Dispositivos semiconductores para la

Electrónica de Potencia
Tema 2

Tema 2. Dispositivos http://gsep.uc3m.es

TIPOS DE DISPOSITIVOS

1. NO CONTROLADOS
• DIODOS

2. SEMICONTROLADOS
• TIRISTORES

3. CONTROLADOS
• TRANSISTORES BIPOLARES
• MOSFET
• IGBT
• GTO
• ETC...

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Modo de operación
Los semiconductores utilizados en la Electrónica de
Potencia operan como interruptores:

N interesa
Nos i t conocer

¾ Características de conducción
¾ Características de conmutación
¾ Método de control

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Valores que definen un componente

Tensión Inversa
Tensión q
que debe p
poder bloquear
q sin dañarse
¾ Tensión máxima en continua
¾ VRRM : Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Tensión de pico repetitivo
¾ VRSM : Maximum Non Repetitive Peak Reverse Voltage
Tensión de pico no repetitivo

Tensión Directa
Caída de tensión en conducción
¾ VF : Forward Voltage
T bié aparece como VD, VCE satt...
También

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Valores que definen un componente

Corriente Directa
¾ Corriente media máxima
IF (Avg) : Average Forward Current

¾ Corriente eficaz máxima

IF (RMS) : Maximum RMS Current

¾ Corriente de
d pico repetitivo
IFRM : Maximum Repetitive Peak Forward Current

¾ C
Corriente
i t ded pico
i no repetitivo
titi
IFSM : Maximum Non Repetitive Peak Forward Current

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Valores que definen un componente

Otros límites
¾ Potencia máxima

¾ Temperatura máxima en la unión

¾ Avalancha Secundaria
Avalancha
A l h
log i Secundaria
Safe log Imax Potencia
Operating máxima

Area SOA
log v
log Vmax

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Pérdidas
Siempre que existe convivencia tensión corriente en el componente,
se disipa energía en forma de calor

V T

I
Ε= ∫ u ⋅ i ⋅ dt
0

∑
P. Conducción
Ε
∑Ε
P
P= = f ⋅
T
P. Conmutación
encendido apagado
p g

PTOTALES= PENCENDIDO+PAPAGADO+PCONDUCCIÓN+PEXCITACIÓN

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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Frecuencia de conmutación
Rapidez con la cual es capaz de conmutar un dispositivo

Viene limitada por:

¾ Capacidades
p parásitas
p

¾ Difusión de portadores

¾ Pérdidas en conmutación
T
∑ Ε
Ε= ∫
0
u ⋅ i ⋅ dt P=
T
= f ⋅ ∑Ε

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 DIODOS

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DIODOS

Característica estática del diodo

I t
Intensidad
id d I

Ánodo Cátodo Tensión

inversa

VB
p n Tensión V
IO Tensión
directa

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DIODOS

Modelos estáticos del diodo en estado de

conducción
d ió
Modelo Primera Segunda
g
ideal aproximación aproximación

Cortocircuito Pd = Vd ⋅ I d ,med Pd = Vd ⋅ I d ,med + rd ⋅ I d2,ef

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 8.3. Diodos
DIODOS

Característica dinámica del diodo: tiempo

de recuperación inversa trr
trr Qrr Carga eléctrica almacenada o
IF
desplazada.
ts
S Factor de suavizado. Es la relación
0 t entre los tiempos de caída y
0.25IRR
almacenamiento
tf
IR
tf
S=
R ts
Ejemplo de conmutación con
recuperación suave S <1

Influencia del trr en la conmutación Clasificación diodos

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es • LENTOS
despreciable :
• Se limita la frecuencia de funcionamiento Æ no se • RÁPIDOS
puede conmutar hasta después de la recuperación • ULTRARÁPIDOS
• Existe una disipación de potencia durante el tiempo
de recuperación inversa Æ convivencia V e I • SCHOTTKY

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DIODOS

DIODO

No Controlado Pérdidas en conducción

• VRRM < 15000V rD VD
iD
• IF < 3800A
• fmáx < tipo
2
P=VD.iD + rD.iD(RMS)
Tiempo de recuperación
inversa
iD I

trr
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 TIRISTOR

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TIRISTOR

Característica estática del tiristor

SCR‐Silicon‐Controlled Rectifier

Ánodo, A iak
1 ZONA DE CONDUCCIÓN
Comportamiento similar al diodo:
2
ZONA DE BLOQUEO a
rd iak k
DE TENSIÓN INVERSA iG DISPARO
Puerta, G iG2 iG1
iG DISPARO > iG 2 > iG1
Tensión
máxima VRRM
Cátodo, K vak
VDRM
IMPLICACIONES CARACTERÍSTICA ESTÁTICA
3 ZONA DE BLOQUEO
1. REQUISITOS DE DISPARO
DE TENSIÓN DIRECTA
EFECTO
vak > 0 (Previamente polarizado en directa) AVALANCHA
Tensión máxima vDRM
iG > iG DISPARO
Iak > IH CORRIENTE DE ENCLAVAMIENTO

2. REQUISITOS DE APAGADO El modelo de pérdidas en conducción es igual al del diodo

iak < 0 CORRIENTE DE MANTENIMIENTO

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TIRISTOR

Corriente de enclavamiento (Latching current IL)

HAY QUE MANTENER EL PULSO DE iG HASTA QUE iak > IL

iG
Retrasa la subida
de iak

t
iakk
IL
iak
t
iG
Se apaga Se enclava
No se ha alcanzado IL Sigue disparado
aunque iG = 0

