UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA E INGENIERÍA ELÉCTRICA

CURSO:CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II
CAP 5:RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA

DOCENTE: MG. LUIS PONCE MARTÍNEZ

 RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA
AMPLIFICADOR CON BJT
• En el extremo de alta frecuencia, existen dos
𝑅
factores que definen el punto de corte de -3 dB:
la capacitancia de la red (parásita e introducida) + +
y la dependencia de la frecuencia de hfe (β)
𝑉𝑖 𝑉0
𝐶
• Parámetros de la red − −
• En la región de alta frecuencia, la red RC de interés
tiene la configuración que aparece en la figura 1. A
medida que la frecuencia se incrementa, la magnitud Fig. 1 Combinación RC que
de la reactancia XC se reduce, con el resultado de un definirá una frecuencia de corte
efecto de cortocircuito a través de la salida y una superior
reducción de la ganancia. La derivación que
conduce a la frecuencia de corte de esta
configuración RC sigue líneas semejantes a las
encontradas para la región de baja frecuencia
• La diferencia más significativa radica en la siguiente forma general de Av
𝟏
𝑨𝒗 = 𝒇 …Ec. (1)
𝟏+𝒋
𝒇𝟐
• Ésta da por resultado una gráfica de magnitud como la de la figura 2 que reduce
a 6 dB/octava a medida que se incrementa la frecuencia. Observe que f2 aparece
en el denominador de la relación de frecuencia en lugar de en el numerador.
𝑓2
𝒇(𝒆𝒔𝒄𝒂𝒍𝒂
𝒍𝒐𝒈𝒂𝒓í𝒕𝒎𝒊𝒄𝒂)

−3𝑑𝐵
−6𝑑𝐵 𝑜𝑐𝑡𝑎𝑣𝑎

Fig. 2 Gráfica de asintótica

definida por la ecuación
 𝑉𝐶𝐶
• En la figura 3 se incluyen las
diversas capacitancias parásitas
(Cbe, Cbc, Cce) del transistor junto
con las capacitancias de
alambrado introducidas durante
la construcción. El modelo 𝑅𝐶
equivalente de alta frecuencia de 𝑅1 𝐶𝑐
la red de la figura 3 aparece en la 𝐶𝑏𝑐 𝑉0
figura 4
𝐶𝑆
• Observe que faltan los
capacitores Cs, CC y CE los 𝐶𝑐𝑒
cuales se supone que se 𝐶𝑏𝑒 𝐶𝑤0
encuentran en estado de 𝑅𝑆 +
𝑅𝐿
cortocircuito en estas + 𝑉𝑖 𝑅2
frecuencias.
𝑉𝑆 𝐶𝑤𝑖 𝑅𝐸 𝐶𝐸
• La capacitancia Ci incluye la −
capacitancia de alambrado de −
entrada , la capacitancia de
transición Cbe y la capacitancia
Miller CM . Fig. 3 Circuito con los capacitores que afectan la respuesta en
alta frecuencia
• La capacitancia Co incluye la
capacitancia de alambrado de 𝑉𝐶𝐶
salida CM0, la capacitancia
parásita Cce y la capacitancia de
efecto Miller de salida
• En general, la capacitancia Cbe 𝑅𝐶
es la más grande de las
capacitancias parásitas, con Cce 𝑅1 𝐶𝑐
como la más pequeña. 𝐶𝑏𝑐 𝑉0
𝐶𝑆
• En realidad, la mayoría de las
hojas de especificaciones 𝐶𝑐𝑒
simplemente dan los niveles de + 𝐶𝑏𝑒 𝐶𝑤0
Cbe y Cbc y no incluyen Cce a 𝑅𝑆 𝑅𝐿
menos que afecte la respuesta + 𝑉𝑖 𝑅2
de un tipo particular de transistor 𝑉𝑆 𝐶𝑤𝑖 𝑅𝐸 𝐶𝐸
en un área de aplicación −
específica. −

Fig. 3 Circuito con los capacitores que afectan la respuesta en

alta frecuencia
 𝐶𝑖 = 𝐶𝑤𝑖 + 𝐶𝑏𝑒 + 𝐶𝑀𝑖 𝐶0 = 𝐶𝑤0 + 𝐶𝑐𝑒 + 𝐶𝑀0
𝑅𝑠 𝐼𝑏 𝑉0

+ 𝑇ℎ𝑖 𝑇ℎ0
+
𝛽𝐼𝑏
𝑉𝑠 𝑅1 ||𝑅2 𝑅𝑖 𝐶𝑖 𝑟0 𝑅𝐶 𝑅𝐿 𝐶0
𝑉𝑖
−
−

Fig. 4 Modelo equivalente de ca de alta frecuencia para la red de la fig 3

Al determinar el circuito equivalente de Thévenin de las redes de
entrada y salida de la figura 4 obtenemos las configuraciones de la
figura 5.

