Materiales Electricos 1

TEMA 11

MATERIALES ELCTRICOS

Introduccion. Conductividad ionica. electrolitos solidos. Conductividad electrica.
Semiconductores intrinsecos e extrinsecos. Dispositivos semiconductores. Procesado de
circuitos integrados. Materiales dielectricos. Materiales ferroelecticos v
pie:oelectricos. Superconductores.

Las propiedades electricas de los materiales pueden a veces ser en muchas ocasiones tan
importantes como sus propiedades mecanicas. Hay que tener en cuenta que todos los
tipos de respuestas electricas son importantes para determinadas aplicaciones. Asi, la
transIerencia de energia electrica a grandes distancias precisa de materiales con una alta
conductividad para evitar perdidas por calentamiento. Con el mismo objetivo, se
precisan tambien materiales que sean perIectamente aislantes para evitar cortocircuitos
y procesos de arco entre los conductores. Pero tambien los compuestos con
conductividades intermedias son de gran importancia tecnologica, basta recordar que
toda la moderna tecnologia electronica depende del silicio y otros semiconductores.

Una de las caracteristicas mas importantes de un material solido es su capacidad para
transmitir la corriente electrica, esto es su conductividad elctrica. Una corriente
electrica no es sino un movimiento de particulas cargadas producido por un campo
electrico aplicado. En la mayoria de los materiales esas particulas que se mueven son
los electrones, que dan lugar a una conductividad electrnica. Sin embargo, en otros
sistemas es el movimiento de los iones el que transmite la corriente, y se habla de
conductividad inica. La conductividad de un material depende de numerosos Iactores:
tipo de enlace, deIectos de red, microestructuras, velocidad de diIusion (en conductores
ionicos), etc. Por este motivo, la conductividad es probablemente la magnitud Iisica que
presenta un mayor intervalo de variacion. Asi mientras que la conductividad en los
aislantes es del orden de 10
-22
(m
-1
), en los semiconductores varia entre 10
-6
y 10
-4

(m
-1
), y en los buenos conductores llega a ser mayor de 10
7
(m
-1
).

Aunque son Iundamentalmente los metales y algunos compuestos ceramicos los que
presentan conductividades apreciables, tambien se han descubierto en los ultimos aos
algunos materiales polimericos con conductividades muy elevadas. Se trata de
polimeros como el poliacetileno o el paraIenileno, dopados con donores (metales
alcalinos, iones haluro) o aceptores (bromo, acido sulIurico) de electrones. Sus
potenciales aplicaciones, dadas su baja densidad, Ilexibilidad y Iacilidad de procesado,
son inmensas, pero todavia se encuentran en Iase de investigacion por sus problemas de
inestabilidad y degradacion ambiental.


Conductividad Inica. Electrolitos slidos

La mayoria de los compuestos ionicos, especialmente si presentan no estequiometria o
iones dopantes, tienen una ligera conductividad. No obstante, para que se considere que
un solido es un conductor ionico, la conductividad ha de ser superior a 10
-1
(m
-1
).
Estos materiales se denominan habitualmente electrolitos slidos, por su similitud en
cuanto a conductividad con las disoluciones electroliticas, aunque tambien se les conoce
como conductores superinicos. Son materiales que presentan una estructura rigida,
Materiales Electricos 2
pero dentro de la cual algunos iones Iorman una subred movil. Estructuralmente, son
materiales con un gran numero de posiciones vacantes y con una barrera de potencial
pequea para el salto de un hueco a otro. Su conductividad aumenta Iuertemente con la
temperatura, porque los iones disponen de mayor energias para moverse y tambien
porque aumenta el numero de deIectos.

Los electrolitos solidos presentan normalmente una estructura con tuneles abiertos, o
capas, a traves de los cuales los iones se mueven con gran Iacilidad. Normalmente solo
una de las especies ionicas es movil, generalmente un cation alcalino o aniones
pequeos como el Iluoruro o el oxido, pero el numero de ellos que se mueven es muy
elevado (no son impurezas). Ademas, la energia de activacion necesaria para los
movimientos es inusualmente pequea (0.1-0.9 eV). Con Irecuencia son materiales
estables unicamente a elevadas temperaturas, suIriendo transiciones de Iases no
conductoras al bajar la temperatura.

Los estudios sobre los electrolitos solidos se han desarrollado basicamente a partir de
1960, cuando se descubrio la alta conductividad de las -alminas, y la posibilidad de
desarrollar baterias con electrolitos solidos que Iueran mas eIicientes, potentes, seguras
y de menor volumen que las tradicionales con disoluciones de H
2
SO
4
. En la actualidad
se investiga sobre diIerentes Iamilias de conductores ionicos, especialmente sobre las
-aluminas, los Nasicon y los conductores de litio.

-alminas es el nombre con el que se conoce una Iamilia de Iases de Iormula general
M
2
O.nX
2
O
3
(n 5-11; M A

, Cu

, Ag

, Ga

, In

, Tl

, NH
4

y H
3
O

; X Al
3
, Ga
3
,
Fe
3
). La mas conocida de estas es la -alumina de sodio (M Na

; X Al
3
), un
subproducto de la Iabricacion del vidrio que Iue estudiado por la Ford para su
incorporacion a las baterias de los coches. Su alta conductividad se debe a su estructura
poco corriente. Esta puede considerase como un empaquetamiento compacto de
oxigenos, pero cada cinco laminas aparece una en la que las tres cuartas partes del
oxigeno han desaparecido (tambien se puede considerar como una estructura derivada
de la espinela, MgAl
2
O
4
). Los iones sodio ocupan precisamente esas laminas, y como
son mas pequeos que los iones oxido y tienen posiciones vacantes, se mueven con gran
Iacilidad.



