Unidad02a Dispositivos INTRO Transpv05 SEP20

Unidad 2.
Semiconductores de potencia.
Introducción
Introducción
1. Introducción.
2. El interruptor ideal. Características.
3. El interruptor real. Pérdidas.
4. Especificaciones mas importantes.
5. Clasificación
6. Dispositivos más habituales
Semiconductores. Intro
2.1. Introducción
Sistema electrónico de
potencia
Formado por varios elementos:
4
2.1. Introducción
Dispositivos disponibles para el diseñador de circuitos
2.1. Introducción
Dispositivos empleados en electrónica de señal
6
2.1. Introducción
Dispositivos empleados en electrónica de potencia
2.2. El interruptor ideal

Trabaja como un interruptor. (CONMUTACIÓN)
Control
Características ideales:
 Dos estados:
 Alta impedancia (corte, bloqueo ≡ OFF ≡ apagado)
 Baja impedancia (conducción ≡ ON ≡ encendido)
 Sin ninguna intensidad en bloqueo y soporte tensiones muy elevadas.
 Grandes intensidades en conducción, y sin caida de tensión entre extremos.
 Facilidad para paso de un estado a otro, y que sea con muy pequeña energía.
 Rapidez en la transición para pasar de un estado a otro
 SIN PÉRDIDAS en las transiciones.
8
2.2. El interruptor ideal

Cálculo de pérdidas de potencia
isw (t )
Control + v sw (t ) -
Interruptor en bloqueo: isw (t ) = 0
Interruptor en conducción: vsw (t ) = 0
En cualquier estado: psw (t ) = vsw (t )isw (t ) = 0
9
El interruptor ideal NO consume potencia. SIN PÉRDIDAS
2.3. El interruptor real

Cálculo de pérdidas de potencia
isw (t )
Control + v sw (t ) -
Interruptor en bloqueo: isw (t ) ≠ 0

Interruptor en conducción: vsw (t ) ≠ 0
En cualquier estado: psw (t ) = vsw (t )isw (t ) ≠ 0
10
Hay consumo de potencia en el interruptor real: HAY PÉRDIDAS.
2.3. El interruptor real

Otras pérdidas de potencia
En las transiciones debido a que los cambios
de estado no son instantáneos sino que
tienen una duración medible
tenc : Tiempo de encendido
tapag : Tiempo de apagado
11
2.4. Especificaciones mas importantes

Son las características de funcionamiento de cada dispositivo y se
encuentran detalladas en datasheets que proporciona el fabricante.
 Características estáticas.
 Capacidad de corriente máxima.
 Caída de tensión en estado ON y su dependencia con Tª
 Corriente de fugas en estado OFF
 Capacidad de tensión de bloqueo
 Características dinámicas.
 Tiempos de transición durante encendido y apagado
 Perdidas en conmutación (dispositivos controlados) y de recuperación inversa (diodos)
 Capacidad de variaciones I o V durante las conmutaciones
 Otras (interrupir corriente o soportar V e I elevadas a la vez
 Características térmicas.
 Temperatura máxima de la unión
 Resistencia térmica
 Características de control
12  Requisitos de control y complejidad del circuito de control

Capacidades de tensión.
 TENSION INVERSA, que es la tensión que debe bloquear sin dañarse.
 Tensión máxima en continua.
 VRRM: Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage. (tensión de pico repetitivo)
 VRSM: Maximum Non Repetitive Peak Reverse Voltage (tensión de pico no repetitivo)
 TENSIÓN DIRECTA, que es la caída de tensión en conducción.
 VF: Forward Voltage
 Tambien aparece como VD, VCE(sat), …
Capacidades de corriente.
 CORRIENTE DIRECTA, que es la corriente que debe soportar sin dañarse.
 IF(avg): Average Forward Current (Corriente media máxima).
 IF(RMS): Maximum RMS Current (Corriente eficaz máxima).
 IFRM: Maximun Repetitive Peak Forward Current (Corriente de pico repetitivo).
 IFSM: Maximun Non Repetitive Peak Forward Current (Corriente de pico no repetitivo)
13
 CORRIENTE DE FUGAS, que es la corriente que circula cuando no está en
conducción.