𝑅𝑡ℎ𝑖 = 𝑅𝑆 ∥ 𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝑅𝑖 𝑅𝑡ℎ0 = 𝑅𝑐 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟0

+ +
𝐸𝑇ℎ𝑖 𝐶𝑖 𝐸𝑇ℎ0 𝐶0
− −
(a) (b)

Fig. 5 Circuitos de Thévenin para las redes de entrada y salida de la red de fig. 4
• Para la red de entrada, la frecuencia de -3 dB se define como
1
𝒇𝑯𝒊 = …ec(2)
2𝜋.𝑅𝑡ℎ𝑖 .𝐶𝑖

Con 𝑹𝒕𝒉𝒊 = 𝑹𝑺 ∥ 𝑹𝟏 ∥ 𝑹𝟐 ∥ 𝑹𝒊 …ec(3)

y 𝑪𝒊 = 𝑪𝒘𝒊 + 𝑪𝒃𝒆 + 𝑪𝑴𝒊 = 𝑪𝒘𝒊 + 𝑪𝒃𝒆 + (𝟏 − 𝑨𝒗 )𝑪𝒃𝒄 …ec(4)

• A frecuencias muy altas, el efecto de Ci es reducir la impedancia
total de la combinación en paralelo de R1, R2, Ri y Ci en la figura 4.
El resultado es un nivel reducido del voltaje a través de Ci, una
reducción de Ib y una ganancia para el sistema. Para la red de
salida, 1
𝒇𝑯𝟎 = 2𝜋.𝑅 …ec(5)
𝑡ℎ𝟎 .𝐶𝟎

• Con 𝑹𝒕𝒉0 = 𝑹𝑐 ∥ 𝑹𝐿 ∥ 𝑹0 …ec(6)

•y 𝐶0 = 𝐶𝑤0 + 𝐶𝑐𝑒 + 𝐶𝑀0 …ec(7)

• o 𝑪𝟎 = 𝑪𝒘𝟎 + 𝑪𝒄𝒆 + (𝟏 − 𝑨𝒗 )𝑪𝒃𝒄
• Para A𝑽 , grande (típico): 1>> 𝟏/𝑨𝒗 ,
•y 𝑪𝟎 ≅ 𝑪𝒘 + 𝑪𝒄𝒆 + 𝑪𝒃𝒄 …ec(8)
𝟎
• A frecuencias muy altas, la reactancia capacitiva Co se reducirá y
por consiguiente también lo hará la impedancia total de las ramas
en paralelo de la figura 4. El resultado neto es que Vo también
declinará hacia cero a medida que se reduce la reactancia XC. Cada
una de las frecuencias 𝒇𝑯𝒊 y 𝒇𝑯𝟎 y definirá una asíntota de -6
dB/octava, como la ilustrada en la figura 2. Si los capacitores
parásitos fueran los únicos elementos para determinar la frecuencia
de corte superior, la frecuencia más baja sería el factor
determinante. Sin embargo, también hay que considerar la
reducción de hfe (o β) con la frecuencia en cuanto a si su frecuencia
de ruptura es menor 𝒇𝑯𝒊 o 𝒇𝑯𝟎
 VARIACIÓN DE HFE
• La variación de hfe (o β) con la frecuencia se 𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂
aproximará, con un cierto grado de precisión, 𝒉𝒇𝒆 = 𝒇 …ec(9)
a la siguiente relación: 𝟏+𝒋( )
𝒇𝑩

• El uso de hfe en lugar de β en una parte de este material descriptivo se debe

sobre todo al hecho de que en general los fabricantes utilizan parámetros
híbridos cuando se ocupan de este tema en sus hojas de especificaciones,
etcétera. La única cantidad no definida, fb, está determinada por un conjunto de
parámetros empleados en el modelo híbrido o de Giacoletto. Aparece en la
figura 6. 𝑟𝑢
𝑟𝑏 𝑏′
𝐵 𝐶
𝐶𝑢 (𝐶𝑏𝑐 )
𝐼𝑏
+ 𝐼′𝑏
𝑉𝜋 𝐶𝜋 (𝐶𝑏𝑒 ) 𝑟0 𝛽𝐼𝑏

𝐸 −
𝐸
Fig. 6 Circuito equivalente de ca de señal pequeña del transistor en alta
frecuencia de Giacoletto (o hibrido𝝅)
 VARIACIÓN DE HFE
• Los diversos parámetros justifican un momento de explicación. La resistencia
rb incluye el contacto de base, la masa de base y una resistencia esparcidora
de base. La primera se debe a la conexión real a la base. La segunda incluye
la resistencia de la terminal externa a la región activa. Las resistencias rp, ro y
ru son las resistencias entre las terminales indicadas cuando el dispositivo se
encuentra en la región activa. Lo mismo vale para las capacitancias Cbc y Cbe,
aunque la primera es una capacitancia de transición en tanto que la segunda
es una capacitancia de difusión. Una explicación más detallada de la
dependencia en la frecuencia de cada una se puede encontrar en varios textos
fácilmente disponibles.
𝑟𝑢
𝑟𝑏 𝑏′
𝐵 𝐶
𝐶𝑢 (𝐶𝑏𝑐 )
𝐼𝑏
+ 𝐼′𝑏
𝑉𝜋 𝐶𝜋 (𝐶𝑏𝑒 ) 𝑟0 𝛽𝐼𝑏

