss
 
 Rdr  RG_int  6.616 Ω

Vcc
Idr_max   2.093 A
Rdr  RG  RG_int
Datos del driver (EL7104.pdf): Salida tipo MOSFET
- Absolute Maximum Ratings: Io_max  4A Power_Dissipation  570mW
- DC Electric Specifications: ROH  1.5Ω IS  7.5mA (Valores máximos)

Salida Mosfet: Rdr  ROH  1.5 Ω

tr
RG 
5  Ciss
 
 Rdr  RG_int  5.116 Ω

Vcc
Idr_max   2.093 A < Io_max = 4 A
Rdr  RG  RG_int

Pdrv  Vcc  Qg  fdrv  63 mW < Power_Dissipation = 570 mW Es válido el diseño

Con 3  τ1 = tr :RG = 10 Ω , Idr,max = 1.25 A, Pdrv = 63 Es válido el diseño RG = 10Ω

mW

Si no se conectase RG (RG = 0) la corriente de puerta sería excesiva:

Vcc
Idr_max2   7.317 A
Rdr  RG_int

Condensador de bypass:

IQ_dr  IS  7.5 mA

Condición de diseño: ΔVc_bypass  10% Vcc  1.5 V

δmax
IS  Qg
fdrv
Cbypass_min   136  nF Cbypass  150nF
ΔVc_bypass


IS δmax  Qg
ΔVQ   0.8 V ΔVQG   0.56 V ΔVQ  ΔVQG  1.36 V
Cbypass  fdrv Cbypass

Qg : Carga total que hay que inyectar en la puerta del MOSFET para que pase a zona óhmica