Técnicas de Radio Frecuencia y Microondas (E1217)

Mediciones en Alta Frecuencia (E0217)

Facultad de Ingeniería - UNLP

Prof. Martín Hurtado

Email: e1217@ing.unlp.edu.ar (mailto:e1217@ing.unlp.edu.ar)

Web: www.ing.unlp.edu.ar/catedras/E1217 (http://www.ing.unlp.edu.ar/catedras/E1217)

Detector a Diodo

Resumen
Errores de medición

Objetivos
Analisis de la medición de potencia

Introducción
Al medir la potencia de una señal de RF o microondas existen limitaciones que son inherentes al detector a
diodo, tales como

la dependencia con la temperatura

la respuesta en frecuencia
el ruido

Dependencia con la temperatura

𝑉𝑜 = 𝑅𝐿𝑅+𝐿𝑅𝑉 2𝑉𝑍0𝑇 𝑃𝑖
La tensión a la salida del detector a diodo es

donde
 𝑉𝑇 = 𝑘𝑇𝑞
𝑅𝑉 = 𝑉𝐼𝑆𝑇
𝐼𝑆 = 𝐴𝑇 2𝑒𝑉𝑔/𝑉𝑇
Si la potencia 𝑃𝑖
de la señal alterna es constante, pero existe variación de la temperatura 𝑇 , se modifican
𝑅 𝑉 𝑉𝑇
y generando fluctuaciones en 𝑉𝑜
Se debe analizar cómo influye la variaón de temperatura Δ𝑇 en la salida del detector

Caso 𝑅𝐿 ≫ 𝑅𝑉
𝑅𝐿 ≫ 𝑅𝑉 , entonces la expresión del voltaje de salida se simplifica a
𝑉𝑜 = 2𝑍𝑉0𝑇 𝑃𝑖
Si

Usando la derivada se puede analizar el efecto de la variación de la temperatura 𝑇 en el voltaje 𝑉𝑜

𝑑𝑉0 = 𝑍0 𝑃𝑖 𝑑𝑉𝑇−1
𝑑𝑇 𝑍2 𝑃 𝑑𝑇𝑑𝑉
= − 2𝑉0 2𝑖 𝑑𝑇𝑇
𝑇
= − 𝑍2𝑉0 𝑃2𝑖 𝑘𝑞 𝑇𝑇
𝑇
= − 2𝑉0 𝑇 𝑖 𝑇1
𝑍 𝑃
= − 𝑉𝑇0
𝑑𝑉0 = − 𝑑𝑇
De forma equivalente

𝑉 𝑇
Δ𝑉00 = − Δ𝑇 = − 1
𝑉0 𝑇 300
Entonces, variaciones del orden de 1K generan variaciones relativas de la tension de salida del 0.3%

