Universidad Nacional Abierta y a Distancia – UNAD

Curso de Física Electrónica 100414

Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería (ECBTI)
.

PREPARACIÓN DEL REPORTE INFORME DE TAREAS INDIVIDUALES Y

LABORATORIOS EN FORMATO DE DOS COLUMNAS (MANUSCRITO ESTILO
“PAPER”).

TAREA 2: Introducción a Circuitos Semiconductores

Estudiante: Manuel Fernando Velez Mora

CC: 1114452523

Grupo: 100414_138

Tutor: Freddy Reynaldo Téllez acuña

Curso: física electrónica

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

Palmira

Abril-16- 2023

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 Universidad Nacional Abierta y a Distancia – UNAD
Curso de Física Electrónica 100414
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería (ECBTI)
.

PREPARACIÓN DEL REPORTE INFORME DE TAREAS INDIVIDUALES Y

LABORATORIOS EN FORMATO DE DOS COLUMNAS (MANUSCRITO
ESTILO “PAPER”).
Integrante 1 (Manuel Fernando Velez Mora)
e-mail: integrante1@institución (e-mail: mfvelezm@unadvirtual.edu.co)

Para resolver el circuito se debe considerar lo siguiente:

RESUMEN: En los siguientes párrafos se muestra la
solución de análisis de circuitos con semiconductores, sus VD=VK =0.7 V .( porque es Diodo de Silicio)
respectivas formulas y ecuaciones para resolverlo de la
manera más adecuada, se aplican leyes que rigen estos
VR=E−VK Ec .1
circuitos, tales como la Ley de Kirchhoff, Ley de Ohm y Ley de ID=IR=VR/R Ec .2
Watt; al realizar los respectivos cálculos para análisis de
circuitos con semiconductores se comprueban mediante un Aplicamos y reemplazamos
simulador en línea llamado Multisim Online donde se observa VR 1=8 V −0.7 V =7.3 V . Ec .1
el comportamiento y mediciones del circuito. La caída de tensión en la resistencia 1 (R1) es:
VR 1=7.3 V
PALABRAS CLAVE: Cálculos, Circuitos,
semiconductores, simulador.
VR 1
ID 1=IR 1= Ec .2
R1
1 LINK VIDEO SUSTENTACIÓN
7.3 V
ID 1=IR 1= =0.0214705882 A .
https://youtu.be/RP9YBVWcvs8 340 Ω
Entonces tenemos que la corriente en D1 es:
2 DESARROLLO DE LA PRACTICA O ID 1=0.0214705882 A .
EJERCICIOS 2 Y 3
Como el circuito es en serie según la Ley de Kirchhoff, la
corriente en D2 y R1 es igual a la corriente que circula por el
2.1 MONTAJE 1/ EJERCICIO 2 circuito, es decir la misma corriente encontrada en D1:

Estudiante 2: Encuentre las corrientes de diodo D1 y D2 y la ID 2=0.0214705882 A .

caída de tensión sobre la resistencia R1 (asuma diodos de
silicio)
IR 1=0.0214705882 A .

Datos en Multisim Online:

Figura 1. Montaje 1 ejercicio 2 realizado en Multisim Online. V =7.2684 V . ≈ 7.3 V
I =19.226 mA =0.019226 A .≈ 0.02 A

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Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería (ECBTI)
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Figura 2. Montaje 1 y medición ejercicio 2 realizado en R 1=RB=300 K Ω

Multisim Online.
R 2=RC =1.5 K Ω
2.2 MONTAJE 2/ EJERCICIO 3 R 3=ℜ=1 K Ω
VCC−VBE
Estudiante 2: Encuentre 𝑰𝑩, 𝑰𝑪, 𝑽𝑪𝑬, 𝑽𝑩, 𝑽𝑪, 𝑽𝑬 y IB= Ec .1
aplique una señal de entrada de 3 voltios a 60 Hz y RB + ( β +1 )∗ℜ
observe el comportamiento en la salida (B=100)
Reemplazamos:

24 V −0.7 V
IB= =¿
300 KΩ+ ( 100+1 )∗1 K Ω

23.3 V
=0.0581u A .
401 K Ω

IB=0.0581u A .