Pérdidas por conmutación
 Durante las transiciones ABIERTO 
CERRADO hay corrientes y voltajes de
forma simultánea en el dispositivo que dan
lugar a energía disipada en forma de calor.
T
E =  v ⋅ i ⋅ dt
0
P=
E i
= f s  Ei
T
CONDUCCIÓN
 Debido a su naturaleza repetitiva suele ser
una parte apreciable de las pérdidas.
 Dependen de la frecuencia de conmutación.
ENCENDIDO APAGADO
Frecuencia de conmutación.
 Rapidez con la cual es capaz de conmutar un dispositivo. Está limitada por:
14
a) pérdidas en conmutación; b) capacidades parásitas; y c) difusión de portadores.

Area de Operación Segura (SOA)
 La SOA (Safety Operation Area) establece sobre un plano V-I los valores admisibles
de tensión y corriente que permiten la operación en estado estable de un dispositivo,
así como de potencia máxima, avalancha secundaria, etc…
Requisitos de activación del terminal de control

 El voltaje y la tensión de activación son parte de pérdidas y de coste total del equipo.
 Pueden ser importantes para las pérdidas totales si son pulsos grandes y duraderos
en el tiempo para hacer la conmutación.
Potencia máxima admisible

 La energía disipada en forma de calor es proporcional a las pérdidas de potencia (W).
Hay un límite a esta disipación que es la potencia máxima que es capaz de soportar un
dispositivo sin destruirse.
15 PTOTALES = PENCENDIDO + PAPAGADO + PCONDUCCION + PACTIVACIÓN

Temperaturas
 La temperatura máxima de la unión, Tj, y de carcasa son normalmente entre
150ºC y 200ºC.
 La temperatura de almacenamiento es entre -50ºC y 175ºC.
Resistencia térmica
 La disipación de potencia debe ser rápida desde la oblea interna a través del
encapsulado y finalmente hacia el medio de enfriamiento.
 Hay varios tipos:
 Resistencia térmica unión-carcasa (también oblea-encapsulado). RthJC
 Resistencia térmica carcasa-disipador (también encapsulado-radiador).
RthCS
 Resistencia térmica disipador-ambiente (también radiador-ambiente). RthSA
 Se montan sobre disipadores o radiadores de calor. Esto encarece el coste
del equipo.
16

I2t para protección con fusible
 Es un parámetro que sirve para seleccionar un fusible que proteja al
dispositivo por sobrecorriente.
 La característica I2t del dispositivo debe ser menor que la del fusible.
Capacidad de di/dt
 El dispositivo necesita un tiempo mínimo para que toda su superficie
conductora intervenga para conducir la corriente.
 Si la corriente aumenta con rapidez, podría dar lugar a una
concentración en cierta región y dañar al dispositivo.
 Se puede limitar esta variación con una red ”snubber” en serie.
Capacidad de dv/dt
 Un dispositivo semiconductor tiene una capacidad interna, Cj.
 Al conectar la alimentación, la corriente inicial, Cjdv/dt, que pasa por esa
capacidad puede ser demasiado alta y dañar al dispositivo.
17  Se puede limitar esta variación con una red “snubber” en paralelo.
2.5. Clasificación
 Se pueden emplear varios criterios:

 Capacidades de funcionamiento (datasheets).
 grado de controlabilidad.
 cuadrante de trabajo.
 características de la señal disparo.
 Semiconductor base.
18
2.5.1. Clasificación por controlabilidad
 Interruptores no controlados: DIODOS
 Interruptores semicontrolados: TIRISTORES (SCR)
 Interruptores controlados: BJT, MOSFET, IGBT, GTO, MCT
Hay muchos dispositivos. Estos son algunos.