Caso 𝑅𝐿 ≈ 𝑅𝑉
Si 𝑅𝐿 ≈ 𝑅𝑉 , la variacion del voltaje 𝑉𝑜 respecto de 𝑇 es
 𝑑𝑉0 = 𝑅𝐿𝑍0 𝑃𝑖 1 𝑑(𝑅𝐿 + 𝑅𝑉 )−1 + 1 𝑑𝑉𝑇−1
𝑑𝑇 2 [ 𝑉𝑇 𝑑𝑇 𝑅𝐿 + 𝑅𝑉 𝑑𝑇 ]
= 𝑅𝐿𝑍2 0 𝑃𝑖 [ 𝑉𝑇 (𝑅𝐿−1+ 𝑅𝑉 )2 𝑑𝑑𝑇𝑅𝑉 + (𝑅 +−1𝑅 )𝑉 2 𝑑𝑑𝑇𝑉𝑇 ]
𝐿 𝑉 𝑇
= 𝑅𝐿𝑍2 0 𝑃𝑖 [ 𝑉𝑇 (𝑅𝐿−1+ 𝑅𝑉 )2 𝑑𝑑𝑇𝑅𝑉 + (𝑅 +−1𝑅 )𝑉 2 𝑉𝑇𝑇 ]
𝐿 𝑉 𝑇
= 𝑉0 [ 𝑅𝐿 −1 1 𝑑𝑉𝑇 + 𝑉𝑇 𝑑𝐼𝑆−1 − 1
+ 𝑅𝑉 ( 𝐼𝑆 𝑑𝑇 𝑑𝑇 ) 𝑇 ]
= 𝑉0 [ 𝑅𝐿𝑅+𝑉𝑅𝑉 ( −1𝑇 + 𝐼1𝑆 𝑑𝑑𝑇𝐼𝑆 ) − 𝑇1 ]
= 𝑉0 [− ( 𝑅𝐿𝑅+𝑉𝑅𝑉 + 1) 𝑇1 + 𝑅𝐿𝑅+𝑉𝑅𝑉 𝐼1𝑆 𝑑𝑑𝑇𝐼𝑆 ]
Equivalentemente, se cumple
Δ𝑉0 = − 𝑅𝑉 + 1 Δ𝑇 + 𝑅𝑉 Δ𝐼𝑆
𝑉0 ( 𝑅𝐿 + 𝑅𝑉 ) 𝑇 𝑅𝐿 + 𝑅𝑉 𝐼𝑆
Experimentalmente se sabe que la variaciones de la corriente de saturacion son Δ𝐼𝑆 /𝐼𝑆 ≈ 7 %, entonces
Δ𝑉0 ≈ 𝑅𝑉 Δ𝐼𝑆
𝑉0 𝑅𝐿 + 𝑅𝑉 𝐼𝑆
Nota
Para reducir el efecto de la temperatura, se puede utilizar el detector dentro de un horno de temperatura
controlada, operando por encima de la temperatura ambiente

Respuesta en frecuencia
El voltaje𝑣𝐽 (𝑡) en la juntura depende de la frecuencia de la señal de entrada como consecuencia del
efecto de los elementos parásitos en el dispositivo

Fig: Modelo del detector con elementos parásitos.

Por la red de adaptación, el voltaje en la entrada es la mitad que el de la señal alterna

A la frecuencia de interes 𝑅𝐿 ≫ (𝜔𝐶𝐿 )−1 ≈ 0
Fig: Modelo equivalente de alterna del detector.

El voltaje en la juntura es

𝑉𝐽 = 𝐿𝑉𝑠 𝐶𝐼 𝐽 1
1
𝐿𝑠𝐶𝐽 + 𝑗𝑤 0.5𝑍𝐿0𝑠+𝑅𝑠 − 𝑤2
donde
𝑤20 = 𝐿𝑠1𝐶𝐽 : frecuencia de⎯⎯⎯⎯resonancia
𝜉 = 0.5(0.5𝑍0 + 𝑅𝑠)√ 𝐶𝐿𝐽𝑠⎯: factor de amortiguamiento
𝑉𝐽 = 1
La función de transferencia del detector es

𝑉𝑖 1 + 𝑗2𝜉 𝜔𝜔0 − ( 𝜔𝜔0 )2

Nota
Si 𝑤 < 𝑤0 , se obtine la respuesta buscada 𝑉𝐽 = 𝑉𝑖
Si 𝑤 ≈ 𝑤0 , la amplitud de𝑉𝐽 𝜉
depende del amortiguamiento , pudiendo el detector leer una mayor
potencia que la real si 𝜉<1
Si 𝑤 > 𝑤0 , la tension 𝑉𝐽 decae rapidamente
Nota
Si el factor de amortiguamiento es menor que uno, se lo puede aumentar a expensas de agregar pérdidas
en serie

