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Ip 4 CCGS
Ip 4 CCGS
INFORME PREVIO N° 4
TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR, BASE COMUN, COLECTOR COMUN Y EMISOR
COMUN
SECCION: Q
GRUPO N°: 3
LIMA - PERU
2023 - 2ECTRICA Y ELECTRONICA
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I. OBJETIVOS
• Inversión de Fase: La señal de salida está invertida en fase con respecto a la señal
de entrada. Esto significa que cuando la señal de entrada aumenta, la señal de
salida disminuye y viceversa.
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• Inversión de Fase: La señal de salida está invertida en fase con respecto a la señal
de entrada. Cuando la señal de entrada aumenta, la señal de salida disminuye y
viceversa.
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𝑍𝑖 = 1𝐾𝛺 // 𝑟𝑒
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = =
𝑖𝑒 𝑉 − 0.7
1𝐾𝛺
𝑉 − 0.7 12 − 𝑉 𝑉
= (𝛽 + 1) ∗ ( − ) → 𝑉 = 1.643 𝑉𝑜𝑙𝑡
1𝐾𝛺 91𝐾 15𝐾
𝑟𝑒 = 27.57𝛺
𝑍𝑖 = 26.83 𝛺
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𝒊𝑳 𝒗𝑳
4. Determine: 𝒊𝑮
=⋯ , 𝒗𝑮
=⋯
𝒊𝑳 𝟐𝟎𝟗 𝒖𝑨 𝒗𝑳 𝟎.𝟐𝟎𝟗 𝑽
𝒊𝑮
= 𝟐𝟓𝟓 𝒖𝑨 = 𝟎. 𝟖𝟐 , 𝒗𝑮
= 𝟎.𝟐𝟔𝟐 𝑽 = 𝟎. 𝟕𝟗𝟕
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = , 𝛽 = 220
𝑉 − 0.7
1𝑘
(12 𝑉)(15𝐾𝛺)
𝑉= → 𝑉 = 1.70 𝑉𝑜𝑙𝑡
15𝐾𝛺 + 91𝐾𝛺
𝑟𝑒 = 26 𝛺
𝑍𝑖 = 15𝐾𝛺//91𝐾𝛺 = 12.88 𝐾𝛺
𝒊𝑳 𝒗𝑳
4. Determine: 𝒊𝑮
=⋯ , 𝒗𝑮
=⋯
𝒊𝑳 𝟐𝟕𝟒 𝒖𝑨 𝒗𝑳 𝟐𝟕.𝟒 𝒎𝑽
𝒊𝑮
= 𝟑.𝟖𝟗 𝒖𝑨 = 𝟕𝟎. 𝟒𝟑 , 𝒗𝑮
= 𝟒𝟐𝟒 𝒎𝑽
= 𝟎. 𝟎𝟔𝟓
26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = , 𝛽 = 220
𝑉 − 0.7
1𝐾
(12 𝑉)(15𝐾𝛺)
𝑉= → 𝑉 = 1.70 𝑉𝑜𝑙𝑡
15𝐾𝛺 + 91𝐾𝛺
𝑟𝑒 = 26 𝛺
𝑍𝑖 = 15𝐾𝛺//91𝐾𝛺//5.72𝐾𝛺 = 3.960 𝐾𝛺
𝑍𝑜 = 5.6𝐾𝛺//10𝐾𝛺 = 3.590 𝐾𝛺
𝒊𝑳 𝒗𝑳
4. Determine: 𝒊𝑮
=⋯ , 𝒗𝑮
=⋯
𝒊𝑳 𝟖𝟖.𝟔 𝒖𝑨 𝒗𝑳 𝟖𝟖𝟔 𝒎𝑽
𝒊𝑮
= 𝟐.𝟓𝟑 𝒖𝑨 = 𝟑𝟓. 𝟎𝟐 , 𝒗𝑮
= 𝟐𝟔𝟐 𝒎𝑽 = 𝟑. 𝟑𝟖
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V. EQUIPOS Y COMPONENTES
• Osciloscopio
• Generador de funciones
• Fuente DC
• 03 Protoboard
• Multímetro
• 03 Transistores BC548A o 2N3904
• 01 condensador electrolítico 10uF, 100uF, 25V
• Resistencias: 100KΩ, 91 KΩ, 15 KΩ, 10 KΩ, 5.6 KΩ, 1 KΩ, 100Ω
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3. Con el multímetro, mida la tensión DC en colector (VC), emisor (VE) y base (VB), respecto
a la referencia, desconectando Vg
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7.Mida la relación de fase entre (VIn) y VL, usando los dos canales de osciloscopio.
