ELECTRONICA

ERICK CHAVEZ BENAVIDES

GUILLERMINA GUERRERO MORA

Universidad Autonoma de San Luis Potosi

Unidad Academica Multidisciplinaria Zona Media

TAREA

TAREA 1

Son una clase especial de
elementos cuya conductividad
se encuentra entre la de un
buen conductor y la de un
aislante.
De un solo cristal. Germanio y Silicio tienen
una estructura cristalina repetitiva Se compone de 3 partículas.
Compuestos. Arseniuro de Galio, sulfuro de
electrón, Protón, Neutrón
Cadmio, Nitrato de Galio, y fosfuro de Galio
y arsénico El Ge y Si tienen 4 electrones en su capa externa llamados
Electrones de Valencia

SEMICONDUCTORES. SON 2 TIPOS

ÁTOMO

Tipo n, se crea introduciendo elementos de impureza

que contienen 5 electrones de valencia
ENLACE COVALENTE
(pentavalentes)

Tipo P se crea dopando un cristal de germanio o Es el enlace de átomos reforzado

silicio puro con átomos de impureza que tienen 3 por compartir electrones
electrones de valencia (triavalentes)
Materiales ELECTRON LIBRE Es el electrón el cual se ha separado
MATERIALES TIPO P y N
Semiconductore de la estructura entrelazada fija y es
muy sensible a cualquier campo
Tanto materiales tipo P como tipo N se forman
agregando un numero predeterminado de átomos de s eléctrico aplicado

impurezas a una base de silicio

SEMICONDUCTOR
INTRINSECOS
SEMICONDUCTOR
EXTRINSECOS Se le denomina a cualquier material
HUECOS CONDUCTORES
MOVILIDAD semiconductor que haya sido
RELATIVA cuidadosamente refinado, es decir, lo más
Es aquel semiconductor dopado Se le llama al vacío que deja La resistencia se incrementa puro posible
una salida de un electrón en con un aumento de Capacidad de los
Dopaje consiste en añadir átomos de
el orbital de valencia temperatura, llamada electrones para
impurezas a un cristal intrínseco con el fin
coeficiente de temperatura moverse por todo el
de alterar su conductividad eléctrica
material