Figura 1.- Estructura de la -alumina.
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El ordenamiento estructural en la region ocupada por el sodio, y el mecanismo que
permite la movilidad de este, no son aun bien conocidos a pesar del importante trabajo
dedicado a este sistema. Se sabe, eso si, que la conduccion se desarrolla solo sobre los
planos de las vacantes y que los iones sodio no penetran en los bloques compactos, es
decir es un conductor ionico 2D. Se sabe tambien que la conductividad es maxima para
los iones Na

y Ag

, pero disminuye Iuertemente para iones mas grandes, lo cual parece

logico, y mas pequeos, caso del Li

que parece preIerir situarse Iijo en las paredes de

los planos de conduccion. Las -aluminas sodicas se emplean en la actualidad en
baterias que operan a temperaturas superiores a los 300 C, con voltajes pequeos,
aproximadamente 2V, pero con una gran eIiciencia considerando la relacion
energia/masa.

NASICON (Na Superionic Conductor) es el nombre con el que se designan a materiales
no estequiometricos Iormados por un entramado de octaedros ZrO
6
y tetraedros
(Si,P)O
4
que encierran tuneles interconectados en los que se situan los iones Na

. Sus
posiciones no estan completamente ocupadas por lo que la migracion de estos iones es
posible en las tres direcciones. La relacion P/Si permite controlar la cantidad de sodio
presente en el material y por tanto su conductividad (Na
1x
Zr
2
P
3-x
Si
x
O
12
). Una parte
importante de las investigaciones que se realizan sobre las zeolitas en la actualidad, se
dirige a su posible utilizacion en la preparacion de electrolitos por el parecido de sus
estructuras con la del Nasicon.

Pero son probablemente los conductores de litio los que mayor interes despiertan en la
actualidad. El desarrollo de las baterias de litio es crucial tanto para aplicaciones a
pequea escala (teleIonos moviles, ordenadores y otros equipos electronicos) como a
gran escala (vehiculos sin emisiones). Su voltaje es superior al que puede conseguirse
con las baterias de sodio, alcanzandose los 5 V en algunos modelos (4 V en los mas
comunes). Sin embargo, aunque ya se utiliza el litio metal como anodo, y diversos
compuestos intercalados (Li
x
CoO
2
y LiCoMnO
4
, que son conductores electronicos e
ionicos) como catodos, el problema se encuentra en que aun se deben empelar
electrolitos liquidos (LiPF
6
en carbonato de propileno) para no perder eIiciencia en la
pila. En la actualidad ya se experimenta con Li disuelto en polimeros, que permiten
reducir signiIicativamente el volumen del electrolito, pero el gran reto es conseguir la
misma eIectividad en una ceramica o vidrio. El unico ejemplo existente por el momento
son las peliculas de LiI que se emplean en los marcapasos (Li/LiI/I
2
-2.8V), pero su
conductividad ionica sigue siendo baja a temperatura ambiente para baterias mas
potentes.


Conductividad Electrnica

La conductividad electronica puede describirse con el mismo modelo de bandas que se
utiliza para describir el enlace en los metales. Recordemos, que los sistemas
conductores son aquellos en los que la banda de valencia y la banda de conduccin se
solapan, o bien no presentan completa la banda de valencia. En los semiconductores
ambas bandas se encuentran separadas por un pequeo 'gap de energia, estando la de
valencia completa y la de conduccion vacia. Y Iinalmente, los aislantes se caracterizan
por un salto energetico importante entre ambas bandas. Recordemos tambien que se
conoce como energa de Fermi a la del estado mas energetico ocupado a 0 K y que
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solo los electrones con una energia superior a la de ese nivel, esto es los electrones
libres, pueden ser acelerados en presencia de un campo electrico. Mientras que en los
metales y otros conductores basta con el eIecto del campo electrico para excitar un
numero importante de los electrones de valencia, en semiconductores la energia
necesaria debe provenir normalmente de una Iuente externa: calor o luz.

Cuando se aplica un campo electrico a un sistema, los electrones, por ser particulas
cargadas negativamente, son acelerados en direccion contraria al campo aplicado. El
Ilujo de corriente observado dependera en principio de dos Iactores: el numero de
electrones libres y su movilidad. El numero de electrones libres depende de la estructura
electronica de cada elemento, y la teoria de bandas permite explicar perIectamente su
variacion de unos elementos a otros. Elementos como el sodio, y los demas alcalinos,
presentan la banda de valencia semillena y la banda de conduccion vacia. Por eIecto de
la temperatura, algunos electrones ocupan parte de los niveles de energia vacantes en la
banda de valencia, y dejan huecos en sus posiciones originales. El movimiento de
electrones y huecos produce una corriente electrica por todo el material.



Figura 2.- Estructura de bandas para el sodio.

