TRANSISTORES

BIPOLARES DE UNION (BJT)

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

El transistor es un dispositivo de tres terminales (Emisor, Base y Colector), a

diferencia del diodo, que tiene dos terminales, internamente es un dispositivo
semiconductor de tres capas, compuesto ya sea de dos capas de material tipo n y una
de tipo p (NPN) o dos capas de material tipo p y una de tipo n (PNP).

En otras palabras, el transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en
la Figura 55 a.

Tres zonas de dopado (NPN ó PNP) b) Equivalencia de transistor en diodo c) Esquemático

del transistor NPN y PNP.

El emisor es una capa de tamaño medio diseñada para emitir o inyectar electrones,
está bastante contaminado. La base cuenta con una contaminación media, es una
capa delgada diseñada para pasar electrones. El colector, capa grande diseñada para
colectar electrones, está poco contaminado.