DISTRIBUCION DE ESTADOS INTERFACIALES EN LA UNION
W/n-GaAs FABRICADA MEDIANTE SPUTIERING RF Y TRATADA
TERMICAMENTE
Amar Singh y L. Velásquez.*
RESUME N
Las uniones de tipo W /n-GaAs tienen aplicaciones
potenciales en la electrónica para altas temperaturas, alta
potencia y alta velocidad. Sin embargo, la alta densidad
de Jos estados interfaciales en las uniones W/n-GaAs
fabricadas mediante la técnica de Sputtering rf a alta
potencia degrada la calidad de los dispositivos. Para
disminuir la densidad de estados interfaciales, el dispo-
sitivo W/n-GaAsfln fue sometido a un tratamiento ténni-
co. La unión W/n-GaAs fue fabricada por la deposición
de W, sobre la cara pulida y quúnicamente tratada de
n-GaAs mediante la técnica de Sputtering rf a una poten-
cia rf de 300 vatios durante 30 min. Para lograr el
contacto óhmico, se evaporó ténnicamente In sobre la
cara no pulida de n-GaAs. El dispositivo W/n-GaAsfln
fue sometido a rm tratamiento ténnico a 390 ·e durante
90 min. Las características capacitancia-voltaje (e- V)
fueron medidas a temperatura ambiente en un rango de
frecuencia (t) entre 200 Hz y 1 MHz. Los datos experi-
mentales de e- Vlf fueron reorganizados para establecer
la dependencia de capacitancia con frecuencia a diferen-
tes voltajes de polarización. En polarización directa, la
variación de e con f fue atribuida a Jos estados interfa-
ciales en equilibrio con el se1niconductor n-GaAs. La
capacitancia de los estados interfaciales (ep) fue extraída
de Jos valores medidos de e mediante la relación
Cp(f,V)=C(f,V) - C(1MHz,V). Los datos de ep vs f
fueron ajustados a la relación: ep =qA[Nss1tan- 1
(2nfTI)/2nfTI +Nss2tan- 1(2nfr2)/2nfr2], válido para dos
tipos de estados con constante de tiempo TI y T2 muy
diferentes. El procedimiento de ajuste proporcionó Jos
valores de T1 =4 ms y T2=6!ls. Para voltajes de polariza-
ción directa (V) en el rango 0,02-0,10 V, la densidad
intcrfacial por unidad de energía, Nss2 se mantuvo cons-
*Laboratorio de Semiconductores, Departamento de Física,
Universidad de Oriente, Apartado 188, Cumaná 6101, Sucre.
Recibido diciembre 1996. Aprobado octubre 1997.
27
tantea un valor de 6.0xl0 10 eV 1cm-2 mientras que la
densidad por bidad deenergía Nssl varió entre 5,6xl0 11
-1 -2 g 12 , rl -2 .
eV cm y 3, x 10 e v cm . La dependencia de Nss1
con V fue descrita por la relación em¡írica Nss1 =Nsso
11
exp ( ~V) con Nsso - 2,2xl0 eV 1cm- y ~=27,3 V 1.
AB STRAeT
The W/n-GaAs junctions have applications in high
temperature, high power and high speed electronics.
However, the high density of interface states in W/n-
GaAs jrmctions fabricated by rf sputtering at high rf
power degrades the quality of the devices. To reduce the
density of interface states, the W/n-GaAs device was
subjected to thennal annealing. The W/n-GaAs jw1ction
was fabricated by rf sputtcr deposition of W ata rf power
of 300 W atts for 30 min. on the chemically etched
polished surface of n-GaAs. To obtain ohmic contact, In
was thennally evaporated on the unpolished face of
n-GaAs. The Wfn-GaAs device was subjected to a
thennal anneal at 390 ·e fo r 90 min. The capacitance-
voltage (e- V) characteristics were measured at room
temperature in the frequency (f) range between 200 Hz
and 1 MHz. The e-V/f experimental da ta were rearran-
ged to establish the frequency variation of capacitance at
different bias voltages. Under fo rward bias, the variation
ofe with frequency was attributed to the interface states
in equilibrium with the semiconductor n-GaAs. The
capacitance of the interface states (ep) was extracted
from the values of e using the relation: e p(f, V) =C(f, V) -
C( lMHz, V). TI1e ep vs f data were fitted to the relation:
ep=qA[Nss 1tan- 1(21tfT) 1)/21tfT) 1+Nss2tan-l (27tfi2)/21tf
T2], valid for two types of states with ve¡y different time
constant T1 y T2. TI1e fitting procedure provided the
values of TI =4 ms and T2=611s. For the forward bias
values in therange0 .02-0.10 V, theinterface state energy
10
density Nss2 remained constant ata value of 6.0xi0
1 2
eV cm- , whereas the energy density Nssl varied
between5,6xl0 11 eV 1cm- 2 and 3,8xl0 12 eV 1cm-2. The
dependen ce of Nss 1 on V was described by the empirical
11
relation: Nss1=Nssoexp (f3 V) with N 550 =2,2xl0 eV
1cm-2 and f3=27,3 V 1.
 Distribución de Estados Interfaciales...
INTRODUCCION
El compuesto semiconductor GaAs tiene aplicaciones
tecnológicas en dispositivos electrónicos y fotónicos. La
unión W/n-GaAs juega un papel importante en la
electrónica de alta temperatura que tiene utilidad en la
industria petrolera, automotriz, aeronáutica y de energía
nuclear.
El Sputtering rf es la técnica comúnmente utilizada
