CIRCUITOS ANALOGICOS II

• AMPLIFICADORES DE POTENCIA
(GRAN SEÑAL)

DOCENTE:ING. FERNANDO LOPEZ ARAMBURU

 Amplificadores de Potencia (Gran Señal)
Sirven para excitar altavoces, servomotores, TRC,
y otros, proporcionan grandes cantidades de
corriente.

Clase B (Simétricos Complementarios) V

Si Vi=0 , Q1,Q2 en OFF
Si Vi>0 , Q1 →ON Q1

Q2 →OFF Vi Vo

Si Vi<0 , Q1 →OFF RL
Q2 →ON Q2

-V
Análisis :
Vo
Sea Vi = |aV| sen(ωt) ; 0  a  1 V

iL = |aV/RL| sen(ωt)
-Vγ 45º
T /2 aV
Ic1 = (1 / T )  sen(t)dt 45º Vγ Vi
Cross-over
0 RL
-V

aV aV
Ic1 = , Ic 2 =
 .RL  .RL
Potencia Fuente: Pcc=(2V)(Ic1)
Pcc=(2V)(aV/ RL)

2.a .
V 2
Pcc= (1)
 .RL
Potencia Carga: RL
aV
PL = (RL)(I2rms)=RL( )2
2 .R L
a 2V 2 (2)
PL =
2.RL

PLmax → cuando a=1

V 2
PLmax =
2.RL
Eficiencia:

η = (PL/Pcc)x 100
a 2V 2
a
η = 2 RL
=
2a V 2 4
RL

Si a=1

η= = 78.5%
4
Potencia Disipada por el transistor :
2 a 2 a 2V 2
Pc = (1/2) (Pcc-PL) = (1/2) ( V - )
 .RL 2.RL
V 2
Pc = (1/2) (2a-a2π /2) ……. (α)
 .RL
Hallamos el “a” para Pc máxima: (derivamos)
dPc 2a a=
2
=0 2− =0
da 2 
V2
Reemplazando en (α) obtenemos: Pc max =
 2 .RL
Si π 2=10 → Pc max = 0.2 PL max . Si PL max =
20watts entonces Pc max = 4 wattts
Otra configuración: VCC

Q1

Vcc/2
Xc
vi vo

RL

Q2

0 0
Donde debe cumplirse que Xc <<< RL
Diodo Amplificador :
I = Vγ/R1=VAB/(R1+R2)
V

A VAB= Vγ(R1+R2)/R1
R2

Q1
VAB= Vγ(1+ R 2 )
I R1
R1 Vγ VAB = K Vγ

B
 Clase AB:

+V (se corrige el crossover)

I

Q1 0

Vi V0

RL
Q2

0 0
I
-V
 VCC

Q1

+V

R3
I

Q1 0

R2

Vi V0
<>
vi
vo
RL
Q2
RL
R3

0 0
I 0
-V
R2

Q2

-VCC
 2
Vcc
sen(t )
2V
iLmax =  Pcc =
PL max
R

2 2
V V
Pcmax = ; PLmax =
 RL
2
2 RL
Otro caso:

VCC V
I2
V
Q1

Xc
vo

RL

I1
Q2
0

0 0
 (Corrientes Altas)
C

C
(B+1)*Icbo B*Ib
<>
B
B
E

E
 I CB 01 = I CB 02 = I C 0
+V

RE 1 = RE 2 = RE
Q1
0

Resistencias bajas

R
Re1 W, kW
V0
VBE1 = VBE 2 = V
R
e2
RL 1 =  2 =   baja 15, 20
Q2
0
I B1 = I B 2 = I B
0

I -V
 0

Figura del circuito Vcc

B*Ib 1+(B +1)*Icbo

Io
IB1 1

RE
V+
R

RL
RE
V-
0
IB2 2
B*Ib 2+(B +1)*Icbo

Io

* La IB1 entra hacia el punto (1) y la IB2 sale del punto (2).
(I D − I B )R = 2V + 2RE I B + ( I + 1) I CBO + I B 
I D R − I B R = 2V + 2 RE I B (  + 1) + 2 RE ( I + 1) I CBO

I D R − 2V = I B ( R + 2 RE (  + 1)) + 2 RE ( I + 1) I CBO

I B ( R + 2 RE (  + 1)) = 2 RE ( I + 1) I CBO

I C 
SI = =
I CBO 1+ 2 RE 
R
I C − 2

2
SV = = SV = − S I ( )
V R + 2 R(  + 1) R
 I B 2 RE (  + 1)
=−
I CBO ( R + 2 RE (  + 1))

Pero: I C = I B + (  + 1) I CBO

I C I B
= + (  + 1)
I CBO I CBO
RESISTENCIA TERMICA DEL BJT
(C )
(TJ − Ta )
Pc = VCE  I C = = Watt
R Ja C
( )
W
PC
Sin disipador

PCmax 1 1
m= =
R Ja  Ja

Ta TJ T(°C)

