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DISEO Y CARACTERIZACION DE UN CAPACITOR VARIABLE FABRICADO CON EL PROCESO POLYMUMPSTM

Ivn Muoz Cano*, Juan Luis Ibarra D., Jos Mreles Jr., Roberto Carlos Ambrosio. Centro de Investigacin en Ciencia y Tecnologa Avanzada (CICTA), UACJ, Mxico *ivanmunoz_mc@hotmail.com

1. RESUMEN El presente trabajo presenta el diseo y anlisis de un capacitor variable MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) de placas paralelas, el cual es controlado por actuadores trmicos. Presentamos tambin una alternativa para la medicin de pequeos cambios en la capacitancia en dispositivos MEMS, la cual fue implementada en las pruebas experimentales del capacitor variable usando el dispositivo programable CI MS3110 que genera una salida en voltaje lineal lo cual hace muy fcil medir la capacitancia, el cual se programo con respecto a la capacitancia esperada de este diseo. 2. INTRODUCCIN Un capacitor es un dispositivo formado por dos placas conductoras paralelas, separadas por un material dielctrico, que sometidas a una diferencia de potencial adquieren una determinada carga elctrica. Los parmetros que definen el valor de la capacitancia son el rea de traslape y distancia entre las placas as como la constante dielctrica del material entre las mismas es se calcula mediante la formula C=A/d. Si se vara al menos uno de estos parmetros con un dispositivo variable, la capacitancia se ve afectada en su valor. Esto hace a los capacitores variables muy atractivos para aplicaciones en sistemas de comunicacin especialmente en osciladores controlados por tensin (VCO) y filtros sintonizables. Una de las necesidades en los sistemas de comunicacin actuales son circuitos con factor de calidad (Q) altos, adems de la disminucin de dimensiones en los dispositivos. Los capacitores variables micro-maquinados tienen la ventaja de su posible integracin on-chip manteniendo un factor de calidad (Q) elevado sobre todo si se hace ntegramente de metal, adems de presentar una excelente linealidad. Una de las desventajas que presentan los

capacitores variables micro-maquinados es la dificultad para ser medidos, debido a sus dimensiones las variaciones de capacitancia flucta entre los picofaradios en nuestro caso. En semiconductores se ocupan tcnicas de desincrustacion de parmetros utilizando analizadores de redes (para medir parmetros S y Z). Un mtodo alterno es utilizar otras tcnicas de sensado en MEMS es utilizando el CI MS3110, el cual tiene la capacidad de censar cambios de capacitancia de 4aF/rtHz. Requiriendo solo +5.0 Volts de alimentacin y entregando valores de voltaje a la salida correspondientes al cambio en la capacitancia de entrada. Este trabajo presenta la etapa de diseo y caracterizacin de las estructuras que componen el capacitor variable fabricado con el proceso PolyMUMPSTM, as como los resultados obtenidos de las pruebas experimentales al dispositivo. 3. DESARROLLO Para el diseo del capacitor variable se realizaron simulaciones de Anlisis de Elementos Finitos (FEA) a cada una de las estructuras que componen el capacitor por separado, y se conjugaron los resultados para la estimacin del comportamiento del dispositivo. 3.1. DISEO Y SIMULACION El Proceso de fabricacin utilizado para la construccin del capacitor variable fue PolyMUMPSTM, el cual consta de tres capas de material estructural (Poli-silicio), una capa de Metal (Oro) sobre la tercera capa de Poli-silicio y dos capas de material de sacrificio de (Dixido de Silicio), estos ltimos removidos al final de proceso, dejando liberadas las capas de Polisilicio. El capacitor consta de dos capas paralelas, la placa inferior est en la capa de Poly0, la cual esta fija al substrato y la placa superior est en las capas de Poly1 y Pol2 apilados, la cual esta flotante sujeta por un resorte en cada esquina, los

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cuales estn sujetos al substrato. Los actuadores que controlan el capacitor tienen movimiento vertical en direccin al substrato y estn situados al borde de la placa superior como se muestra en la figura 1.

3.3. PLACAS PARALELAS Las placas tienen una separacin de 2um inicialmente y un rea de traslape de 673um x 637um. Utilizando la ecuacin 3, el valor inicial de capacitancia es de 1.99pF C=A/d (3)

Donde C es la capacitancia, es la permitividad elctrica, A es el rea y d la distancia entre placas. La fuerza obtenida de la simulacin a los actuadores de 2.57uN, fue aplicada a la placa superior, logrando disminuir la distancia entre placas de 2um a 0.8um, aumentando as la capacitancia de 1.99pF a 4.99pF figura 3. Para seguridad del diseo, la placa superior tiene topes (dimples) de 0.75um en la cara frente a la placa inferior. La placa inferior tiene pequeas islas de poly0 que no estn conectadas elctricamente con el resto de la placa. Con estos arreglos al diseo se previene que la placa superior toque la placa inferior, por lo que el recorrido mximo de la placa superior est restringido por los topes (dimples), y las islas de Poly0.