Modelo de ruido del diodo

En todo dispositivo en el que existe movimiento de portadores (cargas libres) se generan corrientes de
ruido
El ruido granalla se refiere al ruido que se produce como consecuencia de que la corriente no es uniforme,
si no que es granular generada por cargas que se mueven con cierta aleatoriedad y con densidad
espectral
𝑆(𝑓) = 𝑞𝐼
En un diodo con tensión de polarización nula, el flujo de cargas esta dado por
𝐼𝐽 = 𝐼𝑆 (𝑒0/𝑉𝑇 − 1) = 𝐼𝑆 − 𝐼𝑆
siendo dos procesos independientes que contribuyen de forma aditiva al ruido
𝑆(𝑓) = 2𝑞𝐼𝑆
A partir de la densidad espectral de potencia de ruido, se puede plantear un modelo equivalente de fuente
de corriente cuyo valor cuadrático medio es
¯𝑖2𝑛 = 𝑆(𝑓)2𝐵𝑛
= 4𝑞𝐼𝑆 𝐵𝑛
donde
𝐵𝑛: ancho de banda

Fig: Modelos de ruido generado por la juntura.

Equivalentemente, se puede plantear un modelo de ruido como fuente de voltaje cuyo valor cuadrático
medio es

𝑒¯ 2𝑛 = 𝑔𝑖𝑛2
2
0
= 𝑔𝑆2 𝐵𝑛
4𝑞𝐼
0
= 4𝑞𝐼𝑆 𝐵𝑛𝑅2𝑉
La juntura produce igual potencia de ruido que un resistor 𝑅𝑉 a temperatura 𝑇
𝑒¯ 2𝑛 = 4𝑘𝑇 𝑅𝑉 𝐵𝑛
donde
𝑘: constante de Boltzman
En términos de potencia de ruido, se puede reemplazar la juntura por un resistor 𝑅𝑉 a temperatura 𝑇𝑒
equivalente de ruido cuyo valor se obtine de igualar ambos modelos
4𝑞𝐼𝑆 𝐵𝑛𝑅2𝑉 = 4𝑘𝑇𝑒 𝑅𝑉 𝐵𝑛
Entonces
 𝑇𝑒 = 𝑞𝐼𝑆𝑘𝑅𝑉
= 𝑞𝑉𝑘𝑇 = 𝑇
Si existe una corriente de polarización𝐼𝐽 ≫ 𝐼𝑆 entonces𝑉 /𝑉
𝐼𝐽 ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝑝 𝑇
y la densidad espectral es 𝑆(𝑓) = 𝑞𝐼𝐽 . Entonces el modelo de ruido es
𝑒¯ 2𝑛 = 2𝑞𝐼𝐽 𝐵𝑛𝑅2𝑉
= 4𝑘𝑇𝑒 𝑅𝑉 𝐵𝑛
De la igualdad anterior surge que la juntura con corriente de polarizacion se la puede reemplazar por un
resistor 𝑅𝑉 a temperatura

𝑇𝑒 = 𝑇2

Ruido en el detector
En la salida de un detector a diodo, las fuentes de ruido son
ruido ganalla en la juntura
𝑒¯ 2𝐽 = 4𝑞𝐼𝑆 𝐵𝑛𝑅2𝑉
ruido térmico en la resistencia de carga 𝑅𝐿
𝑒¯ 2𝐿 = 4𝑘𝑇 𝑅𝐿𝐵

Fig: Modelos de las fuentes de ruido en el detector.

Utilizando el teorema de Thevenin se puede definir un modelo equivalente que represente el total del ruido

𝑅𝑇 = 𝑅𝑅𝑉 𝑉+𝑅𝑅𝐿 𝐿
donde

𝑒1 = 𝑒𝐽 𝑅𝑉 𝑅+𝐿𝑅𝐿
𝑒2 = 𝑒𝐿 𝑅𝑉𝑅+𝑉 𝑅𝐿
El modelo consiste en un circuito pasabajo con una frecuencia de corte de 3dB y un ancho de banda
equivalente
 𝑓𝑐 = 2𝜋𝐶1𝐿 𝑅𝑇
𝐵 = 𝜋2𝑓𝑐 = 4𝐶𝐿1𝑅𝑇
Siendo 𝑒1 𝑒2
y fuentes de ruido independiente, entonces el valor cuadrático medio de voltaje de ruido a la
salida del detector es
𝑒¯ 2𝑜 = 𝑒¯ 21 + 𝑒¯ 22
= 𝑒¯ 2𝐽 ( 𝑅𝑉 𝑅+𝐿𝑅𝐿 ) + 𝑒¯ 2𝐿( 𝑅𝑉𝑅+𝑉 𝑅𝐿 )
2 2