𝐸 −
𝐸
Fig. 6 Circuito equivalente de ca de señal pequeña del transistor en alta
frecuencia de Giacoletto (o hibrido𝝅)
 VARIACIÓN DE HFE
• Si eliminamos la resistencia de base rb, la resistencia de la base al
colector ru y todas las capacitancias parásitas, el resultado es un
circuito equivalente de ca que coincide con el equivalente de señal
pequeña de la configuración en emisor común . La resistencia de la
base al emisor rπ es βre y la resistencia de salida ro es simplemente
un valor dado por el parámetro híbrido hoe. La fuente controlada
también es βIb.
• Sin embargo, si incluimos la resistencia ru (casi siempre bastante
grande βro) entre la base y el colector, se forma un lazo de
realimentación entre los circuitos de entrada y salida que coincide con
la contribución hre de del circuito equivalente híbrido. Recuerde que el
término realimentación normalmente tiene poca importancia en la
mayoría de las aplicaciones, pero si una aplicación particular lo pone al
frente, entonces el modelo de la figura 6 lo pondrá en juego.
 VARIACIÓN DE HFE
• La resistencia ru es el resultado del hecho de que la corriente de base
es ligeramente sensible a la corriente de base según la ley de Ohm, y
el voltaje de salida es igual a la diferencia entre el voltaje de la base al
emisor y el voltaje del colector a la base, podemos concluir que la
corriente de base es sensible a los cambios del voltaje de salida como
lo revela el parámetro híbrido hre.
• En función de estos parámetros,
1
𝒇𝜷 𝒆𝒏 𝒐𝒄𝒂𝒔𝒊𝒐𝒏𝒆𝒔 𝒂𝒑𝒂𝒓𝒆𝒄𝒆 𝒄𝒐𝒎𝒐𝒇𝒉𝒇𝒆 = … 𝒆𝒄(𝟏𝟎)
2𝜋.𝒓𝝅 .(𝐶𝝅 +𝐶𝒖 )

• o, como rπ = βre =𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 𝒓𝒆

𝟏 1 𝟏
𝒇𝜷 = . ...ec(11) o
𝒇𝜷 ≅ …ec(12)
𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 2𝜋.𝒓𝝅 .(𝐶𝝅 +𝐶𝒖 ) 2𝜋𝜷𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 𝒓𝒆 (𝐶𝝅 +𝐶𝒖 )
La ecuación pone de manifiesto que como re es una función del diseño
de la red: 𝒇𝜷 es una función de la configuración de polarización
El formato básico Fig.7 𝒉𝒇𝒆 𝒉𝒇𝒃 contra
de la ecuación 9 frecuencia en la región de
alta frecuencia
es igual al de la
ecuación 1 si se
factoriza𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 y
revela que 𝒉𝒇𝒆 se
reducirá a partir
de su valor de
banda media con
una pendiente de
6 dB/octava como
se muestra en la
figura 7.
La misma figura incluye una gráfica de
hfb (o α) contra frecuencia. Observe el Fig.7 𝒉𝒇𝒆 𝒉𝒇𝒃 contra
pequeño cambio en hfb para el frecuencia en la región de
alta frecuencia
intervalo de frecuencia elegido, lo
que indica que la configuración en
base común muestra características
de alta frecuencia mejoradas sobre la
configuración en emisor común.
Recuerde también la ausencia de la
capacitancia de efecto Miller debido a
las características no inversoras de la
configuración en base común. Por
eso, a menudo se especifican los
parámetros de alta frecuencia en
base común en lugar de los aquellos
en emisor común para un transistor,
sobre todo los que han sido
diseñados específicamente para que
operen en las regiones de alta
frecuencia.
• La siguiente ecuación permite una conversión directa para determinar
fβ si fα y α se especifican: 𝑓 = 𝑓 (1 − 𝛼) …ec(13)
𝛽 𝛼

• La siguiente condición define una cantidad llamada producto de

𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂
ganancia por ancho de banda para el transistor 𝟏+𝒋(𝒇Τ𝒇𝜷 )
=1
𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂
• de modo que 𝒉𝒇𝒆 = 𝟐𝟎 log 𝟏𝟎 𝟏+𝒋(𝒇Τ𝒇𝜷 )
= 𝟐𝟎 log10 𝟏 = 𝟎𝒅𝑩
𝒅𝑩

• La frecuencia a la cual 𝒉𝒇𝒆 = 0dB se indica con claridad por medio

𝒅𝑩
de 𝑓𝑇 en la figura 7. La magnitud de hfe en el punto de la condición
𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂
definida (𝑓𝑇 ≫ 𝑓𝑏 ) es 𝟐
≅ Τ
=𝟏
𝒇𝑻 𝒇𝜷
𝟐.𝟏(𝒇𝑻 Τ𝒇𝜷 )
• de modo que ≅ 𝐵𝑊
(Producto de ganancia por ancho
𝑓𝑇 ≅ 𝒉𝒇𝒆𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 𝒇𝜷 …ec(14) de banda)

• o 𝒇𝑻 ≅ 𝜷𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 . 𝒇𝜷 …ec(15)
• Con 𝒇𝑻
𝒇𝜷 = 𝜷𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂
…ec(16)

