Bloque 1

La escala atómica
de los materiales:
Orden y desorden

Si, por algún cataclismo, todo el conocimiento quedara destruido y solo una
sentencia pudiera pasar a las siguientes generaciones de criaturas, ¿qué enunciado
contendría la máxima información en menos palabras? Yo creo que es la hipótesis
atómica según la cual todas las cosas están hechas de átomos: pequeñas partículas
que se mueven incesantemente, atrayéndose mutuamente cuando están a poca
distancia, pero repeliéndose al ser apretadas unas contras otras.

Richard Phillips Feynman (1918-1988)

Tema 1
LA ESCALA ATÓMICA DE
LOS MATERIALES
METÁLICOS
Tema 1
LA ESCALA ATÓMICA
DE LOS MATERIALES
METÁLICOS

Objetivos
Conocer:
• Los distintos patrones de ordenamiento de los cristales metálicos.
• Las características básicas de las celdillas unidad típicas de los cristales metálicos, y
saber calcular sus propiedades: número de átomos, número de coordinación,
fracciones de empaquetamiento, relación entre r y a, concentración atómica
volumétrica, superficial y lineal, densidad teórica, intersticios.
• La formación de estructuras cristalinas mediante apilamiento de planos.
• El concepto de sistema de deslizamiento y los característicos de las estructuras
cristalinas metálicas (identificados mediante sus índices de Miller).
• El significado de solución sólida y sus tipos.
• Cómo calcular las concentraciones atómicas y densidades de las soluciones sólidas.
• El concepto de vidrio metálico.
Tema 1
LA ESCALA ATÓMICA
DE LOS MATERIALES
METÁLICOS

Correspondencia con el libro de texto:

• Capítulo 2: apartado 2.6 sobre Notación cristalográfica.

• Capítulo 3 (La escala atómica de los materiales metálicos), casi completo. (Las
Expresiones (3.5) y (3.6) y los Ejercicios Resueltos 3.5 y 3.7 caen fuera de los
objetivos de este curso.)

• Como material complementario, encontrará interesante la lectura de la Adenda del

capítulo 3, “Abundancia y producción de metales”, de cariz mucho más tecnológico.
Tema 1
LA ESCALA ATÓMICA
DE LOS MATERIALES
METÁLICOS

Material adicional:

• Visite la página web

http://www.esi2.us.es/IMM2/ec/estructuras_cristalinas.html
Estructuras de los metales
Metales: Estructuras formadas por átomos de elementos metálicos.
Pueden estar presentes varios tipos de átomos metálicos o, en pequeña
proporción, no metálicos. La mayoría de los metales presentan una estructura
cristalina:

Estructura de alambre de las tres celdillas típicas de los materiales metálicos:

CCI: Cr, Mo, W, V, Ta…
CCC: Ag, Cu, Ni, Pt, Al, Pb…
HC: Mg, Co, Zn, Cd, Be…
Excepciones a Tª ambiente: Po (CS), In (tetragonal), Bi (romboédrica)
POLIMORFISMO: Materiales que adoptan diferentes EC dependiendo de las
condiciones en las que se encuentren. (Alotropía en el caso de elemento puro)
Índices de Miller: Tres valores para identificar direcciones y planos cristalográficos
en las estructuras cristalinas (no aplicables a estructuras hexagonales)

Cálculo de los índices de Miller de un plano cristalográfico

- Se toman los puntos de corte del plano con los ejes
- Se calculan los inversos de estos puntos de corte.
- Se reducen a los menores números enteros.
- Se encierran entre paréntesis (las familias entre {}).
Cálculo de los índices de Miller de una dirección cristalográfica:

- Se toman las componentes vectoriales, pero no se separan por comas.

- Se reducen a los menores números enteros.
- Se encierran entre corchetes (las familias entre <>).