BJT. Bipolar Junction Transistor
MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transitor
IGBT: Insulated-Gate Bipolar Transistor
SCR: Silicon Controlled Rectifier
GTO: Gate-Turn-Off Thyristor
19
MCT: MOS-Controlled Thyristor
2.5.2. Clasificación por cuadrante de trabajo
Interruptor Interruptor
de un de dos
cuadrante cuadrantes
en corriente
Interruptor
de dos Interruptor
cuadrantes de cuatro
en tensión cuadrantes
20
2.5.2. Clasificación por cuadrante de trabajo

Un solo cuadrante
Estado ON – CONDUCCIÓN  i sw > 0
Estado OFF – CORTE o BLOQUEO  v
sw > 0
Varios cuadrantes
21 Es un único dispositivo o una composición de varios dispositivos.
2.5.3. Clasificación por señal de disparo

Señal continua
22
2.5.3. Clasificación por señal de disparo

Tren de pulsos
23
2.5.4. Clasificación por semiconductor base

 Silicio (Si)
 Semiconductores de banda ancha (WBG devices):
 SiC, GanN y diamante
 Mejoran propiedades respecto al silicio tales como:

 Mayor distancia entre bandas.
 Mayor movilidad en portadores.
 Conductividad térmica y eléctrica mayor.
24
WBG. Wide Band Gap

Semiconductores de banda ancha (WBG devices):
 Los dispositivos de potencia basados en estos materiales:
 Presentan mayores capacidades eléctricas, y térmicas.
 Permiten trabajar a mayor frecuencia de conmutación.
 Tienen un voltaje relativamente bajo en estado ON .
 El tamaño y coste se reduce por menor disipación y menor tamaño de
componentes, y una mayor densidad de potencia.
25
WBG. Wide Band Gap

Aplicaciones para semiconductores WBG
 SiC para aplicaciones de alta potencia
 GaN para aplicaciones con alta frecuencia de conmutación
26

Aplicaciones para semiconductores WBG
27

Dispositivos fabricados en silicio

Evolución de dispositivos en silicio
SCR/Diode
2.6. Dispositivos mas habituales
 DIODOS
 Símbolo
 TIRISTORES (SCR)
 Funcionamiento
 BJT  Tipos.
 Calcular pérdidas.
 MOSFET
 IGBT
30
DIODOS
31
Ejemplo: Diodo ANODO (A)
Interruptor no controlado.
- Estado ON y OFF depende del circuito de potencia.
CATODO (K)
Característica estática:
U02a-32
Ejemplo: Diodo ANODO (A)
CATODO (K)
Un solo cuadrante:
- Circula corriente en un único sentido  i sw > 0
- Bloquea tensión inversa  v sw < 0
U02a-33
Ejemplo: Diodo
Modelo estático del diodo en conducción
Varias aproximaciones que afectan al cálculo de las pérdidas en conducción.
Ideal primera aprox. segunda aprox.
Pérdidas en conducción: PD ,COND = EI d ,med + RD I D2 ,rms

U02a-34
Ejemplo: Diodo
Característica dinámica del diodo: tiempo de recuperación
inversa, trr
Varias aproximaciones que afectan al cálculo de las pérdidas en conducción.
U02a-35
El tiristor
SCR-Silicon Controlled Rectifier
36
Ejemplo: Tiristor
ÁNODO
(A)
Interruptor semicontrolado. PUERTA (G)

- Estado ON depende del terminal de puerta.
- Estado OFF depende del circuito exterior.
CÁTODO (K)
U02a-37
Ejemplo: Tiristor ÁNODO