• Sustituyendo la ecuación 12 para 𝒇𝜷 en la ecuación 14 resulta

𝟏
• 𝒇𝑻 ≅ 𝜷𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 . 2𝜋𝜷
𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 𝒓𝒆 (𝐶𝝅 +𝐶𝒖 )

𝟏
•y 𝒇𝑻 ≅ 2𝜋𝒓𝒆 (𝐶𝝅 +𝐶𝒖 )
…ec(17)
 EJEMPLO
• Use la red de la figura 3 con los siguientes parámetros
• 𝑹𝒔 = 𝟏𝒌𝜴, 𝑹𝟏 = 𝟒𝟎𝒌𝜴, 𝑹𝟐 = 𝟏𝟎𝒌𝜴, 𝑹𝑬 = 𝟐𝒌𝜴, 𝑹𝑳 = 𝟐. 𝟐𝒌𝜴
• 𝑪𝒔 = 𝟏𝟎𝝁𝑭, 𝑪𝑪 = 𝟏𝝁𝑭, 𝑪𝑬 = 𝟐𝟎𝝁𝑭
• 𝜷 = 𝟏𝟎𝟎, 𝒓𝟎 = ∞, 𝑽𝒄𝒄 = 𝟐𝟎𝑽
Con la adición de
𝑪𝝅 𝑪𝒃𝒆 = 𝟑𝟔𝒑𝑭, 𝑪𝒖 𝑪𝒃𝒄 = 𝟒𝒑𝑭, 𝑪𝒄𝒆 = 𝟏𝒑𝑭, 𝑪𝒘𝒊 = 𝟔𝒑𝑭, 𝑪𝒘𝟎
= 𝟖𝒑𝑭
a) Determine 𝒇𝑯𝒊 y 𝒇𝑯𝟎
b) Encuentre 𝒇𝒃 y 𝒇𝑻
c) Trace la respuesta en frecuencia en las regiones de baja y alta
frecuencia utilizando los resultados de las partes (a) y (b)
SOLUCIÓN
• (a)
• 𝑅𝑖 = 1.32𝑘Ω, 𝐴𝑣 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 𝑎𝑚𝑝𝑙𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎𝑑𝑜𝑟 = −90
• Y 𝑅𝑡ℎ𝒊 = 𝑅𝑠 ∥ 𝑅1 ∥ 𝑅2 ∥ 𝑅𝑖 = 1𝑘Ω ∥ 40𝑘Ω ∥ 10𝑘Ω ∥ 1.32𝑘Ω ≅ 𝟎. 𝟓𝟑𝟏𝒌𝜴
• 𝑪𝒊 = 𝑪𝒘𝒊 + 𝑪𝒃𝑒 + 𝟏 − 𝑨𝒗 𝑪𝒃𝒄 = 6𝑝𝐹 + 36𝑝𝐹 + 1 − −90 4𝑝𝐹
= 𝟒𝟎𝟔𝒑𝑭
1 1
• 𝒇𝑯𝒊 = 2𝜋.𝑅 = 2𝜋(0.531𝑘Ω)(406𝑝𝐹) = 𝟕𝟑𝟖. 𝟐𝟒𝒌𝑯𝒛
𝑡ℎ𝑖 .𝐶𝑖