Se cumple que la dirección [hkl] es perpendicular al plano (hkl), y que la distancia del
origen a un plano es:
d=a/(h2+k2+l2)1/2
Con las direcciones puede usarse cálculo vectorial, ya que los índices son las
componentes vectoriales de cada eje coordenado.
CARACTERÍSTICAS DE UNA ESTRUCTURA CRISTALINA
Número de átomos por celdilla unidad
1
𝑛 = 𝑛𝐼 + ∙ 𝑛𝑐 + 𝑥 ∙ 𝑛𝑣
2

nI = nº de átomos en el interior de la celdilla.

nc = nº de átomos en las caras de la celdilla.
nv = nº de átomos en los vértices de la celdilla.
x =1/8 para celdillas cúbicas y 1/6 para hexagonales.
Concentración atómica
𝑛º á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
𝑋 =
𝑉𝑐
Si se sustituye Vc por el área del plano: concentración o densidad atómica superficial
Si se sustituye Vc por la longitud del segmento de una dirección es la concentración o densidad
atómica lineal.

Densidad teórica
𝑛º á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 ∙ 𝑚𝑎𝑠𝑎 𝑛∙𝑀 𝑀
𝛿= = = 𝑋 ∙
𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑁𝐴 ∙ 𝑉𝐶 𝑁𝐴
M = masa molar
NA = nº de Avogadro (6.022·1023)
Vc = Volúmen de la celdilla
CARACTERÍSTICAS DE UNA ESTRUCTURA CRISTALINA
Nº de coordinación (z)
nº de vecinos más próximos que rodean
a un átomo dado.

Fracción de empaquetamiento

Volumétrica:
𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑜𝑐𝑢𝑝𝑎𝑑𝑜 𝑛º á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 ∙ 𝑉á𝑡 𝑛º á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 ∙ 4ൗ3 ∙ 𝜋 ∙ 𝑟 3
𝑓𝑉 = = =
𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑒𝑙𝑑𝑖𝑙𝑙𝑎 𝑉𝑐 𝑉𝑐
ni el número de átomos de cada especie
ri el radio atómico de cada especie

Superficial:
Á𝑟𝑒𝑎 𝑜𝑐𝑢𝑝𝑎𝑑𝑎 𝑛º á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 ∙ 𝜋 ∙ 𝑟 2
𝑓𝑆 = =
Á𝑟𝑒𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑝𝑙𝑎𝑛𝑜 𝐴

Lineal:
𝐿𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑜𝑐𝑢𝑝𝑎𝑑𝑎 𝑛º á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 ∙ 2 ∙ 𝑟
𝑓𝐿 = =
𝑙𝑜𝑛𝑔𝑖𝑡𝑢𝑑 𝑑𝑒𝑙 𝑠𝑒𝑔𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝐿
Ejercicio resuelto 3.1
Compruebe que en la estructura CCI los planos con mayor fracción de empaqueta-
miento superficial atómico son los de la familia {110}.

Estructura CCI

• r = (√3 a) / 4 , a = (4 r ) / √3
• contacto entre átomos diagonal del cubo
• nº de coordinación 8
• nº de átomos por celdilla 2
• fracción de empaquetamiento 0.68
Ejercicio resuelto 3.1
Compruebe que en la estructura CCI los planos con mayor fracción de empaqueta-
miento superficial atómico son los de la familia {110}.

Analizaremos los planos de las familias {100}, {111} y {110}.

Para los planos {100} se cumple que:

Número de átomos = ¼ x 4 = 1
Área = a2
Concentración atómica superficial = 1/a2
 r2  r2 3
Fracción de empaquetamiento superficial atómico =    0.59
 
2
a2 4r 3 16
Ejercicio resuelto 3.1
Para los planos {111} se cumple que:

Número de átomos =  3  1
6
1
2

Área =  base  altura   2a  a  3 a 2

1
2
1
2
3
2
2

Concentración atómica superficial = 1  

3a 2  0.58 a 2

 r2  r2 3
Fracción de empaquetamiento superficial atómico =    0.34
 
2
3 a2 3 4r 3 16 3

Y para los planos {110} se cumple que:

Número de átomos =  4  11  2

1
4

Área = a 2a  2a 2

2
Concentración atómica superficial = 2
 1.41 a 2
a
2 r 2 2 r 2 3 2
Fracción de empaquetamiento superficial atómico =    0.83
 
2 2
a 4r 3 16

Se concluye, por tanto, que en la estructura CCI, los planos más densamente
empaquetados son los {110}.
Ejercicio resuelto 3.2
Calcule el valor del radio máximo de un átomo de soluto (en rojo) que pueda alojarse
en el interior de un I.O. de una estructura CCI, sin causar distorsión alguna. Expréselo
en función del radio del átomo anfitrión, r.