Figura 1. Capacitor Variable controlado por actuadores trmicos. 3.2. ACTUADORES TERMICOS La figura 2 muestra los resultados obtenidos del simulador empleado CoventorWare, en la que se puede ver una barra frente al actuador, flexionada por el mismo, conociendo el desplazamiento de la barra y ayudados de las ecuaciones 1 y 2 es posible calcular la fuerza que el actuador ofrece. Se realizaron diferentes simulaciones para los actuadores trmicos arrojando como resultado que aplicndole un voltaje simtrico de 3 y -3 Volts, se logran temperaturas alrededor de los 740 K, lo que le permite tener una fuerza de 2.57uN. F = 3 y EI / L3 I=wt3/12 (1) (2)

Donde F es la fuerza del actuador, y el desplazamiento mximo de la barra, E es el Modulo de Young, L es la longitud de la barra, I es el Momento de inercia, w es el ancho de la barra y t el grosor de la barra.

Figura 3. Muestra como la placa esta en reposo y la segunda esta impulsada hacia abajo en la simulacin

3.4.

Figura 2. Actuador trmico con 3 y -3 volts aplicados.

RESULTADOS EXPERIMENTALES En la deteccin/determinacin del movimiento de la placa superior del capacitor MEMS se utilizo el CI MS3110 el cual se programo para lecturas de capacitivas en un rango de 2 a 5pF, y se implant el sensor en una PCB diseada para tener lo ms cerca posible el encapsulado del capacitor variable con el CI MS3110 para evitar capacitancias no deseadas para obtener datos mas confiables. Se midieron las capacitancias de las vas de la PCB sin el

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encapsulado del Capacitor Variable, para compensar en las lecturas finales. Se procedi a excitar los actuadores variando el voltaje y se registraron las lecturas del CI MS3110 comparndose segn lo calculado, figura 4.

5. BIBLIOGRAFA [1] D.J Young, B.E. Boser, A Micromachine-Based RF Low-Noise VoltageControlled Oscillator, Custom Integrated Circuits Conference, IEEE, 1997. [2] A.Dec, K. Suyama, A 1.9GHz CMOS VCO with Micromachined Electromechanically Tunable Capacitor IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol 35, n.8, 2000. [3] A. Oz, G. K. Fedder, CMOSCompatible RF-MEMS tunable Capacitors, IEEE MTT-S Int. RFIC Symp., 2003. [4] J. Varona, M. tecpoyotl-Torres, A.A. hamoui, Polysilicon Veritcal Actuator Powered with waste heat , IEEE 2008 Custom Integrated Circuits Conference (CICC). [5] J. Mireles, H. Ochoa, V. Hinostroza, Design and Anaysis of MEMS Variable Capacitor Usigng Thermal Actuators. Journal Computacin y Sistemas, Vol. 10, No. 1, Oct. 2006.

Figura 4. Lnea circular capacitancia calculada, lnea punteada capacitancia esperada (volts) y lnea continua capacitancia medida (volts). Se puede notar que la capacitancia medida es prcticamente lineal puesto que se tomaron los valores directos del CI MS3110 y en un ambiente controlado. El capacitor estaba montado sobre un encapsulado sellado lo cual redujo la alteracin de su capacitancia, con temperatura controlada a 22C y una humedad de 48%.

4. CONCLUSIONES Se realizaron simulaciones de las estructuras que componen a un capacitor variable controlado por actuadores trmicos fabricado con el proceso PolyMUMPSTM, teniendo como resultado que al excitar los actuadores con un voltaje de 3 y -3 Volts empujan la placa superior del capacitor hacia la placa inferior con una fuerza de -2.57uN lo que genera un desplazamiento de la placa superior de 1.2um, quedando a una distancia de 0.8um aumentando el valor de la capacitancia de 1.99pF a 4.99pF. En las pruebas fsicas se obtuvieron valores cercanos a lo simulado y estos se darn a conocer en el congreso. Las pruebas de censado de capacitancia de este diseo fueron satisfactorias y con un margen de error pequeo, pues se calibro varias veces el censor capacitivo eliminando capacitancias extras o parasitas.

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