En los alcalino terreos, como el magnesio, la banda de valencia (s) esta completa y la de
conduccion (p) esta vacia, pero ambas bandas estan solapadas, lo que permite que los
electrones se muevan libremente por ellas. Situacion similar se da tambien en el
aluminio. Al ser el numero de electrones superior al que presentan los alcalinos, su
conductividad es mayor.

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Figura 3.- Estructura de bandas para el magnesio.

En los metales de transicion, la banda de valencia (d) solapa con la de conduccion (s).
Debido a este solapamiento los electrones pueden moverse con Iacilidad, sin embargo a
pesar del elevado numero de electrones la conductividad no es tan elevada como cabria
esperar. Aparentemente, se producen interacciones entre ambos niveles que diIicultan
los movimientos. En el cobre, con la capa d completa y la s semillena es donde se
observa la maxima conductividad, probablemente porque la capa llena no puede
interaccionar con la s. Un eIecto similar explicaria tambien la alta conductividad de la
plata y el oro.



Figura 4.- Conductividades a temperatura ambiente.

La movilidad de un electron es un Iactor que nos indica la magnitud de la energia
cinetica que pierde cuando atraviesa el solido. En su camino, el electron es desviado por
impurezas, vacantes, intersticiales, dislocaciones, e incluso por las vibraciones de la red
(Ionones). Por este motivo la distancia que recorre es mucho mayor que su recorrido
neto, y el Ilujo menor de lo esperado. El conjunto de estos Iactores constituye la llamada
resistividad elctrica (y su inversa la conductividad elctrica).

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Figura 5.- Movimiento de un electron en una red cristalina.

La resistividad aumenta 'linealmente, con la temperatura en los metales debido al
aumento de las energias vibracionales (responsables del calentamiento de los
materiales), asi como por el aumento del numero de vacantes y otras irregularidades que
puedan producirse. Este aumento es especialmente importante en metales ligeros como
el berilio, dado que las vibraciones de sus atomos son mas importantes. La presencia de
deIectos como vacantes, dislocaciones o bordes de grano tambien diIiculta la movilidad
y por tanto disminuye la conductividad. Y lo que resulta de mayor importancia, el
mismo eIecto tienen tambien los elementos aleantes que se utilizan para mejorar las
propiedades mecanicas de los metales.

Tambien los tratamientos de procesado y endurecimiento a que son sometidas las
aleaciones aIectan Iuertemente a su conductividad. Pero no todos lo hacen en la misma
medida. Asi, el endurecimiento por precipitacion o envejecimiento disminuyen la
conductividad, pero menos de lo que lo hacen los endurecimientos por solucion solida
(caso del cobre endurecido con cinc). Tambien el trabajo en Irio reduce
considerablemente la conductividad, al distorsionar la red, pero tiene la ventaja de que
al calentar el material a bajas temperaturas se recupera parte de la conductividad sin
perder la dureza. Otro aspecto importante a tener en cuenta es el tamao de los granos,
los bordes de grano. Al igual que las dislocaciones, diIicultan la conductividad. Por
tanto, cuanto mayor es el tamao de grano mejor es la conductividad.

En otras ocasiones interesa por el contrario que los materiales, aun siendo conductores,
presenten una resistividad electrica elevada. Este es el caso de las resistencias
empleadas como elementos caleIactores en los hornos y estuIas. La energia electrica es
convertida en caloriIica gracias a la dispersion y choques de los electrones. Estos
materiales precisan tambien de un elevado punto de Iusion y una buena resistencia a la
oxidacion a temperaturas elevadas. Los materiales habitualmente empleados son el
nicrom, una aleacion cromo-niquel, y el graIito para temperaturas mas elevadas.


Semiconductores Intrnsecos y Extrnsecos

La conIiguracion electronica de los elementos del grupo del carbono, con dos electrones
en el nivel de valencia p, puede parecer indicada para que estos sistemas sean buenos
conductores. Sin embargo, la hibridacion de orbitales que permite sus habituales cuatro
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enlaces covalentes modiIica su estructura de bandas. En lugar de tener una banda s
completamente llena y una banda p semillena, estos elementos presentan una banda
completamente llena y una banda completamente vacia. El gap de energia entre ambas
es muy elevado para el diamante, y este se comporta como un verdadero aislante ( 10
-
16 m
-1
), pero sin embargo es el silicio y en el germanio se reduce lo suIiciente como
para que a temperatura ambiente presenten una conductividad aceptable (5x10
-4
y
2.2x10
-4
m
-1
, respectivamente). En el estao la conductividad ya es tipicamente
metalica (9x10
-6
m
-1
).



Figura 6.- Estructura de bandas para el diamante.

El silicio y el germanio puros se conocen como semiconductores intrnsecos. El gap
de energia entre las bandas es lo suIicientemente pequeo (1.11 y 0.67 eV) para que con
su energia termica algunos electrones salten de la banda de valencia a la de conduccion,
dejando en la primera los correspondientes huecos. Cuando se aplica un voltaje al
material, los electrones se mueven hacia el polo positivo y los huecos hacia el negativo,
contribuyendo ambos a la conduccion de la corriente. En estos sistemas es
Iundamentalmente la temperatura la que determina su conductividad. Al incrementarse
la temperatura aumenta el numero de especies portadoras de carga y por tanto la
conductividad.

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Figura 7.- Dependencia termica de la conductividad.

