Área Académica de Computación y Electrónica

Licenciatura en Ingeniería en Electrónica

Circuitos integrados y VLSI

Tema: Unidad 4
Secuencia de fabricación
de la tecnología CMOS.

Elaboración: Dr. José Luis González Vidal

Actualización: Dr. José Luis González Vidal

Fecha de elaboración: Diciembre /2017

Fecha de actualización: Diciembre/2017

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 Tema
Secuencia de fabricación de la tecnología CMOS.

Resumen
La tecnología CMOS (semiconductor complementario de óxido metálico)
consiste en circuitos hechos utilizando transistores PMOS y NMOS,
sus principales características son debido a su tamaño reducido, su
escala de integración es muy alta, por lo que pueden hacerse circuito
con miles de transistores, su consumo de potencia es muy baja, y
pueden funcionar a altas velocidades de reloj.

Palabras Clave: CMOS, MOSFET, Circuitos integrados.

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 Tema
Secuencia de fabricación de la tecnología CMOS.

Abstract
The CMOS (complementary metal oxide semiconductor) technology
consists of circuits made using PMOS and NMOS transistors, its main
characteristics are due to its small size, its integration scale is very
high, so it can be made circuit with thousands of transistors, its Power
consumption is very low, and can operate at high clock speeds.

Keywords: CMOS, MOSFET, integrated circuit.

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 Tema
4.1 Introducción al proceso fabricación de CMOS

4
 Tema
4.2 Proceso CMOS
4.2.1 Limpieza de obleas

SUSTRATO TIPO P

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 Tema
4.2.2 Oxidación inicial (térmica)

SUSTRATO TIPO P

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 Tema
4.2.3 Depósito de metal para creación de pozos (aluminio).

Aluminio (Al)

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.3 Depósito de metal para creación de pozos (aluminio).

Ventana para pozo tipo-n

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.4 Creación de regiones tipo p o n

Pozo tipo-n

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.4 Creación de regiones tipo p o n

Se remueve el aluminio

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.5 Oxidación húmeda

Se deposita SiO2 (óxido de campo)

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 Tema
4.2.5 Oxidación húmeda

Se graba el SiO2 para crear ventanas

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.6 Depósito de polisilicio (poli_1 y poli_2)

Se deposita poli silicio (Si)

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.6 Depósito de polisilicio (poli_1 y poli_2)

Se graba el Si para crear las compuertas

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SUSTRATO TIPO P
Se deposita nuevamente Al, para crear las áreas activas tipo-p (active)

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SUSTRATO TIPO P
Regiones activas tipo-p (active)

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SUSTRATO TIPO P
Se elimina el Al

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SUSTRATO TIPO P
Se deposita nuevamente Al, para crear las áreas activas tipo-n

SUSTRATO TIPO P 18
Se graba el Al, para crear las áreas activas tipo-n (active)

19
SUSTRATO TIPO P
Se crean las áreas activas tipo-n (active)

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SUSTRATO TIPO P
Se elimina nuevamente el Al

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.7 Grabado de ventanas de contacto para polisilicio

Se deposita otro SiO2

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.7 Grabado de ventanas de contacto para polisilicio

Se graba el SiO2 para crear ventanas de contacto

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.8 Depósito de metal_1 y metal_2 (alumninio)

Se deposita Al (M1) para contacto eléctrico

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.8 Depósito de metal_1 y metal_2 (alumninio)

Se graba el Al (M1)

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SUSTRATO TIPO P
Se deposita otro SiO2

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.9 Grabado de ventanas de contacto para metales (vias)

Se graba el SiO2 para crear vias (ventanas de contacto)

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SUSTRATO TIPO P
Se deposita Al (M2) para contacto eléctrico

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SUSTRATO TIPO P
Se graba el M2

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SUSTRATO TIPO P
 Tema
4.2.10 depósito de overglass

Se deposita un overglass (PSG) para protección

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SUSTRATO TIPO P