• 𝑅𝑡ℎ0 = 𝑅𝑐 ∥ 𝑅𝐿 = 4 𝑘Ω ∥ 2.2𝑘Ω=1.419 𝒌𝜴
1
• 𝑪0 = 𝑪𝒘0 + 𝑪𝒃𝑒 + 𝑪𝑀0 = 8𝑝𝐹 + 1𝑝𝐹 + 1 − 4𝑝𝐹 = 𝟏𝟑. 𝟎𝟒𝒑𝑭
−90
1 1
• 𝒇𝑯𝟎 = 2𝜋.𝑅 = 2𝜋(1.419𝑘Ω)(13.04𝑝𝐹) = 𝟖. 𝟔𝑴𝑯𝒛
𝑡ℎ0 .𝐶0
SOLUCIÓN
• (b)
𝟏 1
• 𝒇𝜷 = = = 𝟐. 𝟓𝟐 𝑴𝑯𝒛
2𝜋𝜷𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 𝒓𝒆 (𝐶𝑏𝑒 +𝐶𝑏𝑐 ) 2𝜋(100)(15.76Ω)(36𝑝𝐹+4𝑝𝐹)
• 𝒇𝑻 ≅ 𝜷𝒎𝒆𝒅𝒊𝒂 . 𝒇𝜷 =(100)(2.52 MHz)=252MHz
•
SOLUCIÓN
• (c) Vea la figura 8. Tanto fβ como
fH0 reducirán la frecuencia de
corte superior por debajo del
nivel determinado por fHi . La
frecuencia fβ se aproxima más a
fHi y, por consiguiente, tendrá
un mayor efecto que fH0 . En
todo caso, el ancho de banda
será menor que el definido
únicamente por fHi . En realidad,
para los parámetros de esta red
la frecuencia de corte superior Fig.8 respuesta en frecuencia completa para la
red de la figura 3
se aproximará relativamente a
600 kHz. • En general, por consiguiente, la menor de las
frecuencias de corte superiores define un ancho
de banda máximo posible para un sistema.
 RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA
AMPLIFICADOR CON FET
• El análisis de la respuesta en alta 𝑉𝐷𝐷
frecuencia del amplificador con Fig. 9 Elementos capacitivos
que afectan la respuesta en
FET es muy parecido al del alta frecuencia de un
amplificador con BJT. Como se amplificador JFET
muestra en la figura 9, hay 𝑅𝐷
capacitancias entre electrodos y 𝐶𝑐
capacitancias de alambrado que 𝐶𝑔𝑑 𝑉0
determinarán las características 𝑅𝑠𝑖𝑔 𝐶𝐺
de alta frecuencia del 𝐶𝑑𝑠
amplificador. + 𝐶𝑔𝑠 𝐶𝑤0
+
• Los capacitores Cgs y Cgd en 𝑅𝐿
𝑉𝑆 𝑅𝐺 𝑉𝑖
general varían de 1pF a 10 pF,
− 𝐶𝑤𝑖 𝑅𝑆 𝐶𝑆
en tanto que la capacitancia Cds −
suele ser un poco más pequeña
y varía de 0.1 pF a 1 pF.
 RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA
AMPLIFICADOR CON FET
Como la red de la figura 9 es un amplificador inversor, en la red
equivalente de ca en alta frecuencia de la figura 10 aparecerá una
capacitancia de efecto Miller. A altas frecuencias, Ci se aproximará a
un equivalente de cortocircuito y el valor de Vgs se reducirá y, por
tanto, también lo hará la ganancia total. A frecuencias en que Co tiende
a su equivalente de cortocircuito, la magnitud voltaje de salida en
paralelo Vo se reducirá.
Fig. 10 Circuito equivalente de ca
de ata frecuencia para la fig 9 𝑉0
𝑅𝑠𝑖𝑔
+ + 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠
+ 𝐶𝑖 𝑅𝐷 𝑅𝐿
𝑟𝑑 𝐶0
𝑉𝑆 𝑅𝐺 𝑉𝑖 𝑉𝑔𝑠
−
𝑇ℎ𝑖 − 𝑇ℎ0
−
• Las frecuencias de corte definidas por los circuitos de entrada y
salida se obtienen determinando primero los circuitos equivalentes
de Thévenin para cada sección, como se muestra en la figura 9.64.
Para el circuito de entrada,
1
𝒇𝑯𝒊 = 2𝜋.𝑅𝑡ℎ𝑖 .𝐶𝑖
…ec(2)

𝑅𝑡ℎ𝑖 = 𝑅𝑠𝑖𝑔 ∥ 𝑅𝐺 𝑅𝑡ℎ0 = 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝑑

+ +
𝐸𝑇ℎ𝑖 𝐶𝑖 𝐸𝑇ℎ0 𝐶0
− −
(a) (b)

Fig. 10 Circuitos de Thevenin equivalentes para (a) el circuito de

entrada y (b) el circuito de salida
• Y 𝑅𝑡ℎ = 𝑅𝑠𝑖𝑔||𝑅 G
𝑖
Con 𝐶𝑖 = 𝐶𝑤𝑖 + 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑀𝑖
Y 𝐶𝑀𝑖 = 1 − 𝐴𝑣 𝐶𝑔𝑑
1
Para el circuito de salida 𝒇𝑯𝟎 = …ec(5)
2𝜋.𝑅𝑡ℎ𝟎 .𝐶𝟎