8.Varie la frecuencia del generador y llene la siguiente tabla, con (VIn) =1 0mVPico
0.280 0.288 0.289 0.290 0.2907 0.2906 0.2907 0.2906 0.2902 0.2904 0.291
VL(VPICO)
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𝑍𝑖 = 1𝐾𝛺 // 𝑟𝑒
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = =
𝑖𝑒 𝑉 − 0.7
1𝐾𝛺
𝑉 − 0.7 12 − 𝑉 𝑉
= (𝛽 + 1) ∗ ( − ) → 𝑉 = 1.643 𝑉𝑜𝑙𝑡
1𝐾𝛺 91𝐾 15𝐾
𝑟𝑒 = 27.57𝛺
𝑍𝑖 = 26.83 𝛺
10.Con las mediciones rellzadas, ¿Cómo determinara la impedancia de salida del circulo
(Zo)?
𝑍𝑜 = 5.6𝐾𝛺 // 10𝐾𝛺 = 5.59𝐾𝛺
3. Con el multímetro, mida la tensión DC en colector (VC), emisor (VE) y base (VB), respecto
a la referencia, desconectando Vg
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4. Ajuste la tensión del generador para que la señal de entrada (VIn) mida 50mVPico , con
frecuencia de 1KHz.
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7.Mida la relación de fase entre (VIn) y VL, usando los dos canales de osciloscopio.
8.Varie la frecuencia del generador y llene la siguiente tabla, con (VIn) =50mVPico
0.0392 0.0392 0.0393 0.0399 0.0397 0.0401 0.0395 0.0402 0.0401 0.0403
VL(VPICO)
9. Con las mediciones realizadas, Cómo determinara la impedancia de entrada del circuito
(Zi)?
�
(12 𝑉)(15𝐾𝛺)
𝑉= → 𝑉 = 1.70 𝑉𝑜𝑙𝑡
15𝐾𝛺 + 91𝐾𝛺�
𝑟 ==26 𝛺
𝑒
𝑍𝑖 = 15𝐾𝛺//91𝐾𝛺 = 12.88 𝐾𝛺
2
6
10.Con las mediciones rellzadas, ¿Cómo determinara la impedancia de salida del circulo
(Zo)? �
�
�
�
�
�
c. PROCEDIMIENTO PARA TRANSISTOR � EN EMISOR COMUN
=
�
1. Armar el circuito en Emisor Común (fig.3) �
�
(
=
_____________________________________________________________________________________________________________
�
ING. VIRGINIA ROMERO F. UNI �
– FIEE 13
2
𝑍𝑜 = 𝛽(𝑟𝑒 + 1𝐾𝛺//100𝛺) = 25.72𝛺
6
�
Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones
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2. Conectar una fuente de 12VDC al circuito.
3. Con el multímetro, mida la tensión DC en colector (VC), emisor (VE) y base (VB), respecto
a la referencia, desconectando Vg
4. Ajuste la tensión del generador para que la señal de entrada (VIn) mida 10mVPico , con
frecuencia de 1KHz.
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7.Mida la relación de fase entre (VIn) y VL, usando los dos canales de osciloscopio.
8.Varie la frecuencia del generador y llene la siguiente tabla, con (VIn) =10mVPico
1.129 1.092 1.082 1.078 1.074 1.073 1.071 1.067 1.066 1.058 1.008
VL(VPICO)
(12 𝑉)(15𝐾𝛺)
𝑉= → 𝑉 = 1.70 𝑉𝑜𝑙𝑡
15𝐾𝛺 + 91𝐾𝛺
𝑟𝑒 = 26 𝛺
𝑍𝑖 = 15𝐾𝛺//91𝐾𝛺//5.72𝐾𝛺 = 3.960 𝐾𝛺
10.Con las mediciones rellzadas, ¿Cómo determinara la impedancia de salida del circulo
(Zo)?
𝑍𝑜 = 5.6𝐾𝛺//10𝐾𝛺 = 3.590 𝐾𝛺
11. Retire “C = 100uf” del emisor y repita todos los pasos anteriores.
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12. Inserte un C = 20pf en bornes B y C del BJT, llene la tabla del paso 8.
0.00 0.30 1.315 4.146 4.90 9.60 14.30 25.0 37.4 52.0 54.4
VL(mVPICO)
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[1] Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2019). Electronic Devices and Circuit Theory.
[2] Neamen, D. A. (2018). Semiconductor Physics and Devices.
[3] Lockard, C. E. (2020). Transistor Electronics: Use of Semiconductor Components in Switching
Operations.
[4] Dimitrijev, S. (2021). Understanding Semiconductor Devices.
[5] Metha, I. M. (2019). Transistors.
[6] Fuente del navegador
https://industriasgsl.com/blogs/automatizacion/transistor-bipolar
[7] Fuente del navegador
https://espanol.libretexts.org/Vocacional/Tecnología_Electrónica/Libro%3A_Circuitos_Eléctricos
_III_-
_Semiconductores_(Kuphaldt)/04%3A_Transistores_de_unión_bipolar/4.07%3A_El_amplificad
or_de_base_común#:~:text=Los%20amplificadores%20de%20transistor%20de,es%20siempre%2
0menor%20que%201.
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