(A)
PUERTA (G)
 BLOQUEA tensiones negativas y POSITIVAS
CÁTODO (K)
 CONDUCCIÓN
 DISPARO DESEADO DEL TIRISTOR.
 Característica de puerta: Zona de disparo posible. Se suelen emplear transformadores
de impulsos y en forma de ráfagas.
 Además, hay unos requisitos de disparo que son VAK>0 e iT>iLATCH
 Puede producirse un DISPARO NO DESEADO.
 Por tensión excesiva VAK, por luz o por variación excesiva de tensión o corriente.
 Se utilizan protecciones.
 APAGADO
 No se puede apagar de forma controlada. (SEMICONTROLADO), sino que tiene que
anularse la corriente que pasa por el tiristor, es decir iT<iHOLD
 Circuitos de extinción libre o forzada.
U02a-38
Ejemplo: Tiristor
U02a-39
Ejemplo: Tiristor ÁNODO

(A)
PUERTA (G)
CÁTODO (K)
Se comporta como un diodo y las pérdidas se

obtienen de forma similar.
A veces, el fabricante puede dar algún dato en

tabla o gráfico.
Pérdidas en conducción: PT ,COND = EI T ,med + RT I T2,rms
U02a-40
TRIAC
41
Ejemplo: TRIAC
 Funciona como un tiristor, pero es bidireccional.
 Al dispararlo, conduce hasta que la corriente pasa por cero.
 Se puede disparar con corrientes entrantes y salientes.
U02a-42
BJT
BJT-Bipolar Junction Transistor
43
Ejemplo: BJT COLECTOR (C)
BASE (B)
Interruptor controlado.
- Estado ON y OFF depende del terminal BASE.
EMISOR (E)
U02a-44
BASE (B)
EMISOR (E)
Un solo cuadrante:
- Estado ON: Circula corriente en un único sentido.  i sw > 0
- Estado OFF: Bloquea tensión positiva.  v sw > 0
U02a-45
BASE (B)
EMISOR (E)
Pérdidas en conducción:
PBJT ,COND = VCE ( sat ) I C ,med + Ron I C2 ,rms
U02a-46
MOSFET
MOSFET- Metal Oxide Semiconductor Field Efect Transistor
47
Ejemplo: MOSFET DRENADOR (D)
Interruptor controlado. PUERTA (G)
- Estado ON y OFF depende de la tensión entre

puerta y surtidor (VGS)
SURTIDOR (S)
U02a-48
Ejemplo: MOSFET DRENADOR (D)
PUERTA (G)
Dos cuadrantes en corriente.
- Estado ON: Circula corriente en sentido positivo y
negativo (bajo ciertas condiciones).
- Estado OFF: Bloquea tensión positiva. SURTIDOR (S)
Dos cuadrantes en corriente:
Diodo
parásito
U02a-49
Ejemplo: MOSFET
El MOSFET se modela como una resistencia cuando conduce.
Pérdidas en conducción: PMOS ,COND = RDS (ON ) I D2 ,rms
U02a-50
Ejemplo: MOSFET
El MOSFET se dispara con un señal de tensión en la puerta.
Pérdidas en conducción: PMOS ,COND = RDS (ON ) I D2 ,rms
U02a-51
Ejemplo: MOSFET
Características dinámicas del MOSFET
U02a-52
Ejemplo: MOSFET
Pérdidas en conmutación PMOS,CONMUT = fS(Eon + Eoff)
CONDUCCIÓN
Eon Eoff
Ejemplo: MOSFET
Otras características del MOSFET
 No presenta avalancha secundaria.

