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transistor BJT
En baja frecuencia:
Capacitancias de un transistor bipolar (BJT)
C 𝑣0
𝒊𝟐 𝑣0 𝑣0 − 𝑣𝑖 𝑣0 − 𝐴𝑣
𝐴𝑉 = 𝑖0 = =
𝑣𝑖 𝑋𝑐 𝑋𝑐
𝒊𝟏 𝒊𝟎 𝑣0
Av 𝑣𝑖 =
𝐴𝑣 1
vi v0 𝑣0(1 − )
z0 𝐴𝑣
𝑖0 =
𝑋𝑐
1
𝑖0 (1 − 𝐴𝑣 ) 𝑣0 𝑋𝑐 𝑧0 =
1
=
1
= = 1
𝑤𝐶𝑀0
𝑣0 𝑋𝑐 𝑖0 1 𝑤𝐶(1− )
𝐴𝑣
(1 − ) 1
𝐴𝑣 𝐶𝑀0 = 𝐶(1 − )
𝐴𝑣
Av
𝟏
C(1-Av) 𝑪(𝟏 − )
𝑨𝑽
En alta frecuencia:
1
C 𝐴𝑣 =
𝑨𝒗 𝑓
1+𝑗
𝑓2
Frecuencia crítica de entrada
ca=125
Cbe=20 pf
Cbc= 2.4 pf
𝑅2
𝑉𝐵 = 𝑉𝑐𝑐 =1.76v
𝑅1 +𝑅2
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 0.7𝑣 = 1.06𝑣
𝑉𝐸
𝐼𝐸 = = 2.26 𝑚𝐴
𝑅𝐸
26𝑚𝑣
𝑟𝑒 = = 11.1
𝐼𝐸
𝑻𝒉𝒊 𝑻𝒉𝟎
Rs gmV
𝑽𝒆𝒏𝒕 R1 // R2 r V Ci Rc RL r0 C0
𝒓 = 𝒓𝒆
𝑪𝒊 = 𝑪𝒘𝒊 + 𝑪𝒃𝒆 + 𝑪𝑴𝒊 𝑪𝟎 = 𝑪𝒘𝒐 + 𝑪𝒄𝒆 + 𝑪𝑴𝟎
𝑪𝒊 = 𝑪𝒘𝒊 + 𝑪𝒃𝒆 + (𝟏 − 𝑨𝒗)𝑪𝒃𝒄 𝑪𝟎 = 𝑪𝒘𝒐 + 𝑪𝒄𝒆 + (𝟏 − 𝟏/𝑨𝒗)𝑪𝒃𝒄
Rthi Rtho
𝑬𝒕𝒉𝒊 Ci 𝑬𝒕𝒉𝒐 Ci
𝑍𝑠𝑎𝑙 = 1.1𝑘
1
𝑓𝑐𝑟𝑖𝑡𝑆𝑎𝑙 = = 60.3 𝑀ℎ𝑧
2𝜋 𝑍𝑠𝑎𝑙 𝐶𝑠𝑎𝑙