para la fabricación de las uniones Schottky (Wfsemicon-
ductor). Sin embargo, el proceso de Sputtering introduce
estados interfaciales en la interfase metal-semiconduc-
tor, cuya concentración depende del proceso de fabrica-
ción. Los resultados de nuestras investigaciones anterio-
res, Singh et al., (1995 a, b, e, d); indican que la alta
densidad de estados interfaciales introduce una no-
idealidad en las características corriente-voltaje del
diodo Schottky W/n-GaAs que degrada su cqlidad resul-
tando en un valor bajo de la razón de rectificación y un
alto valor de la corriente de saturación que a su vez
perjudica su uso en dispositivos electrónicos de alta
temperatura. En este trabajo presentamos los resultados
de nuestra investigación sobre la distribución de estados
interfaciales en un diodo Schottky W/n-GaAs, fabricado
mediante la técnica de Sputtering rf y sometido a un
tratamiento térmico a una temperatura no muy alta
(39o·q. Estos resultados son muy alentadores debido a
que el tratamiento térmico produjo una distninución de
dos órdenes de magnitud en la densidad de los estados
interfaciales, Jo cual permitió lograr un contacto de W
con n-GaAs de muy alta calidad.
TECNICA EXPERIMENTAL
Las muestras monocristales de n-GaAs ( 100): Sí fue-
ron utilizadas en la fabricación de los diodos Schottky
tipo W/n-GaAsfln. Antes de la deposición de los contac-
tos metálicos Jos substratos fueron degrasados con ace-
tona y metano! a una temperatura de 45 "C durante 10
minutos, luego se enjuagaron con agua desionizada
(ADI) y finalmente fueron secados con gas argón. Para
obtener el contacto óhmico, se depositó In sobre la cara
no pulida de n-GaAs, mediante evaporación ténnica,
seguido de un tratamiento térmico durante 90 min. en un
ambiente de Ara una temperatura de 390 "C. Se fabricó
una unión Schottky de tipo W/n-GaAs de área 1.75 mm2
depositando W mediante Sputtering rf a una potencia rf
de 300 vatios durante 30 min. y una presión de Ar de
6.5x10- 3 Torr, sobre la superficie pulida de n-GaAs
previamente tratada con HCl:HzO (1:1) durante 10 mi-
nutos. Finalmente, el diodo Schottky W/n-GaAs/In fue
28
sometido a un tratamiento ténnico a 390 ·e durante 90
min. en un ambiente de Ar.
Las características corriente-voltaje (1- V) de los
diodos Schottky W/n-GaAsfln fueron medidas utilizan-
do un electrómetro Keithley 617, un picoamperímetro
Keithley 480 y una fuente de poder Hewllet-Packard
6160A. Las medidas de capacitancia a 1 MHz fueron
realizadas con un medidor de capacitancia Boonton 72B.
Las medidas de capacitancia (CM) y conductancia (GM)
de Jos diodos Schottky W/n-GaAs/In en función de la
polarización, para diferentes frecuencias en el rango
0.2-100 KHz fueron hechas simultáneamente con un
amplificador bifásico PAR-5204.
DATOS EXPERIMENTALES Y ANALISIS
A partir de las medidas de corriente-voltaje (/-V) en
polarización directa e inversa realizadas a temperatura
ambiente, Singh y Velásquez ( 1996), se determinaron los
valores de la razón de rectificación y=1.4x104, el factor
de idealidad n= 1.07 y la corriente de saturación
Io=8.3xl0-8 A para el diodo Schottky Wfn-GaAs/ln,
tratado ténnicamente durante 90 min. a 390 ·c. Las
J
características c-2- V fueron lineales5 proporcionaron
los valores de 1.26 V y 5.3x10 16 cm- para la altura de
barrera (<j>bo) y la densidad de portadores (No-NA).
Las medidas de CM y GM a temperatura ambi<:>nte en
la unión W/n-GaAs ténnicamente tratada fueron realiza-
das en función del voltaje de polarización para frecuen-
cias en el rango de 0,2-100 KHz y utilizando la técnica
descrita anteriormente, Singh ( 1985), Singh et al.,
(1993), la capacitancia de la unión (C) en función del
voltaje de polarización (V) y frecuencia (t) fue obtenida.
Algunas curvas típicas de C- V, con f como parámetro, se
muestran en la Fig. 1 y en la Fig. 2 se muestran las
características C-f con V corno parámetro. La dispersión
de la capacitancia con la frecuencia (Fig. 2) se atribuye
a los defectos en la superficie en equilibrio con el semi-
conductor n-GaAs. La capacitancia de los defectos de
superficie, Cp está en paralelo con la capacitancia de la
zona vaciada, Csc y el circuito equivalente es como el
descrito en la Ref. 6. La capacitancia Csc(V) se igualó a
la capacitancia C(V) a 1 MHz y la capacitancia de los
defectos en la superficie Cp(V,f) fue extraída de los
valores experimentales de C(V,f) usando la relación
(Singh 1985, Singh et al., 1993)
Cp (V,f)= C(V,t) - C(V, 1 MHz), (1)
Las curvas típicas de los valores experimentales de Cp
vs f con V como parámetro, deducidos de la Ec. (1), se
 Amar Singh y L. Velásquez