2r+2rs
Ejercicio resuelto 3.2
Calcule el valor del radio máximo de un átomo de soluto (en rojo) que pueda alojarse
en el interior de un I.O. de una estructura CCI, sin causar distorsión alguna. Expréselo
en función del radio del átomo anfitrión, r.

Intersticios en una estructura CCI

Intersticios: Espacios no ocupados en la estructura donde podrían situarse otros átomos.
Pueden ser tetraédricos (I.T.) u octaédricos (I.O.), según el ordenamiento de los átomos
que los forman.
Ejercicio resuelto 3.2
Calcule el valor del radio máximo de un átomo de soluto (en rojo) que pueda alojarse
en el interior de un I.O. de una estructura CCI, sin causar distorsión alguna. Expréselo
en función del radio del átomo anfitrión, r.

En la estructura CCI, los I.O. se sitúan, además

de en los centros de las caras, en la mitad de las
aristas del cubo.

Como en esta estructura, a = 4r/3, y de acuerdo

con la figura debería cumplirse que a = 2r + 2rs,
2r+2rs
siendo rs el radio del átomo de soluto, igualando
ambas expresiones de a, se obtiene:

4r  4 
 2r  2rs  rs  12   2  r  0.155r
3  3 
Comparativa

ESTRUCTURA fV Z a/r Átomos / celdilla I.O. / celdilla I.T. / celdilla

CCI 0.68 8 4 3 2 6 12
CCC 0.74 12 4/ 2 4 4 8
HC 0.74 12 2 6 6 12
Apilamiento de planos

Con planos tipo II: estructura CCI Con planos tipo III: estructuras HC y CCC

CCI es una estructura que presenta un

apilamiento que no es de máxima compacidad.
CCC y HC
Las estructuras CCC y HC son estructuras de
máxima fracción de empaquetamiento
superficial.
Se obtienen por apilamientos de planos de tipo
III, donde varía únicamente la secuencia de
apilamiento de los mismos: ABCABCABC (CCC),
ABABABAB (HC).
Ejercicio resuelto 3.4
Dibuje en diferentes celdillas unidad y nombre los distintos miembros de la familia de
planos equivalentes {110} en la estructura CCI y los de la familia de planos {111} en la
estructura CCC.

Para la estructura CCI

La CCI la familia {110}

incluye 6 miembros (cada
uno de los cuales incluye
a todos sus paralelos,
pero que solo se
contabilizan una vez).
Ejercicio resuelto 3.4
Dibuje en diferentes celdillas unidad y nombre los distintos miembros de la familia de
planos equivalentes {110} en la estructura CCI y los de la familia de planos {111} en la
estructura CCC.

Para la estructura CCC, la familia {111} incluye solo 4 miembros, a saber:

Deformabilidad
La formación de las EC puede explicarse a través del apilamiento de los planos, de
aquí puede desprenderse, inicialmente, que los metales con estructuras de máxima
Compacidad (CCC y HC) son más fácil de deformar que los que tienen una estructura
CCI. La deformación de los metales se produce gracias al deslizamiento de los planos
atómicos unos sobre otros. Este deslizamiento es tanto más fácil cuanto mas separados
este un plano del siguiente.

Planos tipo II Planos tipo III

Deslizamiento relativo de dos planos y dos direcciones. El

movimiento es más fácil para los planos y direcciones tipo III

Los metales con EC CCI, son los que requieren un mayor esfuerzo para poder
deformarlos. Sin embargo, son los materiales con EC HC los que admiten menor
deformación, debido a que las posibilidades de deslizamiento son menos
numerosas.
Sistemas de deslizamiento: Conjunto formado por un plano y una dirección de
deslizamiento. Suelen ser los más densos de la estructura. Son los planos y direcciones preferentes.