TJ: Temperatura juntura térmica Ta:Temperatura ambiente

23° - 27°
 RESISTENCIA TERMICA DEL
BJT
TJ (unión juntura del) (Fabricante)
BJT
RJC
TC (Cubierta,,juntura)
mica
Po
RCS
TS (Sink, disipador)

RSa
Ta (ambiente, medio)

RJa= RJC + RCS + RSa

 (TJ − Ta )
J
PC =
R Ja

PC  1 
SINK
=  
T  RJa 
B E
AMBIENTE

PC  1 
  
Para asegurar estabilidad
térmica :
T  R Ja 
  (VCC I C ) 1
+V 
T RJa
VCE = VCC
I C 1
VCC  
T R Ja

RL I C
VCC  RJa  1
T
-V  I C   I CBO 
(VCC  R Ja )       1
 I CBO   T 

 I CBO 
(VCC  RJa )  S I    1
 T 
 T
Silicio:
I CBO = I CBO 25 2 6 I CBO = I CBO1  e K .T

T I CBO
Ge: I CBO = I CBO 2 10 = ( K  I CBO1 )  e K .T
25 T
 REDES ZOBEL
• Configuración que se utiliza para que el circuito resuene a la frecuencia
deseada.
Zobel

+V
RZ RL

DATOS

RL CZ L

-V

Zeq
Zobel
1
RZ + j
1 1   CZ R L − j L
Yeq = + Yeq = + 2
1 R L + jL 1 +  2
RZ − j RZ
2
+ 2 R L ( L )
  CZ   CZ 2
 REDES ZOBEL 0

 1 
 
RZ RL    CZ L 
Yeq = + + j  2 − 
+ (L) 2 + 
2 2
1 RL 1 R ( L ) 2
RZ +  RZ + 2
2
L

 2  CZ 2    CZ 2 

RZ = RL Caso cuando
Por EE112:
resuena a
L cualquier RL2 = RZ2 = XL.XC
CZ = 2 frecuencia

RL
RL RL RL RL
Yeq = + = +
RL + X C RL + X L
2 2 2 2 2 2
2.RC 2.RC

Zeq = R L aprox. → 8W
 PROTECCION CONTRA
CORTOCIRCUITO
+v iL= corriente máxima

I
iSC=(20% - 30%).iL Mas o por encima

Q1
+
Ejemplo: Si IL=4Amp
- +
RE1
- iSC = 4.8 Amp (mínimo)
V0
RE1 RL iSC = 5.2 Amp (máximo)

0 .7
Q2 R E1 =
i SC
I
-v
 +V  R2 
i SC  RE1   = 0.7 Q3
 R1 + R2 
I Q1
R1
Q3 i SC = (+ )  (20% − 50%) De iL
R2 RE1 iL

RE2 RL Vo
R2

i SC = 1.2  i L MAX
R1
 CIRCUITO FOLDBACK
• Estos circuitos reducen la corriente de cortocircuito (a un valor
inferior de la corriente máxima permitida).

+V V0
ISC < IMAX

Q1

VR3 R2
Q4 V1 ISC IMAX
+
V I1
- R3 RE VR 3 = V + VO .......... .......(1)
IMAX
 R3 
V0 VR3 = V 1    = V1  M .......... (2)
 R2 + R3 
RL
V1 = ( I MAX  RE ) + VO .......... ...(3)
R3
M =
R2 + R3
De (3): V1 − VO V V
I MAX = = 1 − O
RE RE RE
VR 3  R2 + R3  VO
I MAX =   −
RE  R3  RE
VR 3 V V + VO VO
I MAX = − O = −
M  RE RE M  RE RE
V V 1− M 
I MAX = + O .......... .......(*)
M  RE RE  M 
Si VO=0 (corto-circuito) : V
I SC =
M  RE
En (*): VO 1− M  V  1 
I MAX = I SC +   = I SC + O  − 1
RE  M  RE  M 
VO
I SC
RE =
 VO  I MAX

 1 +  −
 V  I SC
Ejemplo: Vcc=24 ISC =1.2
Rb

IMAX =2.5Amp
 VO
Rc Ra
RL=8 W Diseñe una Red de
Vi Protección “foldback”

Rd

Solución: 12
RE = 1.2 R E = 0.63W
 12  2.5
1 + −
 0.7  1.2
R3
M = .......... .......... .(1)
R2 + R3
En el corto-circuito: VO = 0
V 1.2 =
0.7
I SC = M = 0.92
M  RE M  (0.63)
V1
Si I1 >> IB I1 =
R2 + R3
V1 = RE  I MAX + VO
Por diseño: I B = 1mA V1
10 = V1 = 0.63  2.5 + 12
I 1 = 10 mA R2 + R3
V1 = 13.675 ..........Volts

13.675
10mA = .......... .......... ......( 2)
R2 + R3
De (1) y (2): R 2 = 6W
Hay que adicionar
R3 = 70W