muestran en las Fig. 3 (puntos discretos). La variación
con la frecuencia de los valores experimentales de Cp
(Fig. 3, puntos discretos) fue descrita bien por el modelo
de Lchovec (1966), válido para los estados interfaciales
con dos constantes de tiempo
dominó sobre la densidad Nss2- La densidad Nsst creció
exponencialmente .con el aumento del voltaje de polari-
zación directa (Fig. 4 y Tabla 1) y fue descrita bien por
la Ec. (3).
TABLA l. Resumen de los parámetros de los estados

Cp = qA
1
Nss1 tan- (WT¡)
+
Nss2 tan-
1
(ú>T2~ , (2)
interfaciales lentos y rápidos en el diodo
Schottky W/n-GaAs tratado térmicamente,
WT¡ WT2 determinados de los ajustes de los valores
experimentales de Cp a la Ec. (2 ).
donde Nss 1y T1 son la densidad interfacial por unidad de '
energía y el tiempo de relajación de los defectos de
superficie lentos, Nss2 y T2, la densidad por unidad de ESTADOS INTER- ESTADOS INTER-
FACIALES LENTOS FACIALES RAPIDOS
energía y el tiempo de relajación de los defectos de
superficie rápidos, A el área del contacto de W, q la
lv (m V) Nsst (eV 1cm-2) Tt(ms) Nss2(eV 1cm-2 T2 (¡.JS)
magnitud de la carga del electrón y w=21tf. Los ajustes
10
de los valores experimentales de Cp (Fig. 3, puntos o - 5,8x10 6
discretos) a la Ec. (2) (Fig. 3, curvas sólidas) fueron 11 10
buenos para TI =4 ms, r2=6 ¡.JS y con los valores de Nsst 20 4,7x10 4 6 3x10 6
'
y Nss2 indicados el la Tabla l. La dependencia de la 40 5,6xl0 11 4 6,0x10 10 6
densidad por unidad de la energía de los defectos lentos
11 10
(Nssl) con V (Fig. 4) fue descrita por la relación empírica 60 9,4xl0 4 6,3x10 6
12 10
80 2,0x10 4 6,3x10 6
Nss¡=Nssoexp(¡3 V), con Nss0= 2,2xl0 11 eV-1cm-2 , ¡3=27,3 y-l
12
(3) 100 3,8x10 4 5 3x10 10 6
'
DISCUSION

