INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE SAN ANDRÉS

TUXTLA.
INGENIERÍA ELECTROMECÁNICA.

APLICACIONES INDUSTRIALES.

UNIDAD I.
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
TABLA COMPARATIVA.

PROFESOR: ING. COSME HERNÁNDEZ LINARES.

ALUMNOS:
JOHANA TOTO GALLARDO- (191U0154).
MIZRAIM JAZEL POLITO TENORIO- (191U0139).
ROBERTO GERARDO GÓMEZ RAMÓN – (191U0119).
JULIO CESAR AZAMAR CHONTAL- (191U0093).

GRUPO:
802-B.

SAN ANDRÉS TUXTLA, VER. A 03 DE MARZO DE 2023

 TIPOS. DESCRIPCIÓN.
Un diodo semiconductor es una estructura P-
N que, dentro de sus límites de tensión y
corriente, permite la circulación de corriente
en un único sentido. Detalles de
funcionamiento, generalmente despreciados
para los diodos de señal, pueden ser
significativos para componentes de mayor
DIODO DE potencia, caracterizados por un área mayor
POTENCIA. (para permitir mayores corrientes) y mayor
longitud (para soportar tensiones inversas
más elevadas).
El tiristor engloba una familia de dispositivos
semiconductores que trabajan en
conmutación, teniendo en común una
estructura de cuatro capas semiconductoras
en una secuencia P-N-P- N, la cual presenta
un funcionamiento biestable (dos estados
estables).
La conmutación desde el estado de loqueo
("OFF") al estado de conducción ("ON") se
TIRISTORES. realiza normalmente por una señal de control
externa. La conmutación desde el estado
"ON" al estado "OFF" se produce cuando la
corriente por el tiristor es más pequeña que
un determinado valor, denominada corriente
de mantenimiento, ("holding current"),
específica para cada tiristor.
ESQUEMAS-IMÁGENES-DIAGRAMAS. VENTAJAS DESVENTAJAS APLICACIÓNES
 Tiempo de recuperación inverso  Pérdidas de potencia: los diodos Se utilizan principalmente como diodos
(trr). de potencia tienen una caída de de libre circulación, en sistemas de
 Influencia del trr en la voltaje directo (Vf), lo que significa conversión de CA a CC y de CC a CA,
conmutación. que la energía eléctrica se rectificación, carga de baterías, etc.
 Tiempo de recuperación directo. convierte en calor. Esta pérdida Además, los diodos de potencia
 Alta tensiones ruptura de energía puede ser significativa también se utilizan en galvanoplastia,
 Corrientes elevadas de en aplicaciones de alta potencia. UPS, choppers, SMPS y calentamiento
conducción  Temperatura: como los diodos de por inducción. (Electronicaonline,
 Dependiendo la aplicación existe potencia generan calor, deben ser 2020).
una gran grama de diodos capaces de disiparlo. Si no se
 (gerromay, s.f.) manejan correctamente, la
temperatura puede aumentar y
causar daños al diodo.
 Capacidad de conmutación: los
diodos de potencia tienen una
capacidad limitada para cambiar
Activación sencilla, dispositivo de la  Conmutación limitada: los  Rectificación de corriente
ganancia de activación es muy alta. tiristores tienen una capacidad  carga de baterías
Bajo costo alto voltaje. alta corriente limitada para cambiar de estado,  soldaduras
(ISSUU, 2013) lo que significa que no pueden  regulación de fuentes de
apagarse con facilidad una vez alimentación
que se han encendido. Esto  Control de velocidad de motores
puede ser un problema en  máquinas herramientas
algunas aplicaciones donde se  Sustitución de dispositivos
requiere una conmutación rápida electromecánicos. Interruptor
y precisa.  relés
 Pérdidas de potencia.  protectores de sobre carga
 graduadores de iluminación
 sistema de encendido de motores
de explosión
 control de temperatura con
termopares
 Regulador, ya que permite ajustar
el momento preciso de cebado por

