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Física II
UTN FRVT
2000
Sobre,
Corrientes eléctricas estacionarias
1
i
2
n da
Vd.n δt
3
Ley de OHM
Experimentalmente se encuentra que en un metal a
temperatura constante, la densidad de corriente J y el
campo eléctrico E, en todo punto están relacionados
linealmente de acuerdo a la ley local de OHM.
1
Opcional
4
J = σE
La constante de proporcionalidad σ se denomina
conductividad del medio. En el mks su unidad es,
1 A/Vm = 1/OHM m = 1/Ω Ω m , 1 Ω = V/A
A veces se utiliza la unidad,
1/Ω
Ω = 1 MHO = 1 Siemens = 1S
Entonces la unidad de conductividad puede escribirse,
1/Ω
Ωm = 1 MHO/m = 1 S/m
La resistividad (ηη) del medio se define como,
η = 1/σσ
La unidad en el mks,
1 Vm/A = 1 Ω m
La resistividad aumenta con el incremento de la
temperatura del medio conductor. En un intervalo de
temperaturas no demasiado grande dicha variación puede
escribirse como,
η = η0[1 + α(T -T0)]
Donde, α es el coeficiente de temperatura de la
resistividad, y η0, T0, resistividad y temperaturas de
referencia.
La ley de OHM es una muy buena aproximación para un gran
número de conductores utilizados en la técnica.
Sin embargo en el caso general es,
J = σ(E) E
Los materiales para los cuales la ley de OHM es válida
en la forma sencilla, se denominan medios óhmicos o
lineales.
En un metal, experimentalmente se prueba que los
portadores de carga son los electrones, en un
electrólito los portadores son tanto iones positivos
como iones negativos, y en los gases altamente
ionizados, plasmas, la carga es transportada por los
electrones y por los iones positivos.
Aplicando la forma local de OHM a un medio conductor
lineal de conductividad σ en la forma de un alambre
recto de sección transversal uniforme S, y longitud l
cuyos extremos se mantienen con una diferencia de
potencial constante ∆V > 0, se tiene,
V +∆
∆V J E V
5
∆V = ∫ E.dl = E l
E = ∆V/l
J = σE = σ∆V/l
i = JS = σ∆VS/l
∆V = i ηl/S
A la expresión ηl/S se la denomina resistencia eléctrica
(R) del alambre, la unidad de resistencia eléctrica en
el mks es el OHM. Entonces la ley de OHM se escribe,
∆V = iR
La ecuación anterior puede considerarse como una
definición de la resistencia de un cuerpo circulado por
una corriente estacionaria.
El trabajo elemental realizado por el campo eléctrico
cuando una carga elemental dq se mueve a través de una
diferencia de potencial ∆V, vale,
dW = ∆Vdq
Entonces la potencia entregada es,
P = dW/dt = ∆V dq/dt
P = ∆Vi = i2R = ∆V2/R
Donde las dos últimas expresiones se obtuvieron por
combinación con la ley de OHM.
La potencia entregada se disipa en forma de energía
térmica por el calentamiento JOULE del material debido a
las colisiones de los portadores de carga entre sí, y
fundamentalmente en el caso de los metales, con los
iones de la red.
2
Opcional
6
3
Opcional
9
∫
C
J.dl = 0
En
ε
Aunque la magnitud de la fem sea el voltio, es
físicamente muy diferente su significado comparado con
el potencial electrostático. La fem es la circulación de
un campo no electrostático o rotacional, y se diferencia
de uno electrostático porque siempre es cerrado, y el
flujo a través de cualquier superficie cerrada es
siempre nulo.
El objetivo de la teoría de circuitos es desarrollar un
procedimiento para analizar la parte que atraviesa la
red de resistencias, y no necesitamos analizar la causa
que mantiene constante la diferencia de potencial entre
terminales de la fuente de voltaje que alimenta el
circuito sino referirnos a ésta como un voltaje aplicado
(V). Lo que importa para el análisis de circuitos es que
E.dl = 0 en todo contorno cerrado que contenga los
terminales de la fuente y que pase a través de la red de
resistencias en una parte del contorno, y la otra a
través de los terminales pero por fuera de la fuente de
voltaje. Físicamente significa que una fuente de fem
estacionaria crea en su entorno un campo electrostático
producido por la separación de las cargas en los
terminales de la fuente. Sólo de este modo se justifica
el uso del potencial electrostático en el circuito.
∫
1
J/σ
σ.dl = ∫
1
(En + E).dl
∫
1
E.dl = V1 - V2 = - V21
∫
1
En.dl = ε12
i
1,V1 2,V2
ε12 R12
Entonces, se sigue,
2 2
∫
1
J/σ
σ.dl = ∫
1
(En + E).dl = ε12 + V1 - V2
2
∫
1
J/σ
σ.dl = ε12 + V1 - V2
∫ J/σ
σ.dl = ∑ i
J/σ
σili = ∑i
i(li/Siσi) = i ∑ Ri = iR12
i
1
Donde se supone que los resistores del circuito son
discretos y conformados por conductores filiformes,
hilos conductores.
13
∫
1
(dq[En + E] - dGvd).dl = ∆(Energía cinética) = 0
∫
1
dq(En + E - J/σ
σ).dl = 0
∆ V1 ∆ V2
∆V
Conexión en paralelo
R1
i1
R2
i2
∆V
Leyes de KIRCHOFF.
Cualquier problema de redes de resistencias puede
resolverse de una forma sistemática por medio de dos
reglas llamadas leyes de KIRCHOFF.
Podemos enunciar las leyes de KIRCHOFF así,