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1.- ESTRUCTURA CRISTALINA PERFECCIN. SIETE SISTEMAS - CATORCE RETCULOS ESTRUCTURAS DE METALES ESTRUCTURA DE CERMICOS ESTRUCTURA DE POLMEROS ESTRUCTURA DE SEMICONDUCTORES 2.- ESTRUCTURA NO CRISTALINA IMPERFECCIN LA SOLUCIN SLIDA DEFECTOS PUNTUALES DEFECTOS LINEALES DEFECTOS PLANARES SLIDOS NO CRISTALINOS 3.- DIFRACCIN DE CRISTALES LEY DE BRAGG
No es posible evitar que haya al menos una contaminacin de los materiales slidos, muchos contienen cantidades significativas de componentes diferentes, aleacin o contaminacin. Los materiales son de hecho soluciones slidas.
Solucin slida por substitucin. Solucin slida aleatoria, los tomos de un elemento substituyen a otro en sus lugares correspondientes de la red; reglas de HumeRothery: Menos de aproximadamente, 15% de diferencia en el radio atmico. La misma estructura de cristal. Electronegativos similares (habilidad del tomo para atraer un e-). La misma valencia.
Solucin slida intersticial. Cuando el tamao de los tomos difiere en gran medida, la substitucin del tomo ms pequeo en un sitio de la estructura del cristal podra ser inestable desde el punto de vista energtico; es ms estable que el tomo pequeo se acomode en alguno de los espacios (intersticios) que existen entre tomos adyacentes de la estructura del cristal. Condiciones: Mantenimiento de una neutralidad de carga.
Son imperfecciones estructurales que resultan de la agitacin trmica. Existen en los materiales independientemente de las impurezas qumicas. Vacancia, lugar desocupado por un tomo dentro de la estructura del cristal. Intersticialidad, un tomo ocupa un lugar intersticial que no es normalmente ocupado en la estructura perfecta del cristal.
El defecto de Schottky, consiste en una vacante que deja un par de iones con cargas opuestas, necesario para mantener localmente la neutralidad de carga dentro de la estructura del cristal. El defecto de Frenkel, combinacin vacancia-intersticio, se presenta en estructuras relativamente abiertas acomodan iones intersticiales sin generar esfuerzo excesivo.
Conclusiones: Los defectos puntuales pueden ser tomos o iones faltantes (vacantes) o tomos o iones extras (intersticialidades). La neutralidad de carga debe ser mantenida localmente para las estructuras de los defectos puntuales en los compuestos inicos. La concentracin de defectos puntuales aumenta exponencialmente con la temperatura absoluta siguiendo una expresin de Arrhenius.
La difusin de estado slido ocurre en los materiales cristalinos a travs del mecanismo de los defectos puntuales. La difusividad, segn las leyes de Fick, aumenta exponencialmente con la temperatura absoluta siguiendo la expresin de Arrehenius.
Son defectos lineales, unidimensionales, asociados a deformaciones mecnicas, corresponden a la mitad de un plano extra de tomos en una estructura de cristal de otra manera perfecta. Dislocacin de borde, el defecto o lnea de dislocacin corre a lo largo del bode de la hilera extra de tomos. Dislocacin de tornillo, apilamiento en espiral de planos del cristal alrededor de la lnea de dislocacin.
Dislocaciones y deformacin mecnica. Las dislocaciones juegan un papel crtico en la deformacin mecnica de los materiales cristalinos, facilitando el desplazamiento de tomos mediante el deslizamiento en planos de alta densidad atmica a lo largo de direcciones de alta densidad atmica. Sin el deslizamiento de dislocaciones, se requiere de esfuerzos excepcionalmente grandes para deformar de manera permanente los materiales. Muchas propiedades mecnicas se explican en trminos de mecanismo micro mecnico de deslizamiento de dislocaciones.
Lo constituyen todas las superficies de frontera que rodean a una estructura cristalina. Fronteras gemelas, dividen dos regiones que son imgenes de espejo una con respecto a la otra. La superficie exterior tiene una estructura caracterstica que involucra un elaborado sistema de capas. Frontera de grano, estructura de regin de disparidad entre granos adyacentes, depende de la orientacin relativa de los granos.