IC=β∗I B Ec .2
IC=100∗0.0581u A .
IC=5.81 mA .

IE=IB+ IC Ec .3
IE=0.0581 u A .+5.81 mA .
Figura 3. Montaje 2 ejercicio 3 realizado en Multisim Online IE=5.8681 mA .
La reactancia de un capacitor en DC tiende a infinito por lo
tanto los capacitores en este análisis se comportan como VCE=VCC−RC∗IC−ℜ∗IE Ec .4
circuitos abiertos, entonces se borran del circuito y planteamos VCE=24 V −1.5 K Ω∗5.81 mA−1 K Ω∗5.8681 mA .
nuevo circuito. VCE=9.4169 V .

VE=ℜ∗( β +1 )∗IB Ec .5
VE=1 K Ω∗(100+ 1 )∗0.0581 u A .
VE=5.8681 V .

VB=VBE +VE Ec .6
VB=0.7V + 5.8681V .
VB=6.5681 V .

VC =VCC−RC∗IC Ec .7
VC =24 V −1.5 KΩ∗5.81 mA
VC =15.285V .
Simulación aplicando una señal de entrada de 3 voltios a 60 Hz
y observando el comportamiento en la salida

Figura 4. Montaje 2 ejercicio 3.1 realizado en Multisim Online

Datos:
Vcc=24 V .

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6 V −3.6 V −0.3V
RL= =21 Ω
100 mA
IC 100 mA
IB= = =500 mA
hFE 200
6 V −0.7V
RB= =106 Ω
500 mA

Figura 5. Montaje 2 y medición ejercicio 3 realizado en

Multisim Online.

Figura 6. Graficador de montaje 2 ejercicio 3 realizado en

Multisim Online.

MONTAJE 3/ EJERCICIO 4

Para este ejercicio el estudiante debe observar 1

ejercicio resuelto de Transistor como Interruptor (si su
grupo colaborativo es PAR)

Figura 7. Montaje 4 y medición ejercicio 4 realizado en

Multisim Online.

3 CONCLUSIONES

Los circuitos eléctricos se rigen con leyes y fórmulas

para su aplicación, se introduce al comportamiento de los
componentes de circuitos eléctricos y electrónicos incluyendo
semiconductores, conociendo su interacción y sus aspectos a
Electgpl (2016). Transistor como interruptor-Corte y tener en cuenta al momento de su demostración ya que se
saturación (video) analiza y se estudia su ciencia con principios físicos de los
https://youtu.be/e4B87NZlILI semiconductores, familias lógicas, dispositivos electrónicos y
fotónicos, tecnología de materiales y su aplicación para la
Transistor como interruptor. resolución de problemas propios de la ingeniería

VL=3,6 V
IL=100 mA 4 REFERENCIAS
hFE=200

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Curso de Física Electrónica 100414
Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería (ECBTI)
.
[1] Alexander, C. K., Sadiku, M. N. O.(2022). Fundamentos de
circuitos eléctricos. McGraw-Hill Interamericana. (pp 25 a la 36).
https://www-ebooks7-24-com.bibliotecavirtual.unad.edu.co/?
il=16959

[2] Barrales Guadarrama, R. Barrales Guadarrama, V. R. y Rodríguez

Rodríguez, M. E. (2016). Circuitos eléctricos: teoría y práctica.
Grupo Editorial Patria. (pp 10 a la 17). [3] Francis. B. A.
and W. M. Wonham, “The internal model principle of control
theory”, Automatica. Vol. 12. pp. 457-465. 1976.

[3] Darwin, Inge (2019). Divisores de voltaje y

corriente/ejercicios(video) https://www.youtube.com/watch?
v=GcJgV68YMxE&t=95s