Con 𝑅𝑡ℎ0 = 𝑅𝐷 | 𝑅𝐿 |𝑟𝑑

Y 𝐶0 = 𝐶𝑤0 + 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑀0
Y 1
𝐶𝑀𝑜 = 1 − 𝐶𝑔𝑑
𝐴𝑣
 EJEMPLO
Determine las frecuencias superiores, use la red de la figura 9
con los siguientes parámetros
𝑪𝑮 = 𝟎. 𝟎𝟏𝝁𝑭, 𝑪𝑪 = 𝟎. 𝟓𝝁𝑭, 𝑪𝑬 = 𝟐𝝁𝑭
𝑹𝒔𝒊𝒈 = 𝟏𝟎𝒌𝜴, 𝑹𝑮 = 𝟏𝑴𝜴, 𝑹𝑫 = 𝟒. 𝟕𝒌𝜴, 𝑹𝑺 = 𝟏𝒌𝜴, 𝑹𝑳 = 𝟐. 𝟐𝒌𝜴
𝑰𝑫𝑺𝑺 = 𝟖𝒎𝑨, 𝑽𝑷 = −𝟒𝑽, 𝒓𝒅 = ∞𝜴, 𝑽𝑫𝑫 = 𝟐𝟎𝑽
• Agregando
𝑪𝒈𝒅 = 𝟐𝒑𝑭, 𝑪𝒈𝒔 = 𝟒𝒑𝑭, 𝑪𝒅𝒔 = 𝟎. 𝟓𝒑𝑭, 𝑪𝒘𝒊 = 𝟓𝒑𝑭, 𝑪𝒘𝟎 = 𝟔𝒑𝑭
 SOLUCIÓN
• (a)
• 𝑅𝑡ℎ𝒊 = 𝑅𝑠𝑖𝑔 ∥ 𝑅𝐺 = 10𝑘Ω ∥ 1𝑀Ω = 9.9𝑘Ω
• 𝑪𝒊 = 𝑪𝒘𝒊 + 𝑪𝑔𝑠 + 𝟏 − 𝑨𝒗 𝑪𝑔𝑑 = 5𝑝𝐹 + 4𝑝𝐹 + 1 + 3 2𝑝𝐹
= 𝟏𝟕𝒑𝑭
1 1
• 𝒇𝑯𝒊 = 2𝜋.𝑅 .𝐶 = 2𝜋(9.9𝑘Ω)(17𝑝𝐹) = 𝟗𝟒𝟓. 𝟔𝟕𝒌𝑯𝒛
𝑡ℎ𝑖 𝑖
• 𝑅𝑡ℎ0 = 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 = 4.7 𝑘Ω ∥ 2.2𝑘Ω ≅ 𝟏. 𝟓 𝒌𝜴
1
• 𝑪0 = 𝑪𝒘0 + 𝑪𝑑𝑠 + 𝑪𝑀0 = 6𝑝𝐹 + 0.5𝑝𝐹 + 1 − −3 2𝑝𝐹 = 𝟗. 𝟏𝟕𝒑𝑭
1 1
• 𝒇𝑯𝟎 = 2𝜋.𝑅 = 2𝜋(1.5𝑘Ω)(9.17𝑝𝐹) = 𝟏𝟏. 𝟓𝟕𝑴𝑯𝒛
𝑡ℎ0 .𝐶0

• Los resultados anteriores indican con claridad que la capacitancia de entrada

junto con su capacitancia de efecto Miller determinarán la frecuencia de corte
superior. Éste en general es el caso debido al valor más pequeño de Cds y a los
niveles de resistencia que se encuentran en el circuito de salida.
 EFECTOS DE LAS FRECUENCIAS
ASOCIADAS A MÚLTIPLES ETAPAS
• Con una segunda etapa de transistor conectada directamente a la salida
de la primera, la respuesta en frecuencia total cambiará de manera
significativa. En la región de alta frecuencia, la capacitancia de salida Co
ahora debe incluir la capacitancia de alambrado( 𝑪𝒘𝒊 ) la capacitancia
parásita (Cbe) y la capacitancia de efecto Miller(𝑪𝑀𝑖 )de la siguiente etapa.
Además, habrá niveles de corte en baja frecuencia debido a la segunda
etapa, la cual reducirá aún más la ganancia total del sistema en esta
región. Para cada etapa adicional, la frecuencia de corte superior estará
determinada sobre todo por la etapa que tenga la frecuencia de corte más
baja. El corte en baja frecuencia está determinado principalmente por la
etapa que tenga la frecuencia de corte mayor en baja frecuencia.
Obviamente, por consiguiente, una etapa mal diseñada puede neutralizar
un sistema en cascada bien diseñado.
 EFECTOS DE LAS FRECUENCIAS
ASOCIADAS A MÚLTIPLES ETAPAS
• El efecto de incrementar el número de etapas idénticas se
demuestra considerando las situaciones indicadas en la figura
11. En cada caso, las frecuencias de corte superior e inferior de
cada una de las etapas en cascada son idénticas.
Fig. 11 Efecto de un numero incrementado de etapas
en las frecuencias de corte y ancho de banda
 EFECTOS DE LAS FRECUENCIAS
ASOCIADAS A MÚLTIPLES ETAPAS
• Para una sola etapa, las frecuencias de corte son f1 y f2 como se
indica. Para dos etapas idénticas en cascada, la tasa de reducción
en las regiones de alta y baja frecuencia se incrementó a -12
dB/octava o -40 dB/década. A f1 y f2, por consiguiente, la reducción
de decibeles ahora es de -6 dB en lugar del nivel de ganancia en la
banda de frecuencia de -3 dB. El punto -3 dB se desplazó a y como
se indicó, con una reducción resultante del ancho de banda. Para un
sistema de tres etapas
𝑛 𝑛
idénticas con la reducción del ancho de
banda indicada ( 𝑓1 𝑦𝑓2 )y se obtendrá una pendiente de -18
dB/octava o -60 dB/década.
 EFECTOS DE LAS FRECUENCIAS
ASOCIADAS A MÚLTIPLES ETAPAS
• Suponiendo etapas idénticas, podemos determinar una ecuación para cada
banda de frecuencias en función del número de etapas (n) de la siguiente
manera: Para la región de baja frecuencia,
• 𝐴𝑣𝑏𝑎𝑗𝑎(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 𝐴𝑣1 𝐴𝑣2 𝐴𝑣3 … 𝐴𝑣𝑛
𝑏𝑎𝑗𝑎 𝑏𝑎𝑗𝑎 𝑏𝑎𝑗𝑎 𝑏𝑎𝑗𝑎
• Pero como las etapas son idénticas, 𝐴𝑣1 = 𝐴𝑣2 = 𝑒𝑡𝑐. , 𝑦
𝑏𝑎𝑗𝑎 𝑏𝑎𝑗𝑎
𝑛
• 𝐴𝑣𝑏𝑎𝑗𝑎(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 𝐴𝑣1
𝑏𝑎𝑗𝑎
𝑛
𝐴𝑣𝑏𝑎𝑗𝑎 𝐴𝑣𝑏𝑎𝑗𝑎 1
• o𝐴 𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = = (1−𝑗𝑓 Τ𝑓)𝑛
𝑣𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 𝐴𝑣𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 1