Es importante tener en cuenta que este eIecto es el contrario del observado en los
conductores, para los que un incremento de temperatura supone una disminucion de la
conductividad. Ademas se trata de un Ienomeno que sigue una estadistica de Boltzmann
(aumenta exponencialmente con la temperatura), por lo que la determinacion de la
contribucion intrinseca a la conductividad es sencilla (Ln vs 1/T).

La Iuerte dependencia termica de la conductividad en los semiconductores intrinsecos
diIiculta su control y por tanto las aplicaciones de estos elementos. La solucion a este
problema consiste en la adicion de elementos dopantes que aumenten el numero de
portadores. De esta manera, a bajas temperaturas, la conductividad no viene ya
determinada por los electrones termicamente activados, sino por el grado de dopaje
eIectuado. Estos nuevos materiales se llaman semiconductores extrnsecos, y son los
habitualmente empleados en los dispositivos electronicos. Su conductividad puede ser
varios ordenes de magnitud superior a la de sus homologos intrinsecos, pero ademas
puede ser predeterminada para cada aplicacion con mucha eIectividad variando el grado
de dopaje. Ademas, se elimina la importancia que la presencia de impurezas tiene sobre
la conductividad de los elementos 'puros. Dependiendo del tipo de dopaje eIectuado
podemos distinguir entre los tipos n (negativos) y p (positivos).

Los semiconductores de tipo n se preparan dopando el material con una impureza que
tenga mas electrones de valencia que los atomos originales. Los electrones extras, que
no participan en los enlaces, ocupan un nivel situado ligeramente por debajo de (0.1 eV)
de la banda de conduccion, que se denomina nivel donor. En ese nivel los electrones no
son suIicientes para Iormar una banda y no pueden moverse, pero si se les proporciona
la suIiciente energia termica, pueden pasar Iacilmente a la banda de conduccion y
moverse por ella. Evidentemente, cuando todos los electrones extras han pasado a la
banda de conduccion, se alcanza un estado en el que la conductividad es practicamente
independiente de la temperatura en un amplio intervalo.

Los semiconductores de tipo p se preparan dopando el material con una impureza que
tenga menos electrones de valencia que los atomos originales. Al no tener electrones
suIicientes para completar los enlaces covalentes, se crea un hueco en la banda de
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valencia. Este hueco en realidad no se encontrara en la banda de valencia, sino en un
nivel ligeramente mas energetico (0.1 eV) que se denomina nivel aceptor y en el que no
puede moverse. Pero actuara como un aceptor de electrones de la banda de valencia a
temperaturas moderadas, y eso se traducira en un movimiento de huecos positivos en
esta banda. Evidentemente el movimiento de los huecos sera en realidad consecuencia
de los saltos electronicos (hopping) sucesivos en la direccion opuesta. Igual que para
los semiconductores de tipo n, la conductividad es practicamente independiente de la
temperatura en un amplio intervalo, una vez que el nivel aceptor ha saturado.
Evidentemente, si aumentamos mucho la temperatura llegara un momento en que la
conductividad disminuya al disminuir la movilidad de los portadores por las
interacciones con los Ionones (salvo que la conductividad intrinseca supere ya a la
extrinseca).



Figura 8.- Estructura de bandas en los semiconductores tipo n y p.

Los atomos dopantes han de tener obviamente un tamao parecido al de los elementos
originales, para que no modiIiquen sustancialmente la estructura y puedan alcanzarse
grados de dopaje signiIicativos. Asi el silicio se dopa basicamente con IosIoro y
arsenico, para semiconductores tipo n y con boro, aluminio y galio para
semiconductores tipo p. Por su parte el germanio se dopa habitualmente con arsenico y
antimonio (n) y con aluminio, galio e indio (p).

Aunque son el silicio y el germanio los mas utilizados, tambien presentan un
comportamiento semiconductor un gran numero de materiales ceramicos e
intermetalicos. Entre estos ultimos podemos destacar el GaAs, cuya estructura cristalina
y de bandas es similar al del germanio. Puede se tambien dopado para preparar
semiconductores tipo p o n. Presenta un gap de 1.35 eV, que le proporciona un amplio
rango de saturacion, y una buena movilidad de los portadores, porque lo que se utiliza
tambien en muchas aplicaciones. Por otra parte, muchos de los compuestos ionicos se
comportan como semiconductores por la presencia de excesos o deIectos de cationes o
aniones, y presentan caracteristicas muy parecidas a los de los semiconductores
extrinsecos, caso del ZnO (n) y del FeO (p).

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Figura 9.- Comparacion entre las propiedades de los semiconductores.

Dispositivos Semiconductores

Las propiedades de los semiconductores permiten la preparacion de diIerentes
dispositivos que son la base Iundamental de las modernas aplicaciones
microelectronicas. Estos dispositivos se caracterizan por su rapida respuesta, bajo
consumo de potencia y pequeo tamao. Hay que tener en cuenta que sobre un 'chip
de silicio, de menos de 1 cm
2
de area y 200 m. de espesor pueden instalarse una
inmensa cantidad de circuitos, compuestos a su vez por numerosos dispositivos
semiconductores.