El SCR (Rectificador Controlado de Silicio) es
uno de los dispositivos más antiguos que se
conocen dentro de la Electrónica de Potencia
(data de finales de los años 50). Además,
continúa siendo el dispositivo que tiene
mayor capacidad para controlar potencia (es
el dispositivo que permite soportar mayores
tensiones inversas entre sus terminales y
mayor circulación de corriente).
SCR. El SCR está formado por cuatro capas
semiconductoras, alternadamente P-N-P-N,
Si entre ánodo y cátodo tenemos una tensión
positiva, las uniones J1 y J3 estarán
directamente polarizadas, en cuanto que la
unión J2 estará inversamente polarizada. No
habrá conducción de corriente hasta que la
tensión VAK aumente hasta un valor que
provoque la ruptura de la barrera de potencial
en J2.
Es un tiristor bidireccional de tres terminales.
Permite el paso de corriente del terminal A1
al A2 y viceversa, y puede ser disparado con
tensiones de puerta de ambos signos.
Cuando se trabaja con corriente alterna, es
interesante poder controlar los dos sentidos
de circulación de la corriente.
TRIAC.
 Corresponden a la región puerta-
cátodo y determinan las
propiedades del circuito de
mando que responde mejor a las
condiciones de disparo.
 Requiere poca corriente de gate
para disparar una gran
 corriente directa
 Puede bloquear ambas
polaridades de una señal de
 A.C.
 Bloquea altas tensiones y tiene
caídas en directa
 Pequeñas
 (P., 2007)
 Puede conmutar las dos mitades
de una onda AC
 Puedes usar un solo componente
para commutar ambos semiciclos
 (WIKI LIBROS , 2016)
 Conmutación limitada: al igual
que los tiristores, los SCR tienen
una capacidad limitada para
cambiar de estado, lo que
significa que no pueden apagarse
con facilidad una vez que se han
encendido. Esto puede ser un
problema en algunas aplicaciones
donde se requiere una
conmutación rápida y precisa.
 Pérdidas de potencia: los SCR
también tienen una caída de
voltaje directo (Vf), lo que significa
que la energía eléctrica se
convierte en calor.
 Pérdidas de potencia: los TRIAC
también tienen una caída de
voltaje directo (Vf), lo que significa
que la energía eléctrica se
convierte en calor.
lo que controlamos la potencia o la
corriente media de salida.
 Amplificador: puesto que la
corriente de mando puede ser muy
débil en comparación con la
corriente principal, se produce un
efecto de amplificación en corriente
o potencia. En ciertas aplicaciones
esta ganancia puede ser de
utilidad. (Ikastaroak, 2020)
 Controles de relevador.
 Circuitos de retardo de tiempo.
 Fuentes de alimentación
reguladas.
 Interruptores estáticos.
 Controles de motores.
 Recortadores.
 Inversores.
 Ciclo conversores.
 Cargadores de baterías.
 Circuitos de protección.
 Controles de calefacción.
 Controles de fase.
(Electronicaindustrialpsm, 2020)
 Para regular de la potencia media
entregada a una carga en corriente
alterna.
 Para controlar la potencia
entregada a una carga:
 Por variación del ángulo de
conducción.
 Por paquetes de semiondas a
tensión cero. Para controles de
velocidad de un ventilador eléctrico.
 Para el control de motor pequeños.
 Para el control de pequeños
electrodomésticos.
 Para el control de temperatura,
control de iluminación, control de
nivel de líquido, los circuitos de
control de fase, interruptores de
potencia, etc. (Ikastaroak, 2020)
 Un Gate Turn Off Thyristor (GTO) es un poder
dispositivo semiconductor que se puede
ENCENDER y APAGAR aplicando corriente
de compuerta. es básicamente un pap pap
dispositivo que se enciende aplicando
corriente de puerta positiva y se apaga con
corriente de puerta negativa en su terminal de
cátodo de puerta.
GTO.
En Electrónica de Potencia, los transistores
generalmente son utilizados como
interruptores. Los circuitos de excitación
(disparo) de los transistores se diseñan para
que éstos trabajen en la zona de saturación
(conducción) o en la zona de corte (bloqueo).
TRANSISTORES.
 limitación de los componentes
auxiliares en la conmutación
forzada, que da como resultado
una reducción en costo, peso y
volumen.
 Eliminación del ruido acústico y
electromagnético debido a la
eliminación de bobinas de
inducción en la conmutación.
 Desactivación más rápida,
permitiendo frecuencias de
conmutación más altas.
 Una eficiencia mejorada de los
convertidores.
(Ecured, s.f.)
Permitió maximizar el potencial de los
aparatos en tamaños muy inferiores a
los iniciales, sino que además facilitó
la construcción de artefactos capaces
de soportar mucha más tensión,
permitiendo su uso en condiciones de
mucha potencia eléctrica.
Además, los transistores son
relativamente económicos,
consumen poca energía, proveen
muchas horas de uso y pueden
permanecer en depósito durante
largo tiempo sin estropearse
 Pérdidas de potencia: los GTO  Éste se aplica en circuitos chopper
también tienen una caída de (conversiones de dc- dc) y circuitos
voltaje directo (Vf), lo que significa inversores (conversiones dc-ac) a
que la energía eléctrica se niveles de potencia en los que los
convierte en calor y se pierde en MOSFET's, TBJ's e IGBT's no
forma de disipación de calor en el pueden ser utilizados. (Wikipedia,
dispositivo. 2023)
 Complejidad: los GTO son
dispositivos más complejos que
otros tipos de dispositivos de
control de potencia, lo que
significa que su diseño,
fabricación y mantenimiento
pueden ser más complicados y
costosos. Además, los GTO
pueden requerir circuitos de
control y protección adicionales
para asegurar su correcto
funcionamiento.
 Sensibilidad a la temperatura: los  Son utilizados como interruptores
transistores son sensibles a las electrónicos, amplificadores de
variaciones de temperatura, lo señales o como conmutadores de
que puede afectar su rendimiento baja potencia. Como ejemplo se
y confiabilidad. En algunos casos, usan para controlar motores,
puede ser necesario utilizar accionar reveladores y producir
dispositivos adicionales, como sonidos en bocinas. (AYALA,
disipadores de calor, para Uelectronics, 2019)
asegurar que el transistor opere
dentro de su rango de
temperatura seguro.
 Polaridad: los transistores tienen
una polaridad, lo que significa que
deben estar conectados
correctamente en un circuito para
funcionar adecuadamente. Si se
conecta incorrectamente, el
transistor puede sufrir daños
permanentes.
 Corriente de fuga: los transistores
tienen una pequeña corriente de
fuga incluso cuando no están en
uso. Si esta corriente de fuga es
alta, puede afectar el rendimiento
del circuito y la vida útil del
transistor.
 Dispersión de parámetros: los
transistores no son todos iguales,
incluso si son del mismo modelo y
fabricante. Existen pequeñas

