AMPLIFICADOR DARLINGTON

Faber Ernesto Pérez Castiblanco

David Stevent Avila Vela

SENA (CEET)

Feperez2@misena.edu.co

dsavila@misena.edu.co

En la electrónica el transistor Darlington es un II. AMPLI FI

FICA DO
DOR
dispositivo semiconductor que combina dos DARLINGTON
transistores bipolares en un tándem (a veces
llamado par Darlington) en un único dispositivo.

La configuraci
configuración
ón originalmen
originalmentete realizada
realizada con
dos transistores separados fue inventada por el
ingeniero de los laboratorios Bell Sídney
Darlington. La idea de poner dos o tres
transistores sobre un chip fue patentada por él,
pero no la idea de poner un número
arbitrario
arbitrario de transistore
transistoress que originaria
originaria la idea
moderna
moderna de circuito integrado.
integrado.

Los   Abstract —  in the next report will

show and take into account the
development and that is the Darlington
amplifier and so look pros and cons of 
this amp when using it to reach a
conclusion of this configuration Esta configuración sirve para que el dispositivo
consists of two transistors
transistors downhill.
downhill. sea capaz de proporcionar una gran ganancia
ganancia de
corriente
corriente y,y, al poder
poder estar todo integrado,
integrado,
requiere menos espacio que dos transistores
I. INTRODUCCION normales en la misma configuración. La
ganancia total del Darlington es el producto de
la ganancia
ganancia de los transistores
transistores individuale
individuales.s. Un
dispositivo típico tiene una ganancia en

E STE informe se realiza para dar a conocer y

ampliar el tema de transistores que se esta
viendo en la parte técnica en electrónica, así con
este informe que nos ampliara el conocimiento
en otro tipo de transistor que en un nuevo pasar
del tiempo lo podamos utilizar para innovar un
dispositivo o crearlo con ayuda de ese
amplificador.
corriente de 1000 o superior. También tienen un
mayor desplazamiento de fase en altas
frecuencias que un único transistor, de ahí que
pueda convertirse fácilmente en inestable. La
tensión base-emisor también es es mayor, siendo la
suma de ambas tensiones base-emisor. Y para
transistores de silicio es superior a 1.2V. la beta
de un transistor
transistor o par
par Darlingto
Darlingtonn se halla
multiplicando las de los transistores
individuales. La intensidad del colector se halla
multiplicando la intensidad de la base por la
beta  total.
Si β 1 y β 2son suficientemente grand s, se da
que:
Un  inconveniente es la duplicación aproximada
de la base-emisor de tensión. Ya ue hay dos
uniones entre la base y emi or de los
transistores  Darlington, el voltaje base-emisor
equivalente es la suma de ambas te siones base-
emisor:
Para la tecnología basada en silicio, en la que
cada VBEi es de aproximadame nte 0,65 V
cuando el dispositivo está funcio ando en la
región  activa o saturada, la tensión base-emisor
necesaria de la pareja es de 1,3 V.
Otro problema es la reducción de l velocidad
de conmutación, ya que el primer tr ansistor no
puede inhibir activamente la corrie te de base
de la segunda, haciendo al dispositi vo lento para
apagarse. Para paliar esto, el segun o transistor
suele tener una resistencia de cientos de ohmios
conectada entre su base y emisor. E sta
resistencia permite una vía de desca rga de baja
impedancia para la carga acumulad en la unión
base-emisor, permitiendo un rápido apagado.
III. CONCLUSIONES
• Se demostró que el amplificad r Darlington
a la salida disminuye la impe ancia y esto
conlleva a que la corriente y la tensión sean
más altas.
• El β  en este tipo de transistor s demasiado
alto y si el material es de silicio el VBE va a
ser igual a 1,4v.
IV. REFERENCIAS
- HTTP:// WWW.FOROSDEELE TRONICA.C
OM / F31/ AMPLIFICADOR-DARLINGTON-
7907/ 

Otro inconveniente del par Darlingt n es el - HTTP:// WWW.ANGELFIRE.C M / AL3/VG

aumento de su tensión de saturación . El HP / DARLINGT.HTM

transistor de salida no puede saturarse (es decir,

su unión base-colector debe perman ecer
polarizada en inversa), ya que su te sión
colector-emisor es ahora igual a la suma de su
propia tensión base-emisor y la tens ión colector-
emisor del primer transistor, ambas positivas en
condiciones de funcionamiento nor al. (En
ecuaciones, V CE2 = VBE2 + VCE1, así VC2 > VB2
siempre.) Por lo tanto, la tensión de saturación
de un transistor Darlington es un V BE (alrededor
de 0,65 V en silicio) más alt o que la tensión de
saturación de un solo transistor, que es
normalmente 0,1 - 0,2 V en el silici . Para
corrientes de colector iguales, este
inconveniente se traduce en un aum nto de la
potencia disipada por el transistor D arlington
comparado con un único transistor.