La mayoria de los dispositivos semiconductores se basan en las propiedades de la
Irontera entre materiales tipo p y tipo n, la unin p-n. Para preparar este sistema se
puede partir de un cristal de silicio puro y doparlo sucesivamente con elementos p y n,
pero lo mas Irecuente es partir de un semiconductor extrinseco de un tipo sobre el que
se introducen, por diIusion en estado solido, impurezas del otro tipo. Una vez obtenida
la union, los portadores proximos diIunden por ella y se recombinan. Como los iones
son mas grandes que los electrones y huecos, permanecen en sus posiciones de la red e
interrumpen la diIusion al cabo de unas pocas recombinaciones. Se crea asi una region
agotada de portadores de carga que impide el Ilujo neto de corriente en situaciones de
equilibrio (sin aporte externo de energia).



Figura 10.- Union p-n.

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Sin embargo, esa barreara de potencial puede ser vencida Iacilmente por la aplicacion
de un voltaje externo, creandose una unin p-n polarizada. La polarizacion puede ser
directa, conectando el terminal positivo de la bateria al lado p, o inversa, con el
terminal negativo en p. Si la polarizacion es directa, electrones y huecos son dirigidos
hacia la union p-n, donde se recombinan y aniquilan dando lugar a una corriente
apreciable con poca resistencia. Si la polarizacion es inversa, los portadores se alejan de
la union incrementando su barrera de potencial, por lo que la corriente no Iluira, aunque
habra una pequea corriente de fuga debido a los portadores minoritarios de cada lado.
No obstante, si el voltaje inverso aplicado es muy elevado, pueden llegar a arrancarse
electrones de los enlaces covalentes, creandose una corriente inversa muy grande (efecto
avalancha). Basados en estas propiedades de las uniones p-n pueden construirse
diversos dispositivos como los rectificadores o los transistores.



Figura 11.- Polarizacion directa e inversa.

Los rectiIicadores o diodos rectificadores, son dispositivos electronicos que permiten
el paso de la corriente en una sola direccion, y se aplican habitualmente para convertir
corrientes alternas en continuas. Al aplicar una corriente ac a traves de un diodo de
union p-n, la conduccion solo se producira cuando la region p tenga una tension
positiva, de manera que la seal de salida tendra la mitad de la seal de entrada.
Finalmente esta seal es modulada con otros dispositivos para convertirla en una
corriente continua.

Los diodos Zener, o diodos de avalancha, son rectiIicadores de silicio construidos
muy cuidadosamente para que la corriente de Iuga sea practicamente nula, y que la
corriente de avalancha se produzca para valores concretos de voltaje. Se aplican para la
proteccion de circuitos contra incrementos de voltaje accidentales.

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Figura 12.- Funcionamiento de un diodo rectiIicador.

Los transistores son dispositivos Iundamentales para la microelectronica. Su Iuncion
basica Iundamental es la ampliIicacion de seales electricas, pero tambien se utilizan
para el procesado y almacenamiento de inIormacion en los ordenadores y como
conmutadores por su alta velocidad de respuesta. Los mas sencillos son los transistores
de unin bipolar (B1T). Estos constan de dos uniones p-n situadas en un cristal
semiconductor (generalmente de silicio), esto es un triodo p-n-p o n-p-n. A las tres
partes de un transistor se les denomina emisor, base y colector. El emisor es la Iuente de
los portadores de carga, electrones (n) o huecos (p), y esta muy dopado y sometido
normalmente a una polarizacion directa. La base es muy delgada y poco dopada, para
evitar una excesiva recombinacion de los portadores procedentes del emisor. El colector
va a recibir los portadores del emisor y se somete a polarizacion inversa. Al aplicar un
potencial directo al emisor, un gran numero de electrones entra en la base. Como el
numero de huecos en esta es pequeo, la mayoria de los electrones pasan hasta el
colector (95 ), que suma estos electrones a los que ya poseia aumentando
enormemente la intensidad y el voltaje de la seal de salida.



Figura 13.- Funcionamiento de un transistor n-p-n-.
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Los transistores que se utilizan en los ordenadores, y en general en los circuitos de
microelectronica son los llamados transistores de efecto campo (FET), y mas
concretamente los llamados MOSFET (metal oxide semiconductor Iield eIIect
transitor). Estos son mas baratos y pequeos (un chip de silicio puede contener mas de
100.000 transistores de este tipo). Estos transistores estan Iormados por un sustrato de
silicio tipo p (o n), sobre el que se colocan dos pequeas islas de semiconductores tipo n
(o p), denominadas fuente y drenaje, sobre las que se aplican contactos electricos. Por
encima de ellas se coloca una capa aislante de SiO
2
(producida por oxidacion del Si), y
encima de esta un conductor metalico que se denomina puerta. Cuando se aplica una
diIerencia de potencial sobre la puerta y la Iuente, los electrones de esta Iluyen hacia el
drenaje, dado que la capa aislante les impide ir hacia la puerta, generandose una
corriente ampliIicada. Variando el voltaje sobre la puerta, se controla la intensidad de la
seal de salida, y si se cambia la polaridad se cierra el circuito.



Figura 14.- Funcionamiento de un transistor de eIecto de campo.


