Departamento de Electricidad y Electrónica.

Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica

Laboratorio de Electrónica I. – Segundo Semestre del 2020
Actividad 4A: “Regiones de operación del BJT”
Docente: Ing. Julián Ferreira Jaimes

En hojas tamaño carta responda las siguientes preguntas y luego cree un archivo PDF para
subir en su carpeta en Drive y en PLAD antes del 2 de noviembre.

1. Explique el procedimiento a seguir para determinar con la ayuda de un multímetro,

el tipo de transistor (NPN o PNP).
2. Explique el procedimiento a seguir para determinar con la ayuda de un multímetro,
los terminales de los transistores BJT (Base, Colector y Emisor).
3. ¿Cuáles son las zonas o regiones de trabajo del transistor BJT, indicando las
características de cada región?
4. Utilizando el manual del fabricante del transistor 2n2222 y Tip 41c realice una tabla
comparativa de los mismos, que incluya las características de operación máxima.
5. Calcule los valores para ICQ y VCEQ en cada uno de los circuitos, el voltaje de
salida en el colector para corte, saturación y punto Q, luego determine el rango de
excursión teórico.
6. ¿Al aumentar la temperatura en el transistor qué efecto se produce sobre la corriente
de colector, y sobre la corriente de base en el circuito de polarización fija y
polarización por divisor de voltaje?

CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA

CIRCUITO DE POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE

Departamento de Electricidad y Electrónica. Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica
Laboratorio de Electrónica I. – Segundo Semestre del 2020
Actividad 4A: “Regiones de operación del BJT”
Docente: Ing. Julián Ferreira Jaimes