𝑅 𝑅 𝐿 2
= 4𝑞𝐼𝑆 𝐵( 𝑅𝑉 + 𝑅𝐿 ) + 4𝑘𝑇𝐵( 𝑅𝑉 + 𝑅𝐿 ) 𝑅𝐿
𝑉 𝑅 𝐿 𝑅 𝑉 2 1

= 4𝑞𝐼𝑆 𝐵𝑅2𝑇 (1 + 𝑞𝐼𝑘𝑇𝑆 𝑅𝐿 )

= 4𝑞𝐼𝑆 𝐵𝑅2𝑇 (1 + 𝐼𝑆𝑉𝑅𝑇 𝐿 )
= 4𝑞𝐼𝑆 𝐵𝑅2𝑇 (1 + 𝑅𝑅𝑉𝐿 )
En general, se cumple que 𝑅𝐿 ≫ 𝑅𝑉 , entonces vale la siguiente aproximacion
𝑒¯ 2𝑜 ≈ 4𝑞𝐼𝑆 𝐵𝑅2𝑇
≈ 4𝑞𝐼𝑆 𝐵𝑅2𝑉
≈ 4𝑞𝐼𝑆 𝑅2𝑉 4𝐶𝐿1𝑅𝑉
≈ 𝑞𝑉𝐶𝐿𝑇 = 𝐶𝑘𝑇𝐿

Sensibilidad tangencial
La sensibilidad tangencial del detector se refiere a la potencia mínima de señal alterna medible por encima

2.5√⎯𝑒¯⎯⎯2𝑜⎯
del nivel de ruido

𝖳𝖲𝖲 = 𝛾
5 ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑅 ⎯
= 𝛾 √𝑞𝐼𝑆 𝐵𝑅𝑇 (1 + 𝑅𝐿 )
2 𝑉
Cuando 𝑅𝐿 ≫ 𝑅𝑉 , se cumple que

𝖳𝖲𝖲 = 5𝛾 √⎯𝑞⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝐼𝑆 𝐵𝑅2𝑉⎯
= 5𝛾 √⎯𝑞⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑉𝑇 𝑅𝑉 𝐵⎯
= 5𝛾 √⎯𝑘𝑇⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
𝑅𝑉 𝐵⎯

Ejemplo
Datos
 𝑇 = 300𝖪 𝑘 = 1.38𝑒−23𝖩/𝖪
𝐼𝑆 = 0.1𝜇𝖠 𝑉𝑇 = 26𝗆𝗏
𝑍0 = 50Ω 𝐵 = 1𝖬𝖧𝗓
𝑅𝑉 = 𝑉𝐼𝑆𝑇 = 260𝖪Ω
Resistencia de video

𝛾 = 2𝑉𝑍0𝑇 = 962𝗏/𝗐
Sensibilidad

𝖳𝖲𝖲 = 5𝛾 √⎯𝑘𝑇⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯
Sensibilidad tangencial

𝑅𝑉 𝐵⎯ = 1.7 ∗ 10−7 𝗐 = −37.7𝖽𝖡𝗆

Posible mejora
Incrementar 𝐶𝐿 𝐵
para reducir y potencia de ruido, a costo perder ancho de banda
Polarizar el diodo para reducir la temperatura de ruido equivalente a la mitad

Referencias
H. Lorente, Apunte: El detector a diodo.
4∘
D.M. Pozar, Microwave Engineering, Cap. 11, Ed. , Wiley, 2012.
Application Note 923, Schottky barrier diode video detectors, Hewlett-Packard.
A.M. Cowley, H.O. Sorensen, Quantitative comparison of solid-state microwave detectors, IEEE Trans.
Microwave Theory and Techniques, vol. 14, nro. 12, pp. 588-602, 1966.