Procesado de Circuitos Integrados

Los circuitos integrados permiten incorporar miles de componentes electronicos en un
espacio muy reducido, y son basicos en toda la industria electronica actual. Actualmente
se disean a gran escala con ayuda de un ordenador para ahorrar el maximo espacio
posible. El primer paso para su preparacion consiste en el crecimiento de monocristales
cilindricos de silicio, a partir de los cuales se cortan obleas circulares de unos 0.25 mm.
De espesor que seran la base de los circuitos. A partir de aqui existen diIerentes
metodos de trabajo, siendo la fotolitografa el procedimiento mas habitual:

- Las obleas se calientan en presencia de oxigeno para Iormar una delgada capa de
SiO
2
en su superIicie. A continuacion se protege la oblea oxidada con una
lamina polimerica sensible a la luz ultravioleta (photoresist).
- El diseo de los circuitos a preparar se graba por ordenador sobre una mascara
de cromo. Se coloca esta mascara sobre la oblea y se aplica una radiacion UV de
manera que la parte del photoresist no protegida por la mascara es disuelta.
- Se introduce la oblea en acido Iluorhidrico que disuelve la capa de SiO
2
en
aquellas regiones en las que no esta cubierta por el photoresist. Despues se
eliminan los restos del photoresist.
- Se introducen los elementos dopantes requeridos en las zonas de silicio sin el
oxido. Para ello se utilizan tecnicas de difusin o de implante inico. Esta
ultima tecnica, que consiste en el bombardeo a altas velocidades de los iones
dopantes, tiene la ventaja de que puede realizarse a temperatura ambiente y es
mas rapida y Iacil de controlar, pero tambien es mas cara.
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Figura 15.- DiIusion e implante atomico en un chip.

- A continuacion se recubre nuevamente la oblea de SiO
2
por calentamiento en
oxigeno y se repite todo el proceso para introducir otros componentes que sean
necesarios para cada dispositivo, incluidos los contactos electricos.

Todos estos procesos se hayan generalmente automatizados y se desarrollan a gran
velocidad. En general a partir de una oblea se obtienen numerosos chips, normalmente
cuadrados de unos 6 mm., que contienen miles de elementos de circuito: diodos,
transistores, condensadores, resistencias, etc., ademas de gran cantidad de conexiones
electricas para acoplarse a la placa del circuito impreso.

La investigacion en este campo es continua, buscando dispositivos que Iuncionen cada
vez mas rapido de manera que se acorten los tiempos de respuesta de los equipos. Este
objetivo puede cumplirse simplemente haciendo aun mas pequeos los dispositivos,
para lo cual se recurre a los rayos X en sustitucion de la radiacion ultravioleta, nuevos
materiales en los aislantes y contactos metalicos, la utilizacion de semiconductores
como el GaAs con movimientos electronicos mas rapidos que los del silicio, y la
realizacion de chips tridimensionales. Finalmente, es posible que en el Iuturo sean las
propiedades opticas, y no las electricas, de los semiconductores las que permitan a los
ordenadores ser aun mas rapidos.

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Figura 16.- Etapas del proceso IotolitograIico.


Materiales Dielctricos

Las industrias electricas y electronicas no solo precisan de materiales conductores y
semiconductores para transmitir la corriente. Tambien precisan de materiales aislantes
que separen los campos electricos de su entorno. Estos materiales han de tener
obviamente una alta resistividad, pero esto no siempre es suIiciente. A voltajes muy
elevados muchos materiales aislantes transmiten la corriente por un efecto avalancha
similar al que se producia en las uniones p-n con polarizacion inversa. Para seleccionar
adecuadamente un material para una determinada aplicacion es necesario tener en
cuenta no solo su resistividad sino tambien sus propiedades dielectricas. Los materiales
dielctricos son materiales aislantes que presentan, o pueden presentar, una estructura
electrica dipolar; es decir que presentan una separacion entre las entidades cargadas
positiva y negativamente a nivel atomico o molecular (polarizacin). La polarizacion
aparece normalmente al aplicar un campo externo, y puede ser electrnica, presente en
todos los materiales, inica y de orientacin, presente en los compuestos con dipolos
permanentes.


Figura 17.- Tipos de polarizacion.

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Varias son las propiedades de los materiales dielectricos a tener en cuenta de cara a sus
posibles aplicaciones:

- La primera de ellas es su constante dielctrica, que se deIine como el cociente entre
la permeabilidad electrica del material y la del vacio: k /
0
. Recordemos que la carga
que puede almacenar un condensador depende del voltaje aplicado y de la capacitancia
del mismo: Q CV. Y la capacitancia depende de la geometria del condensador y del
medio situado entre las placas conductoras: C A/d. Cuando se coloca un material
dielectrico entre las laminas metalicas de un condensador, la polarizacion en el
dielectrico permite que se acumule una carga adicional en el condensador, y cuanto
mayor es la polarizacion mayor es la constante dielectrica y la carga almacenada.



Figura 18.- Almacenamiento de carga en un condensador.

- Otra propiedad importante a tener en cuenta es la llamada rigidez dielctrica, deIinida
como la magnitud del campo aplicado necesario para producir la ruptura dielectrica,
esto es para que se produzca una descarga por avalancha a traves del dielectrico.

- En muchas ocasiones el dielectrico tendra que operar bajo una corriente alterna, lo que
implica que tendra que variar de Iorma ciclica la orientacion de su polarizacion. Para
que eso ocurra el material necesita un determinado tiempo minimo, cuya inversa es la
llamada frecuencia de relajacin. Esta Irecuencia depende del tipo de polarizacion que
presente el material, siendo pequea para la polarizacion molecular y muy grande para
la polarizacion electrica. Si la Irecuencia de la corriente aplicada es superior a la
Irecuencia de relajacion del material, la constante dielectrica se vera disminuida
bruscamente y ademas dependera de la Irecuencia de la corriente aplicada. Este eIecto
nos permite en ocasiones seleccionar la constante dielectrica que nos interesa para una
determinada aplicacion.