• Estableciendo la magnitud de este resultado igual a 1Τ 2 (−3𝑑𝐵 𝑛𝑖𝑣𝑒𝑙) resulta

1 1
• = 2
2
[1+(𝑓1 Τ𝑓′ 1 ) ]𝑛
 𝑛 1Τ
2− 1Τ2 2 𝑛 2
𝑓1 𝑓1 1Τ2
•o 1+ = 1+ = 2
𝑓′1 𝑓′1

𝑓1 2 𝑛
• de modo que 1 + =2
𝑓′1
𝑓1 2 1Τ
• Y1+ =2 𝑛
𝑓′1
𝑓1
• Con el resultado de que 𝑓′1 = …ec(18)
21/𝑛 −1
• Del mismo modo, se puede demostrar que en la región de alta
frecuencia,
𝑓′2 = 21/𝑛 − 1…ec(19)
• Observe la presencia del mismo factor 21/𝑛 − 1 en cada ecuación. La
magnitud de este factor para varios valores de n se da a continuación.
n 21/𝑛 − 1
2 0.64
3 0.51
4 0.43
5 0.39
Tabla 1

• Para n=2, considere que la frecuencia de corte superior 𝑓′2 = 0.64𝑓2 o 64% del
valor obtenido para una sola etapa, en tanto que 𝑓′1 = 1.56𝑓1 . Para n=3, o 𝑓′2 =
0.51𝑓2 o casi la mitad del valor de una sola etapa y 𝑓′1 = 1.96𝑓1 o
aproximadamente dos veces el valor de una sola etapa.
• Para el amplificador con transistor acoplado por RC, si 𝑓2 = 𝑓𝛽 o si su magnitud
es muy parecida para ambas de modo que afecten la frecuencia alta de 3 dB, el
número de etapas se debe aumentar por un factor de 2 al determinar 𝑓′2 debido
al número aumentado de factores1/(1+jf/ 𝑓𝑥 )
• Una reducción del ancho de banda no siempre tiene que ver con un incremento
del número de etapas si la ganancia de la banda media puede permanecer fija e
independiente del número de etapas. Por ejemplo, si un amplificador de una sola
etapa produce una ganancia de 100 con un ancho de banda de 10,000 Hz, el
producto de la ganancia por el ancho de banda resultante es 102 x104 = 106 .
Para un sistema de dos etapas se puede obtener la misma ganancia si la
ganancia de cada una de ellas es de 10 porque (10x10=100). El ancho de banda
de cada etapa se incrementaría entonces por un factor de 10 a 100,000 debido
al requerimiento de baja ganancia y al producto de la ganancia por el ancho de
banda de 106 . Desde luego, el diseño deber ser tal que permita el ancho de
banda incrementado y establezca el nivel de baja ganancia.
 PRUEBA CON UNA ONDA CUADRADA
• Se puede tener experimentalmente una idea de la respuesta en frecuencia de un
amplificador aplicando una señal que sea una onda cuadrada al amplificador y
observando la respuesta de salida. La forma de la onda de salida revelará si las
frecuencias altas o bajas se están amplificando correctamente. Aplicar una prueba con
una onda cuadrada es menos tediosa que una serie de señales senoidales a diferentes
frecuencias y magnitudes para probar la respuesta en frecuencia del amplificador.
• La razón para seleccionar una señal cuadrada para el proceso de prueba se describe
mejor examinando la expansión mediante la serie de Fourier de una onda cuadrada
compuesta por una serie de componentes senoidales de diferentes magnitudes y
frecuencias. La suma de todos los términos de la serie producirá la forma de onda
original. En otras palabras, aun cuando puede ser que una forma de onda no sea
senoidal, es posible reproducirla por una serie de términos senoidales de diferentes
frecuencias y magnitudes.
 PRUEBA CON UNA ONDA CUADRADA
• La expansión mediante la serie de Fourier para la onda cuadrada de la figura 9 es:
4 1 1 1 1
𝑣 = 𝜋 𝑉𝑚 sin 2𝜋𝑓𝑠 𝑡 + 3 sin 2𝜋(3𝑓𝑠 )𝑡 + 5 sin 2𝜋(5𝑓𝑠 )𝑡 + sin 2𝜋(7𝑓𝑠 )𝑡 + sin 2𝜋(9𝑓𝑠 )𝑡 + …+
ቆ 7 9
𝑓𝑢𝑛𝑑𝑎𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙 𝑡𝑒𝑟𝑐𝑒𝑟 𝑎𝑟𝑚𝑜𝑛𝑖𝑐𝑜 𝑞𝑢𝑖𝑛𝑡𝑜 𝑎𝑟𝑚𝑜𝑛𝑖𝑐𝑜 𝑠𝑒𝑝𝑡𝑖𝑚𝑜 𝑎𝑟𝑚𝑜𝑛𝑖𝑐𝑜 𝑛𝑜𝑣𝑒𝑛𝑜 𝑎𝑟𝑚𝑜𝑛𝑖𝑐𝑜
1
sin 2𝜋(𝑛𝑓𝑠 )𝑡
𝑛 ቇ
𝑛−𝑒𝑠𝑖𝑚𝑜 𝑎𝑟𝑚𝑜𝑛𝑖𝑐𝑜 Fig. 12
Onda
cuadrada