Planos de mayor concentración atómica superficial (más densos) de las estructuras

CCI, CCC y HC, y direcciones más favorables de deslizamiento.
Los planos de mayor fracción de empaquetamiento junto con las direcciones
de máxima fracción de empaquetamiento lineal suelen ser los que constituyen
los sistemas de deslizamiento de máxima calidad de cada estructura.
Sistema de deslizamiento
Estructura
cristalina Planos Direcciones Número

CCI 110 111 6  2  12

CCC 111 110 4  3  12

HC 0 01 100 1
1  3 3
Soluciones sólidas metálicas
La mayoría de los materiales metálicos que se utilizan no son elementos puros (casi
exclusivamente oro, plata, platino, cobre, aluminio y zinc ), sino combinaciones más
o menos complejas de varios elementos metálicos y no metálicos (el acero es una
mezcla de Fe y C).
A escala atómica, los átomos de distintos elementos pueden combinarse de dos
formas diferentes: formando compuestos químicos o soluciones sólidas,
dependiendo de si las proporciones de los elementos son fijas (compuestos) o
pueden variar de un punto a otro del material (soluciones sólidas). Una aleación
puede no ser ni una cosa ni la otra y presentar regiones que son soluciones sólidas
colindantes con regiones que son compuestos. Sólo cuando los átomos que se
combinan tienen electronegatividades parecidas puede obtenerse soluciones
sólidas. Una solución sólida se forma cuando átomos de un elemento (soluto) se
dispersa en la estructura cristalina de otro elemento (disolvente).El disolvente es el
de mayor número de átomos porque es el que impone su estructura cristalina.
LAS SOLUCIONES SÓLIDAS PUEDEN SER:

SSS: Solución sólida sustitutiva SSI: Solución sólida intersticial

Soluciones sólidas metálicas
Intersticiales o de inserción (SSI): Los átomos de soluto ocupan algunos intersticios de
la estructura del disolvente. El soluto sólo puede ser C, H, O, N, B (ya que tienen el tamaño
adecuado para no distorsionar mucho la estructura cristalina del disolvente) y en poca cantidad.
Ej.: ferrita: Fe(CCI) + 0.022% C (máx.); austenita: Fe(CCC) + 2.11% C (máx.).

SSI
VSSI  Vd

Soluciones sólidas
Sustitutivas o de sustitución (SSS): Todos los átomos ocupan nudos (posiciones
atómicas) de la estructura cristalina. Estables para un rango de composiciones (en función de
este rango se hablará de solubilidad total o parcial).

SSS

[ SSS ]  [disolvente]
Reglas de Hume-Rothery

Tamaño. Soluto con tamaño similar a disolvente: podrán reemplazarse. Una discrepancia
inferior al 15% permite solubilidad sustitutiva total.
∆=100·(rd-rs)/rd
Redes cristalográficas. La semejanza de uno y otro metal resulta clave. Los metales con redes
cristalinas similares presentan una mayor solubilidad recíproca. Es más, sólo si las redes son
iguales, será posible la solubilidad total.
Electronegatividad. Cuando la diferencia es muy grande crece la tendencia a formar
compuestos (intermetálicos) y disminuye la de formar soluciones sólidas de carácter metálico.
Valencia química. La solubilidad será máxima cuando soluto y disolvente tienen la misma
valencia. Si las valencias no coinciden, la solubilidad será mayor en aquellos casos en los que
la valencia del soluto es superior a la del disolvente.
(Estudie detenidamente el Ejercicio Resuelto 3.6).
Ejercicio resuelto 3.6
En la siguiente tabla, se reúne información sobre diferentes elementos a temperatura
ambiente. Indique cuáles de ellos pueden formar con el cobre:
a) Una solución sólida intersticial.
b) Una solución sólida sustitutiva con solubilidad total.
c) Una solución sólida sustitutiva con solubilidad parcial.