Así como podemos decir que el transistor
bipolar se controla por corriente, los MOSFET
son transistores controlados por tensión. Ello
se debe al aislamiento (óxido de Silicio) de la
puerta respecto al resto del dispositivo.
Existen dos tipos básicos de MOSFET, los de
canal n y los de canal p, si bien en Electrónica
de Potencia los más comunes son los
primeros, por presentar menores pérdidas y
MOSFET. mayor velocidad de conmutación, debido a la
mayor movilidad de los electrones con
relación a los agujeros.
El transistor IGBT, de las siglas en inglés
"Isolated Gate Bipolar Transistor", es un
dispositivo hibrido, o sea, el IGBT reúne la
facilidad de disparo de los MOSFET con las
pequeñas pérdidas en conducción de los BJT
de potencia. La puerta está aislada del
dispositivo, con lo que se tiene un control por
tensión relativamente sencillo. Entre el
colector y el emisor se tiene un
comportamiento tipo bipolar, con lo que el
IGBT. interruptor es muy cercano a lo ideal.
Este dispositivo posee la característica de las
señales de puerta de los transistores de
efecto campo con la capacidad de alta.
corriente y bajo voltaje de saturación del
transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT
es como el del MOSFET. mientras que las
características de son como las del BJT.
La principal aplicación de los
MOSFET está en los circuitos
integrados, p-mos, n-mos y cmos,
debido a varias ventajas sobre los
transistores bipolares:
 Consumo en modo estático muy
bajo.
 Tamaño muy inferior al transistor
bipolar (actualmente del orden de
media micra). Gran capacidad de
integración debido a su reducido
tamaño.
 Funcionamiento por tensión, son
controlados por voltaje por lo que
tienen una impedancia de entrada
muy alta. La intensidad que
circula por la puerta es del orden
de los nanoamperios.
El IGBT ofrece a los usuarios
las ventajas de entrada MOS, más la
capacidad de carga en corriente de
los transistores bipolares:
 Trabaja con tensión.
 Tiempos de conmutación bajos.
 Disipación mucho mayor (como
los bipolares).
variaciones en las características
eléctricas de cada transistor, lo
que puede afectar el rendimiento
del circuito y dificultar la
fabricación de dispositivos
electrónicos de alta calidad y
precisión.
 Sensibilidad a la tensión: los
MOSFET son sensibles a las
variaciones de tensión, lo que
puede afectar su rendimiento y
confiabilidad. Es importante
asegurarse de que el MOSFET
esté operando dentro de su rango
de tensión seguro para evitar
daños permanentes.
 Corriente de fuga: los MOSFET
tienen una pequeña corriente de
fuga incluso cuando no están en
uso. Si esta corriente de fuga es
alta, puede afectar el rendimiento
del circuito y la vida útil del
MOSFET.
 Tensión de saturación: el IGBT
tiene una tensión de saturación
mayor que otros dispositivos de
control de potencia, lo que
significa que puede haber
mayores pérdidas de energía y
disipación de calor en el
dispositivo.
 Sensibilidad a la temperatura: el
IGBT es sensible a las
variaciones de temperatura, lo
que puede afectar su rendimiento
y confiabilidad. Es importante
asegurarse de que el IGBT esté
operando dentro de su rango de
temperatura seguro para evitar
daños permanentes.
 Resistencia controlada por tensión.
 Circuitos de conmutación de
potencia (HEXFET, FREDFET,
etc.).
 Mezcladores de frecuencia, con
MOSFET de doble puerta. (AYALA,
Uelectronics, 2022)
 Se utilizan en redes con una
tensión nominal de hasta 6,5 kW
 Es posible utilizar un inversor,
variadores de frecuencia,
máquinas de soldar y reguladores
de corriente de pulso.
 Las variedades de IGBT de servicio
pesado se utilizan en potentes
accionamientos de control para
trolebuses y locomotoras eléctricas
 Estos transistores de potencia se
utilizan en circuitos de alto
voltaje. Se utilizan en los circuitos
de aires acondicionados,
lavavajillas, fuentes de
alimentación en equipos de
telecomunicaciones y en el