1
𝑓𝑠 =
𝑇
• El primer término de la serie se denomina (a)
fundamental y en este caso tiene la misma
frecuencia, fs que la onda cuadrada. El siguiente
término tiene una frecuencia igual a tres veces la
fundamental y se conoce como tercer armónico.
• Su magnitud es de un tercio de la magnitud del
término fundamental. Las frecuencias de los
términos subsecuentes son múltiplos impares del
término fundamental y la magnitud se reduce con
cada armónico más alto. La figura 13 demuestra
que la suma de términos de una serie de Fourier
puede producir una forma de onda no senoidal.
La generación de la onda cuadrada de la figura 12
requeriría un número infinito de términos. Sin
embargo, es obvio que la suma de sólo el término
fundamental y el tercer armónico en la figura 13
(a) produce una forma de onda que comienza a
tener la apariencia de una onda cuadrada. Si
incluimos el quinto y séptimo armónicos como en
la figura 13 (b) nos acercamos a la forma de onda
de la figura 12. (b)
Fig. 13 Contenido armónico de
una onda cuadrada
• Como la magnitud del noveno armónico es de (a)
más
1 de 10% del término fundamental
100% = 11.1% , los términos desde el
9
término fundamental hasta el noveno
armónico son los principales contribuyentes a
la expansión de la serie de Fourier de la
función de onda cuadrada. Por consiguiente,
es razonable suponer que si la aplicación de
una onda cuadrada de una frecuencia
particular produce una onda cuadrada limpia y
perfecta a la salida, entonces los términos del
fundamental al noveno armónico se están
amplificando sin tener una distorsión visual
ocasionada por el amplificador. Por ejemplo, si
se va a probar un amplificador de audio con
un ancho de banda de 20 kHz (el intervalo de
audio es de 20 Hz a 20 kHz), la frecuencia de la
señal aplicada deberá ser de por lo menos 20
kHz/9 =2.22 kHz. (b)
Fig. 13 Contenido armónico de
una onda cuadrada
• Si la respuesta de un amplificador a una (a) (b)
onda cuadrada aplicada es una réplica
no distorsionada de la entrada,
obviamente la respuesta en frecuencia
(o BW) del amplificador es suficiente
para la frecuencia aplicada. Si la
respuesta es como se muestra en las (c) (d)
figuras 14a y b, las frecuencias bajas no
se están amplificando correctamente, y
habrá que investigar la frecuencia de
corte inferior. Si la forma de onda tiene
la apariencia de la figura 14c, los
componentes de alta frecuencia no Fig. 14 (a) Respuesta en baja frecuencia pobre;
están recibiendo una suficiente (b) respuesta en baja frecuencia muy pobre;
(c) Respuesta en alta frecuencia pobre;
amplificación, y entonces hay que (d) Respuesta en alta frecuencia muy pobre.
revisar la frecuencia de corte superior (o
BW).
• La frecuencia de corte superior
real (o BW) se determina a partir
de la forma de onda de salida
midiendo con cuidado el tiempo
de levantamiento definido entre
10% y 90% de valor pico, como se
muestra en la figura 15.
Sustituyendo en la siguiente
ecuación resultará la frecuencia
de corte superior y 𝐵𝑊 = 𝑓𝐻𝑖 −
𝑓𝐿0 ≅ 𝑓𝐻𝑖 como , la ecuación Fig. 15 Definición del tiempo de levantamiento e
inclinación de una respuesta a una onda cuadrada
también da una idea del ancho de
banda del amplificador:
𝟎.𝟑𝟓
𝑩𝑾 ≅ 𝒇𝑯𝒊 = …ec(20)
𝒕𝒓
• La frecuencia de corte inferior se determina a partir de la respuesta de
salida leyendo con cuidado la inclinación de la figura 9.71 y sustituyendo
en una de las siguientes ecuaciones:
𝑽−𝑽′
%𝒊𝒏𝒄𝒍𝒊𝒏𝒂𝒄𝒊ó𝒏 = 𝑷% = × 𝟏𝟎𝟎% ..ec(21)
𝑽

𝑽 − 𝑽′
𝒊𝒏𝒄𝒍𝒊𝒏𝒂𝒄𝒊ó𝒏 = 𝑷 = … 𝐞𝐜(𝟐𝟐)
𝑽
• Entonces la frecuencia de corte inferior se determina a partir de
𝑷
𝒇𝑳 𝟎 = 𝒇𝑿 … 𝐞𝐜(𝟐𝟑)
𝝅