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TIRISTOR

Formas de apagado

1 NATURAL.
1. NATURAL

2. FORZADA.
• Apagado por fuente inversa de tensión.
• Apagado por fuente inversa de intensidad.
intensidad

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TIRISTOR

TIRISTOR

• Semicontrolado por
Pérdidas en conducción
corriente de puerta
rD VD
• Vmáx < 8000V iD
• IAVG < 15000A
• fmáx = 50 - 60Hz 2
P=VD.iD + rD.iD(RMS)
• Circuitos de apagado
¾ Controlo el instante de encendido, pero el
apagado debe producirlo el circuito externo
¾ Apaga cuando IAK=0

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 TRIAC

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TRIAC

Característica estática del TRIAC

TRIAC Estado:
+II
encendido
did
MT1
MT1 Cuadrante II Cuadrante I
(MT2+ve ) Corriente de
G
disparo, IG
T1 T2 -V
V V

G Estado:
Corriente de apagado
Cuadrante III
disparo,
p IG (MT2-vve )
MT2 Cuadrante IV
MT2 -I
Estado:
Circuito equivalente de un encendido
TRIAC

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 MOSFET
((Metal Oxide Semiconductor Field Efect
Transistor)

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MOSFET

Característica estática del MOSFET

Metal Oxide Semiconductor Field Efect Transistor

VGS1 > VGSn

ero ID
Zona óhmica VGS1

dad de sumide
Drenador (drain,
(drain D)
VGS2
D

VGS3 Se controla aplicando una

Puerta (gate, G) G
tensión entre la p
puerta y la

Intensid
S fuente (aplicando VGS)

…
Fuente de corriente
Surtidor o fuente (source, S)

VGSn
Región de corte
Tensión drenador-fuente VDS

ID ID
El MOSFET se modela en conducción como una resistencia (RDSon) D
Por tanto, el modelo de pérdidas en conducción del MOSFET es: RDSon
G
Pcond = RDSon ⋅ I 2
D ,ef S

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MOSFET

Disparo del MOSFET

ID
RD
+
D + VDD
-
G VDS
Circuito de
S -
excitación

VMM 1000-01P

El correcto manejo de la puerta es fundamental para utilizar un MOSFET

¾ Tensión umbral (VGSth): tensión mínima entre puerta y surtidor para ponerlo en conducción
¾ Tensión máxima: el MOSFET se rompe si se aplica una tensión superior entre puerta y
surtidor
¾ Interesa gobernarlo con la tensión más alta posible (VGS~10 10 V): cuanto más alta es la
tensión de puerta, menor es la RDS(on)

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MOSFET

Características dinámicas del MOSFET

La carga y descarga de las capacidades parásitas tiene un efecto muy importante en la
conmutación del dispositivo, limitando la frecuencia de conmutación
D
ID VDS VGS
90% tr = tiempo de subida
Cgd
tF = tiempo de bajada
G Cds td(on) = retraso de encendido
Cgs 10% t td(off) = retraso de apagado
p g

td(on) tF td(off) tR
S
Existe un diodo parásito entre drenador y fuente que puede conducir cuando el
MOSFET está tá en estado
t d dde bloqueo.
bl S conducción
Su d ió no es aconsejable
j bl porque es
D
ID un diodo lento y aumenta considerablemente las pérdidas

Cgd

G Cds
VMM 1000-01P
Cgs

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MOSFET

MOSFET

• Controlado por tensión de

puerta
p
• Vmáx < 1500V
• Imáx < 400A
Pérdidas en conducción
• fmáx < 10 MHz rDS(on)
iD
• No p
presenta avalancha
secundaria 2
PCON=rDS(on).iD(RMS)
• Coeficiente negativo de
t mp
temperatura
tu
• La mayoría de los MOSFET
de potencia son de
acumulación y canal N
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 IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)

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IGBT

Circuito equivalente del IGBT

Isolated Gate Bipolar Transistor
Colector (collector, C)
Puerta (gate, G)

Emisor (emitter, C)

C C

RMOD RMOD
PNP PNP C, COLECTOR

G NPN G G,
PUERTA
RBE RBE
E, EMISOR

E E

Circuito equivalente Circuito simplificado Circuito equivalente de un IGBT

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IGBT

Característica Estática del IGBT

iC

Es capaz de bloquear tensión VCE VGE1 Se controla con tensión

negativa, al contrario que el de puerta como un
MOSFET, q que no ppuede debido a VGE2 MOSFET
OS
su diodo parásito VGE1 > VGEn
VGE3

…
VGEn
VRM
C VCE
BVDSS
G
Modelo de pérdidas en
conducción
d ió similar
i il all d
de
E un transistor bipolar
+ VCEsat - Ron
C E
En muchas ocasiones se
incorpora internamente un i
diodo al dispositivo, pero no
pertenece a la estructura del Pcond = VCE , sat ⋅ I C ,med + Ron ⋅ I C2 ,ef
IGBT

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IGBT

IGBT

Ventajas como MOSFET

• Totalmente Controlado por
tensión de puerta
• Rapidez de conmutación
• No presenta avalancha • Vmáx < 6500V
secundaria
• Imáx
á < 3600A
Ventajas como Bipolar
• fmáx < 75 kHz
• Modelo p
pérdidas en
conducción
• Corriente de colector
similar
i il all bi
bipolar
l
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IGBT

IGBT

Desventajas
• Vmáx < 6500V
• Cola de corriente
• Imáx < 3600A
• Efecto
Ef t tiristor
ti i t parásito
á it
• fmáx < 75 kHz
Pérdidas en conducción

rd VCEsat
iT

2
P=VCEsat.iT + rd.iT(RMS)

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