encendido de automóviles. (Erick,
2021)
 Este dispositivo enciende por irradiación
directa con luz de la oblea de silicio. Los
pares electron-hueco que crea la radiación
producen la corriente de disparo, bajo la
influencia del campo eléctrico. La estructura
de la compuerta se diseña para proporcionar
la sensibilidad suficiente para hacer la
LASCR. activación con fuentes luminosas normales
(por ejemplo, diodo emisor de luz. LED), y
para obtener grandes capacidades de las
tasas di/dt y dv/dt.
La especificación de voltaje de un LASCR
podría llegar a 4kV a 1500A, con potencia de
la luz de activación menos a 100mW.
El MCT es otro dispositivo semiconductor de
potencia hibrido que combina los atributos del
MOSFET y el tiristor. Está integrado por 2
MOSFET's, uno de ellos enciende al tiristor y
el otro lo apaga.
Todos los MCT's tienen integrados dos
dispositivos MOS para controlar las
propiedades de conmutación.
Entre el ánodo A y el cátodo K existe una
estructura pnpn que como ya se forma la
MCT. estructura del tiristor del MCT. La región gate
está formada por más de 105 celdas. Este
largo número de celdas provee superficies
cortas de largas secciones transversales
para una rápida y uniforme conmutación de
corriente. Dentro de la región ánodo gate
existen dos MOSFET’s, Uno de ellos es un
canal p, tipo pnp que es usado para el
encendido y el otro es un canal n, de tipo non
que es usado para el apagado.
El Dispositivo más importante bajo desarrollo
es el transistor de inducción estática (SIT). ΕΙ
SIT es un dispositivo portador mayoritario
(unipolar) en el que el flujo de electrones de
la fuente a el drenaje es controlado por un
potencial de barrera en el semiconductor de
SIT. dos dimensiones con forma de silla de montar
entre las compuertas metálicas. Si el dopado
y las dimensiones laterales son escogidas
adecuadamente, la altura del potencial de
barrera será modulado por la compuerta y el
drenaje.
Un LASCR ofrece un aislamiento
eléctrico completo entre la fuente
luminosa de activación y el dispositivo
de conmutación de un convertidor de
potencia, que flota a un potencial
hasta de algunos pocos kilovolts.
La potencia en encendido y apagado
es muy pequeña, el tiempo de retardo
es pequeño y como tiristor de
retención tiene caída baja de voltaje
en estado encendido
Las características de la salida del SIT
son usualmente no saturadas o "de
manera de tríodo", por ejemplo,
pareciéndose a un tríodo de tubo al
vacío. El SIT es importante como un
dispositivo de microondas a bajas
frecuencias en GHz porque esta
entrega potencia extremadamente
alta por unidad de área.
 Sensibilidad a la luz: el FSCT es  Los LASRC se utilizan en
sensible a la luz, lo que significa aplicaciones de alto voltaje y
que puede ser activado por corriente, por ejemplo, transmisión
fuentes de luz no deseadas, como de cd de alto voltaje (HVDC) y
la luz ambiental o la luz de otros compensación de potencia reactiva
dispositivos electrónicos estática o de volt-amperes
cercanos. Esto puede interferir reactivos (VAR). (Rob, 2015)
con su funcionamiento y afectar
su confiabilidad.
 Costo: el FSCT es más costoso
que otros tipos de dispositivos de
control de potencia, lo que puede
ser un factor limitante en algunas
aplicaciones.
 Sensibilidad a la temperatura: los Las aplicaciones de MCT incluyen lo
MCT son sensibles a las siguiente
variaciones de temperatura, lo  Los MCT se utilizan en los
que puede afectar su rendimiento disyuntores.
y confiabilidad. Es importante  Se utiliza en aplicaciones de
asegurarse de que el MCT esté mayor potencia como
operando dentro de su rango de conversiones de alta potencia.
temperatura seguro para evitar  Los tiristores de control MOS
daños permanentes. se utilizan en el calentamiento
por inducción.
Sistemas UPS
 También se utiliza en
el convertidor como
convertidor DC a DC.
 Los factores de potencia