- Los cambios en la polarizacion impuestos por una corriente ac originan tambien
perdidas de energia, normalmente en Iorma de calor que es absorbido por la red. Esta
energia absorbida se denomina prdida dielctrica, y es maxima a Irecuencias
ligeramente inIeriores a la Irecuencia de relajacion.

Materiales Electricos 17


Figura 19.- EIecto de la Irecuencia sobre las propiedades dielectricas.

- La estructura del material tambien juega un papel muy importante, aIectando tanto a
la polarizacion como a las perdidas dielectricas. Asi, gases y liquidos polarizan muy
Iacilmente y tienen elevadas Irecuencias de relajacion, dada la movilidad de sus
particulas. Entre los polimeros, el tamao de la cadena es crucial. Cuanto mas larga es
mas diIicil de polarizar. Por el mismo motivo, los ceramicos vitreos presentan
constantes dielectricas mayores que los cristalinos, y su dependencia de la Irecuencia es
menor. Sin embargo, existen excepciones de gran importancia como el titanato de
barios, BaTiO
3
, cuya estructura asimetrica le proporciona una constante dielectrica
excepcionalmente elevada, Por ultimo, hay que tener en cuenta que la presencia de
deIectos es muy importante. Las descargas por avalancha suelen producirse
Irecuentemente por los bordes de grano, dislocaciones o regiones con mayor contenido
en impurezas.



Figura 20.- Estructura del titanato de bario.

- Obviamente su resistividad elctrica tambien debe ser muy elevada para evitar
movimientos de electrones o iones que propaguen la corriente. Por este motivo, los
dielectricos habitualmente empleados son generalmente ceramicos o polimeros con
resistividades mayores que 10
9
.m.

Se puede concluir por tanto que los materiales mas interesantes para su utilizacion van a
ser aquellos que presenten una alta resistividad, una alta resistencia dielectrica y un bajo
Iactor de perdida dielectrica. Si el material va a ser utilizado en un condensador se
requerira ademas una alta constante dielectrica, pero esto no sera conveniente para un
aislante electrico, pues se producira una indeseable acumulacion de carga sobre el.

En general son diIerentes materiales ceramicos y polimericos los que se utilizan como
aislantes y/o en condensadores. En general la constante dielectrica de los polimeros (2-
5) es inIerior a la de las ceramicas (6-10), dado que tienen momentos bipolares
Materiales Electricos 18
inIeriores. Se utilizan por este motivo para aislar hilos electricos, motores, generadores,
condensadores, etc. Entre los ceramicos, vidrios, porcelanas y mica son muy utilizados
por su alta constante dielectrica y su buena estabilidad dimensional y resistencia a la
traccion. Suelen aplicarse para aislar lineas de alta potencia, Iabricar bases de
interruptores y lamparas, etc. Para la Iabricacion de condensadores se utilizan el oxido
de titanio y titanatos como el de bario por su alta constante dielectrica.



Figura 21.- Propiedades de algunos materiales dielectricos comunes.


Materiales Ferroelctricos y Piezoelctricos

Normalmente, la polarizacion de un material desaparece cuando se elimina el campo
electrico externo. Sin embargo, algunos materiales son capaces de mantener su
polarizacion incluso en ausencia de campo, son los materiales ferroelctricos, esto es
tienen dipolos electricos permanentes. La orientacion de cada dipolo inIluye sobre la
orientacion de sus vecinos, de manera que se produce un Ienomeno cooperativo entre
ellos que impide que se desalineen una vez eliminado el campo. Una de sus propiedades
mas caracteristicas es la presencia de un ciclo de histresis. Al aplicar un campo
creciente los dipolos comienzan a orientarse y la polarizacion a crecer hasta alcanzar su
valor maximo (saturacin). Al disminuir el campo la polarizacion se resiste a
desaparecer, y cuando el campo se hace cero aun permanece una cierta polarizacin
remanente. Esta capacidad de mantener la polarizacion se aplica para almacenar
inIormacion en circuitos de computadoras. Si a continuacion se aplica un campo
creciente en direccion contraria, necesitaremos un cierto campo coercitivo para anular la
polarizacion. Si el campo inverso se incrementa aun mas se alcanzara una saturacion de
polarizacion de signo opuesto, y Iinalmente al disminuirlo y volver a campos positivos
obtendremos un ciclo de histeresis.

Materiales Electricos 19


Figura 22.- Ciclo de histerisis de una material Ierroelectrico.

El area que queda dentro del ciclo de histeresis es proporcional a la energia necesaria
para producir la polarizacion y cambiarla de orientacion. Si aumentamos la temperatura,
las propiedades dielectricas se van perdiendo y el comportamiento Ierroelectrico
tambien, hasta que se alcanza la temperatura de Curie por encima de la cual el
Ienomeno desaparece. Un ejemplo tipico de estos materiales lo constituye el titanato de
bario, lo que explica su alta constante dielectrica. La temperatura de Curie para este
material es de 120 C, porque en ese momento suIre una transicion estructural, hacia
una estructura perovskita, que anula su polarizacion.