Radio Estructura
Elemento Electronegatividad Valencia
atómico (Å) cristalina
Al 1.43 CCC 1.6 3+
Au 1.44 CCC 2.5 1+
B 0.88 tetraédrico 2 3-
C 0.77 diamante 2.6 4-
Co 1.25 HC 1.9 2+
Cr 1.29 CCI 1.7 3+
Cu 1.28 CCC 1.9 1+
Fe 1.26 CCI 1.8 2+
H 0.46 molecular 2.2 1+
O 0.66 molecular 3.4 2-
Ni 1.25 CCC 1.9 2+
Pt 1.37 CCC 2.3 2+
Zn 1.38 HC 1.7 2+
Ejercicio resuelto 3.8
Una solución sólida formada con los elementos A (disolvente) y B (soluto) tiene una
composición del c % (en masa) de B. Si las densidades de los elementos
constituyentes son dA y dB , respectivamente, calcule la densidad de la solución sólida
suponiendo que el mecanismo de disolución es sustitucional y despreciando el cambio
en el parámetro de red. Suponga conocidas las masas molares de A y B (MA, MB).

(Para evitar confusiones, en este ejercicio denominaremos al número de Avogadro NAV,

y no NA, como es y será el criterio habitual.)

En 100 g de solución, c g serán de B y (100  c) g serán de A. El número de átomos de A

(en los 100 g) se calculará como:

1 mol N AV átomos (100  c)

N A  (100  c) g   N AV átomos de A
MA g 1 mol MA

y el de B será:
1 mol N AV átomos c
NB  c g   N AV átomos de B
MB g 1 mol MB
Ejercicio resuelto 3.8
El volumen que ocupan los NA átomos de A (disolvente) se calculará como:
1 cm3  100  c  3
VA  (100  c) g    cm
dA g  dA 

Así pues, la concentración atómica del disolvente puro habría de ser la siguiente:

N A (100  c) N AV M A átomos de A  d A N AV 
 A     átomos de A / cm
3

VA (100  c) d A cm3  MA 

Pero lo que tenemos no es disolvente puro, sino una solución sólida. Si el mecanismo
fuera sustitutivo, entonces, asumiendo la Expresión (3.7) del libro
[ SSS ]  [disolvente]
podríamos decir que
 SSS   d A N AV M A  átomos / cm3

(Nótese que ahora nos referimos a átomos, en general, y no solo a átomos de A).
Ejercicio resuelto 3.8
Con esto, el volumen que ocuparían 100 g de solución (conteniendo NA + NB átomos) se
calcularía como:
(100−𝑐) 𝑐 𝑐𝑀𝐴
1𝑐𝑚3 ·𝑁𝐴𝑉 + ·𝑁𝐴𝑉 100−𝑐 +
𝑀𝐴 𝑀𝐵 𝑀𝐵
𝑉𝑆𝑆𝑆 = 𝑁𝐴 + 𝑁𝐵 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 = = 𝑐𝑚3
𝑆𝑆𝑆 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝛿𝐴·𝑁𝐴𝑉 /𝑀𝐴 𝛿𝐴

Por lo que, finalmente, la densidad de la solución resultaría ser:

100 g  100 
d SSS     d A g / cm
3

VSSS cm 100  c  M A M B  1 
3

Reflexione con ayuda de la siguiente figura:

(a) NA átomos de A ocupan un volumen VA (aquí NA = 20). (b) NA átomos de A y NB átomos

sustituyentes de B ocupan un volumen mayor que VA, pero el número de átomos por unidad de
volumen, o sea, la concentración, sigue siendo la misma que en (a) (aquí NA = 20 y NB = 4).
Ejercicio resuelto 3.9
Una solución sólida formada con los elementos A (disolvente) y B (soluto) tiene una
composición del c % (en masa) de B. Si las densidades de los elementos
constituyentes son dA y dB , respectivamente, calcule la densidad de la solución sólida
suponiendo que el mecanismo de disolución es intersticial y despreciando el cambio
en el parámetro de red. Suponga conocidas las masas molares de A y B (MA, MB).
Compare el resultado con el obtenido en el Ejercicio resuelto 3.8.