variables, las operaciones se
utilizan en los MCT como un
interruptor de potencia
comprometida por la fuerza.
(es.jf-parede.pt, 2020)
 Disponibilidad limitada: el SIT es  Es adecuado para aplicaciones de
un dispositivo de semiconductor alta potencia, ha estado en el
relativamente nuevo y su equipo de comunicaciones del
disponibilidad en el mercado radar, la energía ultrasónica
puede ser limitada en amplificación, amplificación de
comparación con otros potencia del pulso y de
dispositivos más comunes. calentamiento por inducción de alta
frecuencia en ciertos ámbitos
profesionales ha sido más
aplicaciones. (Es.Swewe.Net,
2018)
 El transistor de unión bipolar (del inglés
Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT)
es un dispositivo electrónico de estado sólido
consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite controlar el paso de la
corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
NPN BJT.
Por lo general, un SITH es activado al
aplicársele voltaje positivo de una compuerta,
como los tiristores normales, y desactivado al
aplicársele un voltaje negativo a su
compuerta. Un SITH es un dispositivo de
portadores minoritarios. Como consecuencia,
el SITH tiene una baja resistencia en estado
activo, así como una baja caída de potencial,
SITH y se puede fabricar con especificaciones de
voltaje y corriente más altas.
Un SITH tiene velocidades de conmutación
muy rápidas y capacidades altas de dv/dt y
di/dt. El tiempo de conmutación es del orden
de 1 a 6 s. La especificación de voltaje puede
alcanzar hasta 2500v y la de corriente está
limitada a 500 A (Daviana, 2010).
Son dispositivos semiconductores de
estado sólido que permiten controlar
el paso de corriente o disminuir voltaje
a través de sus terminales.
(AYALA, 2019)
Alta eficiencia: el SITH tiene una
eficiencia de conversión de energía
más alta que otros dispositivos de
control de potencia, lo que significa
que puede convertir la energía de
manera más efectiva y reducir las
pérdidas de energía.
Alta velocidad de conmutación: el
SITH puede cambiar de estado más
rápido que otros dispositivos de
control de potencia.
 Corriente de base: la corriente de
base es necesaria para activar el
transistor NPN BJT, pero esta
corriente puede causar pérdidas
de energía y disipación de calor
en el dispositivo. Además, la
corriente de base puede ser
influenciada por factores
ambientales, como la
temperatura, lo que puede afectar
el rendimiento del transistor.
 Ganancia: la ganancia del
transistor NPN BJT puede ser
afectada por la temperatura y
otros factores ambientales.
Además, la ganancia puede variar
significativamente entre
diferentes dispositivos, lo que
puede requerir ajustes en el
circuito.
 Frecuencia de operación: el
transistor NPN BJT no es ideal
para aplicaciones de alta
frecuencia debido a su capacidad
limitada para cambiar de estado
rápidamente. En estos casos,
otros dispositivos como los
MOSFET pueden ser más
adecuados.
 Disponibilidad limitada: el SITH es
un dispositivo relativamente
nuevo y su disponibilidad en el
mercado puede ser limitada en
comparación con otros
dispositivos más comunes.
 Un transistor NPN, que también se
llama BJT, puede ser usado para
dos cosas. El transistor puede
funcionar como un interruptor
controlado electrónicamente o
como un amplificador con ganancia
variable. El transistor es también la
base para el desarrollo de sistemas
digitales como compuertas
lógicas. la más usada es el uso del
transistor NPN como interruptor
electrónico, para este
funcionamiento, el transistor debe
de operar en las zonas llamadas
corte y saturación. (Hetpro-Store,
2021)
 Un SITH es activado al aplicársele
un voltaje positivo de compuerta,
como los tiristores normales, y
desactivado al aplicársele un
voltaje negativo a su compuerta.
 Inversor de energía
 Inversor Potencia
(Dte_Recursos., 2021)
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