 Coeficiente de temperatura positivo (paralelizar varios)
 La mayoría de los MOSFET de potencia son de acumulación de
canal N.
U02a-54
IGBT
IGBT – Insulated-Gate Bipolar Transistor
55
Ejemplo: IGBT COLECTOR (C)
PUERTA (G)
Híbrido entre BJT y MOSFET
Interruptor controlado.
EMISOR (E)
- Estado ON y OFF depende del terminal PUERTA.
Un solo cuadrante.
- Estado ON: Circula corriente en un único sentido.
- Estado OFF: Bloquea tensión positiva.
U02a-56
Ejemplo: IGBT
U02a-57
Ejemplo: IGBT COLECTOR (C)
PUERTA (G)
 Ventajas como MOSFET

 Totalmente controlado por tensión de puerta.
EMISOR (E)
 Rapidez de conmutación.
 No presenta avalancha secundaria.
 Ventajas como BJT

Modelo pérdidas en conducción similar a BJT.
Corriente de colector similar a bipolar.
COLECTOR
 Desventajas
 Cola de corriente. Retrasa el apagado.
 Coeficiente de temperatura negativo.
EMISOR
U02a-58
Otros
59
Otros ejemplos. Hay muchos mas…
BJT+diodo MOSFET+diodo
antiparalelo antiparalelo BJT+diodo
serie
C
GTO
A IGCT
U02a-60
Transistores: evolución histórica
Para el funcionamiento como interruptor (o relé), la única opción real era el BJT (años 70). Después
surgió el MOSFET y posteriormente el IGBT (mediados de los 80), para aprovechar lo mejor de los
dos anteriores. En la actualidad cada uno tiene su nicho de aplicación.
BJT
 El BJT requiere una corriente (hoy considerada) alta para entrar en conducción (zona de
saturación) y es relativamente lento en sus características de apagado (pasar a zona de corte). Es
la “cola” de corriente.
 Coeficiente de temperatura negativo.
 Caída de tensión grande (VCE(sat)) implica pérdidas en forma de calor y destrucción si IC grande.
MOSFET
 Se controla por tensión (no por corriente).
 Coeficiente de temperatura positivo.
 Resistencia en conducción pequeña RDS(on).
 El diodo intrínseco que incluye permite recirculación de corriente en aplicaciones de conmutación
de potencia, que en otro caso destruiría el circuito.
 Limitado en potencia. Por eso se suele usar con potencias medias y alta frecuencia
U02a-61
Transistores: evolución histórica

IGBT
 Elegido para aplicaciones de potencias grandes con altas corrientes.
 Hibrido entre BJT y MOSFET.
 Alta capacidad de corriente (del BJT) y controlado por tensión (del MOSFET).
 Frecuencias no tan altas ( hasta 20kHz) S
 Algunos no incorporan diodo de protección. Coeficiente de temperatura negativo.
U02a-62
2.6. Capacidades máximas alcanzadas
63
64
65
66
67
2.6. Principales fabricantes
68
2.6. Distribuidores mas habituales
http://es.farnell.com/
http://es.rs-online.com
69
2.7. Resumen
 Distinguir los elementos utilizados y prohibidos en los circuitos de
potencia.
 Presentar las características deseables del interruptor ideal y compararlas
con las de un interruptor real (dispositivo semiconductor).
 Introducir el concepto de pérdidas en las conmutación.
 Clasificar los dispositivos semiconductores según varios criterios.
 Enumerar las principales características que hay que localizar en un
dispositivo semiconductor para tener un criterio de selección entre varios
del mismo tipo.
 Conocer la situación de los diferentes dispositivos en los ejes V-I-P y
compararlos entre sí y los principales fabricantes.
 Saber como calcular las PÉRDIDAS en cada dispositivo.
71
2.7. Resumen de principales dispositivos

 Diodo de potencia. Un dispositivo de dos terminales similar a los diodos empleados
en electrónica de señal, pero con mayores capacidades de tensión y potencia.
 Tiristor. Es un dispositivo de tres terminales (el tercero se llama puerta). Se enciende