En el diodo Schottky W/n-GaAs calentado a 390°C
durante 90 min, las características C- Vjf (Fig. 1) y C-f/V
(Fig. 2) muestran una dispersión con frecuencias en la
capacitancia, relativamente pequeña comparada con la
que se observó en el diodo W/n- GaAs, no sometido al
tratamiento térmico, (Singh y Velásquez, 1996). La dis-
persión observada en la capacitancia de la unión se
atribuye a los estados interfaciales presente en la interfa-
se Wjn-GaAs aún después del calentamiento. El análisis
de la capacitancia (Cp) de los estados interfaciales a cero
voltaje de polarización (Fig. 3) en términos del modelo
de Lehovec, ( 1966), indicó la presencia únicamente de
los estados interfaciales rápidos (T2=6 !JS) con una den-
sidad por unidad de energía de5.8xl0 10 eV 1cm-2 (Tabla
n. Sin embargo, para los voltajes de polarización directa
en el rango 20-100 m V, los valores experimentales de Cp
(Fig. 3, puntos discretos) se ajustaron bien a la Ec. (2)
(Fig. 3, curvas sólidas) indicando la presencia de los
estados interfaciales lentos con T¡=4 ms además de los
estados rápidos con T2=6 ¡.JS. La densidad por unidad de
energía de los estados interfaciales rápidos CNss2) se
mantuvo casi constante en todo el rango del voltaje de
polarización directa mencionado anterionnente (Tabla
1). Para 20m V~ V~ 100m V, la densidad por unidad
de energía de los estados interfaciales lentos (Nsst)
La densidad por unidad de energía de los estados
interfaciales lentos en el diodo Schottky Wjn-GaAs so-
metido al tratamiento térmico a 390 oc durante 90 min.
fue dos órdenes de magnitud menor que en el diodo no
calentado, Singh y Velásquez (1996), lo cual permitió
lograr un contacto de W con n-GaAs de alta calidad
indicado por un valor muy alto de la razón de rectifica-
4
ción (y"' 1,4x 10 }, un valor del factor de idealidad cerca-
no a la Unidad, y un valor bastante bajo de la densidad de
la corriente de saturación inversa (J0 =4,6x1 0-6 Acm-2).
Kuriyama et al-~ (1987), han reportado los valores de
Io~xl0 4
Acm- para un diodo Schotky Wjn-GaAs,
calentado en un ambiente de Ara 450 OC durante 1 min.,
y Io=1x10-6 Acm-2 después de someterlo a un tratamien-
to térmico a 800 oc durante 20 min. en un ambiente de
N2:H2 (9: 1).
AGRADECIMIENTOS
Este trabajo fue parcialmente fina nciado por el
Consejo de Investigación de la Universidad de Oriente
a través del Proyecto de Investigación CI-05-1002-
0776/96.

29
 Distribución de Estados Interfaciales...

6 10'3
1
Diodo _,w : .cAwtn~p ~ RF
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Ciodo Sd:oüy WM:W.1n fabricado por~ RF
, . _ RF•:SOO - : Eid;ng: Ql'"-
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0.00 0.0.. 0.08 0.12
V(Volts)

Flg. 1.- Medidas C- V en polarización directa, con la frecuencia

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0.00
. . .-~ 0.04
....--_:-1-_ _...__j0.12
0.08
como parámetro, para el diodo Schottky W/n-GaAs{ln, tratado V(Volt)
térnúcamente a 390 "C durante 90 miJL

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Diodo ~ky W~Ga ..s"" f.t:~ f'<'llf SJH~ RF Flg. 4. Dependencia de la densidad por unidad de energía de los
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estados lnterfaciales lentos sobre el voltaje de polarización directa
• en el diodo Schottky W/n-GaAsfln sometido a un tratanúento
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FRECUENCII'. (H7.)
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Poten<:iJ ~ ..300 w.tl
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f'-.. ··o
~, ~ · o ·· . ..
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10' . .
• "' .--t:---¡-:-·:.....•: i : J: :;.~ :¡~
Conlld:l di w ~a 3i(f e durar.te 90 ~
, -~
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FRECUENCIA (Hzl
in Proc. Founh Intemational Cor¡(erence on Salid State
andlte.~r-Cicu Technolof:)l UCSICT'95l. Edited
FIG. 3.- Variación de la capacitancia (Cp) de los estados lnterfa-
ciales con frecuencia. Las curvas sólida y de trazos representan by G. Baldwin, Z. U, C. C. Tsai and J. Zhang (Publishlng
ajustes de los valores experimentales de Cp (círculos llenos y House of the Electronics Indusuy, Beijing, China), p.
cuadrados vacíos) a la Ec. (2) para los valores V de 40 m V y 80 mV, 387-389.
respectivamente. La curva punteada representa los ajuste de los
valores experimentales Cp para v-o m V (círculos vacíos) al caso
especial de la Ec. (2), válido para estados interfaciales con un sola SINGH A. y VELASQUEZ, L. 1995c. Acta Científica
constante de tiempo (Tl)· Venerolana, ~ (Sup. 1), 307.

30
 Amar Singh y L. Velásquez

SINGH, A., VELASQUEZ L. y AROCA G. 1995d. SINGH A. and VELASQUEZ L. 1996, in Control of
Acla Científica V e nezola,~ (sup. 1), 305. Semiconductor Surfaces and interfaces (Mater. Res. Soc.
Symp. Proc. ~. Pittsburgh, PA, USA), p. 395-400.

08
ta
to
la

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a.
id
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p.

b.
C'-
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p.

31