El problema planteado es similar al Ejercicio Resuelto 3.8, pero suponiendo que el

mecanismo es intersticial. La clave ahora consiste en suponer que el volumen de la SSI
es igual al volumen del disolvente, esto es,

VSSI  VA cm3

Dada la composición que fija el enunciado, el volumen que ocuparían los átomos de A
sería igual a
1 cm3  100  c  3
VA  (100  c) g    cm
dA g  dA 

y la densidad
100 g  100 
d SSI    d A g / cm
3

VA cm  100  c 
3
Ejercicio resuelto 3.9
Reflexione con ayuda de la siguiente figura:

(a) NA átomos de A ocupan un volumen VA (aquí NA = 20). (b) NA átomos de A y NB átomos

intersticiales de B ocupan un volumen prácticamente igual al de (a) (aquí NA = 20 y NB = 4).
Vidrios metálicos
Materiales metálicos (puros o soluciones sólidas), que al
ser enfriados rápidamente desde estado vapor o líquido,
presentan una estructura desordenada de sus átomos.
Modelo de empaquetamiento
denso aleatorio de esferas.

Proyección de metal vaporizado Técnica de melt-spinning.

sobre una superficie fría: velocidades
de enfriamiento del orden de 105 K /s.
Problema propuesto 2.2
Escriba en notación de índices de Miller todas las direcciones de la familia de
direcciones <101> en el sistema cúbico.

Problema propuesto 2.7

Usando celdillas unitarias cúbicas, represente el plano (112) y la dirección [112] y
ത
muestre gráficamente que el mencionado plano contiene a la dirección [111].

Problema propuesto 2.11

ത está
Compruebe, analítica y gráficamente, si, en un sistema cúbico, la dirección [111]
contenida en el plano definido por las direcciones [1ത 10] y [201ത ].
Problema propuesto 3.2
Determine el tipo de estructura cristalina del Au sabiendo que su densidad es de 19.30
g/cm3, su masa atómica es de 196.97 g/mol y su parámetro de red a = 0.40782 nm.
Datos: NA = 6.022·1023.

Problema propuesto 3.9

Un cristal metálico (con estructura de máxima fracción de empaquetamiento) crece en
la dirección perpendicular a los planos más densos a la velocidad de 1 mm/día.
a) Calcule cuantos planos se forman por segundo suponiendo que el radio de los
átomos es r = 1.42 Å.
b) Si el cristal fuera CCC y los átomos se depositarán, según la dirección [100], al mismo
ritmo de planos por segundo que en el apartado anterior, indique cuál sería la velocidad
de crecimiento del material expresada en mm/día.
Problema propuesto 3.13
A una determinada presión y temperatura, el Fe tiene una densidad de 7.63 g/cm3.
a) Calcule el número de coordinación del Fe en esas condiciones.
b) Si se alea una pieza de 25 g de Fe con 3 g de Ni y 0.25 g de C, averigüe cuál será la
densidad de la solución sólida obtenida en las mismas condiciones de presión y
temperatura.
Datos: r (Fe) = 1.291 Å, M(Fe) = 55.85 g/mol, M(Ni) = 58.69 g/mol, M(C) = 12.01 g/mol y
NA= 6.022·1023.

Preguntas tipo test

2.16. En un cristal cúbico, los índices de Miller de la línea de intersección de un plano
(111) con otro (111ത ) son:
a) [110].
b) [11ത 0].
c) [100].
3.6. El área del plano (101) en una celdilla CCI es:
a) 4 3r 2
b) (16 / 3 )r 2
c) (16 2r 2 ) / 3

3.12. En relación con las celdillas CCC y HC, una de las siguientes afirmaciones es incorrecta:
a) Los intersticios octaédricos son mayores que los tetraédricos.
b) El número de intersticios tetraédricos es el doble que el de los octaédricos.
c) Los intersticios octaédricos y tetraédricos son regulares (simétricos).
d) Ambas se originan con apilamientos de secuencia ABCABC…

3.20. En relación a las estructuras cristalinas metálicas:

a) Los materiales más deformables son aquellos que presentan planos de deslizamiento de menor fracción
de empaquetamiento superficial.
b) Los materiales con estructura cristalina HC suelen ser muy deformables.
c) Los materiales con estructura cristalina CCC son más deformables que los de estructura CCI.

3.25. En una solución sólida sustitutiva puede suponerse que, aproximadamente:

a) La densidad de la solución es igual a la del disolvente puro.
b) La masa de la solución es igual a la del disolvente puro.
c) El volumen de la solución es igual al del disolvente puro.
d) Ninguna de las afirmaciones anteriores es correcta.