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  • GS (Off)

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    Marcos Krieger
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    Este documento presenta los resultados de varios ejercicios realizados sobre un MOSFET. 1) Se determina que el dispositivo es un MOSFET tipo P con un VGS(off) positivo. 2) Al variar VGS entre -4 y 4 V, se calculan los valores de la corriente de drenaje. 3) Se determina la resistencia de drenaje a partir de los valores medidos de tensión y corriente de drenaje.

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    Resultados Ejercicios MOSFET – Dispositivos Electrónicos 2019

    1)

    Para = −3
    −3
    = (1− = 10 [1 − ( ] = 3.91
    ( −8

    Para =3
    3
    = (1− = 10 [1 − ( ] = 18.9
    ( −8

    2) El dispositivo tiene un VGS(off) positivo, por lo tanto es un MOSFET tipo D de canal P.

    Para =4
    4
    = (1− = 18 [1 − ( ] = 6.48
    ( 10

    Para = −4
    −4
    = (1− = 18 [1 − ( ] = 35.28
    ( 10

    3)

    = – = 18 − (12 ∗ (620Ω = 10.56


    Resultados Ejercicios MOSFET – Dispositivos Electrónicos 2019

    4)

    ( ! 500
    = = = 6.17
    ( ( ! − ("# (10 − 1

    = %( − ("# = &6.17 ' ∗ (5 − 1 = 98.7

    5.
    15 %Ω
    =& ' = 24 = 3.13
    + ) 15 %Ω + 100 %Ω

    ( ! 200
    = = = 50
    ( ( ! − ("# (4 − 2

    = %( − ("# = &50 ' ∗ (3.13 − 2 = 63.8

    = – = 24 − (63.8 ∗ (200Ω = 11.2

    Por lo tanto el Punto de trabajo (Pto Q) es: = 3.13 e = 63.8

    6.

    El Multímetro indica = 8.5 Por lo tanto: = = 8.5


    − 15 − 8.5
    = = = 1.38
    4.7 %Ω

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