En muchos materiales, la polarizacion puede cambiar las dimensiones del material. Este
eIecto se llama electrostriccion y normalmente tiene su origen en la deIormacion que
suIren los atomos y en las variaciones de las longitudes de enlace que se producen. Pero
en algunos materiales el Ienomeno se da en el orden inverso, esto es la introduccion de
un cambio dimensional, impuesto por una Iuerza externa, da lugar a la aparicion de una
polarizacion. Los materiales dielectricos que presentan este comportamiento de Iorma
reversible se denominan materiales piezoelctricos. La direccion de la polarizacion
ademas cambia con la direccion de la deIormacion eIectuada.


Figura 23.- EIecto piezoelectrico

Materiales Electricos 20
Entre los materiales piezoelectricos tenemos a los titanatos de bario y plomo, la
solucion solida PbZrO
3
-PbTiO
3
(PZT), el cuarzo, y otros materiales cuya caracteristicas
comun es la presencia de una estructura compleja y de baja simetria. Se aplican en
agujas de tocadiscos, microIonos, generadores de ultrasonido y detectores sonar.
Cuando la aguja de un tocadiscos pasa por los surcos de un disco trasmite variaciones
de presion a un material piezoelectrico situado en el cabezal, de manera que es
convertida en una seal electrica que despues de ser ampliada pasa al altavoz.


Superconductores

La resistividad de los metales puros disminuye progresivamente con la temperatura
hasta alcanzar un valor pequeo, pero Iinito que es caracteristico de cada material. Sin
embargo, en algunos materiales la resistividad cae bruscamente por debajo de una
determinada temperatura hasta un valor que es practicamente cero. A estos materiales se
les denominan superconductores, y la temperatura por debajo de la cual se observa el
eIecto se conoce como temperatura crtica, T
c
. No obstante, la superconductividad se
pierde si sobre el material se aplica un campo magnetico por encima de cierto valor, H
c
,
o una corriente de mayor intensidad que un valor critico, 1
c
. Ambos parametros
dependen de la temperatura, haciendose mayores cuanto mas lejos de la temperatura
critica se trabaja. La superconductividad tiene tambien implicaciones magneticas que
veremos en el proximo tema, pero se puede adelantar aqui que los superconductores
repelen el campo magnetico.



Figura 24.- Dependencia termica de la resistividad en un superconductor.

El Ienomeno de la superconductividad es conocido desde principio del siglo (1911),
pero Iue a raiz del descubrimiento de los llamados 'superconductores de alta
temperatura en 1986, cuando el campo de sus posibles aplicaciones se abrio
enormemente. Hasta esa Iecha, la temperatura maxima a la que se habia observado un
comportamiento superconductor era de unos 20 K en las aleaciones Nb
3
Ge y Nb
3
Sn. Sin
embargo, Bednorz y Muller (Nobel de 1987), descubrieron la superconductividad a 36
K de una Iase ceramica: La-Sr-Cu-O, y rapidamente se preparo el YBa
2
Cu
3
O
7

('YBaCuO) con una T
c
de 93 K, y posteriormente otros cupratos de Bi, Tl y Hg con
los que se han alcanzado temperaturas criticas de hasta 135 K (160 K bajo presion).
Paso por tanto de ser un Ienomeno curioso, aplicable solo para estudios en laboratorios
especializados, a ser una propiedad de gran aplicabilidad en numerosos campos:
transmision de corriente con perdidas inIimas, miniaturizacion de componentes
Materiales Electricos 21
electronicos al no generase calor, detectores de campos muy pequeos aplicables en
medicina (SQUIDs), sistemas de transporte como los trenes 'Maglev.

Los superconductores metalicos tradicionales como el Nb-Zr, Nb-Ti y Nb
3
Sn son aun
los mas utilizados, por su alta Iiabilidad y durabilidad a pesar de sus bajas temperaturas
criticas ( 20 K). Sin embargo, la aplicacion de los superconductores ceramicos de alta
temperatura es cada vez mayor, a medida que se van mejorando sus metodos de
procesado, especialmente en el caso de los YBaCuO. Pero aun son demasiados Iragiles
e inestables para aplicaciones a gran escala, y en algunos casos muy toxicos.



Figura 25.- Temperaturas criticas de algunos superconductores.

La mayoria de los superconductores de alta temperatura son cupratos con estructura tipo
perovskita. Aunque aun no se conoce bien el mecanismo por el cual se produce la
superconductividad, la clave parece estar en la presencia de planos con iones Cu en
diIerentes estados de oxidacion (2 y 3) y entornos de coordinacion, atomos de
oxigeno y posiciones vacantes. La conductividad es muy anisotropica, siendo maxima
en esos planos, y parece ser debida a transIerencias internas de carga entre los iones de
cobre. El hecho de que aun no se comprenda bien como se produce el Ienomeno, es el
que principalmente diIiculta que se puedan disear nuevos materiales mas estables y
con temperaturas criticas mas altas. No obstante, y a pesar de que la investigacion
transcurre en cierta medida 'a ciegas, continuamente se descubren nuevos materiales
con propiedades superconductoras. Es el caso de algunos Iulerenos alcalinos (30 K),
sulIuros de molibdeno (10 K) o incluso polimeros organicos dopados con cobre (12 K).