AMPLIACIÓN QUÍMICA INORGÁNICA II – TEMA 4

1.- Los nitruros de los elementos metálicos del grupo 13 adoptan por lo general una
estructura tipo wurtzita. Con ayuda de un libro de texto, describa en que consiste
dicha estructura y que otros compuestos la presentan.

Es una estructura hexagonal compacta de aniones donde los cationes ocupan la

mitad de los huecos tetraédricos, colocándose éstos de forma ordenada justo debajo
de los aniones por cada capa de los mismos.

2.- Proponga una reacción para la hidrólisis del Al2S3 en agua.

Al2 S 3 +6 H 2 O →2 Al(OH )3+ 3 H 2 S

3.- El SnS2 adopta una estructura tipo CdI2. Utilizando un libro de texto, describa dicha
estructura.

Es una estructura en capas, donde cada capa está formada por dos láminas de
aniones en disposición compacta donde los cationes ocupan los huecos octaédricos
entre ellas. Las capas están unidas entre sí por fuerzas de van der Waals.
También se puede definir como una estructura hexagonal compacta de aniones en la
que los cationes ocupan la mitad de los huecos octaédricos de forma ordenada y en
capas alternas.

4.- Proponga una estructura de Lewis para la estructura del As2S3 en fase de vapor.

En fase de vapor se forma un dímero de As4S6.

5.- ¿Cuál es la importancia industrial del arseniuro de galio?

El GaAs tiene una gran importancia tecnológica debido a que es un semiconductor

con alta movilidad electrónica muy útil para dispositivos de alta velocidad. Además
es un semiconductor de “Band gap” directo en el que los momentos de electrones y
huecos son iguales en las bandas de conducción y de valencia permitiendo que los
electrones emitan fotones de forma directa siendo muy útil para dispositivos
optoelectrónicos.

6.- ¿A qué se deben las diferencias existentes en las propiedades asociadas al

movimiento de electrones entre el silicio y los semiconductores 13/15? Ponga un
ejemplo.

Los semiconductores GaAs son isoelectrónicos con el Si. Las diferencias existentes
entre estos semiconductores se basan en sus estructuras que permiten una mayor
movilidad electrónica favoreciendo la corriente eléctrica. Además el Si es un
semiconductor de “Band gap” indirecto en el que es necesaria la involucración de un
fotón para conservar los momentos y se produzca la transmisión electrónica.