con un pulso de corriente pero se apaga cuando la corriente se extingue. Tiene una
velocidad de conmutación baja comparada con otros dispositivos.
 El MOSFET de potencia. Similar a los FET. Se puede encender y apagar con una
señal de tensión. Es el dispositivo mas rápido paro tiene perdidas relativamente altas
en conducción y una capacidades de tensión/corriente pequeñas comparadas con
otros dispositivos.
 El IGBT. Puede ser encendido/apagado por tensión como el MOSFET. Tiene bajas
pérdidas en conducción y es rápido. Es un dispositivo propio de electrónica de
potencia y el mas empleado en aplicaciones de media/alta potencia.
 El GTO es un tiristor pero que se puede apagar con un pulso negativo de corriente.
72
 El IGCT y GTO son dispositivos similares, pero el IGCT está al GTO en la mayoria de
aplicaciones por ser menos complejo de activar y mas rápido.
Muchas gracias por su
atención y quedo a su
disposición para contestar
sus preguntas
73
Unidad 2.
Introducción

Unidad02a Dispositivos INTRO Transpv05 SEP20

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Unidad 2.

2.2. El interruptor ideal

2.2. El interruptor ideal

2.3. El interruptor real

Interruptor en bloqueo: isw (t ) ≠ 0

2.3. El interruptor real

2.4. Especificaciones mas importantes

2.4. Especificaciones mas importantes

2.4. Especificaciones mas importantes

2.4. Especificaciones mas importantes

Requisitos de activación del terminal de control

Potencia máxima admisible

15 PTOTALES = PENCENDIDO + PAPAGADO + PCONDUCCION + PACTIVACIÓN

2.4. Especificaciones mas importantes

2.4. Especificaciones mas importantes

 Se pueden emplear varios criterios:

2.5.1. Clasificación por controlabilidad

 Interruptores no controlados: DIODOS

 Interruptores semicontrolados: TIRISTORES (SCR)

 Interruptores controlados: BJT, MOSFET, IGBT, GTO, MCT

Hay muchos dispositivos. Estos son algunos.

2.5.2. Clasificación por cuadrante de trabajo

2.5.2. Clasificación por cuadrante de trabajo

2.5.3. Clasificación por señal de disparo

2.5.3. Clasificación por señal de disparo

2.5.4. Clasificación por semiconductor base

 Semiconductores de banda ancha (WBG devices):

 SiC, GanN y diamante

 Mejoran propiedades respecto al silicio tales como:

2.5.4. Clasificación por semiconductor base

2.5.4. Clasificación por semiconductor base

2.5.4. Clasificación por semiconductor base

2.5.4. Clasificación por semiconductor base

2.5.4. Clasificación por semiconductor base

2.6. Dispositivos mas habituales

2.6. Dispositivos mas habituales

Ejemplo: Diodo ANODO (A)

Ideal primera aprox. segunda aprox.

Pérdidas en conducción: PD ,COND = EI d ,med + RD I D2 ,rms

2.6. Dispositivos mas habituales

Interruptor semicontrolado. PUERTA (G)

Ejemplo: Tiristor ÁNODO

Ejemplo: Tiristor ÁNODO

Se comporta como un diodo y las pérdidas se

A veces, el fabricante puede dar algún dato en

Pérdidas en conducción: PT ,COND = EI T ,med + RT I T2,rms

2.6. Dispositivos mas habituales

2.6. Dispositivos mas habituales

Ejemplo: BJT COLECTOR (C)

Ejemplo: BJT COLECTOR (C)

PBJT ,COND = VCE ( sat ) I C ,med + Ron I C2 ,rms

2.6. Dispositivos mas habituales

Ejemplo: MOSFET DRENADOR (D)

Interruptor controlado. PUERTA (G)

- Estado ON y OFF depende de la tensión entre

Dos cuadrantes en corriente:

Pérdidas en conducción: PMOS ,COND = RDS (ON ) I D2 ,rms

Pérdidas en conducción: PMOS ,COND = RDS (ON ) I D2 ,rms

 No presenta avalancha secundaria.

2.6. Dispositivos mas habituales

Ejemplo: IGBT COLECTOR (C)

Ejemplo: IGBT COLECTOR (C)

 Ventajas como MOSFET