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Instituto de Educación Superior

Tecnológico Público
“Andrés A. Cáceres D. - Huancayo”

P.E. Electrotecnia industrial

TECNOLOGÍA DE MATERIALES
SEMESTRE:
I

DOCENTE: Ing. ROMARIO RUBEN MACHA DAMIAN

2023 http://www.institutocajas.edu.pe
Instituto de Educación Superior
Tecnológico Público
“Andrés A. Cáceres D. - Huancayo”

¡Rumbo al licenciamiento!
Materiales Semiconductores
ACTIVIDAD DE APRENDIZAJE N°: 04
LOGRO DE LA SESIÓN:

✔ Reconoce y selecciona los materiales Semiconductores de la electricidad según


sus características y propiedades

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Clasificación de los Materiales según su
Conductividad Eléctrica
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Concepto:

Se denominan semiconductores porque su resistencia especifica está situada entre la


de los conductores eléctricos (metales) y la de los no-conductores. La conductividad
se puede alterar notablemente mediante la adición de sustancias extrañas o por
otras influencias. por ejemplo. por la incidencia de la luz por campos eléctricos o
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magnéticos.
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Definición.

✔ Impurezas o Dopantes: Son


elementos o compuestos que
difieren en la composición química
del material en el que se
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encuentran.
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Se agregan de forma deliberada


(esto no siempre es así para el
caso de las Impurezas) y en
concentraciones conocidas, en
lugares específicos de la
microestructura, buscando un
efecto benéfico sobre las
propiedades del material.
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Tipos de Materiales Semiconductores

Semiconductores
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Intrínsecos Extrínsecos
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De ningún tipo
ya que: Dopados No Dopados

Tipo–p Tipo–n Tipo–p Tipo–n


(ejm. el Si (ejm. el Si (ejm. el PbS (ejm. el CdS
dopado con B) dopado con P) del Lab.) del Lab.)

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Materiales semiconductores

Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)


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Son materiales de conductividad intermedia entre la de los metales y la de los aislantes,


que se modifica en gran medida por la temperatura, la excitación óptica y las impurezas.

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Materiales semiconductores
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Diagramas de bandas
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Diagramas de bandas
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Representación plana del Germanio a 0º K
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No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a que los


electrones de la banda de valencia no pueden saltar a la banda de
conducción.
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Situación del Ge a 300ºK
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• Hay 1 enlace roto por cada 1,7·109 átomos.


• Un electrón “libre” y una carga “+” por cada enlace roto.

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Situación del Ge a 300ºK
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Siempre se están rompiendo (generación) y reconstruyendo


(recombinación) enlaces. La vida media de un electrón puede ser del orden
de milisegundos o microsegundos.

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Aplicación de un campo externo
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El electrón libre se mueve por acción del campo.


¿Y la carga ”+” ?.

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Semiconductores Intrínsecos

Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados


“Semiconductores Intrínsecos”, en los que:
• No hay ninguna impureza en la red cristalina.
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• Hay igual número de electrones que de huecos n = p = ni


Ge: ni = 2·1013 portadores/cm3
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Si: ni = 1010 portadores/cm3


AsGa: ni = 2·106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)
¿Pueden modificarse estos valores?
¿Puede desequilibrarse el número de electrones y de huecos?
La respuesta son los Semiconductores Extrínsecos
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Semiconductores Extrínsecos
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A 0ºK, habría un electrón


adicional ligado al átomo de Sb

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Semiconductores Extrínsecos
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A 300ºK, todos electrones adicionales de los átomos de Sb están desligados de su


átomo (pueden desplazarse y originar corriente eléctrica). El Sb (antimonio) es un
donador y en el Ge hay más electrones que huecos. Es un semiconductor tipo N.
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Semiconductores Extrínsecos
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El Sb genera un estado permitido en la banda prohibida, muy cerca


de la banda de conducción. La energía necesaria para alcanzar la
banda de conducción se consigue a la temperatura ambiente.
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Semiconductores Extrínsecos
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A 0ºK, habría una “falta de


electrón” adicional ligado al
átomo de Al
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Semiconductores Extrínsecos
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A 300ºK, todas las “faltas” de electrón de los átomos de Al están cubiertas con un
electrón procedente de un átomo de Ge, en el que se genera un hueco. El Al es un
aceptador y en el Ge hay más huecos que electrones. Es un semiconductor tipo P.
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Semiconductores Extrínsecos
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El Al genera un estado permitido en la banda prohibida, muy cerca de la


banda de valencia. La energía necesaria para que un electrón alcance este
estado permitido se consigue a la temperatura ambiente, generando un
hueco en la banda de valencia.
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Resumen.
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Ejemplos:

DIODO IGBT
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Actividad:

✔ Desarrollar un resumen del video mostrado:


https://www.youtube.com/watch?v=lYAIJo26rMk&t=275s
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¡Rumbo al licenciamiento!
¡Gracias!
Ing. ROMARIO RUBEN MACHA DAMIAN

964320472

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